JP2010219256A - 半導体装置及び半導体装置の補償容量の配置方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、第1の方向に並んで配置された複数の素子を含む回路セル2と、この回路セル2の第1の方向に隣接して配置され回路セル2の電源に接続可能な補償容量C1、C2を有する基本端セル1(1a)とを備えて構成される。補償容量C1、C2を構成する拡散層10、11は、回路セル2の所定領域(素子間接続領域R1)を第1の方向に沿って延伸形成されている。また、拡散層10、11の上部にはゲート配線16、17が延伸形成されている。本発明の構成により、回路セル2の素子間接続領域R1を有効に活用しつつ、補償容量のC1、C2の容量値を増加させて電源変動の変動を確実に抑えることが可能となる。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態の半導体装置において、回路セルに隣接して配置される基本端セル1の構成例を示す図である。図1に示す基本端セル1は、半導体装置の電源に補償容量C1、C2を接続するためのセルであり、補償容量C1、C2を構成する下層の拡散層10、11と、基板の電位安定化のために形成されるウェルコンタクト(拡散層)12及びサブコンタクト(拡散層)13と、電源配線の下層のウェルコンタクト(拡散層)14及びサブコンタクト(拡散層)15と、補償容量C1、C2の上部のゲート配線16、17と、1層目の配線層M1に形成された配線20、21、22、23と、2層目の配線層M2に形成される配線30、31とを備えている。また、ゲート配線16、17と配線層M1との間を接続する2つのコンタクト(ビア)VGと、各拡散層と配線層M1との間を接続する多数のコンタクトV1と、配線層M1と配線層M2との間を接続する4つのコンタクトV2がそれぞれ設けられている。なお、基本端セル1のうち、図1の上半分の領域がPチャネル領域、図1の下半分の領域がNチャネル領域であるとする。
図11は、第2実施形態の半導体装置において、図1の基本端セル1に対応する基本端セル1fの構成例を示す図である。第2実施形態の基本端セル1fは、図1の基本端セル1における中央寄りの補償容量C1、C2に加えて、Y方向の両端部の近傍に配置された補償容量C3、C4を接続可能に構成した点が特徴である。図11に示す基本端セル1fのうち、補償容量C1、C2に対応する拡散層10、11及びゲート配線16、17、ウェルコンタクト12、14及びサブコンタクト13、15の構成については、図1と同様であるので説明を省略する。なお、配線層M1の配線20〜23、配線層M2の配線30、31については、図1の場合とはサイズ及び形状が異なるが基本的な役割は共通する。
12、14…ウェルコンタクト
13、15…サブコンタクト
16、17、62、63、80、81、82…ゲート配線
20、21、22、23…配線層M1の配線
30、31…配線層M2の配線
50…接続用配線
C1、C2、C3、C4、Ca、Cb、Cc…補償容量
VG、V1、V2…コンタクト
R1…素子間接続領域
Claims (18)
- 第1の方向に並んで配置された複数の素子を含む回路セルと、
前記回路セルの前記第1の方向に隣接して配置され、前記回路セルの電源に接続可能な補償容量を有する基本端セルと、
を備え、前記補償容量を構成する拡散層が、前記回路セルの所定領域を前記第1の方向に沿って延伸形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記補償容量は、前記拡散層の上部にゲート配線が配置されたトランジスタ構造であり、前記ゲート配線が前記所定領域を前記第1の方向に沿って延伸形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記所定領域は、前記複数の素子の配線群のうちの接続対象を相互に接続するための素子間接続領域に対応することを特徴とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記素子間接続領域において、前記複数の素子の所定箇所に設けたコンタクトを介して前記補償容量のトランジスタが前記電源に接続されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記基本端セルは、前記回路セルの前記第1の方向の一方の端部に配置された第1の基本端セルと、前記前記回路セルの前記第1の方向の他方の端部に配置された第2の基本端セルであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記補償容量を構成する前記拡散層とその上部の前記ゲート配線は、前記第1の基本端セルと前記第2の基本端セルの間で共有されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記基本端セルは、両側の2つの前記回路セルに隣接して配置され、前記補償容量を構成する前記拡散層及びその上部の前記ゲート配線は、前記第1の方向に沿って両側の2つの前記回路セルの前記所定領域のそれぞれに延伸形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記素子間接続領域は、前記回路セルにおけるPチャネル領域とNチャネル領域との間に設けられ、
前記基本端セルは、前記補償容量として、前記Pチャネル領域の電源に接続可能なP型の補償容量と、前記Nチャネル領域の電源に接続可能なN型の補償容量とを備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記所定領域は、前記素子間接続領域に加えて、前記Pチャネル領域の第1の領域と、前記Nチャネル領域の第2の領域とにそれぞれ対応し、
前記P型の補償容量に対応する前記拡散層及び前記ゲート配線は前記素子間接続領域及び前記第1の領域のそれぞれに延伸形成され、前記N型の補償容量に対応する前記拡散層及び前記ゲート配線は前記素子間接続領域及び前記第2の領域のそれぞれに延伸形成されることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 回路セルの電源に接続可能な補償容量を備えた半導体装置の補償容量の配置方法であって、
前記回路セル内に、複数の素子を第1の方向に並べて配置し、
前記補償容量を有する基本端セルを、前記回路セルの前記第1の方向の端部に隣接させて配置し、
前記補償容量を構成する拡散層を、前記基本端セルから前記第1の方向に沿って前記回路セルの所定領域の内部に延長し、
前記回路セル内部の所定の電源の配線を前記補償容量に接続する、
ことを特徴とする補償容量の配置方法。 - 前記補償容量と構成する前記拡散層とともに、前記拡散層の上部に配置されるゲート配線を、前記基本端セルから前記第1の方向に沿って前記所定領域の内部に延長することを特徴とする請求項10に記載の補償容量の配置方法。
- 前記補償容量を構成する前記拡散層とその上部に配置される前記ゲート配線を延長する際、その延長領域に前記素子の拡散層又はゲート配線層が存在する場合は前記拡散層及び前記ゲート配線の延長を停止することを特徴とする請求項11に記載の補償容量の配置方法。
- 前記補償容量を構成する前記拡散層とその上部に配置される前記ゲート配線を延長する際、その延長領域に前記補償容量と接続すべき前記素子の電源配線が存在する場合は、前記電源配線と前記拡散層とを接続するコンタクトを生成することを特徴とする請求項12に記載の補償容量の配置方法。
- 前記所定領域は、前記複数の素子の配線群のうちの接続対象を相互に接続するための素子間接続領域であることを特徴とすることを特徴とする請求項10に記載の補償容量の配置方法。
- 少なくとも1つの素子からなる回路セルと、
前記回路セルと共にセル配列を構成するように配置され、前記回路セルの電源に接続可能な補償容量を有する基本端セルと、
を備え、前記補償容量を構成する拡散層が、前記回路セルの所定領域を前記セル配列方向に沿って延伸形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記補償容量は、前記拡散層の上部にゲート配線が配置されたトランジスタ構造であり、前記ゲート配線が前記所定領域を前記セル配列方向に沿って延伸形成されていることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 回路セルの電源に接続可能な補償容量を備えた半導体装置の補償容量の配置方法であって、
少なくとも1つの素子からなる回路セルを配置し、
前記補償容量を有する基本端セルを、前記回路セルと共にセル配列を構成するように配置し、
前記補償容量を構成する拡散層を、前記基本端セルから前記セル配列方向に沿って前記回路セルの所定領域の内部に延長し、
前記回路セル内部の所定の電源の配線を前記補償容量に接続する、
ことを特徴とする補償容量の配置方法。 - 前記補償容量と構成する前記拡散層とともに、前記拡散層の上部に配置されるゲート配線を、前記基本端セルから前記セル配列方向に沿って前記所定領域の内部に延長することを特徴とする請求項17に記載の補償容量の配置方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063657A JP5653001B2 (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 半導体装置及び半導体装置の補償容量の配置方法 |
US12/722,101 US8669605B2 (en) | 2009-03-16 | 2010-03-11 | Semiconductor device and arrangement method of compensation capacitor of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063657A JP5653001B2 (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 半導体装置及び半導体装置の補償容量の配置方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219256A true JP2010219256A (ja) | 2010-09-30 |
JP5653001B2 JP5653001B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=42729967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009063657A Expired - Fee Related JP5653001B2 (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 半導体装置及び半導体装置の補償容量の配置方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8669605B2 (ja) |
JP (1) | JP5653001B2 (ja) |
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US11532545B2 (en) | 2020-03-24 | 2022-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130730 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140303 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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