JP2010238908A - コンタクトパラメータの設定方法、コンタクトパラメータの設定用プログラム及びコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録された記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】コンタクトパラメータを視覚的に確認しながら設定して半導体ウエハのデバイスとプローブの接触工程全体をシミュレーションすることができるコンタクトパラメータの設定方法を提供する。
【解決手段】コンタクトパラメータの設定方法は、時間軸と高さ軸とからなる座標図１を用意する工程と、座標図１上で、半導体ウエハの各電極パッドと複数のプローブが電気的に離接する間の半導体ウエハの複数の昇降位置とこれらの昇降位置までにそれぞれ要する半導体ウエハの昇降時間をそれぞれ指定し、複数の指定点Ｐを直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより半導体ウエハのコンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えている。
【選択図】図２

Description

本発明は、検査装置を用いて半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行う際に、被検査体の電極パッドとプローブを電気的に接触させために用いられるコンタクトパラメータの設定方法、コンタクトパラメータの設定用プログラム及びコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録された記録媒体に関し、更に詳しくは、例えばパーソナルコンピュータを用いてコンタクトパラメータを設定することができると共にデバイスの電極パッドとプローブとの一連の接触工程を視覚化してシミュレーションすることができるコンタクトパラメータの設定方法、コンタクトパラメータの設定用プログラム及びコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録された記録媒体に関するものである。

検査装置を用いて半導体ウエハに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行う場合に、半導体ウエハの各デバイスに形成された複数の電極パッドと複数のプローブとを電気的に接触させる。その際、例えば、半導体ウエハを複数のプローブに対して水平方向に移動させて各デバイスの複数の電極パッドと複数のプローブをアライメントした後、半導体ウエハを複数のプローブに向けて上昇させて各デバイスの複数の電極パッドと複数のプローブとを電気的に接触させている。

ここで、複数の電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させる従来のコンタクト方法の一例を図７に基づいて説明する。尚、図７の（ａ）では半導体ウエハ１の一つの電極パッド２と一つのプローブ３に着目して図示してある。電極パッド２とプローブ３とを電気的に接触させるには複数のコンタクトパラメータを設定しなくてはならない。コンタクトパラメータとしては、例えば図７の（ａ）に示すように、電極パッド２をプローブ３に接触させる時の半導体ウエハの電極パッドの高さ（コンタクト高さｈ）、接触後に電極パッド２をプローブ３に食い込ませる量（オーバードライブｏ）、及び次のデバイスに移動する際に電極パッド２をプローブ３から引き離す量（ダウン量）がある。また、プローブ３を電極パッド２に確実に食い込ませるために必要な半導体ウエハのスピード及びスピードを変更する位置ｃ（実線矢印から破線矢印に変化する位置）もコンタクトパラメータとして必要になる。更に、必要に応じて電極パッド２とプローブ３とのコンタクト回数もコンタクトパラメータとして必要になることもある。これらのコンタクトパラメータは、全て検査装置に付帯する表示装置の画面を用いてそれぞれの数値を入力して設定されている。コンタクトパラメータにより、半導体ウエハの接触動作を設定し、電極パッド２及びプローブ３を損傷させることなくデバイスの検査を行う。コンタクトパラメータに関する技術としては例えば特許文献１〜３に記載のものがある。

特許文献１には電極パッドを第１のオーバードライブの状態まで移動させて電気的に接触させた後、電極パッドを僅かに下降させ、電極パッドを再度第２のオーバードライブの状態まで上昇させることにより、電極パッドとプローブを電気的に確実に接触させる方法が記載されている。この場合には第１、第２のオーバードライブや電極パッドの下降量がコンタクトパラメータとして設定される。

また、特許文献２には電極パッドとプローブが接触する直前に上昇速度を格段に遅くし、電極パッドとプローブを接触させた後、接触直前の上昇スピードと同等か、それより若干速い上昇速度で、電極パッドとプローブを接触させることにより、プローブによる電極パッドの損傷を防止するようにしている。この場合には複数の上昇スピード等がコンタクトパラメータとして設定される。

また、特許文献３にはプローブを電極パッドと隣接するように配置した後、プローブと電極パッドとを横方向に相対的に移動させて電気的に接触させることにより、プローブによる電極パッドの損傷を防止するようにしている。この場合にはプローブの先端が電極パッドの上面よりやや下方に位置するまで半導体ウエハとプローブを相対的に移動させる距離や、横方向の移動距離がコンタクトパラメータとして設定される。

特開平１１−１４５２２１号公報 特開２００７−０９５７５３号公報 特表２００７−５２３３５０号公報

しかしながら、図７に示す従来のコンタクトパラメータの設定方法では、コンタクタパラメータの全てを検査装置に付帯する表示装置の画面を用いて設定しているが、検査装置の表示装置の画面に表示できる情報量には制限があるため、一画面で全てのコンタクトパラメータを設定することができず、コンタクトパラメータを複数回に分け、図７の（ｂ）に示すように表示画面を複数回切り替えて設定せざるを得なかった。この場合、表示画面を切り替えて細切れにコンタクトパラメータを設定するため、各画面に設定されたコンタクトパラメータの関係を確認しづらく、その確認作業にも多くの時間を要する上に、半導体ウエハとプローブの接触工程全体を把握することが難しいという課題があった。尚、特許文献１〜３にはコンタクトパラメータの設定方法について記載されていない。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、電極パッドとプローブの接触工程を視覚的に確認しながらコンタクトパラメータを設定して半導体ウエハのデバイスとプローブの接触工程全体をシミュレーションすることができるコンタクトパラメータの設定方法、コンタクトパラメータの設定用プログラム及びコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録された記録媒体を提供することを目的としている。

本発明の請求項１に記載のコンタクトパラメータの設定方法は、半導体ウエハに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させて上記デバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハと複数のプローブを相対的に移動させるためのコンタクトパラメータを設定する方法であって、コンピュータの表示画面に時間を示す第１軸と上記相対移動距離を示す第２軸とからなる座標図を用意する第１の工程と、上記座標図上で、上記相対移動位置を複数回指定すると共に上記複数の相対移動位置までにそれぞれ要する、少なくとも上記半導体ウエハの移動時間をそれぞれ指定し、複数の指定点を直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより上記コンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えたことを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載のコンタクトパラメータの設定方法は、半導体ウエハに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させて上記デバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハを移動させて複数のプローブに離接させるためのコンタクトパラメータを設定する方法であって、コンピュータの表示画面に時間を示す第１軸と上記半導体ウエハの移動距離を示す第２軸とからなる座標図を用意する第１の工程と、上記座標図の上で、上記半導体ウエハの移動位置を複数回指定すると共に上記複数の移動位置までにそれぞれ要する上記半導体ウエハの移動時間をそれぞれ指定し、複数の指定点を直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより上記コンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えたことを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載のコンタクトパラメータの設定方法は、半導体ウエハに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させて上記デバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハを昇降させて複数のプローブに離接させるためのコンタクトパラメータを設定する方法であって、コンピュータの表示画面に時間を示す第１軸と上記半導体ウエハの昇降距離を示す第２軸とからなる座標図を用意する第１の工程と、上記座標図上で、上記半導体ウエハの各電極パッドと上記複数のプローブが電気的に離接する間の上記半導体ウエハの複数の昇降位置とこれらの昇降位置までにそれぞれ要する上記半導体ウエハの昇降時間をそれぞれ指定し、複数の指定点を直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより上記コンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えたことを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載のコンタクトパラメータの設定方法は、請求項３に記載の発明において、上記第２の工程において、上記半導体ウエハが上昇する時には、上昇位置及び上昇時間を複数回指定して、半導体ウエハの上昇速度を変更して設定することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項５に記載のコンタクトパラメータの設定方法は、請求項４に記載の発明において、上記半導体ウエハの上昇開始時には上昇速度を速く、上記複数のプローブに近づくほど上昇速度を遅く設定することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項６に記載のコンタクトパラメータの設定方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記コンピュータがパーソナルコンピュータであることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項７に記載のコンタクトパラメータの設定用プログラムは、検査装置のコンピュータを駆動させて、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンタクトパラメータの設定方法を実行することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項８に記載の記録媒体は、請求項７に記載のコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録されていることを特徴とするものである。

本発明によれば、電極パッドとプローブの接触工程を視覚的に確認しながらコンタクトパラメータを設定して半導体ウエハのデバイスとプローブの接触工程全体をシミュレーションすることができるコンタクトパラメータの設定方法、コンタクトパラメータの設定用プログラム及びコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録された記録媒体を提供することができる。

図１は本発明のコンタクトパラメータの設定用プログラムを用いる検査装置の一例を示す構成図である。 本実施形態のコンタクトパラメータの設定方法でコンタクトパラメータを設定した状態を示すパーソナルコンピュータの表示画面を示す図である。 図１に示す検査装置において設定されたコンタクトパラメータを表示する表示画面を示す図である。 図２に示す表示画面に表示された座標図上でコンタクトパラメータを設定する方法の一工程を示す座標図である。 図２に示す表示画面に表示された座標図上でコンタクトパラメータを設定する方法の一工程を示す座標図で、図４に続く工程を示す座標図である。 図２に示す表示画面に表示された座標図上でコンタクトパラメータを設定する方法の一工程を示すで、図５に続く工程を示す座標図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来のコンタクトパラメータの設定方法の一例を示す説明図である。

以下、図１〜図６に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。

本実施形態のコンタクトパラメータの設定方法は、本実施形態のコンタクトパラメータの設定用プログラムを格納したパーソナルコンピュータ（パソコン）上で実施することができる。本実施形態のコンタクトパラメータの設定用プログラムは、パソコン上で作動してコンタクトパラメータを設定することができ、コンタクトパラメータを設定した後には、そのコンタクトパラメータをフレキシブルディスク（ＦＤ）やＵＳＢメモリ等の記録媒体に格納し、その記憶媒体を介して検査装置に移植し、検査用プログラムの一部として作動する。

まず、本実施形態のコンタクトパラメータの設定方法によって設定されたコンタクトパラメータに基づいて作動する検査装置（プローブ装置）について説明する。このプローブ装置１０は、例えば図１に示すように、プローバ室内にＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向へ移動可能な載置台１１と、載置台１１の上方に配置されたプローブカード１２と、載置台１１上のウエハＷとプローブカード１２のアライメントを行うアライメント機構１３と、を備え、制御装置１４の制御下で、載置台１１とアライメント機構１３が協働して、半導体ウエハＷのデバイスの複数の電極パッドとプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａとのアライメントを行った後、載置台１１が半導体ウエハＷをインデックス送りして半導体ウエハＷの各デバイスの電気的特性検査を行うように構成されている。

載置台１１は、図１に示すようにＸ方向駆動機構、Ｙ方向駆動機構及びＺ方向駆動機構によって構成された駆動機構１１Ａを有している。従って、載置台１１は、制御装置１４の制御下で駆動機構１１Ａを介してＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向へ移動するように構成されている。プローブカード１２は、図１に示すように複数のプローブ１２Ａを有し、カードホルダ１５を介してヘッドプレート１６に固定されている。複数のプローブ１２Ａは、半導体ウエハＷのデバイスの複数の電極パッドと接触するように構成されている。

アライメント機構１３は、図１に示すように、載置台１１とプローブカード１２の間で移動する第１のカメラ１３Ａと、載置台１１の側方に付設された第２のカメラ１３Ｂと、第１のカメラ１３Ａが固定されたアライメントブリッジ１３Ｃと、を備えている。第１のカメラ１３Ａは、アライメントブリッジ１３Ｃを介してプローバ室の奥部からプローブセンタ（プローブカードの中心の延長線上に位置する）との間を移動し、プローブセンタにおいてＸ、Ｙ方向へ移動する載置台１１上の半導体ウエハＷを撮像する。第２のカメラ１３Ｂは、載置台１１を介してプローブカード１２のプローブ１２Ａの真下へ移動し、この位置でプローブ１２Ａを撮像する。

制御装置１４は、本発明のコンタクトパラメータの設定用プログラムやその他のプログラム、更には種々の検査用のデータを記憶する記憶部１４Ａと、第１、第２のカメラ１３Ａ、１３Ｂからの撮像信号に基づいて画像処理する画像処理部１４Ｂと、記憶部１４Ａ及び画像処理部１４Ｂとの間で種々のデータを送受信して演算処理する中央演算処理部１４Ｃと、を備えたコンピュータを主体に構成されている。中央演算処理部１４Ｃは、記憶部１４Ａからコンタクトパラメータの設定用プログラムを含む検査用プログラムを読み出して載置台１１、アライメント機構１３等の構成機器を制御する。

次に、予め用意された本実施形態のコンタクトパラメータの設定用プログラムを専用ツールとして格納したパソコンを用いる本実施形態のコンタクトパラメータの設定方法について、図２〜図６に基づいて説明する。この専用ツールは、例えばウインドウズ等の基本ＯＳ上で動作するものである。

パソコン上で本実施形態のコンタクトパラメータの設定方法を実行する場合には、まず図２に示す座標図１を画面上で開く。この座標図１は、第１軸（横軸）が時間軸と、第２軸（縦軸）が半導体ウエハＷの電極パッド上面の位置（高さ）を示す軸（以下、「高さ軸」と称す。）とからなっている。高さ軸の０点は、半導体ウエハＷをインデックス送りする時の半導体ウエハＷの電球パッド上面の高さを示している。従って、載置台１１が半導体ウエハＷをインデックス送りする場合には、電極パッドの上面の高さは、座標図１上では０である。半導体ウエハＷは、図１に示したように、載置台１１を介して水平方向に移動して電極パッドとプローブ１２Ａのアライメントを終了した後、載置台１１を介して昇降し、電極パッドとプローブ１２Ａが離接する。図２は、半導体ウエハＷの電極パッドとプローブ１２Ａがインデックス送りする時の電極パッド上面の高さとオーバードライブ位置（電極パッドとプローブ１２Ａが電気的に接触する位置）との間の接触工程全体を座標図１においてシミュレーションし、その結果が座標図１にグラフとして表示され、視覚化された一例を示している。

本実施形態のコンタクトパラメータの設定用プログラムをパソコン上で作動させると、図２に示すようにパソコン画面に座標図１が表示される。この座標図１を用いて半導体ウエハＷとプローブ１２Ａの接触の各工程を例えばマウスを用いて結線して接触工程全体を折れ線グラフとして表示する。この折れ線グラフは、半導体ウエハＷの電極パッドがインデックス送り位置からプローブ１２Ａと接触する位置まで一旦上昇した後、半導体ウエハＷが所定の距離だけ下降し、更にプローブとの接触位置まで上昇し、更に接触位置からオーバードライブして電極パッドとプローブ１２Ａが電気的に接触した後、インデックス送り位置へ戻るまでの全工程を一目で判るように表示されている。即ち、座標図１の折れ線グラフ本は、デバイスの検査をするまでに電極パッドがプローブ１２Ａと２回接触する様子を示している。

また、座標図１の上方にツールバー２が表示される。同図に示すようにツールバー２は、座標図１の縮尺に合わせて時間を縮尺表示する時間縮尺表示部２Ａと、電極パッドの高さを縮尺表示する位置縮尺表示部２Ｂを含んでいる。また、座標図１の下方にはテーブル３が表示され、このテーブル３には座標図１に表示された折れ線グラフの各結線データに基づいて計算された目標位置、昇降速度、加速時間及び減速時間がコンタクトパラメータとして表示される。従来の方法では、これらのコンタクトパラメータは、プローブ装置１０の表示装置の画面を用いて、図３に示すように画面を順次切り替えて設定しなければならなかった。

また、テーブル３の隣（図２では右隣）には目標位置が部分的に拡大表示された拡大座標図４が表示され、座標図１の升目では設定できない小さな数値を拡大座標４において正確に設定することができる。更に、座標図１では指定点Ｐが決まった領域１Ａと指定点が決まっていない領域１Ｂが色分け表示するようになっている。図２では領域１Ｂには斜線を施して領域１Ａと区別している。勿論、色分け表示は使い勝手を考慮したものであり、場合によっては領域１Ａ、１Ｂを色分け表示しなくても良い。

本実施形態では図２の折れ線グラフからも明らかなように半導体ウエハＷの電極パッドがプローブ１２Ａと２回接触し、２回目の接触時にそのままオーバードライブして電極パッドとプローブ１２Ａが電気的に接触する方法を採っている。そして、電極パッドとプローブ１２Ａが電気的に接触した後、インデックス位置まで戻る時以外は上昇及び下降のいずれの場合にも途中に速度の変更点を設け、速いスピードから遅いスピードに変えている。上昇時のスピードを変えることによって電極パッドのプローブ１２Ａによる損傷を防止すると共に、検査のスループットを高めている。このような設定も座標図１において以下で示すように簡単に行うことができる。

座標図１を用いてコンタクトパラメータを設定するには、図３に示すようにオペレータがマウスをクリックして座標図１の原点を指定した後、一回目の目標位置と原点からその位置までの所要時間を指定して同図に矢印で示すようにクリックして一番目の目標位置を指定点Ｐ_１として決定すると同時に原点と指定点Ｐ_１が結線される。この時、パソコンの中央演算処理部では原点及び指定点Ｐ_１の位置データに基づいて原点から指定点Ｐ_１に達するまでの上昇速度、加速時間を自動的に計算し、その結果をテーブル３にコンタクトパラメータとして表示する。この際、目標位置まで達する時間を短縮して上昇速度を上げるには、目標位置を変えずに、それまでの所要時間を短縮して結線の勾配を大きくする。逆に上昇時間を下げるには目標位置を変えずに所要時間を長くして結線の勾配を小さくする。

最初の上昇速度でプローブ１２Ａとの接触位置まで半導体ウエハＷを上昇させると、プローブ１２Ａによる電極パッドを傷つける虞があるため、プローブ１２Ａと接触する前に上昇速度を遅くする場合がある。

２番目の指定点Ｐ_２を指定するには、図５に矢印で示すように一番目の指定点Ｐ_１でマウスをクリックした後、２番目の目標位置とそこまでの所要時間を決め、その位置で矢印に示すようにマウスをクリックすると、一番目の指定点Ｐ_１と２番目の指定点Ｐ_２が結線されて、原点と一番目の指定点Ｐ_１との結線より勾配がやや小さな結線が引かれる。更に、図６に示すように、３番目の指定点を電極パッドとプローブ１２Ａの接触位置として指定する。３番目の指定点Ｐ_３を接触位置として指定する場合には、図６に示すようにプローブ１２Ａによる電極パッドの損傷を防止するために、更に上昇速度を落とす。この場合にもマウスで接触位置となる目標位置とそれまでの所要時間を指定して３番目の指定点Ｐ_３を設定する。電極パッドとプローブ１２Ａの接触位置は、プローブ１２Ａから電極パッドへ実質的に針圧がかからない位置である。ここでは一番目の指定点Ｐ_１及び２番目の指定点Ｐ_２が半導体ウエハＷの上昇速度の変更点、つまりコンタクトパラメータとしてテーブル３に自動的に書き込まれる。

本実施形態では上述したように半導体ウエハＷがオーバードライブして電極パッドとプローブ１２Ａが電気的に接触するまでに半導体ウエハＷの電極パッドとプローブ１２Ａを２回接触させるようにしているため、４番目の指定点Ｐ_４は、図６に矢印で示すようにプローブ１２Ａとの接触位置である３番目の指定点Ｐ_３から一旦所定の距離（ダウン量）だけ下降する。半導体ウエハＷが下降する時には、その途中の４番目の指定点Ｐ_４で下降速度を落として５番目の指定点Ｐ_５まで下降する。

６番目の指定点Ｐ_６を指定する場合には、５番目の指定点Ｐ_５よりプローブ１２Ａに近い目標位置を指定すると共に指定点Ｐ_６からその位置までの所要時間を指定してマウスを矢印で示すようにクリックし、５番目の指定点Ｐ_５と６番目の指定点Ｐ_６を結線する。そして、６番目の指定点Ｐ_６の高さ、５番目の指定点Ｐ_５からの所要時間等をコンタクトパラメータとしてテーブル３に書き込む。このように半導体ウエハＷがインデックス送り位置から上昇し、プローブ１２Ａと電気的に接触した後、インデックス送り位置まで戻る一連の接触工程が座標図１に図２に示すように折れ線グラフとして表示され、一連の接触工程をシミュレーションすることができると共に視覚的に把握することができる。

このようにコンタクトパラメータをパソコン上で設定した後、ＦＤやＵＳＢメモリ等の記録媒体に格納する。この記録媒体をプローブ装置１０の制御装置１４のコンピュータに移植することができる。プローブ装置１０では、検査時に検査用プログラムの一環としてコンタクトパラメータの設定用プログラムも立ち上がり、コンタクトパラメータがプローブ装置１０の制御装置１４内にセットされ、コンタクトパラメータに従って半導体ウエハＷの電極パッドとプローブ１２Ａを接触させて所定の検査を行うことができる。また、プローブ装置１０の制御装置１４の記憶部１４Ａで記憶されたコンタクトパラメータを読み込んで、制御装置１４あるいはパソコン上で再編集することもできる。

以上説明したように本実施形態によれば、半導体ウエハＷに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させてデバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハＷを昇降させて複数のプローブに離接させるためのコンタクトパラメータを設定する際に、時間軸と高さ軸とからなる座標図１を用意する工程と、座標図１上で、半導体ウエハＷの各電極パッドと複数のプローブ１２Ａが電気的に離接する間の半導体ウエハＷの複数の昇降位置とこれらの昇降位置までにそれぞれ要する半導体ウエハＷの昇降時間をそれぞれ指定し、複数の指定点Ｐを直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより半導体ウエハＷのコンタクトパラメータを設定する工程と、を備えているため、座標図１においてコンタクトパラメータを視覚的に確認しながら設定して半導体ウエハＷのデバイスとプローブ１２Ａの接触工程全体をシミュレーションすることができる。従って、従来の設定方法のように表示画面を切り替えて、部分的にコンタクトパラメータを設定する場合と比較して、コンタクトパラメータを簡単に設定することができ、設定の要する工数を格段に削減することができる。

また、本実施形態によれば、半導体ウエハＷが上昇する時には、上昇位置及び上昇時間を複数回指定して、半導体ウエハＷの上昇速度を変更して設定するため、半導体ウエハＷの種類に応じて半導体ウエハＷの上昇速度を高速部分から低速部分に変更して、電極パッドを傷つけることなく、高いスループットで半導体ウエハＷの検査を行うことができる。また、パーソナルコンピュータ上でコンタクトパラメータを設定するため、プローブ装置１０の設置場所に制限されることなく、また、如何なる半導体ウエハＷであってもコンタクトパラメータを簡単に設定することができる。

尚、上記実施形態では半導体ウエハが上下方向（Ｚ方向）に移動する場合について説明したが、Ｘ方向の移動と時間軸、Ｙ方向の移動と時間軸の関係においても同様に取り扱うことができ、更にＸ、Ｙ、Ｚ方向を含む三次元において斜め方向の移動と時間軸との関係においても上記実施形態と同様に取り扱うことができる。また、上記実施形態ではプローブ１２Ａが固定され、半導体ウエハＷが移動して電極パッドとプローブ１２Ａを接触させる場合について説明したが、半導体ウエハＷが固定され、プローブが移動する検査装置、あるいは半導体ウエハＷとプローブの双方が移動する検査装置にも本発明を適用することができる。

本発明は、半導体ウエハの検査をする検査装置に好適に利用することができる。

１ 座標図
Ｐ１〜Ｐ_６ 指定点
１０ プローブ装置
１２ プローブカード
１２Ａ プローブ
１４ 制御装置
Ｗ 半導体ウエハ

Claims (8)

1. 半導体ウエハに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させて上記デバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハと複数のプローブを相対的に移動させるためのコンタクトパラメータを設定する方法であって、
   コンピュータの表示画面に時間を示す第１軸と上記相対移動距離を示す第２軸とからなる座標図を用意する第１の工程と、
   上記座標図上で、上記相対移動位置を複数回指定すると共に上記複数の相対移動位置までにそれぞれ要する、少なくとも上記半導体ウエハの移動時間をそれぞれ指定し、複数の指定点を直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより上記コンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えた
   ことを特徴とするコンタクトパラメータの設定方法。
2. 半導体ウエハに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させて上記デバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハを移動させて複数のプローブに離接させるためのコンタクトパラメータを設定する方法であって、
   コンピュータの表示画面に時間を示す第１軸と上記半導体ウエハの移動距離を示す第２軸とからなる座標図を用意する第１の工程と、
   上記座標図の上で、上記半導体ウエハの移動位置を複数回指定すると共に上記複数の移動位置までにそれぞれ要する上記半導体ウエハの移動時間をそれぞれ指定し、複数の指定点を直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより上記コンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えた
   ことを特徴とするコンタクトパラメータの設定方法。
3. 半導体ウエハに形成されたデバイスの電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させて上記デバイスの電気的特性検査を行うために、半導体ウエハを昇降させて複数のプローブに離接させるためのコンタクトパラメータを設定する方法であって、
   コンピュータの表示画面に時間を示す第１軸と上記半導体ウエハの昇降距離を示す第２軸とからなる座標図を用意する第１の工程と、
   上記座標図上で、上記半導体ウエハの各電極パッドと上記複数のプローブが電気的に離接する間の上記半導体ウエハの複数の昇降位置とこれらの昇降位置までにそれぞれ要する上記半導体ウエハの昇降時間をそれぞれ指定し、複数の指定点を直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより上記コンタクトパラメータを設定する第２の工程と、を備えた
   ことを特徴とするコンタクトパラメータの設定方法。
4. 上記第２の工程において、上記半導体ウエハが上昇する時には、上昇位置及び上昇時間を複数回指定して、半導体ウエハの上昇速度を変更して設定することを特徴とする請求項３に記載のコンタクトパラメータの設定方法。
5. 上記半導体ウエハの上昇開始時には上昇速度を速く、上記複数のプローブに近づくほど上昇速度を遅く設定することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトパラメータの設定方法。
6. 上記コンピュータがパーソナルコンピュータであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンタクトパラメータの設定方法。
7. 検査装置のコンピュータを駆動させて、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンタクトパラメータの設定方法を実行することを特徴とするコンタクトパラメータの設定用プログラム。
8. 請求項７に記載のコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録されていることを特徴とする記録媒体。

Images