JP2010235579A - 芳香族スルホニウム塩化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
(式中、R5及びR6は、それぞれ独立に、水酸基、メルカプト基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基、炭素原子数7〜20のアリールアルキル基又は−OSiR21R22R23であり、R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基、または炭素原子数7〜20のアリールアルキル基であり、eは、0〜3の整数であり、fは、0〜4の整数であり、e、fがそれぞれ2以上の数であるとき、R5、R6で表されるそれぞれの複数の置換基は同一であっても異なっていてもよく、R7は、水素原子、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基または炭素原子数7〜20のアリールアルキル基を表し、R7は、隣接するどちらかのベンゼン環と一緒になって環を形成していてもよく、R5、R6、R7、R21、R22およびR23がとりうるアルキル基およびアリールアルキル基の炭素―炭素結合は−O−、−C(=O)−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−S−、−SO−、−SO2−および−SO3−からなる群から選ばれる1つ以上の基で中断されていてもよく、R5、R6、R7、R21、R22およびR23がとりうるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、Anq−はq価(qは1または2である)のアニオンを表し、pは1または2の電荷を中性に保つ係数を表し、E1及びE2は、それぞれ独立に、下記一般式(II)又は下記一般式(III)、
(式中、a及びbは0〜5の整数であり、c及びdは0〜4の整数であり、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、R5及びR6と同様の基であり、Xは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−CR9R10−、−NR11−またはカルボニル基を表し、R9、R10及びR11は、水素原子、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基または炭素原子数7〜20のアリールアルキル基であり、a〜dがそれぞれ2以上の数であるとき、R1〜R4で表されるそれぞれの複数の置換基は同一であっても異なっていてもよい。)で表される置換基であり、nは、0または1である。)で表されることを特徴とするものである。
上記一般式中、R1〜R6がとりうるハロゲン原子、並びに、R1〜R7がとりうるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基の水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
トリフルオロメタンスルホン酸(9−ブチル−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム(化合物No.1)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸(9−ブチル−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フェニルチオフェニル)スルホニウム(化合物No.2)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸(9−ブチル−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フェニルスルホニルフェニル)スルホニウム(化合物No.3)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸(9−エチル−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム(化合物No.4)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸(9−エチル−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フェニルチオフェニル)スルホニウム(化合物No.5)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸(9−エチル−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フェニルスルホニルフェニル)スルホニウム(化合物No.6)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸(9−エチル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルスルホニウム(化合物No.8)の合成
トリフルオロメタンスルホン酸〔9−(4−ニトロフェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)ビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム(化合物No.9)の合成
化合物No.10の合成
化合物No.11の合成
化合物No.12の合成(化合物No.4のSbF6塩の合成)
化合物No.13の合成(化合物No.8のSbF6塩の合成)
※注2:化合物No.10からフルオロフェニル基がとれたM/zに相当する値。
*HPLC測定条件
カラム:「Inertsil ODS−2」(ジーエルサイエンス(株)製)、粒子径:5μm、カラム内径および長さ:4.6×250mm、温度:40℃
溶離液:アセトニトリル/水=9/1(1−オクタンスルホン酸ナトリウム4.38g/水1L)、流量:1.00mL/min
検出器:UV230nm
上記化合物No.8及び以下に示す比較化合物No.1及びNo.2について、それぞれ0.02mmol/gのアセトニトリル溶液を調製した。内径93mmのシャーレに調製したアセトニトリル溶液を5.00g入れ、TOSHIBA製蛍光ランプ(FL10BL、330mm)の下、365nmの光を0.8mW/cm2で5分間露光した。露光後の溶液について、BTBを指示薬とし、0.05Nの水酸化カリウムエタノール溶液で滴定を行った。得られた測定滴定値について、光照射前の溶液について同様に滴定をした値をブランクとして差し引く補正を行った滴定値から、下記式により、酸発生率を求めた。その結果を、下記の〔表3〕に示す。
酸発生率(%)=酸滴定値(mol)÷各化合物理論モル数(mol)×100
3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート80g、および、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル20gを混合したものに、上記化合物No.6を4mmol添加し、よく攪拌し均一にした。これをアルミコート紙上に#3のバーコーターで塗布した。これに、ベルトコンベア付き光照射装置を使用して80W/cm2の高圧水銀灯の光を照射した。ランプからベルトコンベアまでの距離は10cm、ベルトコンベアのラインスピードは8m/分とした。
日本化薬製EPPN−201 100gをMEK100gに溶解させ樹脂溶液を調製し、化合物No.12及び化合物No.13と以下に示す比較化合物No.3及びNo.4について、それぞれ0.1mmolをこの樹脂溶液10gに溶解させレジスト液を調製した。これをアルミ板上に#9のバーコーターで塗布し、80℃で10分乾燥した後、分光照射器(日本分光(株)製 CT−25CP、光源:超高圧水銀ランプ(ウシオ電機(株)製 USH−500D))を用いて露光した。80℃で10分間ベークし、MEKに30秒間浸漬することにより現像し、キシレンで洗浄した。波長365nmにおける硬化に必要な露光量を比較した。
Claims (9)
- 下記一般式(I)、
(式中、R5及びR6は、それぞれ独立に、水酸基、メルカプト基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基、炭素原子数7〜20のアリールアルキル基又は−OSiR21R22R23であり、R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基、または炭素原子数7〜20のアリールアルキル基であり、eは、0〜3の整数であり、fは、0〜4の整数であり、e、fがそれぞれ2以上の数であるとき、R5、R6で表されるそれぞれの複数の置換基は同一であっても異なっていてもよく、R7は、水素原子、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基または炭素原子数7〜20のアリールアルキル基を表し、R7は、隣接するどちらかのベンゼン環と一緒になって環を形成していてもよく、R5、R6、R7、R21、R22およびR23がとりうるアルキル基およびアリールアルキル基の炭素―炭素結合は−O−、−C(=O)−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−S−、−SO−、−SO2−および−SO3−からなる群から選ばれる1つ以上の基で中断されていてもよく、R5、R6、R7、R21、R22およびR23がとりうるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、Anq−はq価(qは1または2である)のアニオンを表し、pは1または2の電荷を中性に保つ係数を表し、E1及びE2は、それぞれ独立に、下記一般式(II)又は下記一般式(III)、
(式中、a及びbは0〜5の整数であり、c及びdは0〜4の整数であり、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、R5及びR6と同様の基であり、Xは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−CR9R10−、−NR11−またはカルボニル基を表し、R9、R10及びR11は、水素原子、炭素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基または炭素原子数7〜20のアリールアルキル基であり、a〜dがそれぞれ2以上の数であるとき、R1〜R4で表されるそれぞれの複数の置換基は同一であっても異なっていてもよい。)で表される置換基であり、nは、0または1である。)で表されることを特徴とする芳香族スルホニウム塩化合物。 - 前記一般式(I)中、nが0である請求項1に記載の芳香族スルホニウム塩化合物。
- An−で表される1価のアニオンが、ハロゲン化物イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロヒ酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサクロロアンチモン酸イオン、過塩素酸イオン、ジフルオロリン酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、有機スルホニルメチドイオンおよび有機フルオロスルホンイミドイオンからなる群から選ばれるいずれかの基である請求項1又は2に記載の芳香族スルホニウム塩化合物。
- An−で表される1価のアニオンが、アルキルスルホン酸イオンである請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の芳香族スルホニウム塩化合物。
- 上記一般式(I)中、E1で表される置換基が上記一般式(II)で表される基である請求項1〜4のうちいずれか一項に記載の芳香族スルホニウム塩化合物。
- 請求項1〜5のうちいずれか一項に記載の芳香族スルホニウム塩化合物からなることを特徴とする光酸発生剤。
- 請求項6に記載の光酸発生剤を含有してなることを特徴とするレジスト組成物。
- 請求項1〜5のうちいずれか一項に記載の芳香族スルホニウム塩化合物からなることを特徴とするカチオン重合開始剤。
- 請求項8に記載のカチオン重合開始剤を含有してなることを特徴とするカチオン重合性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009229777A JP5448157B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-10-01 | 芳香族スルホニウム塩化合物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009061254 | 2009-03-13 | ||
JP2009061254 | 2009-03-13 | ||
JP2009229777A JP5448157B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-10-01 | 芳香族スルホニウム塩化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010235579A true JP2010235579A (ja) | 2010-10-21 |
JP5448157B2 JP5448157B2 (ja) | 2014-03-19 |
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JP2009229777A Active JP5448157B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-10-01 | 芳香族スルホニウム塩化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5448157B2 (ja) |
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