JPH0451785A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0451785A JPH0451785A JP2159844A JP15984490A JPH0451785A JP H0451785 A JPH0451785 A JP H0451785A JP 2159844 A JP2159844 A JP 2159844A JP 15984490 A JP15984490 A JP 15984490A JP H0451785 A JPH0451785 A JP H0451785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- line
- pixel
- scanning circuit
- row line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 38
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 8
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000009933 burial Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/73—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野)
この発明は、光照射により生成されゲート電極下に蓄積
された電荷量によりソース・ドレイン電流が変調される
電荷変調素子(Charge ModulationD
evice :以下CMDと略称する)などのような撮
像素子を画素の構成要素として用いた固体撮像装置に関
する。
された電荷量によりソース・ドレイン電流が変調される
電荷変調素子(Charge ModulationD
evice :以下CMDと略称する)などのような撮
像素子を画素の構成要素として用いた固体撮像装置に関
する。
〔従来の技術]
従来、MIS型受光受光積部を存する撮像素子からなる
固体撮像装置は種々のものが知られているが、その中、
MIS型受光受光積部を有し、且つ内部増幅機能を有す
る撮像素子を用いた固体撮像装置がある。その−例とし
て本件出願人が提案したCMD撮像素子を用いた固体撮
像装置があり、特開昭60−206063号、及び19
86年に開催されたInternational El
ectron Device Meeting(IED
M)の予稿集の第353〜356頁の’A Ne1w
MO5Image 5ensor Operating
tn a Non−DestructiveRea
dout Mode”という題名の論文で、その内容に
ついて開示がなされている。
固体撮像装置は種々のものが知られているが、その中、
MIS型受光受光積部を有し、且つ内部増幅機能を有す
る撮像素子を用いた固体撮像装置がある。その−例とし
て本件出願人が提案したCMD撮像素子を用いた固体撮
像装置があり、特開昭60−206063号、及び19
86年に開催されたInternational El
ectron Device Meeting(IED
M)の予稿集の第353〜356頁の’A Ne1w
MO5Image 5ensor Operating
tn a Non−DestructiveRea
dout Mode”という題名の論文で、その内容に
ついて開示がなされている。
次に、かかるCMD撮像素子を用いた従来の固体撮像装
置の一構成例を第9図の回路構成図に基づいて説明する
。 まず各画素を構成するCMDlol−11,101
−12,−−−・−101−anをマトリックス状に配
列し、その各ドレインには共通にビデオ・バイアスVD
D(>O)を印加する。X方向に配列されたCMD群の
ゲート端子は、行ライン102−1.1022、・・・
・・1021にそれぞれ共通に接続し、Y方向に配列さ
れたCMD群のソース端子は、列ライン103−L 1
03−2.・・・・・103−nにそれぞれ共通に接続
する。上記列ライン103−1.103−2.・・・、
403−n は、それぞれ列選択用トランジスタ104
−L 104−2・・・−104−n及び反選択用トラ
ンジスタ105−1.105−2、・・・105−nを
介して、信号線106及びGNDに接地されたレファレ
ンス・ライン107にそれぞれ共通に接続している。信
号線106は入力が仮想接地された電流−電圧変換型の
プリアンプ112に接続され、該プリアンプ112の出
力端109には負極性の映像信号が時系列で読み出され
るようになっている。
置の一構成例を第9図の回路構成図に基づいて説明する
。 まず各画素を構成するCMDlol−11,101
−12,−−−・−101−anをマトリックス状に配
列し、その各ドレインには共通にビデオ・バイアスVD
D(>O)を印加する。X方向に配列されたCMD群の
ゲート端子は、行ライン102−1.1022、・・・
・・1021にそれぞれ共通に接続し、Y方向に配列さ
れたCMD群のソース端子は、列ライン103−L 1
03−2.・・・・・103−nにそれぞれ共通に接続
する。上記列ライン103−1.103−2.・・・、
403−n は、それぞれ列選択用トランジスタ104
−L 104−2・・・−104−n及び反選択用トラ
ンジスタ105−1.105−2、・・・105−nを
介して、信号線106及びGNDに接地されたレファレ
ンス・ライン107にそれぞれ共通に接続している。信
号線106は入力が仮想接地された電流−電圧変換型の
プリアンプ112に接続され、該プリアンプ112の出
力端109には負極性の映像信号が時系列で読み出され
るようになっている。
また、行ライン102−1.102−2.・・・・・1
02−鋼は垂直走査回路110に接続して、それぞれ信
号Φ6゜ΦGZ+・・・・・ΦG、を印加し、列選択用
トランジスタ104−1.104−2.−404−n及
び反選択用トランジスタ105−1.105−2.−=
405−nのゲート端子は、水平走査回路111に直接
及びインバータを介して接続して、それぞれ信号Φ、1
.Φ、□11111.Φ8.、及び各々の反転信号を印
加する。なお各画素を構成するCMDは同一基板上に形
成し、その基板には基板電圧VSUBを印加するように
なっている。
02−鋼は垂直走査回路110に接続して、それぞれ信
号Φ6゜ΦGZ+・・・・・ΦG、を印加し、列選択用
トランジスタ104−1.104−2.−404−n及
び反選択用トランジスタ105−1.105−2.−=
405−nのゲート端子は、水平走査回路111に直接
及びインバータを介して接続して、それぞれ信号Φ、1
.Φ、□11111.Φ8.、及び各々の反転信号を印
加する。なお各画素を構成するCMDは同一基板上に形
成し、その基板には基板電圧VSUBを印加するように
なっている。
第10図は、第9図に示したCMDffl像素子を用い
た固体撮像装置の動作を説明するための信号波形図であ
る。行ライン102−1.102−2.・・・・・10
2−麟に印加する信号Φ0.Φ。21.・・、・ΦG、
Iは、読み出しゲート電圧■。とリセ・7ト電圧■□1
とオーバー・フロー電圧■。、と蓄積電圧Vl11より
なり、非選択行においては映像信号の水平有効期間中は
蓄積電圧■INT、水平帰線期間中はオーバー・フロー
電圧■。Fとなり、選択行においては映像信号の水平有
効期間中は読み出しゲート電圧■。、水平帰線期間中は
リセット電圧■□7となる。
た固体撮像装置の動作を説明するための信号波形図であ
る。行ライン102−1.102−2.・・・・・10
2−麟に印加する信号Φ0.Φ。21.・・、・ΦG、
Iは、読み出しゲート電圧■。とリセ・7ト電圧■□1
とオーバー・フロー電圧■。、と蓄積電圧Vl11より
なり、非選択行においては映像信号の水平有効期間中は
蓄積電圧■INT、水平帰線期間中はオーバー・フロー
電圧■。Fとなり、選択行においては映像信号の水平有
効期間中は読み出しゲート電圧■。、水平帰線期間中は
リセット電圧■□7となる。
また列選択用トランジスタ104−1.104−2.・
・・・・104−nのゲート端子に印加する信号Φ3.
.Φ、2゜・・・・Φ8..は、列ライン103−1.
103−2.・・・・・103−r+を選択するための
信号で、低レベルは列選択用トランジスタ104−1.
104−2.−・・・404−nをオフ、反選択用トラ
ンジスタ105−1.105−2.・・−−−105−
nをオンとし、高レベルは列選択用トランジスタ104
1、104−2.・・・・・104−nをオン、反選択
用トランジスタ105−1.105−2.−=・・−1
05−nをオフする電圧値になるように設定されて、各
CMD画素の光信号を信号線106に順次読み出し、プ
リアンプ112で増幅して出力するようになっている。
・・・・104−nのゲート端子に印加する信号Φ3.
.Φ、2゜・・・・Φ8..は、列ライン103−1.
103−2.・・・・・103−r+を選択するための
信号で、低レベルは列選択用トランジスタ104−1.
104−2.−・・・404−nをオフ、反選択用トラ
ンジスタ105−1.105−2.・・−−−105−
nをオンとし、高レベルは列選択用トランジスタ104
1、104−2.・・・・・104−nをオン、反選択
用トランジスタ105−1.105−2.−=・・−1
05−nをオフする電圧値になるように設定されて、各
CMD画素の光信号を信号線106に順次読み出し、プ
リアンプ112で増幅して出力するようになっている。
なお第1O図において、H−BLANKは映像信号の水
平帰線期間のタイミングを示す信号である。
平帰線期間のタイミングを示す信号である。
〔発明が解決しようとする課題]
しかしながら上記従来の固体撮像装置においては、水平
帰線期間に選択行に接続された画素のリセット動作を行
う方式になっているため、次のような不具合を生じる。
帰線期間に選択行に接続された画素のリセット動作を行
う方式になっているため、次のような不具合を生じる。
すなわち各画素の蓄積時間の開始点を決めるリセット動
作は、行単位で水平帰線期間内に線順次で行われるのに
対し、蓄積時間の終了点に相当する読み出し動作は、−
行の行ラインに接続された各画素に対して時系列に点順
次で行われる。このため固体撮像装置上においてマトリ
ックス状に配列された各画素の位置により蓄積時間が異
なるという問題点があった。
作は、行単位で水平帰線期間内に線順次で行われるのに
対し、蓄積時間の終了点に相当する読み出し動作は、−
行の行ラインに接続された各画素に対して時系列に点順
次で行われる。このため固体撮像装置上においてマトリ
ックス状に配列された各画素の位置により蓄積時間が異
なるという問題点があった。
本発明は、従来の固体撮像装置における上記問題点を解
決するためになされたもので、固体撮像装置上の全ての
位置の画素の積分時間が等しくなる動作が実現可能な、
CMDあるいはそれに類似した撮像素子を用いた固体撮
像装置を提供することを目的とする。
決するためになされたもので、固体撮像装置上の全ての
位置の画素の積分時間が等しくなる動作が実現可能な、
CMDあるいはそれに類似した撮像素子を用いた固体撮
像装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段及び作用]上記問題点を解
決するため、本発明は、光照射により生成されゲート電
極下に蓄積された電荷量によりソース・ドレイン電流が
変調される撮像素子を画素の構成要素として含み、該画
素をマトリックス状に配列してなる画素群と、X方向に
配列された画素のソースをそれぞれ共通に接続した複数
の行ラインと、Y方向に配列された画素のゲートをそれ
ぞれ共通に接続した複数の列ラインと、前記各列ライン
に順次駆動信号を送出する水平走査回路と、前記各行ラ
インを信号出力線に接続する第1のスイッチ素子と前記
各行ラインをリセ。
決するため、本発明は、光照射により生成されゲート電
極下に蓄積された電荷量によりソース・ドレイン電流が
変調される撮像素子を画素の構成要素として含み、該画
素をマトリックス状に配列してなる画素群と、X方向に
配列された画素のソースをそれぞれ共通に接続した複数
の行ラインと、Y方向に配列された画素のゲートをそれ
ぞれ共通に接続した複数の列ラインと、前記各列ライン
に順次駆動信号を送出する水平走査回路と、前記各行ラ
インを信号出力線に接続する第1のスイッチ素子と前記
各行ラインをリセ。
ト電位印加のりセット線に接続する第2のスイッチ素子
とをそれぞれ順次駆動する第1及び第2の信号を送出す
る垂直走査回路とを備え、前記各走査回路は、前記垂直
走査回路から第1のスイッチ素子の駆動信号を送出した
のち前記水平走査回路の駆動動作で所定の行ラインの各
画素の画素信号を順次信号出力線に読み出すと共に、該
所定の行ラインの1水平走査周期前に画素信号を読み出
した行ラインに接続された第2のスイッチを駆動して、
該行ラインに接続された各画素を前記水平走査回路の駆
動動作に伴ってリセット動作させるように構成するもの
である。
とをそれぞれ順次駆動する第1及び第2の信号を送出す
る垂直走査回路とを備え、前記各走査回路は、前記垂直
走査回路から第1のスイッチ素子の駆動信号を送出した
のち前記水平走査回路の駆動動作で所定の行ラインの各
画素の画素信号を順次信号出力線に読み出すと共に、該
所定の行ラインの1水平走査周期前に画素信号を読み出
した行ラインに接続された第2のスイッチを駆動して、
該行ラインに接続された各画素を前記水平走査回路の駆
動動作に伴ってリセット動作させるように構成するもの
である。
このように構成した固体撮像装置においては、垂直走査
回路からの第1の信号により第1のスイッチ素子を駆動
して所定の行ラインを信号出力線に接続したのち、水平
走査回路の駆動動作により該所定の行ラインに接続され
た各画素の画素信号が信号出力線に読み出される。また
これと同時に1水平走査周期前に信号が読み出された画
素行に対応する行ラインに接続された第2のスイッチ素
子を垂直走査回路からの第2の信号により駆動して、該
行ラインをリセット線に接続する。そして上記水平走査
回路の駆動動作に伴って該行ラインに接続された各画素
のリセット動作が順次行われる。
回路からの第1の信号により第1のスイッチ素子を駆動
して所定の行ラインを信号出力線に接続したのち、水平
走査回路の駆動動作により該所定の行ラインに接続され
た各画素の画素信号が信号出力線に読み出される。また
これと同時に1水平走査周期前に信号が読み出された画
素行に対応する行ラインに接続された第2のスイッチ素
子を垂直走査回路からの第2の信号により駆動して、該
行ラインをリセット線に接続する。そして上記水平走査
回路の駆動動作に伴って該行ラインに接続された各画素
のリセット動作が順次行われる。
これにより各画素の読み出し及びリセット動作がいずれ
も点順次で行われ、撮像装置上の全ての位置の画素の積
分時間を等しくすることが可能となる。
も点順次で行われ、撮像装置上の全ての位置の画素の積
分時間を等しくすることが可能となる。
〔実施例]
次に実施例について説明する。第1図は、本発明に係る
固体撮像装置の第1の実施例を示す回路構成図であり、
以下その構成を第1図を参照しながら説明する。まず各
画素を構成するCMDI−11゜1−12.・・・・・
1−33を3×3のマトリックス状に配列し、CMD群
の各ドレインには共通に図示しなイヒデオ・バイアスV
DD(>O)を印加するようになっている。Y方向に配
列されたCMD群のゲート端子は、列ライン2−1.2
−2.2−3にそれぞれ共通に接続し、X方向に配列さ
れたCMD群のソース端子は、行ライン3−1.3−2
3−3にそれぞれ共通に接続する。上記行ライン3−
1. 3−2 3−3は、それぞれ信号読み出し用スイ
ッチ5−152.5−3及びリセット用スイッチ4−1
. 4−2. 43を介して、信号線6及びリセット用
の電源8に接続されたリセット・ライン7に接続する。
固体撮像装置の第1の実施例を示す回路構成図であり、
以下その構成を第1図を参照しながら説明する。まず各
画素を構成するCMDI−11゜1−12.・・・・・
1−33を3×3のマトリックス状に配列し、CMD群
の各ドレインには共通に図示しなイヒデオ・バイアスV
DD(>O)を印加するようになっている。Y方向に配
列されたCMD群のゲート端子は、列ライン2−1.2
−2.2−3にそれぞれ共通に接続し、X方向に配列さ
れたCMD群のソース端子は、行ライン3−1.3−2
3−3にそれぞれ共通に接続する。上記行ライン3−
1. 3−2 3−3は、それぞれ信号読み出し用スイ
ッチ5−152.5−3及びリセット用スイッチ4−1
. 4−2. 43を介して、信号線6及びリセット用
の電源8に接続されたリセット・ライン7に接続する。
信号線6は入力端子が仮想接地された電流−電圧変換型
のプリアンプ9に接続され、プリアンプ9の出力端10
には負極性の映像信号が時系列で読み出されるようにな
っている。また列ライン2−1. 2−22−3は水平
走査回路11に接続して、それぞれ信号Φ、1.ΦG!
+ Φ。、を印加し、信号読み出し用スイッチ5−1
.5−2.5−3及びリセット用スイッチ41.4−2
.4−3の制御端子には、垂直走査回路12よりの制御
信号線14−1.14−2.14−3及び13−L 1
3−2.13−3が接続され、それぞれ信号Φ、1A、
Φff2AΦ93A及びΦSil+、 Φ、21 Φ
、3.を印加する。なお各CMDは同一基板上に形成さ
れ、その基板には基板電圧V3L11を印加するように
なっている。
のプリアンプ9に接続され、プリアンプ9の出力端10
には負極性の映像信号が時系列で読み出されるようにな
っている。また列ライン2−1. 2−22−3は水平
走査回路11に接続して、それぞれ信号Φ、1.ΦG!
+ Φ。、を印加し、信号読み出し用スイッチ5−1
.5−2.5−3及びリセット用スイッチ41.4−2
.4−3の制御端子には、垂直走査回路12よりの制御
信号線14−1.14−2.14−3及び13−L 1
3−2.13−3が接続され、それぞれ信号Φ、1A、
Φff2AΦ93A及びΦSil+、 Φ、21 Φ
、3.を印加する。なお各CMDは同一基板上に形成さ
れ、その基板には基板電圧V3L11を印加するように
なっている。
第2図は、第1図に示したCMD画素を用いた固体撮像
装置の動作を説明するための信号波形図である。列ライ
ン2−1.2−2.2−3に印加する信号Φ93.ΦG
よ、Φ。3は列選択電圧■、と列非選択電圧■2よりな
る。また行ライン3−1は、信号Φ。
装置の動作を説明するための信号波形図である。列ライ
ン2−1.2−2.2−3に印加する信号Φ93.ΦG
よ、Φ。3は列選択電圧■、と列非選択電圧■2よりな
る。また行ライン3−1は、信号Φ。
が高レベル期間のみ信号読み出し用スイッチ5−1がオ
ンして信号線6に接続されGND電位となり、信号Φ、
1.が低レベル期間には信号読み出し用スイッチ5−1
はオフする。一方、信号ΦSIRが高レベル期間にはリ
セット用スイッチ4−1がオンして、行ライン3−1は
リセット・ライン7に接続され、リセット用の電源8で
与えられる電位■え 〔正又は負〕と同一電位となり、
信号Φ3重墓が低レベル期間にはリセット用スイッチ4
−1はオフする。
ンして信号線6に接続されGND電位となり、信号Φ、
1.が低レベル期間には信号読み出し用スイッチ5−1
はオフする。一方、信号ΦSIRが高レベル期間にはリ
セット用スイッチ4−1がオンして、行ライン3−1は
リセット・ライン7に接続され、リセット用の電源8で
与えられる電位■え 〔正又は負〕と同一電位となり、
信号Φ3重墓が低レベル期間にはリセット用スイッチ4
−1はオフする。
したがって例えば、水平帰線期間内にΦ、1^が低レベ
ルから高レベルになると、信号読み出し用スイッチ5−
1がオンして、行ライン3−1はスイッチ5−1と信号
線6を介して、入力端子が仮想接地されたプリアンプ9
に接続される。このため行ライン3−1の電位はOVと
なり、この行ライン3−1に接続されているCMD画素
1−11. 1−12. 1−13のソース端子は接地
電位となる。この後、Φ61が列非選択電圧■2から列
選択電圧■1になると、CMD画素1−11のゲート・
ソース間には■1の電位差が生しる。この時の電位差■
1を第9図及び第10図に示した従来例の場合の読み出
しゲート電圧■。の電位と等しく設定すれば、従来例と
同様の信号電流がCMD画素l−11に流れる。
ルから高レベルになると、信号読み出し用スイッチ5−
1がオンして、行ライン3−1はスイッチ5−1と信号
線6を介して、入力端子が仮想接地されたプリアンプ9
に接続される。このため行ライン3−1の電位はOVと
なり、この行ライン3−1に接続されているCMD画素
1−11. 1−12. 1−13のソース端子は接地
電位となる。この後、Φ61が列非選択電圧■2から列
選択電圧■1になると、CMD画素1−11のゲート・
ソース間には■1の電位差が生しる。この時の電位差■
1を第9図及び第10図に示した従来例の場合の読み出
しゲート電圧■。の電位と等しく設定すれば、従来例と
同様の信号電流がCMD画素l−11に流れる。
一方、行ライン3−1に接続されているCMD画素のう
ちCMD画素1−11以外のCMD画素のゲートには列
非選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1−11
以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2となる
。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示した従
来例の場合の蓄積電圧Vllrの電位と等しく設定すれ
ば、従来例と同様にCMD画素L12. 1−1.3は
カットオフし、該画素を構成するCMDには電流は流れ
ない。よってCMD画素1−11の電流だけが行ライン
3−1を介して信号線6に取り出されることになる。以
後信号ΦGt+ ΦG3の状態遷移に伴い、CMDN素
l−121−13の信号が逐次信号線6に取り出される
。
ちCMD画素1−11以外のCMD画素のゲートには列
非選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1−11
以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2となる
。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示した従
来例の場合の蓄積電圧Vllrの電位と等しく設定すれ
ば、従来例と同様にCMD画素L12. 1−1.3は
カットオフし、該画素を構成するCMDには電流は流れ
ない。よってCMD画素1−11の電流だけが行ライン
3−1を介して信号線6に取り出されることになる。以
後信号ΦGt+ ΦG3の状態遷移に伴い、CMDN素
l−121−13の信号が逐次信号線6に取り出される
。
この後の水平帰線期間内に信号Φ31Aが低レベルに変
化すると、信号読み出し用スイッチ5−1がオフして行
ライン3−1は電位0■の信号線6から切り離される。
化すると、信号読み出し用スイッチ5−1がオフして行
ライン3−1は電位0■の信号線6から切り離される。
この時信号Φsrsが低レベルから高レベルに変化して
リセット用スイッチ4−1がオンし、行ライン3−1は
リセット・ライン7を介して電源8に接続されるので、
行ライン3−1にソースが接続されているCMD画素1
−IL 1−12. 113のソース端子は電位V、
となる。この時同時に信号ΦSEAが低レベルから高レ
ベルに変化して信号読み出し用スイッチ5−2がオンし
、行ライン3−2は信号線6を介して仮想接地入力のプ
リアンプ9に接続されるので、行ライン3−2にソース
・ラインが共通接続されたCMD画素1−21. l
−221−23のソース電位はOvとなる。
リセット用スイッチ4−1がオンし、行ライン3−1は
リセット・ライン7を介して電源8に接続されるので、
行ライン3−1にソースが接続されているCMD画素1
−IL 1−12. 113のソース端子は電位V、
となる。この時同時に信号ΦSEAが低レベルから高レ
ベルに変化して信号読み出し用スイッチ5−2がオンし
、行ライン3−2は信号線6を介して仮想接地入力のプ
リアンプ9に接続されるので、行ライン3−2にソース
・ラインが共通接続されたCMD画素1−21. l
−221−23のソース電位はOvとなる。
この後信号ΦG、が列非選択電圧Vtから列選択電圧V
、になると、CMD画素1−11のゲート・ソース間に
はV、−V、の電位差が生じる。この時V、−V、の電
位差が第9図及び第10図に示した従来例の場合のリセ
ット電圧■え、Tの電圧と等しく設定すれば、従来例の
場合と同様にCMD画素1−11に蓄積されていた正孔
信号電荷はゲート下より排出され、CMD画素1−11
はリセットされる。
、になると、CMD画素1−11のゲート・ソース間に
はV、−V、の電位差が生じる。この時V、−V、の電
位差が第9図及び第10図に示した従来例の場合のリセ
ット電圧■え、Tの電圧と等しく設定すれば、従来例の
場合と同様にCMD画素1−11に蓄積されていた正孔
信号電荷はゲート下より排出され、CMD画素1−11
はリセットされる。
−4、行ライン3−2に接続されていて、列選択パルス
信号ΦG1により選択されたCMD画素1−21は前述
のとおり、露光量に応じた信号電流を行うイン3−2及
びスイッチ5−2を介して信号線6に出力する。次に信
号Φc1が列選択電圧■1から列非選択電圧■2になり
、信号ΦG2が列非選択電圧v2から列選択電圧■1に
なると、CMD画素1−12にリセットがかかり、CM
DI−22の信号が信号線6に出力される。以下逐次同
様の動作が行われる。
信号ΦG1により選択されたCMD画素1−21は前述
のとおり、露光量に応じた信号電流を行うイン3−2及
びスイッチ5−2を介して信号線6に出力する。次に信
号Φc1が列選択電圧■1から列非選択電圧■2になり
、信号ΦG2が列非選択電圧v2から列選択電圧■1に
なると、CMD画素1−12にリセットがかかり、CM
DI−22の信号が信号線6に出力される。以下逐次同
様の動作が行われる。
本実施例によれば、Y方向に配列したCMD画素のゲー
トを列ラインに共通に接続して各列ラインを水平走査し
、またχ方向に配列したCMDg素のソースを行ライン
に共通接続して各行ラインを垂直走査することにより、
信号電荷のリセット動作及び信号読み出し動作が共に点
順次で行われることになるため、撮像装置内のどの位置
の画素についても均一な信号電荷の積分時間となり、良
好な画像信号を得ることが可能となる。
トを列ラインに共通に接続して各列ラインを水平走査し
、またχ方向に配列したCMDg素のソースを行ライン
に共通接続して各行ラインを垂直走査することにより、
信号電荷のリセット動作及び信号読み出し動作が共に点
順次で行われることになるため、撮像装置内のどの位置
の画素についても均一な信号電荷の積分時間となり、良
好な画像信号を得ることが可能となる。
第3図は、本発明に係る固体撮像装置の第2の実施例を
示す回路構成図であり、以下その構成を図を参照しなが
ら説明する。この実施例はシャッター機能を持たせるよ
うにしたもので、第1の実施例と同−又は同等の機能を
有する部材には同一の符号を付して示している。
示す回路構成図であり、以下その構成を図を参照しなが
ら説明する。この実施例はシャッター機能を持たせるよ
うにしたもので、第1の実施例と同−又は同等の機能を
有する部材には同一の符号を付して示している。
第1実施例と同様に、まず各画素を構成するCMDI−
IL 1〜12.・・・・・1−33をマトリックス
状に配列し、その各ドレインには共通に図示しないビデ
オ・バイアス■。(〉0)を印加する。Y方間に配列さ
れたCMD群のゲート端子は、列ライン2−1.2−2
.2−3にそれぞれ共通に接続し、X方向に配列された
CMD群のソース端子は、行ライン3−1.3−2.3
−3にそれぞれ共通に接続する。
IL 1〜12.・・・・・1−33をマトリックス
状に配列し、その各ドレインには共通に図示しないビデ
オ・バイアス■。(〉0)を印加する。Y方間に配列さ
れたCMD群のゲート端子は、列ライン2−1.2−2
.2−3にそれぞれ共通に接続し、X方向に配列された
CMD群のソース端子は、行ライン3−1.3−2.3
−3にそれぞれ共通に接続する。
上記行ライン3−1.3−2.3−3は、それぞれ信号
読み出し用スイッチ21−1.21−2.21−3及び
リセット用スイッチ22−1.22−2.22−3を介
して、信号線6及びリセット用の電源8に接続されたリ
セット・ライン7に接続する。信号線6は入力端子が仮
想接地された電流−電圧変換型のプリアンプ9に接続さ
れ、プリアンプ9の出力端10には負極性の映像信号が
時系列で読み出されるようになっている。
読み出し用スイッチ21−1.21−2.21−3及び
リセット用スイッチ22−1.22−2.22−3を介
して、信号線6及びリセット用の電源8に接続されたリ
セット・ライン7に接続する。信号線6は入力端子が仮
想接地された電流−電圧変換型のプリアンプ9に接続さ
れ、プリアンプ9の出力端10には負極性の映像信号が
時系列で読み出されるようになっている。
また列ライン2−1.2−2.2−3は水平走査回路1
1に接続して、それぞれ信号Φ0.Φ、2.Φ。3を印
加し、信号読み出し用スイッチ21−1.21−2.2
13の制御端子には、信号読み出し用垂直走査回路23
J: ’) ノ制御信号M24−L 24−2.24−
3カtJJlし、リセット用スイッチ22−1.22−
2.22−3の制御端子にはリセット用垂直走査回路2
5よりの制御信号線26−L 26−2.26−3が接
続され、それぞれ信号Φ、IAΦStk+ Φi3A及
びΦ3.8.Φ8..Φ331を印加する。なお各CM
Dは同一基板上に形成され、その基板には基板電圧V!
L11を印加するようになっている。
1に接続して、それぞれ信号Φ0.Φ、2.Φ。3を印
加し、信号読み出し用スイッチ21−1.21−2.2
13の制御端子には、信号読み出し用垂直走査回路23
J: ’) ノ制御信号M24−L 24−2.24−
3カtJJlし、リセット用スイッチ22−1.22−
2.22−3の制御端子にはリセット用垂直走査回路2
5よりの制御信号線26−L 26−2.26−3が接
続され、それぞれ信号Φ、IAΦStk+ Φi3A及
びΦ3.8.Φ8..Φ331を印加する。なお各CM
Dは同一基板上に形成され、その基板には基板電圧V!
L11を印加するようになっている。
第4図は、第3図に示した第2実施例の動作を説明する
ための信号波形図である。列ライン2−1゜2−2.2
−3に印加する信号ΦG++ Φ、t、Φ0.は、列
選択電圧VIと列非選択電圧■2よりなる。また行ライ
ン3−1は、信号Φ、lAが高レベル期間のみ信号読み
出し用スイッチ21−1がオンして信号線6に接続され
てGNDtii位となり、信号Φ、1Aが低レベル期間
には信号読み出し用スイッチ21−1はオフして信号線
6から切り離される。一方、信号Φs+sが高レベル期
間にはリセット用スイッチ22−1がオンして行ライン
3−1はリセット・ライン7に接続され、リセット用の
電源8で与えられる電位■、と同一電位となり、信号Φ
、1.が低レベル期間にはリセット用スイッチ22−1
はオフして行ライン3−1はリセット・ライン7から切
り離される。
ための信号波形図である。列ライン2−1゜2−2.2
−3に印加する信号ΦG++ Φ、t、Φ0.は、列
選択電圧VIと列非選択電圧■2よりなる。また行ライ
ン3−1は、信号Φ、lAが高レベル期間のみ信号読み
出し用スイッチ21−1がオンして信号線6に接続され
てGNDtii位となり、信号Φ、1Aが低レベル期間
には信号読み出し用スイッチ21−1はオフして信号線
6から切り離される。一方、信号Φs+sが高レベル期
間にはリセット用スイッチ22−1がオンして行ライン
3−1はリセット・ライン7に接続され、リセット用の
電源8で与えられる電位■、と同一電位となり、信号Φ
、1.が低レベル期間にはリセット用スイッチ22−1
はオフして行ライン3−1はリセット・ライン7から切
り離される。
したがって例えば、水平帰線期間内にΦ31Aが低レベ
ルから高レベルになると、信号読み出し用スイッチ21
−1がオンして、行ライン3−1はスイッチ21−1と
信号線6を介して、入力端子が仮想接地されたプリアン
プ9に接続される。このため行ライン3−1の電位はO
■となり、この行ライン3−1に接続されているCMD
@素1−H,l−12,1−13のソース端子は接地電
位となる。この後、Φ。、が列非選択電圧■、から列選
択電圧■、になると、CMD画素1−11のゲート・ソ
ース間には■1の電位差が生じる。この時の電位差■1
を第9図及び第10図に示した従来例の場合のVlll
の電位と等しく設定すれば、従来例と同様の信号電流が
CMD画素1−11に流れる。
ルから高レベルになると、信号読み出し用スイッチ21
−1がオンして、行ライン3−1はスイッチ21−1と
信号線6を介して、入力端子が仮想接地されたプリアン
プ9に接続される。このため行ライン3−1の電位はO
■となり、この行ライン3−1に接続されているCMD
@素1−H,l−12,1−13のソース端子は接地電
位となる。この後、Φ。、が列非選択電圧■、から列選
択電圧■、になると、CMD画素1−11のゲート・ソ
ース間には■1の電位差が生じる。この時の電位差■1
を第9図及び第10図に示した従来例の場合のVlll
の電位と等しく設定すれば、従来例と同様の信号電流が
CMD画素1−11に流れる。
一方、行ライン3−1に接続されているCMD画素のう
ちCMD画素1−11以外のCMD画素のゲートには列
非選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1−11
以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2となる
。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示した従
来例の場合のv0アの電位と等しく設定すれば、従来例
と同様にCMD画素1−12. 1−13はカットオフ
し、該画素を構成するCMDには電流は流れない。した
がってCMDN素1−11の電流だけが行ライン3−1
を介して信号線6に取り出されることになる。以後信号
Φ。、。
ちCMD画素1−11以外のCMD画素のゲートには列
非選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1−11
以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2となる
。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示した従
来例の場合のv0アの電位と等しく設定すれば、従来例
と同様にCMD画素1−12. 1−13はカットオフ
し、該画素を構成するCMDには電流は流れない。した
がってCMDN素1−11の電流だけが行ライン3−1
を介して信号線6に取り出されることになる。以後信号
Φ。、。
Φ。、の状態遷移に伴い、CMD画素1−12. 1−
13の信号が逐次信号線6に取り出される。
13の信号が逐次信号線6に取り出される。
この後の水平帰線期間内に、信号Φ91Aが高レベルか
ら低レベルに変化すると、信号読み出し用スイッチ21
−1がオフして行ライン3−1は電位0■の信号線6か
ら切り翻される。この時同時に信号ΦStkが低レベル
から高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ21−
1がオンし、行ライン3−2は信号線6を介して仮想接
地入力のプリアンプ9に接続されるので、行ライン3−
2にソース・ラインが共通接続されたCMD画素1−2
1. 1−22. 1−23のソース電位はO■となる
。この後信号ΦG1が副葬選択電圧■2から列選択電圧
■1になると、行ライン3−2に接続されていて、列選
択パルス信号ΦG+により選択されたCMD画素1−2
1は前述のとおり、露光量に応じた信号電流を行ライン
3−2及びスイッチ21−2を介して信号線6に出力す
る。
ら低レベルに変化すると、信号読み出し用スイッチ21
−1がオフして行ライン3−1は電位0■の信号線6か
ら切り翻される。この時同時に信号ΦStkが低レベル
から高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ21−
1がオンし、行ライン3−2は信号線6を介して仮想接
地入力のプリアンプ9に接続されるので、行ライン3−
2にソース・ラインが共通接続されたCMD画素1−2
1. 1−22. 1−23のソース電位はO■となる
。この後信号ΦG1が副葬選択電圧■2から列選択電圧
■1になると、行ライン3−2に接続されていて、列選
択パルス信号ΦG+により選択されたCMD画素1−2
1は前述のとおり、露光量に応じた信号電流を行ライン
3−2及びスイッチ21−2を介して信号線6に出力す
る。
次に信号Φ6.が列選択電圧■、から副葬選択電圧■2
になり、信号Φ1が副葬選択電圧■2から列選択電圧■
1になると、CMD画素1−22の信号が信号線6に出
力される。以下逐次同様の動作が行われる。
になり、信号Φ1が副葬選択電圧■2から列選択電圧■
1になると、CMD画素1−22の信号が信号線6に出
力される。以下逐次同様の動作が行われる。
次に、信号Φ、18が低レベルから高レベルに変化する
と、リセット用スイッチ22−1がオンして、行ライン
3−1はリセット・ライン7を介して電源8に接続され
るので、行ライン3−1にソースが共通に接続されてい
るCMD画素1−11. 142. 113のソース端
子は電位■、となる。この後信号Φ0.が副葬選択電圧
V2から列選択電圧■1になると、CMD画素1−11
のゲート・ソース間にはv、−V、tの電位差が生じる
。この時V、−V、の電位差を第9図及び第10図に示
した従来例の場合の■。、Tの電圧と等しく設定すれば
、従来例の場合と同様にCMD画素1−11に蓄積され
ていた正孔信号電荷はゲート下より排出され、CMD画
素111はリセットされる。次に信号ΦG1が列選択電
圧■1から副葬選択電圧■2になり、信号ΦG2が副葬
選択電圧■、から列選択電圧■1になると、CMD画素
1−12にリセットがかかる。以下逐次同様の動作が行
われる。
と、リセット用スイッチ22−1がオンして、行ライン
3−1はリセット・ライン7を介して電源8に接続され
るので、行ライン3−1にソースが共通に接続されてい
るCMD画素1−11. 142. 113のソース端
子は電位■、となる。この後信号Φ0.が副葬選択電圧
V2から列選択電圧■1になると、CMD画素1−11
のゲート・ソース間にはv、−V、tの電位差が生じる
。この時V、−V、の電位差を第9図及び第10図に示
した従来例の場合の■。、Tの電圧と等しく設定すれば
、従来例の場合と同様にCMD画素1−11に蓄積され
ていた正孔信号電荷はゲート下より排出され、CMD画
素111はリセットされる。次に信号ΦG1が列選択電
圧■1から副葬選択電圧■2になり、信号ΦG2が副葬
選択電圧■、から列選択電圧■1になると、CMD画素
1−12にリセットがかかる。以下逐次同様の動作が行
われる。
本実施例によれば、第1実施例と同様にY方間に配列し
たCMD画素のゲートを列ラインに共通に接続して各列
ラインを水平走査し、またX方向に配列したCMDi!
素のソースを行ラインに共通接続して各行ラインを垂直
走査することにより、信号電荷のリセット動作及び信号
読み出し動作が共に点順次で行われることになるため、
撮像装置内のどの位置の画素についても均一な信号電荷
の積分時間となり、良好な画像信号を得ることが可能と
なる。更に、第1の実施例における露光時間は第4図に
おいてT31.で示すように固定されているが、この実
施例においては、T fillで示すように短(設定す
ることが可能となる。すなわち蓄積時間を水平走査周期
の整数倍に設定するシャッター動作が実現可能となる。
たCMD画素のゲートを列ラインに共通に接続して各列
ラインを水平走査し、またX方向に配列したCMDi!
素のソースを行ラインに共通接続して各行ラインを垂直
走査することにより、信号電荷のリセット動作及び信号
読み出し動作が共に点順次で行われることになるため、
撮像装置内のどの位置の画素についても均一な信号電荷
の積分時間となり、良好な画像信号を得ることが可能と
なる。更に、第1の実施例における露光時間は第4図に
おいてT31.で示すように固定されているが、この実
施例においては、T fillで示すように短(設定す
ることが可能となる。すなわち蓄積時間を水平走査周期
の整数倍に設定するシャッター動作が実現可能となる。
またこの実施例の説明においては、信号読み出し用とリ
セット用に別個の垂直走査回路を設けた構成のものを示
したが、特にこの構成に限定されるものではなく、例え
ば本件出願人が特願平1264989号で開示したよう
に、単一の垂直走査回路を用いて、この機能を実現する
構成を適用することも可能なことは言うまでもない、こ
の実施例の要点は、行ラインにつながるリセット用スイ
ッチと信号読み出し用スイッチの開閉タイミングに、水
平走査周期の整数倍の時間差を持たせることにある。
セット用に別個の垂直走査回路を設けた構成のものを示
したが、特にこの構成に限定されるものではなく、例え
ば本件出願人が特願平1264989号で開示したよう
に、単一の垂直走査回路を用いて、この機能を実現する
構成を適用することも可能なことは言うまでもない、こ
の実施例の要点は、行ラインにつながるリセット用スイ
ッチと信号読み出し用スイッチの開閉タイミングに、水
平走査周期の整数倍の時間差を持たせることにある。
次に第5図は、本発明の第3の実施例を示す回路構成図
であり、以下その構成を図を参照しながら説明する。こ
の実施例はオーバー・フロー動作を行わせるようにした
もので、第1実施例と同−又は同等の機能を有する部材
には同一符号を付して示す。
であり、以下その構成を図を参照しながら説明する。こ
の実施例はオーバー・フロー動作を行わせるようにした
もので、第1実施例と同−又は同等の機能を有する部材
には同一符号を付して示す。
第1実施例と同様に、まず各画素を構成するCMDI−
IL 1−12.・・・・・1−43を3×4のマト
リックス状に配列し、その各ドレインには共通に図示し
ないビデオ・バイアスVen(>0)を印加する。
IL 1−12.・・・・・1−43を3×4のマト
リックス状に配列し、その各ドレインには共通に図示し
ないビデオ・バイアスVen(>0)を印加する。
Y方向に配列されたCMD群のゲート端子は、列ライン
2−1.2−2.2−3にそれぞれ共通に接続し、X方
向に配列されたCMD群のソース端子は、行ライン3−
1.3−2.3−3.3−4にそれぞれ共通に接続する
。上記行ライン3−1.・・・3−4は、それぞれオー
バー・フロー用スイッチ31−1.31−2.31−3
゜31−4及び信号読み出し用スイッチ32−1.32
−2.32−332−4、更にリセット用スイッチ33
−1.33−2.33−333−4を介して、オーバー
・フロー用の′r!1源34に接続されたオーバー・フ
ロー参照線35及び信号線6並びにリセット用のt源8
に接続されたリセットライン7に接続する。信号線6は
入力が仮想接地された電流−電圧変換型のプリアンプ9
に接続され、プリアンプ9の出力端10には負極性の映
像信号が時系列で読み出されるようになっている。
2−1.2−2.2−3にそれぞれ共通に接続し、X方
向に配列されたCMD群のソース端子は、行ライン3−
1.3−2.3−3.3−4にそれぞれ共通に接続する
。上記行ライン3−1.・・・3−4は、それぞれオー
バー・フロー用スイッチ31−1.31−2.31−3
゜31−4及び信号読み出し用スイッチ32−1.32
−2.32−332−4、更にリセット用スイッチ33
−1.33−2.33−333−4を介して、オーバー
・フロー用の′r!1源34に接続されたオーバー・フ
ロー参照線35及び信号線6並びにリセット用のt源8
に接続されたリセットライン7に接続する。信号線6は
入力が仮想接地された電流−電圧変換型のプリアンプ9
に接続され、プリアンプ9の出力端10には負極性の映
像信号が時系列で読み出されるようになっている。
また列ライン2−1.2−2.2−3は水平走査回路1
1に接続して、それぞれ信号Φ。8.Φ62.Φ6.を
印加し、信号読み出し用スイッチ32−1.・・・32
−4及びリセット用スイッチ33−L・・・33−4、
並びにオーバー・フロー用スインチ31−1.・・・3
1−4の制御端子には、垂直走査回路36よりの制御信
号線3B−1,382、38−3,38−4及び39−
1.39−2.39−3.39−4、並びに37−1.
37−2.37−3.37−4が接続され、それぞれ信
号ΦSIM+ Φszs・ Φ53B・ ΦS48及
びΦSIC。
1に接続して、それぞれ信号Φ。8.Φ62.Φ6.を
印加し、信号読み出し用スイッチ32−1.・・・32
−4及びリセット用スイッチ33−L・・・33−4、
並びにオーバー・フロー用スインチ31−1.・・・3
1−4の制御端子には、垂直走査回路36よりの制御信
号線3B−1,382、38−3,38−4及び39−
1.39−2.39−3.39−4、並びに37−1.
37−2.37−3.37−4が接続され、それぞれ信
号ΦSIM+ Φszs・ Φ53B・ ΦS48及
びΦSIC。
Φ、2,7 Φ、6.Φ5ffC+ Φ81.並び
にΦ、1A、ΦH2AΦ3.A、Φ34Aを印加する。
にΦ、1A、ΦH2AΦ3.A、Φ34Aを印加する。
なお各CMDは同一基板上に形成し、その基板には基板
電圧■、−を印加するようになっている。
電圧■、−を印加するようになっている。
第6図は、第5図に示した第3実施例の動作を説明する
ための信号波形図である。列ライン2−12−2.2−
3に印加する信号ΦG++ Φ、!、Φ6.は、列選
択電圧V、と列用選択電圧■2よりなる。また行ライン
3−1は、信号Φs4が高レベル期間のみ信号読み出し
用スイッチ32−1がオンして信号線6に接続されてG
ND電位となり、信号Φ、1.が低レベル期間には信号
読み出し用スイッチ32−1はオフする。一方、信号Φ
SICが高レベル期間にはリセット用スイッチ33−1
がオンして行ライン3−1はリセット・ライン7に接続
され、リセット用の電源8で与えられる電位■えと同一
電位となり、信号Φ、1.が低レベル期間にはリセット
用スイッチ33−1はオフする。更に信号Φ51Aが高
レベル期間のみオーバー・フロー用スイッチ31−1が
オンして、行ライン3−1はオーバー・フロー参照線3
5に接続されてオーバー・フロー用の′riif134
で与えられる電位■。と同一電位となり、ΦSIAが低
レベル期間にはオーバー・フロー用スイッチ31−1は
オフする。
ための信号波形図である。列ライン2−12−2.2−
3に印加する信号ΦG++ Φ、!、Φ6.は、列選
択電圧V、と列用選択電圧■2よりなる。また行ライン
3−1は、信号Φs4が高レベル期間のみ信号読み出し
用スイッチ32−1がオンして信号線6に接続されてG
ND電位となり、信号Φ、1.が低レベル期間には信号
読み出し用スイッチ32−1はオフする。一方、信号Φ
SICが高レベル期間にはリセット用スイッチ33−1
がオンして行ライン3−1はリセット・ライン7に接続
され、リセット用の電源8で与えられる電位■えと同一
電位となり、信号Φ、1.が低レベル期間にはリセット
用スイッチ33−1はオフする。更に信号Φ51Aが高
レベル期間のみオーバー・フロー用スイッチ31−1が
オンして、行ライン3−1はオーバー・フロー参照線3
5に接続されてオーバー・フロー用の′riif134
で与えられる電位■。と同一電位となり、ΦSIAが低
レベル期間にはオーバー・フロー用スイッチ31−1は
オフする。
したがって例えば、水平帰線期間内にΦ、1Aが低レベ
ルから高レベルになると、オーバー・フロー用スイッチ
31−1がオンして、行ライン3−1はスイッチ31−
1とオーバー・フロー参照線35を介して、オーバー・
フロー用の電源34で与えられる電位■。
ルから高レベルになると、オーバー・フロー用スイッチ
31−1がオンして、行ライン3−1はスイッチ31−
1とオーバー・フロー参照線35を介して、オーバー・
フロー用の電源34で与えられる電位■。
と同一電位となる。このため行ライン3−1の電位は■
。となり、この行ライン3−1に接続されているCMD
画素1−11. 1−12. 1−13のソース端子は
■。となる。この後、Φ、1が列用選択電圧■zから列
選択電圧■1になると、CMD画素1−11のゲート・
ソース間にはV、−V、の電位差が生じる。この時V、
−Voの電位差を第9図及び第10図に示した従来例の
場合の例えばオーバー・フロー電圧■。Fの電位と等し
く設定すれば、CMD画素1−11に不必要に蓄積され
ていた過剰電荷は排出される。これにより本件出願人が
特開昭61−136388号に開示した発明によるもの
と同等なブルーミング抑圧効果を得ることができる。
。となり、この行ライン3−1に接続されているCMD
画素1−11. 1−12. 1−13のソース端子は
■。となる。この後、Φ、1が列用選択電圧■zから列
選択電圧■1になると、CMD画素1−11のゲート・
ソース間にはV、−V、の電位差が生じる。この時V、
−Voの電位差を第9図及び第10図に示した従来例の
場合の例えばオーバー・フロー電圧■。Fの電位と等し
く設定すれば、CMD画素1−11に不必要に蓄積され
ていた過剰電荷は排出される。これにより本件出願人が
特開昭61−136388号に開示した発明によるもの
と同等なブルーミング抑圧効果を得ることができる。
次の水平帰線期間内にはΦ51Aが高レベルから低レベ
ルになり、オーバー・フロー用スイッチ311がオフし
て行ライン3−1はオーバー・フロー参照線35から切
り離され、同時にΦ311が低レベルから高レベルにな
り、信号読み出し用スイ・ンチ321がオンして行ライ
ン3−1はスイッチ32−1と信号線6を介して入力端
子が仮想接地されたプリアンプ9に接続される。このた
め行ライン3−1の電位はO■となり、この行ライン3
−1に接続されているCMD画素1−11. 1−12
. 1−13のソース端子は接地電位となる。この後、
Φ、lが列用選択電圧v2から列選択電圧■1になると
、CMD画素111のゲート・ソース間には■1の電位
差が生じる。この時の電位差■1を第9図及び第10図
に示した従来例の場合のVllDの電位と等しく設定す
れば、従来例と同様の信号電流がCMD画素1−11に
流れる。
ルになり、オーバー・フロー用スイッチ311がオフし
て行ライン3−1はオーバー・フロー参照線35から切
り離され、同時にΦ311が低レベルから高レベルにな
り、信号読み出し用スイ・ンチ321がオンして行ライ
ン3−1はスイッチ32−1と信号線6を介して入力端
子が仮想接地されたプリアンプ9に接続される。このた
め行ライン3−1の電位はO■となり、この行ライン3
−1に接続されているCMD画素1−11. 1−12
. 1−13のソース端子は接地電位となる。この後、
Φ、lが列用選択電圧v2から列選択電圧■1になると
、CMD画素111のゲート・ソース間には■1の電位
差が生じる。この時の電位差■1を第9図及び第10図
に示した従来例の場合のVllDの電位と等しく設定す
れば、従来例と同様の信号電流がCMD画素1−11に
流れる。
一方、行ライン3−1に接続されているCMD画素のう
ちCMD画素1−11以外のCMD画素のゲートには列
用選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1−11
以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2となる
。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示した従
来例の場合の■INTの電位と等しく設定すれば、従来
例と同様にCMD画素1−12. 1−13はカットオ
フし、画素を構成するCMDには電流は流れない。した
がってCMD画素1−11の電流だけが行ライン3−1
を介して信号線6に取り出されることになる。なおこの
水平走査期間において、上述したオーバー・フロー動作
と同様にして、Φ、2.が高レベルになることにより、
行ライン3−2に接続されているCMD画素1−21.
1−22.1−23は逐次オーバー・フロー動作を受
けて、不要な過剰電荷の排出動作を行う。
ちCMD画素1−11以外のCMD画素のゲートには列
用選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1−11
以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2となる
。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示した従
来例の場合の■INTの電位と等しく設定すれば、従来
例と同様にCMD画素1−12. 1−13はカットオ
フし、画素を構成するCMDには電流は流れない。した
がってCMD画素1−11の電流だけが行ライン3−1
を介して信号線6に取り出されることになる。なおこの
水平走査期間において、上述したオーバー・フロー動作
と同様にして、Φ、2.が高レベルになることにより、
行ライン3−2に接続されているCMD画素1−21.
1−22.1−23は逐次オーバー・フロー動作を受
けて、不要な過剰電荷の排出動作を行う。
この後の水平帰線期間にΦfi11が高レベルから低レ
ベルに変化すると、信号読み出しスイッチ321がオフ
して行ライン3−1は電位O■の信号線6から切り離さ
れる。この時Φ3ICが低レベルから高レベルに変化し
てリセット用スイッチ33−1がオンし、行ライン3−
1はリセット・ライン7を介して電源8に接続されるの
で、行ライン3−1にソースが接続されているCMD画
素1−11. 1−12. 113のソース端子は電位
■5となる。この時同時にΦ、。が低レベルから高レベ
ルに変化して信号読み出し用スイッチ32−1がオンし
、行ライン3−2は信号線6を介して仮想接地人力のプ
リアンプ9に接続されるので、行うイン3−2にソース
・ラインが共通接続されているCMD画素1−21,1
−221−23のソース電位は0■となる。更に同時に
ΦS3Aが低レベルから高レベルに変化してオーバー・
フロー用スイッチ31−3がオンするので、行ライン3
3はオーバー・フロー用の電源34で与えられる電位■
。になる。
ベルに変化すると、信号読み出しスイッチ321がオフ
して行ライン3−1は電位O■の信号線6から切り離さ
れる。この時Φ3ICが低レベルから高レベルに変化し
てリセット用スイッチ33−1がオンし、行ライン3−
1はリセット・ライン7を介して電源8に接続されるの
で、行ライン3−1にソースが接続されているCMD画
素1−11. 1−12. 113のソース端子は電位
■5となる。この時同時にΦ、。が低レベルから高レベ
ルに変化して信号読み出し用スイッチ32−1がオンし
、行ライン3−2は信号線6を介して仮想接地人力のプ
リアンプ9に接続されるので、行うイン3−2にソース
・ラインが共通接続されているCMD画素1−21,1
−221−23のソース電位は0■となる。更に同時に
ΦS3Aが低レベルから高レベルに変化してオーバー・
フロー用スイッチ31−3がオンするので、行ライン3
3はオーバー・フロー用の電源34で与えられる電位■
。になる。
この後ΦG1が列用選択電圧■2から列選択電圧■1に
なると、CMD画素1−11のゲート・ソース間にはV
、−V、の電位差が生しる。この時■■、の電位差を第
9図及び第10図に示した従来例の場合のV。、の電圧
と等しく設定すれば、従来例の場合と同様にCMD画素
1−11に蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より
排出され、CMD画素1−11はリセットされる。一方
、行ライン3−2に接続し、列選択パルスΦ。、により
選択されたCMD画素1−21は前述のとおり、露光量
に応じた信号電流を行ライン3−2及びスイッチ32−
2を介して信号線6に出力する。更に行ライン3−3に
接続され、列選択パルスΦ。、により選択されたCMD
画素1−31は前述のとおり、オーバー・フロー動作を
受けて不要な過剰電荷の排出動作を行う。次にΦG1が
列選択電圧V、から列用選択電圧■zになり、Φ、2が
列用選択電圧■、から列選択電圧■、になると、CMD
画素1−12にリセットがかかり、CMD画素1−22
の信号が信号線6に出力され、CMD画素1−32にオ
ーバー・フロー動作がなされる。以下逐次同様の動作が
行われる。
なると、CMD画素1−11のゲート・ソース間にはV
、−V、の電位差が生しる。この時■■、の電位差を第
9図及び第10図に示した従来例の場合のV。、の電圧
と等しく設定すれば、従来例の場合と同様にCMD画素
1−11に蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より
排出され、CMD画素1−11はリセットされる。一方
、行ライン3−2に接続し、列選択パルスΦ。、により
選択されたCMD画素1−21は前述のとおり、露光量
に応じた信号電流を行ライン3−2及びスイッチ32−
2を介して信号線6に出力する。更に行ライン3−3に
接続され、列選択パルスΦ。、により選択されたCMD
画素1−31は前述のとおり、オーバー・フロー動作を
受けて不要な過剰電荷の排出動作を行う。次にΦG1が
列選択電圧V、から列用選択電圧■zになり、Φ、2が
列用選択電圧■、から列選択電圧■、になると、CMD
画素1−12にリセットがかかり、CMD画素1−22
の信号が信号線6に出力され、CMD画素1−32にオ
ーバー・フロー動作がなされる。以下逐次同様の動作が
行われる。
更に、引き続く水平帰線期間にΦ、。が高レベルから低
レベルに変化すると、信号読み出し用スイッチ32−2
がオフして行ライン3−2は電位O■の信号線6から切
り離される。この時Φsxcが低レベルから高レベルに
変化してリセット用スイッチ33−2がオンし、行ライ
ン3−2はリセット・ライン7を介して電源8に接続さ
れるので、行ライン32にソースが接続されているCM
D画素1.−21゜1−22. 1−23のソース端子
は電位■8となる。この時同時にΦss*が低レベルか
ら高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ32−3
がオンし、行ライン3−3は信号線6を介して仮想接地
入力のプリアンプ9に接続されるので、行ライン3−3
にソースが共通に接続されているCMD画素1−31.
132、 1−33のソース電位はOVとなる。
レベルに変化すると、信号読み出し用スイッチ32−2
がオフして行ライン3−2は電位O■の信号線6から切
り離される。この時Φsxcが低レベルから高レベルに
変化してリセット用スイッチ33−2がオンし、行ライ
ン3−2はリセット・ライン7を介して電源8に接続さ
れるので、行ライン32にソースが接続されているCM
D画素1.−21゜1−22. 1−23のソース端子
は電位■8となる。この時同時にΦss*が低レベルか
ら高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ32−3
がオンし、行ライン3−3は信号線6を介して仮想接地
入力のプリアンプ9に接続されるので、行ライン3−3
にソースが共通に接続されているCMD画素1−31.
132、 1−33のソース電位はOVとなる。
この後Φ。、が列用選択電圧■2から列選択電圧V、に
なると、CMD画素1−21のゲート・ソース間にはV
、−Vえの電位差が生じる。この時既述のようにV、−
V、が第9図及び第10図に示した従来例の場合の■。
なると、CMD画素1−21のゲート・ソース間にはV
、−Vえの電位差が生じる。この時既述のようにV、−
V、が第9図及び第10図に示した従来例の場合の■。
Tの電圧と等しく設定されていれば、従来例の場合と同
様にCMD画素1−21に蓄積されていた正孔信号電荷
はゲート下より排出され、CMDii!素1−21にリ
セットがかかる。更に、同時に034Aが高レベルに変
化してオーバー・フロー用スイッチ31−4がオンとな
り、行ライン3−4はオーバー・フロー用1134で与
えられる電位■。となり、CMD画素1−41のゲート
・ソース間にはV、−V。の電位差が生しる。この時既
述のようにV、−V、が第9図及び第101EJに示し
た従来例の場合の■。、の電圧と等しく設定されていれ
ば、従来例の場合と同様にCMD画素1.41に過剰に
蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より排出され、
CMD画素1−41にオーバー・フロー動作がかかる。
様にCMD画素1−21に蓄積されていた正孔信号電荷
はゲート下より排出され、CMDii!素1−21にリ
セットがかかる。更に、同時に034Aが高レベルに変
化してオーバー・フロー用スイッチ31−4がオンとな
り、行ライン3−4はオーバー・フロー用1134で与
えられる電位■。となり、CMD画素1−41のゲート
・ソース間にはV、−V。の電位差が生しる。この時既
述のようにV、−V、が第9図及び第101EJに示し
た従来例の場合の■。、の電圧と等しく設定されていれ
ば、従来例の場合と同様にCMD画素1.41に過剰に
蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より排出され、
CMD画素1−41にオーバー・フロー動作がかかる。
一方、行ライン3〜3に接続され、列選択パルスΦG1
により選択されたCMD画素13Iは前述のとおり、露
光量に応じた信号電流を行ライン3−3及びスイッチ3
2−3を介して信号線6に出力する。以下逐次同様の動
作が行われる。
により選択されたCMD画素13Iは前述のとおり、露
光量に応じた信号電流を行ライン3−3及びスイッチ3
2−3を介して信号線6に出力する。以下逐次同様の動
作が行われる。
なお−上記オーバー・フロー動作は、1水平走査期間に
1ラインの行ラインに繋がるCMD画素に対して点順次
で行われるため、本件出願人が特開昭61−13638
8号に開示した発明によるオーバー・フロー動作とは消
費電力の点で相違がある。例えば、オーバー・フロー動
作時のCMD画素1つの平均消費電力をP、J、水平走
査周期をt8、水平帰線率をα、揚傷装置の垂直画素数
をNv、水平画素数をNHとすると、特開昭61−13
6388号に開示された方法によればl水平走査期間に
オーバー・フロー動作に伴って消費されるエネルギーは
、 (NNXNV) ・Pu・a ・t。
1ラインの行ラインに繋がるCMD画素に対して点順次
で行われるため、本件出願人が特開昭61−13638
8号に開示した発明によるオーバー・フロー動作とは消
費電力の点で相違がある。例えば、オーバー・フロー動
作時のCMD画素1つの平均消費電力をP、J、水平走
査周期をt8、水平帰線率をα、揚傷装置の垂直画素数
をNv、水平画素数をNHとすると、特開昭61−13
6388号に開示された方法によればl水平走査期間に
オーバー・フロー動作に伴って消費されるエネルギーは
、 (NNXNV) ・Pu・a ・t。
となる。一方、本実施例による方法では、NIIX p
ux t 、X (1(X>/ NN= P u・(l
−α)・t8 となり、従来例と本実施例Qこよる消費電力の比は、(
1−α) / (N M X N v xα)となる。
ux t 、X (1(X>/ NN= P u・(l
−α)・t8 となり、従来例と本実施例Qこよる消費電力の比は、(
1−α) / (N M X N v xα)となる。
例えば−船釣な値であるN ++ = 780. N
v−500,α−0,117を用いると、上記の比は
一94dBとなり、本実施例は撮像装置の消費電力の低
減に極めて有効であることがわかる。
v−500,α−0,117を用いると、上記の比は
一94dBとなり、本実施例は撮像装置の消費電力の低
減に極めて有効であることがわかる。
本実施例によれば、Y方向に配列したCMD画素のゲー
トを列ラインに共通に接続して各列ラインを水平走査し
、またX方向に配列したCMD画素のソースを行ライン
に共通に接続して各行ラインを垂直走査することにより
、信号電荷のリセット動作及び信号読み出し動作、更に
はオーバー・フロー動作が共に点順次で行われることに
なるため、撮像装置内のどの位置の画素についても均一
な信号電荷の積分時間となり、なおかつ消費電力が極め
て小さく耐ブルーミング性の極めて大きな良好な画像信
号を得ることが可能となる。
トを列ラインに共通に接続して各列ラインを水平走査し
、またX方向に配列したCMD画素のソースを行ライン
に共通に接続して各行ラインを垂直走査することにより
、信号電荷のリセット動作及び信号読み出し動作、更に
はオーバー・フロー動作が共に点順次で行われることに
なるため、撮像装置内のどの位置の画素についても均一
な信号電荷の積分時間となり、なおかつ消費電力が極め
て小さく耐ブルーミング性の極めて大きな良好な画像信
号を得ることが可能となる。
第7図は、本発明の第4の実施例を示す回路構成図であ
り、以下その構成を回を参照しながら説明する。この実
施例は固定パターンノイズ(FPN)を低減できるよう
に構成したもので、第1図に示した第1実施例と同−又
は同等の部材には同一符号を付して示している。
り、以下その構成を回を参照しながら説明する。この実
施例は固定パターンノイズ(FPN)を低減できるよう
に構成したもので、第1図に示した第1実施例と同−又
は同等の部材には同一符号を付して示している。
まず各画素を構成するCMDI−11,1−12,・・
・・・1−43をマトリンクス状に配列し、その各ドレ
インには共通に図示しないビデオ・バイアスvne(〉
0)を印加する。Y方向に配列されたCMD群のゲート
端子は、列ライン2−1.2−2.2−3にそれぞれ共
通に接続し、X方向に配列されたCMD群のソース端子
は、行ライン3−1. 3−2. 3−3゜3−4にそ
れぞれ共通に接続する。上記行ライン31、・・・3−
4は、それぞれ信号読み出し用スイッチ41−1.41
−2.41−3.41−4、及びリセット用スイッチ4
2−1.42−2.42−3.42−4、更にオフセッ
ト読み出し用スイッチ43−1.43−2.43−3.
43−4を介して、信号線6及びリセット用の電源8に
接続されたリセット・ライン7並びにオフセット読み出
し線44に接続する。信号線6は入力が仮想接地された
電流−電圧変換型のプリアンプ45に接続され、プリア
ンプ45の出力端46には負極性の映像信号が時系列で
読み出されるようになっている。またオフセット読み出
し線44は入力が仮想接地された電流−電圧変換型のプ
リアンプ47に接続され、プリアンプ45及び47の各
出力端は、プリアンプ45の出力端側には2水平走査周
期分遅延させる遅延器48を介して差動増幅器49に入
力され、該差動増幅器49の出力端50からは、各画素
の暗時オフセット出力が除去された映像信号が時系列で
読み出されるようになっている。
・・・1−43をマトリンクス状に配列し、その各ドレ
インには共通に図示しないビデオ・バイアスvne(〉
0)を印加する。Y方向に配列されたCMD群のゲート
端子は、列ライン2−1.2−2.2−3にそれぞれ共
通に接続し、X方向に配列されたCMD群のソース端子
は、行ライン3−1. 3−2. 3−3゜3−4にそ
れぞれ共通に接続する。上記行ライン31、・・・3−
4は、それぞれ信号読み出し用スイッチ41−1.41
−2.41−3.41−4、及びリセット用スイッチ4
2−1.42−2.42−3.42−4、更にオフセッ
ト読み出し用スイッチ43−1.43−2.43−3.
43−4を介して、信号線6及びリセット用の電源8に
接続されたリセット・ライン7並びにオフセット読み出
し線44に接続する。信号線6は入力が仮想接地された
電流−電圧変換型のプリアンプ45に接続され、プリア
ンプ45の出力端46には負極性の映像信号が時系列で
読み出されるようになっている。またオフセット読み出
し線44は入力が仮想接地された電流−電圧変換型のプ
リアンプ47に接続され、プリアンプ45及び47の各
出力端は、プリアンプ45の出力端側には2水平走査周
期分遅延させる遅延器48を介して差動増幅器49に入
力され、該差動増幅器49の出力端50からは、各画素
の暗時オフセット出力が除去された映像信号が時系列で
読み出されるようになっている。
また列ライン2−1.2−2.2−3は水平走査回路1
1に接続して、それぞれ信号Φ、1.ΦG!+ Φ。、
を印加し、信号読み出し用スイッチ41−1.41−2
.413、41−4及びリセット用スイッチ4’2−1
.42=2.42−3,42−4、並びにオフセント読
み出し用スイ・ンチ43−1.43−2.43−3.4
3−4の制御端子には、垂直走査回路55よりの制御信
号線56−1.56−2.56−3.564及び57−
1.57−2.57−3.57−4、並びに58−1.
582、58−3.58−4が接続され、それぞれ信号
Φ3.。
1に接続して、それぞれ信号Φ、1.ΦG!+ Φ。、
を印加し、信号読み出し用スイッチ41−1.41−2
.413、41−4及びリセット用スイッチ4’2−1
.42=2.42−3,42−4、並びにオフセント読
み出し用スイ・ンチ43−1.43−2.43−3.4
3−4の制御端子には、垂直走査回路55よりの制御信
号線56−1.56−2.56−3.564及び57−
1.57−2.57−3.57−4、並びに58−1.
582、58−3.58−4が接続され、それぞれ信号
Φ3.。
Φ、2A、Φ33A、Φ、□及びΦ5,8.Φ、2□
Φ331Φ3411並びにΦ、1c、Φ、2c、ΦSt
C+ Φ3.。、Φsacを印加する。なお各CMD
画素は同一基板上に形成され、その基板には基板電圧■
、−を印加するようになっている。
Φ331Φ3411並びにΦ、1c、Φ、2c、ΦSt
C+ Φ3.。、Φsacを印加する。なお各CMD
画素は同一基板上に形成され、その基板には基板電圧■
、−を印加するようになっている。
第8図は、第7図に示した第4実施例の動作を説明する
ための信号波形図である。列ライン2−12−2.2−
3に印加する信号ΦG++ ΦGZ+ ΦG3は、列
選択電圧■、と副葬選択電圧■2よりなる。また行ライ
ン3−1は、ΦSIAが高レベル期間のみ信号読み出し
用スイッチ41−1がオンし信号線6に接続されてGN
D ii位となり、ΦSIAが低レベル期間には信号
読み出し用スイッチ41−1はオフする。
ための信号波形図である。列ライン2−12−2.2−
3に印加する信号ΦG++ ΦGZ+ ΦG3は、列
選択電圧■、と副葬選択電圧■2よりなる。また行ライ
ン3−1は、ΦSIAが高レベル期間のみ信号読み出し
用スイッチ41−1がオンし信号線6に接続されてGN
D ii位となり、ΦSIAが低レベル期間には信号
読み出し用スイッチ41−1はオフする。
一方、Φ、1.が高レベル期間にはリセット用スイッチ
42−1がオンして行ライン3−1はリセット・ライン
7に接続され、リセット用の1itfi8で与えられる
電位■、と同一電位となり、Φ!11が低レベル期間に
はリセット用スイッチ42−1はオフする。
42−1がオンして行ライン3−1はリセット・ライン
7に接続され、リセット用の1itfi8で与えられる
電位■、と同一電位となり、Φ!11が低レベル期間に
はリセット用スイッチ42−1はオフする。
更にΦ、1.が高レベル期間のみオフセット読み出し用
スイッチ43−1がオンして、行ライン3−1はオフセ
ット読み出し線44に接続されてGND電位となり、Φ
s+cが低レベル期間にはオフセノ)5%み出し用スイ
ッチ43−1はオフする。
スイッチ43−1がオンして、行ライン3−1はオフセ
ット読み出し線44に接続されてGND電位となり、Φ
s+cが低レベル期間にはオフセノ)5%み出し用スイ
ッチ43−1はオフする。
したがって例えば、水平帰線期間内にΦ31Aが低レベ
ルから高レベルになると、信号読み出し用スイッチ41
−1がオンして、行ライン3−1はスイッチ41−1と
信号線6を介して、入力端子が仮想接地された電流−電
圧変換型のプリアンプ45に接続される。このため行ラ
イン3−1の電位は0■となり、この行ライン3−1に
接続されているCMD画素IIL 1−12. 1−
13のソース端子は接地電位となる。この後、Φ6.が
副葬選択電圧■2から列選択電圧■1になると、CMD
画素1−11のゲート・ソース間には■、の電位差が生
じる。この時の電位差V1を第9図及び第10図に示し
た従来例の場合のVlllの電位と等しく設定すれば、
従来例と同様の信号電流がCMD画素1−11に流れる
。一方、行ライン3−1に接続されているCMD画素の
うちCMDiiM素1−11以外のCMD画素のゲート
には副葬選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1
−11以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2
となる。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示
した従来例の場合のVINTの電位と等しく設定すれば
、従来例と同様にCMD画素1−121−13はカット
オフし、画素を構成するCMDには電流は流れない。し
たがってCMD画素1−11の電流だけが行ライン3−
1を介して信号線6に取り出されることになる。以後Φ
0..Φ、:lの状態遷移に伴いCMD画素1.−12
. 1−13の信号が逐次信号線6に取り出される。
ルから高レベルになると、信号読み出し用スイッチ41
−1がオンして、行ライン3−1はスイッチ41−1と
信号線6を介して、入力端子が仮想接地された電流−電
圧変換型のプリアンプ45に接続される。このため行ラ
イン3−1の電位は0■となり、この行ライン3−1に
接続されているCMD画素IIL 1−12. 1−
13のソース端子は接地電位となる。この後、Φ6.が
副葬選択電圧■2から列選択電圧■1になると、CMD
画素1−11のゲート・ソース間には■、の電位差が生
じる。この時の電位差V1を第9図及び第10図に示し
た従来例の場合のVlllの電位と等しく設定すれば、
従来例と同様の信号電流がCMD画素1−11に流れる
。一方、行ライン3−1に接続されているCMD画素の
うちCMDiiM素1−11以外のCMD画素のゲート
には副葬選択電圧■2が印加されるので、CMD画素1
−11以外のCMD画素のゲート・ソース間電圧は■2
となる。よってこの電位■2を第9図及び第10図に示
した従来例の場合のVINTの電位と等しく設定すれば
、従来例と同様にCMD画素1−121−13はカット
オフし、画素を構成するCMDには電流は流れない。し
たがってCMD画素1−11の電流だけが行ライン3−
1を介して信号線6に取り出されることになる。以後Φ
0..Φ、:lの状態遷移に伴いCMD画素1.−12
. 1−13の信号が逐次信号線6に取り出される。
この後の水平帰線期間にΦ、1.が高レベルから低レベ
ルに変化すると、信号読み出し用スイッチ41−1がオ
フして行ライン3−1は電位0■の信号線6から切り離
される。この時Φ、1.が低レベルから高レベルに変化
してリセット用スイッチ42−1がオンし、行ライン3
−1はリセット・ライン7を介して電11!8に接続さ
れるので、行ライン3−1にソースが接続されているC
MD画素1−11. l−121−13のソース端子
は電位■、となる。この時同時にΦ、tAが低レベルか
ら高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ41−2
がオンし、行ライン32は信号線6を介して仮想接地入
力のプリアンプ45に接続されるので、行ライン3−2
にソース・ラインが共通接続されているCMD画素1−
21.122、 1−23のソース電位は0■となる。
ルに変化すると、信号読み出し用スイッチ41−1がオ
フして行ライン3−1は電位0■の信号線6から切り離
される。この時Φ、1.が低レベルから高レベルに変化
してリセット用スイッチ42−1がオンし、行ライン3
−1はリセット・ライン7を介して電11!8に接続さ
れるので、行ライン3−1にソースが接続されているC
MD画素1−11. l−121−13のソース端子
は電位■、となる。この時同時にΦ、tAが低レベルか
ら高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ41−2
がオンし、行ライン32は信号線6を介して仮想接地入
力のプリアンプ45に接続されるので、行ライン3−2
にソース・ラインが共通接続されているCMD画素1−
21.122、 1−23のソース電位は0■となる。
この後Φ、1が副葬選択電圧■2から列選択電圧■1に
なると、CMD画素1−11のゲート・ソース間にはV
、−V、の電位差が生しる。この時V1■ヮが第9図及
び第10図に示した従来例の場合の■□、の電圧と等し
く設定すれば、従来例の場合と同様にCMD画素1−1
1に蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より排出さ
れ、CMD画素1−11はリセットされる。一方、行ラ
イン3−2に接続し、列選択パルスΦ、lにより選択さ
れたCMD画素1−21は前述のとおり、露光量に応し
た信号電流を行ライン3−2及びスイッチ41−2を介
して信号線6に出力する。次にΦ、1が列選択電圧■か
ら副葬選択電圧■2になり、ΦG、が副葬選択電圧■、
から列選択電圧■1になると、CMD画素1−12にリ
セットがかかり、CMD画素1−22の信号が信号線6
に出力される。以下逐次同様の動作が行われる。
なると、CMD画素1−11のゲート・ソース間にはV
、−V、の電位差が生しる。この時V1■ヮが第9図及
び第10図に示した従来例の場合の■□、の電圧と等し
く設定すれば、従来例の場合と同様にCMD画素1−1
1に蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より排出さ
れ、CMD画素1−11はリセットされる。一方、行ラ
イン3−2に接続し、列選択パルスΦ、lにより選択さ
れたCMD画素1−21は前述のとおり、露光量に応し
た信号電流を行ライン3−2及びスイッチ41−2を介
して信号線6に出力する。次にΦ、1が列選択電圧■か
ら副葬選択電圧■2になり、ΦG、が副葬選択電圧■、
から列選択電圧■1になると、CMD画素1−12にリ
セットがかかり、CMD画素1−22の信号が信号線6
に出力される。以下逐次同様の動作が行われる。
更に、引き続く水平帰線期間にΦ、!、が高レベルから
低レベルに変化すると、信号読み出し用スイッチ41−
2がオフして行ライン3−2は電位0■の信号線6から
切り離される。この時Φ、2.が低レベルから高レベル
に変化してリセット用スイッチ42−2がオンし、行ラ
イン3−2はリセット・ライン7を介して電源8に接続
されるので、行ライン32にソースが接続されているC
MD画素1−21゜1−22. 1−23のソース端子
は電位■えとなる。この時同時にΦS3Aが低レベルか
ら高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ41−3
がオンし、行ライン3−3は信号線6を介して仮想接地
入力のプリアンプ45に接続されるので、行ライン3−
3にソースが共通に接続されているCMD画素1−31
. 132、 1−33のソース電位は0■となる。こ
の後Φ。
低レベルに変化すると、信号読み出し用スイッチ41−
2がオフして行ライン3−2は電位0■の信号線6から
切り離される。この時Φ、2.が低レベルから高レベル
に変化してリセット用スイッチ42−2がオンし、行ラ
イン3−2はリセット・ライン7を介して電源8に接続
されるので、行ライン32にソースが接続されているC
MD画素1−21゜1−22. 1−23のソース端子
は電位■えとなる。この時同時にΦS3Aが低レベルか
ら高レベルに変化して信号読み出し用スイッチ41−3
がオンし、行ライン3−3は信号線6を介して仮想接地
入力のプリアンプ45に接続されるので、行ライン3−
3にソースが共通に接続されているCMD画素1−31
. 132、 1−33のソース電位は0■となる。こ
の後Φ。
が副葬選択電圧■2から列選択電圧v1になると、CM
D画素1−21 のゲート・ソース間には■1■7の電
位差が生しる。この時前述のように■■えが第9図及び
第10図に示した従来例の場合の■□、の電圧と等しく
設定されていれば、従来例の場合と同様にCMD画素1
−21に蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より排
出され、CMD画素1−21にリセットがかかる。一方
、行ライン3−3に接続されていて、列選択パルスΦ、
により選択されたCMD画素1−31は前述のとおり、
露光量に応じた信号電流を行ライン3−3及びスイッチ
41−3を介して信号線6に出力する。
D画素1−21 のゲート・ソース間には■1■7の電
位差が生しる。この時前述のように■■えが第9図及び
第10図に示した従来例の場合の■□、の電圧と等しく
設定されていれば、従来例の場合と同様にCMD画素1
−21に蓄積されていた正孔信号電荷はゲート下より排
出され、CMD画素1−21にリセットがかかる。一方
、行ライン3−3に接続されていて、列選択パルスΦ、
により選択されたCMD画素1−31は前述のとおり、
露光量に応じた信号電流を行ライン3−3及びスイッチ
41−3を介して信号線6に出力する。
またΦ3ffAが低レベルから高レベルに変化するのと
同時に、ΦSICが低レベルから高レベルに変化してオ
フセット読み出しスイッチ43−1がオンし、行ライン
3−1はオフセット読み出し線44を介して仮想接地人
力のプリアンプ47に接続されるので、行ライン3−1
にソースが共通に接続されているCMD画素1−11,
1−12. 1−13 (7)ソース電位は0■となる
。一方、行ライン3−1に接続されていて、列選択パル
スΦ6□により選択されたCMD画素111は、−水平
走査周期前にリセット動作が行われているので、露光量
0に対応したオフセット電流を行ライン3−1及びスイ
ッチ43〜1を介してオフセット読み出し線44に出力
する。次にΦC+が列選択電圧■、から副葬選択電圧■
2になり、ΦG2が副葬選択電圧■2から列選択電圧■
、になると、CMD画素1−22にリセットがかかり、
CMD画素1−32の露光量に応じた信号が信号線6に
出力され、CMD画素1−12の露光量0に対応したオ
フセット電流がオフセット読み出し線44に出力される
。以下逐次同様の動作が行われる。
同時に、ΦSICが低レベルから高レベルに変化してオ
フセット読み出しスイッチ43−1がオンし、行ライン
3−1はオフセット読み出し線44を介して仮想接地人
力のプリアンプ47に接続されるので、行ライン3−1
にソースが共通に接続されているCMD画素1−11,
1−12. 1−13 (7)ソース電位は0■となる
。一方、行ライン3−1に接続されていて、列選択パル
スΦ6□により選択されたCMD画素111は、−水平
走査周期前にリセット動作が行われているので、露光量
0に対応したオフセット電流を行ライン3−1及びスイ
ッチ43〜1を介してオフセット読み出し線44に出力
する。次にΦC+が列選択電圧■、から副葬選択電圧■
2になり、ΦG2が副葬選択電圧■2から列選択電圧■
、になると、CMD画素1−22にリセットがかかり、
CMD画素1−32の露光量に応じた信号が信号線6に
出力され、CMD画素1−12の露光量0に対応したオ
フセット電流がオフセット読み出し線44に出力される
。以下逐次同様の動作が行われる。
したがって、プリアンプ47の出力端子51には、暗時
出力に相当するオフセット出力が、プリアンプ45の出
力端子46に得られる露光量に応じた出力よりも、2水
平走査周期遅れで出力されることになる。よって出力端
子46に得られる信号を2水平走査周期分遅延させる遅
廷回路48に入力し、その出力52と出力端子51に得
られるオフセット信号とを差動増幅器49に入力するこ
とによって、差動増幅器49の出力端子50には各画素
の露光量に応した信号成分だけが取り出され、各画素の
暗時オフセット出力は除去される。
出力に相当するオフセット出力が、プリアンプ45の出
力端子46に得られる露光量に応じた出力よりも、2水
平走査周期遅れで出力されることになる。よって出力端
子46に得られる信号を2水平走査周期分遅延させる遅
廷回路48に入力し、その出力52と出力端子51に得
られるオフセット信号とを差動増幅器49に入力するこ
とによって、差動増幅器49の出力端子50には各画素
の露光量に応した信号成分だけが取り出され、各画素の
暗時オフセット出力は除去される。
本実施例によれば、Y方向に配列したCMD画素のゲー
トを列ラインに共通に接続して各列ラインを水平走査し
、またX方向に配列したCMD画素のソースを行ライン
に共通に接続して各行ラインを垂直走査することにより
、信号電荷のリセット動作及び信号読み出し動作が共に
点順次で行われることになるため、撮像装置内のどの位
置の画素についても均一な信号電荷の積分時間となり良
好な画像信号を得ることが可能となる。更にこの実施例
ではオフセット信号読み出し機構を設けることにより、
CMDなとのように増幅型撮像素子において大きな問題
点である固定パターン雑音の主因である、暗時オフセッ
ト出力むらの影響を抑圧することが可能となる。
トを列ラインに共通に接続して各列ラインを水平走査し
、またX方向に配列したCMD画素のソースを行ライン
に共通に接続して各行ラインを垂直走査することにより
、信号電荷のリセット動作及び信号読み出し動作が共に
点順次で行われることになるため、撮像装置内のどの位
置の画素についても均一な信号電荷の積分時間となり良
好な画像信号を得ることが可能となる。更にこの実施例
ではオフセット信号読み出し機構を設けることにより、
CMDなとのように増幅型撮像素子において大きな問題
点である固定パターン雑音の主因である、暗時オフセッ
ト出力むらの影響を抑圧することが可能となる。
上記各実施例においては、本発明をCM Dを画素とし
て用いた固体撮像装置に適用したものを示したが、本発
明はCMDを画素として用いた固体撮像装置ばかりでな
く、他の同様な光電変換素子、例えばAMTタイプの光
電変換素子を画素として用いた固体撮像装置にも勿論適
用でき、同様な作用効果が得られる。
て用いた固体撮像装置に適用したものを示したが、本発
明はCMDを画素として用いた固体撮像装置ばかりでな
く、他の同様な光電変換素子、例えばAMTタイプの光
電変換素子を画素として用いた固体撮像装置にも勿論適
用でき、同様な作用効果が得られる。
〔発明の効果]
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、各画素の読み出し及びリセット動作をいずれも点順次
で行われるように構成したので、撮像装置上の全ての画
素の積分時間を等しくすることの可能な固体撮像装置を
容易に提供することができる。
、各画素の読み出し及びリセット動作をいずれも点順次
で行われるように構成したので、撮像装置上の全ての画
素の積分時間を等しくすることの可能な固体撮像装置を
容易に提供することができる。
第1図は、本発明に係る固体撮像装置の第1実施例を示
す回路構成図、第2図は、その動作を説明するための信
号波形図、第3回は、第2実施例を示す回路構成図、第
4図は、その動作を説明するための信号波形図、第5図
は、第3実施例を示す回路構成図、第6図は、その動作
を説明するための信号波形図、第7図は、第4実施例を
示す回路構成図、第8図は、その動作を説明するための
信号波形図、第9図は、従来の固体撮像装置の構成例を
示す回路構成図、第10図は、その動作を説明するため
の信号波形図である。 図において、1−11. 1−12.、、・・・1−4
3はCMD画素、2−1.2−2.2−3は列ライン、
3−1. 32、・・・3−4は行ライン、4−1 4
−2.4−3はリセット用スイッチ、5−L 5−2
.5−3は信号読み出し用スイッチ、6は信号線、7は
リセット・ライン、8はリセット用電源、9はプリアン
プ、11は水平走査回路、12は垂直走査回路、13−
L 13−213−3.14−L 14−2.14〜3
は制御信号線を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第1図 第5図 第7図
す回路構成図、第2図は、その動作を説明するための信
号波形図、第3回は、第2実施例を示す回路構成図、第
4図は、その動作を説明するための信号波形図、第5図
は、第3実施例を示す回路構成図、第6図は、その動作
を説明するための信号波形図、第7図は、第4実施例を
示す回路構成図、第8図は、その動作を説明するための
信号波形図、第9図は、従来の固体撮像装置の構成例を
示す回路構成図、第10図は、その動作を説明するため
の信号波形図である。 図において、1−11. 1−12.、、・・・1−4
3はCMD画素、2−1.2−2.2−3は列ライン、
3−1. 32、・・・3−4は行ライン、4−1 4
−2.4−3はリセット用スイッチ、5−L 5−2
.5−3は信号読み出し用スイッチ、6は信号線、7は
リセット・ライン、8はリセット用電源、9はプリアン
プ、11は水平走査回路、12は垂直走査回路、13−
L 13−213−3.14−L 14−2.14〜3
は制御信号線を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第1図 第5図 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光照射により生成されゲート電極下に蓄積された電
荷量によりソース・ドレイン電流が変調される撮像素子
を画素の構成要素として含み、該画素をマトリックス状
に配列してなる画素群と、X方向に配列された画素のソ
ースをそれぞれ共通に接続した複数の行ラインと、Y方
向に配列された画素のゲートをそれぞれ共通に接続した
複数の列ラインと、前記各列ラインに順次駆動信号を送
出する水平走査回路と、前記各行ラインを信号出力線に
接続する第1のスイッチ素子と前記各行ラインをリセッ
ト電位印加のリセット線に接続する第2のスイッチ素子
とをそれぞれ順次駆動する第1及び第2の信号を送出す
る垂直走査回路とを備え、前記各走査回路は、前記垂直
走査回路から第1のスイッチ素子の駆動信号を送出した
のち前記水平走査回路の駆動動作で所定の行ラインの各
画素の画素信号を順次信号出力線に読み出すと共に、該
所定の行ラインの1水平走査周期前に画素信号を読み出
した行ラインに接続された第2のスイッチを駆動して、
該行ラインに接続された各画素を前記水平走査回路の駆
動動作に伴ってリセット動作させるように構成したこと
を特徴とする固体撮像装置。 2、光照射により生成されゲート電極下に蓄積された電
荷量によりソース・ドレイン電流が変調される撮像素子
を画素の構成要素として含み、該画素をマトリックス状
に配列してなる画素群と、X方向に配列された画素のソ
ースをそれぞれ共通に接続した複数の行ラインと、Y方
向に配列された画素のゲートをそれぞれ共通に接続した
複数の列ラインと、前記各列ラインに順次駆動信号を送
出する水平走査回路と、前記各行ラインを信号出力線に
接続する第1のスイッチ素子と前記各行ラインをリセッ
ト電位印加のリセット線に接続する第2のスイッチ素子
とをそれぞれ順次駆動する第1及び第2の信号を送出す
る垂直走査回路とを備え、前記各走査回路は、前記垂直
走査回路から第2のスイッチ素子の駆動信号を送出した
のち前記水平走査回路の駆動動作で所定の行ラインの各
画素のリセット動作を行わせ、該第2のスイッチ素子を
駆動したタイミングから水平走査周期の整数倍の時間差
をもって第1のスイッチ素子を駆動し、前記水平走査回
路の駆動動作で所定の行ラインの各画素の画素信号を順
次信号出力線に読み出すように構成したことを特徴とす
る固体撮像装置。 3、光照射により生成されゲート電極下に蓄積された電
荷量によりソース・ドレイン電流が変調される撮像素子
を画素の構成要素として含み、該画素をマトリックス状
に配列してなる画素群と、X方向に配列された画素のソ
ースをそれぞれ共通に接続した複数の行ラインと、Y方
向に配列された画素のゲートをそれぞれ共通に接続した
複数の列ラインと、前記各列ラインに順次駆動信号を送
出する水平走査回路と、前記各行ラインを信号出力線に
接続する第1のスイッチ素子と前記各行ラインを過剰電
荷排出用電位印加のオーバー・フロー線に接続する第2
のスイッチ素子とをそれぞれ順次駆動する第1及び第2
の信号を送出する垂直走査回路とを備え、前記各走査回
路は、前記垂直走査回路から第2のスイッチ素子の駆動
信号を送出したのち前記水平走査回路の駆動動作により
所定の行ラインの各画素の過剰蓄積電荷を順次排出して
オーバー・フロー動作を行わせ、該第2のスイッチ素子
を駆動したタイミングから水平走査周期の整数倍の時間
差をもって第1のスイッチ素子を駆動し、前記水平走査
回路の駆動動作で所定の行ラインの各画素の画素信号を
順次信号出力線に読み出すように構成したことを特徴と
する固体撮像装置。 4、光照射により生成されゲート電極下に蓄積された電
荷量によりソース・ドレイン電流が変調される撮像素子
を画素の構成要素として含み、該画素をマトリックス状
に配列してなる画素群と、X方向に配列された画素のソ
ースをそれぞれ共通に接続した複数の行ラインと、Y方
向に配列された画素のゲートをそれぞれ共通に接続した
複数の列ラインと、前記各列ラインに順次駆動信号を送
出する水平走査回路と、前記各行ラインを信号出力線に
接続する第1のスイッチ素子と前記各行ラインをリセッ
ト電位印加のリセット線に接続する第2のスイッチ素子
と前記行ラインをオフセット読み出し線に接続する第3
のスイッチとをそれぞれ順次駆動する第1、第2及び第
3の信号を送出する垂直走査回路と、前記信号出力線の
読み出し信号を2水平走査周期分遅延させたのち前記オ
フセット読み出し線に読み出された暗時オフセット信号
との差動信号を出力させる手段とを備え、前記各走査回
路は、前記垂直走査回路から第1のスイッチ素子の駆動
信号を送出したのち前記水平走査回路の駆動動作により
所定の行ラインの各画素の画素信号を順次信号出力線に
読み出すと共に、該所定の行ラインの1水平走査周期前
に画素信号を読み出した行ラインに接続された第2のス
イッチを駆動して、該行ラインに接続された各画素を前
記水平走査回路の駆動動作に伴ってリセット動作させ、
更に前記所定の行ラインの2水平走査周期前に画素信号
を読み出した行ラインに接続された第3のスイッチを駆
動して前記水平走査回路の駆動動作に伴って該行ライン
の各画素の暗時オフセット信号を読み出すように構成し
たことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2159844A JPH0451785A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 固体撮像装置 |
US08/086,468 US5396289A (en) | 1990-06-20 | 1993-07-06 | Solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2159844A JPH0451785A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0451785A true JPH0451785A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15702474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2159844A Pending JPH0451785A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5396289A (ja) |
JP (1) | JPH0451785A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09163244A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
US6166769A (en) * | 1996-04-10 | 2000-12-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
US5892541A (en) * | 1996-09-10 | 1999-04-06 | Foveonics, Inc. | Imaging system and method for increasing the dynamic range of an array of active pixel sensor cells |
JP3347625B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP3673620B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US6512544B1 (en) | 1998-06-17 | 2003-01-28 | Foveon, Inc. | Storage pixel sensor and array with compression |
US6410899B1 (en) | 1998-06-17 | 2002-06-25 | Foveon, Inc. | Active pixel sensor with bootstrap amplification and reduced leakage during readout |
US6246043B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-06-12 | Foveon, Inc. | Method and apparatus for biasing a CMOS active pixel sensor above the nominal voltage maximums for an IC process |
US6697114B1 (en) | 1999-08-13 | 2004-02-24 | Foveon, Inc. | Triple slope pixel sensor and arry |
US6809768B1 (en) | 2000-02-14 | 2004-10-26 | Foveon, Inc. | Double slope pixel sensor and array |
US6882367B1 (en) | 2000-02-29 | 2005-04-19 | Foveon, Inc. | High-sensitivity storage pixel sensor having auto-exposure detection |
JP4703815B2 (ja) | 2000-05-26 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Mos型センサの駆動方法、及び撮像方法 |
US6940551B2 (en) | 2000-09-25 | 2005-09-06 | Foveon, Inc. | Active pixel sensor with noise cancellation |
JP5248395B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2013-07-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法、放射線撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の検査方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0744661B2 (ja) * | 1982-12-14 | 1995-05-15 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH0831991B2 (ja) * | 1984-04-17 | 1996-03-27 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JPS61136388A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-24 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2601271B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1997-04-16 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
US4974008A (en) * | 1987-10-21 | 1990-11-27 | Olympus Optical Co., Ltd. | Focus detecting system |
US4862276A (en) * | 1988-10-07 | 1989-08-29 | Wang Samuel C | Push-pull readout of dual gate cid arrays |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2159844A patent/JPH0451785A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-06 US US08/086,468 patent/US5396289A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5396289A (en) | 1995-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9490291B2 (en) | Solid state imaging device and camera system | |
US5631704A (en) | Active pixel sensor and imaging system having differential mode | |
US7545425B2 (en) | Solid-state image pickup device and camera system | |
US8390714B2 (en) | Solid-state imaging device and camera system | |
US8274590B2 (en) | Solid-state imaging device driving method | |
EP0898419A2 (en) | Solid-state image sensor and method of driving same | |
US20040046879A1 (en) | Solid state image pickup apparatus | |
JPH0451785A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH01135274A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH10200817A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3037993B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS60105272A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH04878A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0723303A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH08172580A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH04223679A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS60219876A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH04877A (ja) | 固体撮像装置 |