JP2010230708A5 - - Google Patents

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  1. 露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、前記主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、前記チャック後主表面形状の仮想算出領域内での平坦度が第１閾値以下である基板を選定する工程と、前記選定された基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、前記第１近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、第２閾値以下であるものを選定する工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
  2. 前記補正後主表面形状を算出する工程は、第１の方向に直交する第２の方向に沿う断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、前記第２近似曲線から近似曲面を算出し、第１の近似曲線から算出された近似曲面を差し引く補正を行った後のチャック後主表面形状からさらに前記第２近似曲面から算出された近似曲面を差し引く補正を行うことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  3. 露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、前記主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、前記チャック後主表面形状の仮想算出領域内での平坦度が第１閾値以下である基板を選定する工程と、前記選定された基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、第１の方向に直交する第２の方向に沿う断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、前記第１近似曲線および第２近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、第２閾値以下であるものを選定する工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
  4. 前記第１近似曲線は、２次曲線または４次曲線であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  5. 前記第２近似曲線は、２次曲線または４次曲線であることを特徴とする請求項２から求項４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  6. 前記第１閾値が０．３２μｍであり、前記第２閾値が０．１６μｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  7. 前記第１閾値が０．２４μｍであり、前記第２閾値が０．０８μｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  8. 前記実測領域は、前記仮想算出領域および補正領域を含む領域であり、前記仮想算出領域は、補正領域を含む領域であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  9. 前記仮想算出領域は、１４２ｍｍ角内の領域であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  10. 前記補正領域は、１３２ｍｍ角内の領域であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  11. 前記チャック前主表面形状の実算出領域内での平坦度が０．４μｍ以下である基板を選定する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  12. 前記実算出領域は、前記仮想算出領域および補正領域を含む領域であることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  13. 前記実算出領域は、１４２ｍｍ角内の領域であることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  14. 前記露光装置は、第１の方向に移動可能であって第２の方向に延在するスリットを介してフォトマスクに対して露光光が照射されることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  15. 請求項１から請求項１４のいずれかに記載の方法で得られたマスクブランク用基板のチャック前主表面形状を測定した側の主表面に薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
  16. 請求項１５記載の方法で得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  17. 請求項１６記載の方法で得られたフォトマスクを主表面形状補正を行うことが可能な露光装置のマスクステージにチャックし、フォトマスクのパターンをウェハのレジスト膜に露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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