JP2010213430A - 電源装置,ハードディスク装置,並びに電源装置のスイッチング方法 - Google Patents

電源装置,ハードディスク装置,並びに電源装置のスイッチング方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は絶縁型DC−DCコンバータの電源装置において、パワー部の回路を複雑化させずに、二次側の同期整流スイッチの動作タイミングを変更して軽負荷時の効率向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明は軽負荷時には、出力端子VoH,VoLに流れる出力電流と共振インダクタLr,共振コンデンサ容量Cr1、またはCr2とで決まるゼロボルトスイッチングに必要な共振ピーク電圧を、フルブリッジ回路10が備えるスイッチMH1〜MH4と整流平滑回路20の同期整流スイッチML1,ML2をオンオフ制御して、出力電流Ioが増加したのと同等に作用するように整流平滑回路20に蓄えられたエネルギーをフルブリッジ回路10に戻し、フルブリッジ回路10に流れる電流の増加を図ることによって確保してゼロボルトスイッチングを行うようする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、絶縁型DC−DCコンバータの電源装置に係わり、特に軽負荷時の効率向上に関するものである。
省エネの観点から絶縁型DC−DCコンバータの電源装置は、広い負荷範囲で高効率が要求される。このため、一次側にフルブリッジ回路、二次側にカレントダブラ方式の整流平滑回路を有する電源装置を適用して、共振インダクタLrとフルブリッジ回路の共振コンデンサCrを用いてZVS(ゼロボルトスイッチング)を実現するソフトスイッチング技術により、高効率を達成している。しかしながら、この種の電源装置は、軽負荷になるとZVSが実現できなくなるので、効率が低下するという欠点を有している。これの解決のため、従来知られている方法として、下記のような例がある。何れも、軽負荷時に共振インダクタの値を大きくする方法でZVSを実現しようというものである。
特開2004−260928号公報 特開2002−66739号公報
特許文献1は、共振インダクタLrに直列に第2の共振インダクタとスイッチの並列回路を設け、負荷状態を検出して軽負荷ならスイッチをオフして共振インダクタの値をステップ的に大きくすることによりZVSを実現している。しかしながら、この方法では、パワー部に回路部品が追加されるので、回路が複雑となるという欠点がある。
また、特許文献2は、共振インダクタの値を連続的に大きくするために、可飽和リアクトルを用い、負荷状態により可飽和リアクトルをリニアに制御して連続的に共振インダクタの値を変えるという方法である。この場合、パワー部に回路部品が追加される上、リニア制御のための回路が加わるので、更に回路が複雑となり、軽負荷時もリニア制御による駆動損が発生するという欠点がある。
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、絶縁型DC−DCコンバータの電源装置において、パワー部の回路を複雑化させずに、二次側の同期整流スイッチの動作タイミングを変更して軽負荷時の効率向上を図ることを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明はトランスと、該トランスの一次側に設けたフルブリッジ回路と、前記トランスの二次側に設けた2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路と前記整流平滑回路に設けられた出力端子と、前記出力端子からの出力状態が入力されると共に、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御する制御手段とを備えた電源装置において、前記トランスの漏れインダクタと配線の寄生インダクタ成分から成る共振インダクタと、前記フルブリッジ回路のZVSに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチの寄生容量による共振コンデンサとを有し、軽負荷時には、前記出力端子からの出力電流と前記共振インダクタ,共振コンデンサ容量とで決まるZVSに必要な共振ピーク電圧を、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御して、前記出力電流が増加したのと同等に作用するように前記整流平滑回路に蓄えられたエネルギーを前記フルブリッジ回路に戻し、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加を図ることによって確保してZVSを行うようにした。
本発明の電源装置は、広い負荷範囲に亘ってZVSが実現できるので、軽負荷時の効率向上が図れる利点がある。
実施例1の電源装置の回路図である。 図1の電源装置の定格負荷(付近)における各部のタイミングチャートである。 図1の電源装置の軽負荷におけるZVSが実現できない場合の各部のタイミングチャートである。 図1の電源装置の軽負荷におけるZVSが実現した場合の各部のタイミングチャートである。 図2〜図4の期間#1における実施例1の各スイッチの状態と電流の流れの様子を示す等価回路図である。 図2〜図4の期間#2における実施例1の各スイッチの状態と電流の流れの様子を示す等価回路図である。 図2〜図4の期間#3における実施例1の各スイッチの状態と電流の流れの様子を示す等価回路図である。 図2〜図4の期間#4における実施例1の各スイッチの状態と電流の流れの様子を示す等価回路図である。 図4の期間#5における実施例1の各スイッチの状態と電流の流れの様子を示す等価回路図である。 図2〜図4の期間#6における実施例1の各スイッチの状態と電流の流れの様子を示す等価回路図である。 実施例2の電源装置の回路図である。 実施例3のHDD装置用電源装置の説明図である。
本発明の実施の形態について、簡単に述べる。
本発明の電源装置は、絶縁型DC−DCコンバータの電源装置であり、トランスと、トランスの一次側にフルブリッジ回路、トランスの二次側に2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路で構成される。軽負荷時は、フルブリッジ回路のZVSに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチのオフ期間に、2つの同期整流スイッチが両方オフの期間を設ける。このため、2つの同期整流スイッチは、2つの同期整流スイッチのオン期間を短くしてオフ期間を長くし、かつフルブリッジ回路のZVSに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチのうちオフからオンに切換る側のスイッチの立上りタイミングと、2つの同期整流スイッチのうちオフからオンに切換る側のスイッチの立上りタイミングとの位置を変えないようにする。すると、2つの同期整流スイッチが両方オフの期間では、オンからオフに切換る側の同期整流スイッチおいて、同期整流スイッチの方に流れていた電流が、ボディーダイオードの方に切換って流れるようになり、トランスの二次側コイルの両端が電位的に短絡状態となる。即ち、二次側コイルの両端の何れの電圧もボディーダイオードの順方向降下電圧だけ下がる。これにより、オフ状態にある一方の同期整流スイッチの寄生容量に蓄積されていたエネルギーがトランスの二次側に流れるようになり、とりもなおさず、このエネルギーはトランスの一次側に伝達される。このようにして、トランスの一次側の電流の増加が図れるので、軽負荷時の共振インダクタと共振コンデンサと負荷依存の電流とで決まるZVSに必要な共振ピーク電圧の低下を所定の値まで上げるようにして、ZVSを実現するようにしている。
また、本発明の電源装置は、負荷状態によって、電流の増加量を変えるので、軽負荷になる程電流の増加量を大きくする。このため、2つの同期整流スイッチが両方オフの期間を、軽負荷になる程広くすることにより、広い負荷範囲に亘って効率向上を図るようにしている。
以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明を適用した絶縁型DC−DCコンバータの電源装置の第1の実施例を示す。図において、TRはトランス、10はトランスTRの一次側コイルLpを交流駆動するフルブリッジ回路、20はトランスTRの二次側コイルLsに誘起される交流電圧を同期整流して直流電圧に変換するカレントダブラ方式の整流平滑回路、CONTは上記フルブリッジ回路10を構成するスイッチMOSFET MH1〜MH4および整流平滑回路20の同期整流スイッチMOSFET ML1,ML2の動作タイミングを制御する制御回路である。
上記フルブリッジ回路10は、直流電圧VDCが印加される入力端子Viと一次側基準電位(接地電位)GNDとの間に直列に接続されたNチャネルMOSFET MH1,MH2およびMH3,MH4とから構成されている。なお、スイッチMOSFET MH1〜MH4に並列に接続されているダイオードDH1〜DH4,共振コンデンサCr1〜Cr4は、スイッチMOSFET MH1〜MH4のそれぞれに付帯しているボディーダイオードと寄生容量である。
整流平滑回路20は、同期整流スイッチML1,ML2と、チョークコイルL1,L2と、出力コンデンサCoとから構成されている。さらに、出力コンデンサCoの両端には、負荷(図示せず)が接続される出力端子VoHとVoLとが接続されている。なお、同期整流スイッチMOSFET ML1とML2に並列に接続されているダイオードDL1とDL2,コンデンサCs1とCs2は、同期整流スイッチMOSFET ML1とML2のそれぞれに付帯しているボディーダイオードと寄生容量である。
制御回路CONTは、カレントトランスCTにより検出されたセンス電流CSと、出力端子VoHとVoLの間に得られる出力電圧Voが入力され、スイッチMOSFET MH1〜MH4の制御信号を位相シフトPWM(パルス幅変調)制御方式で制御するタイミングと、同期整流スイッチMOSFET ML1,ML2の制御信号をスイッチMOSFET MH1〜MH4のPWMからの信号に基づいてオン/オフするタイミングとを発生している。具体的には、図2〜図4で示すMH1〜MH4,ML1,ML2のタイミングである。
次に、本実施例の絶縁型DC−DCコンバータの電源装置の動作を、図2〜図4のタイミングチャートおよび図5〜図10の等価回路図を用いて説明する。なお、図5〜図10は、図2〜図4に示されている各期間#1〜#6におけるフルブリッジ回路10および整流平滑回路20の状態を示している。
図2〜図4において、図1のスイッチMOSFET MH1〜MH4,ML1,ML2に与える制御信号は、制御信号MH1〜MH4,ML1,ML2の制御信号波形で示されており、これらの制御信号波形がHighにあるときON、LowにあるときにOFFとなっている。制御信号ML1とML2はデューティ50%のパルスを使用し、2つのパルスは逆相で動作する。そして、制御信号ML1の立上りタイミングは、制御信号MH2の立上りタイミングより、また制御信号ML2の立上りタイミングは、制御信号MH1の立上りタイミングより若干早めにオンするようにしている。また、制御信号MH1とMH2およびMH3とMH4のタイミングには、上下アームスイッチの短絡防止や共振動作時間などを考慮してオフ期間をデッドタイムとして設けている。ここで、スイッチMOSFET MH1,MH2はZVSに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチである。なお、図2〜図4の動作波形においては、以下の説明の都合上、デッドタイムなどのタイミングや回路シミュレーションの動作波形の一部を誇張して示してある。
図5〜図10において、符号MH1〜MH4,ML1,ML2で示されているスイッチは図1におけるMOSFET MH1〜MH4,ML1,ML2に相当し、符号MH1〜MH4,ML1,ML2で示されているスイッチの接点が太い横線で閉じている場合は、スイッチがオン状態であることを示している。また、符号Cr1〜Cr4,Cs1,Cs2は各スイッチMOSFETに寄生する容量を示している。さらに、LrはトランスTRの漏れインダクタや配線の寄生インダクタ成分を、V11,V12は一次側コイルLpの端子電圧を、V21,V22は二次側コイルLsの端子電圧を、I1〜I6はMOSFET MH1〜MH4,ML1,ML2に流れるドレイン電流を、Ioは出力(負荷)電流を表わしている。図内に点線と矢印で示しているのは、電流の流れる経路である。また図2〜図4に記載された符号には上記説明した符号に加え、チョークコイルL1,L2に流れる電流をIL1,IL2として表している。
まず、定格負荷(付近)状態の動作である。図2のタイミングチャートと図5〜図8,図10の等価回路図を用いる。
期間#1では、図5のように、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH4がオン、MH2とMH3がオフ状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では同期整流スイッチML1がオフ、ML2がオン状態にされる。これにより、トランスTRの一次側コイルLpに直流電圧VDCが印加されて一次側コイルLpに電流が流され、トランスTRの二次側コイルLsには巻数比nに応じた電圧が誘起されて一次側から二次側へ電力が伝達される。そして、二次側の整流平滑回路20では、同期整流スイッチML1がオフ、ML2がオンであるため、チョークコイルL1から出力コンデンサCoと並列に接続される負荷(図示せず)、さらに同期整流スイッチML2へ向って電流が流され、チョークコイルL1にエネルギーが蓄積される。
期間#2では、図6のように、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1がオン、MH4とMH2とMH3がオフ状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、期間#1と同様に同期整流用スイッチML1がオフ、ML2がオン状態のままにされる。これにより、一次側ではMH4がオフされてもトランスTRの一次側コイルLpには電流が流れ続けようとするため、一次側コイルLpの電流がスイッチMH4の寄生容量Cr4に向って流れこれを充電させ、一次側コイルLpの端子電圧V12が上昇する。また、二次側の整流平滑回路20では、チョークコイルL1に蓄積されたエネルギーが同期整流スイッチML1の寄生容量Cs1に向かって流れこれを充電させ、寄生容量Cs1の両端電圧がボディーダイオードDL1の順方向降下電圧Vdになる。
このとき、一次側コイルLpの端子電圧V12が上昇して直流電圧VDCに達すると、一次側コイルLpの端子間電圧(V11−V12)がVDCから0Vに変化するので、期間#2の後にスイッチMH3をオンさせれば、スイッチMH3はドレイン・ソース間電圧が0Vになったタイミングでオンさせることができる。これにより、スイッチMH3のスイッチング損失を最小にすることができる。期間#2において、一次側コイルLpの端子間電圧(V11−V12)が直流電圧VDCから0Vに変化するまでに要する時間、即ち一次側コイルLpの端子電圧V12が直流電圧VDCに上昇するまでに要する時間は、直流電圧VDCとスイッチMH4の寄生容量Cr4と負荷依存の電流とが関係するが、直流電圧VDCの値が大きいため、常に一定の時間となり、負荷依存の電流には影響を受けない。
次に、期間#3では、図7のように、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH3がオン、MH4とMH2がオフ状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、期間#2と同様に同期整流用スイッチML1がオフ、ML2がオン状態のままにされる。これにより、トランスTRの一次側コイルLpが短絡状態にされ、電流が流れ続けるアイドル状態になるとともに、二次側の整流平滑回路20では二次側コイルLs、チョークコイルL1,L2に蓄積されていたエネルギーが吐き出され出力コンデンサCoと並列に接続される負荷(図示せず)で消費される。
次の期間#4では、図8のように、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH2とMH4がオフ、MH3がオン状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、期間#3と同様に同期整流用スイッチML1がオフ、ML2がオン状態のままにされる。すると、一次側のフルブリッジ回路10では、一次側コイルLpのエネルギーは、スイッチMH1の寄生容量Cr1を直流電圧VDCまで充電させる経路と、スイッチMH2の寄生容量Cr2に蓄積されていたエネルギーが放電される経路とに流れるため、一次側コイルLpの端子電圧V11が急速に低下する。このとき、スイッチMH2の寄生容量Cr2と一次側コイルLpの寄生インダクタLrとが直列共振回路を構成するため、一次側コイルLpの端子電圧V11は正弦波状に下降する。
ここで、一次側コイルLpの端子電圧V11が正弦波状に下降するために必要なCrとLrからなる直列共振回路の共振ピーク電圧(絶対値)が、VDCからピーク値(最小値、例えば0V)に達するまでの時間trは、CrをCr2とすると、
tr={2π×√(Lr×Cr)}/4 …(1)
で表わされる。また、共振ピーク電圧Vppは、Ioを出力(負荷)電流、nをトランスTRの巻線比とすると、
Vpp=(Io/2)/n×{√(Lr/Cr)} …(2)
で表わされる。式(1)より、期間#3でスイッチMH1をオフさせた後、tr時間後にスイッチMH2をオンさせれば、スイッチMH2のドレイン・ソース間電圧が0VになったタイミングでスイッチMH2をオンさせることができることがわかる。
本実施例では、スイッチMH1の制御信号をオフさせた後、時間trが経ってから、スイッチMH2の制御信号を立ち上げることで、式(1)の条件を満たしている。スイッチMH1をオフさせた後、tr時間後、すなわちスイッチMH2のドレイン・ソース間電圧が直流電圧VDCから0Vになったタイミング以降でスイッチMH2をオンさせるため、スイッチMH2での損失を最小にすることができる。つまり、この期間に共振動作によるZVSが実現できるために損失が最小になっていることがわかる。
次に、期間#6では、図10のように、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH2とMH3がオン、MH1とMH4がオフ状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20ではこの期間に入る直前で既に同期整流スイッチML1がオン、ML2がオフ状態にされる。これにより、トランスTRの一次側コイルLpと二次側コイルLsに流れる電流の向きがそれぞれ反転するので、トランスTRの一次側コイルLpの端子間電圧(V11−V12)に直流電圧−VDCが印加されて、一次側コイルLpに図5と逆向きの電流が流され、一次側から二次側へ電力が伝達される。そして、二次側の整流平滑回路20では、同期整流スイッチML1がオン、ML2がオフ状態であるため、チョークコイルL2から出力コンデンサCoと並列に接続される負荷(図示せず)、さらに同期整流スイッチML1へ向って電流が流され、チョークコイルL2にエネルギーが蓄積される。
その後、期間♯7〜♯9では図6〜図8,図10を用いて説明した手順と同様の手順で制御が行われる。すなわち、図示は省略するが、期間#7では、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH2がオン、MH3とMH1とMH4がオフ状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、期間#6と同様に同期整流用スイッチML1がオン、ML2がオフ状態のままにされる。これにより、一次側ではMH3がオフされてもトランスTRの一次側コイルLpには電流が流れ続けようとするため、一次側コイルLpの電流がスイッチMH3の寄生容量Cr3に向って流れこれを充電させ、一次側コイルLpの端子電圧V12が低下する。また、二次側の整流平滑回路20では、チョークコイルL2に蓄積されたエネルギーが同期整流スイッチML2の寄生容量Cs2に向かって流れこれを充電させ、寄生容量Cs2の両端電圧がボディーダイオードDL2の順方向降下電圧Vdになる。
このとき、一次側コイルLpの端子電圧V12が低下して直流電圧−VDCに達すると、一次側コイルLpの端子間電圧(V11−V12)が−VDCから0Vに変化するので、期間#7の後にスイッチMH4をオンさせれば、スイッチMH4はドレイン・ソース間電圧が0Vになったタイミングでオンさせることができる。これにより、スイッチMH4のスイッチング損失を最小にすることができる。期間#7において、一次側コイルLpの端子間電圧(V11−V12)が直流電圧−VDCから0Vに変化するまでに要する時間、即ち一次側コイルLpの端子電圧V12が直流電圧−VDCに低下するまでに要する時間は、直流電圧VDCとスイッチMH3の寄生容量Cr3と負荷依存の電流とが関係するが、直流電圧VDCの値が大きいため、常に一定の時間となり、やはり負荷依存の電流には影響を受けない。
次に、期間#8では、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH2とMH4がオン、MH3とMH1がオフ状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、期間#7と同様に同期整流用スイッチML1がオン、ML2がオフ状態のままにされる。これにより、トランスTRの一次側コイルLpが短絡状態にされ、電流が流れ続けるアイドル状態になるとともに、二次側の整流平滑回路20では二次側コイルLs,チョークコイルL1,L2に蓄積されていたエネルギーが吐き出され出力コンデンサCoと並列に接続される負荷(図示せず)で消費される。
次の期間#9では、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH2とMH3とMH1がオフ、MH4がオン状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、期間#8と同様に同期整流用スイッチML1がオン、ML2がオフ状態のままにされる。すると、一次側のフルブリッジ回路10では、一次側コイルLpのエネルギーは、スイッチMH2の寄生容量Cr2を直流電圧VDCまで充電させる経路と、スイッチMH1の寄生容量Cr1に蓄積されていたエネルギーが放電される経路とに流れるため、一次側コイルLpの端子電圧V11が急速に上昇する。このとき、スイッチMH1の寄生容量Cr1と一次側コイルLpの寄生インダクタLrとが直列共振回路を構成するため、一次側コイルLpの端子電圧V11は正弦波状に上昇する。そして、上記式(1)と同様の条件を満たすようにスイッチMH2をオフさせた後、スイッチMH1のドレイン・ソース間電圧が直流電圧VDCから0Vになったタイミング以降でスイッチMH1をオンさせるため、スイッチMH1での損失を最小にすることができる。つまり、この期間に共振動作によるZVSが実現できるために損失が最小になっている。そして、期間♯1に戻りこの動作を繰り返すのである。
次は、軽負荷状態の動作である。上記の動作では、期間#4において、共振動作によるZVSが実現でき、スイッチMH2の損失を最小にできることを述べたが、これは定格負荷(付近)であって、式(2)からわかるように共振ピーク電圧Vppが直流電圧VDCに達しているためである。しかしながら、軽負荷になると、負荷電流Ioが減少するので、式(2)のIoが小さくなり、結果的に共振ピーク電圧Vppは直流電圧VDCに達しない。このため、一次側コイルLpの端子電圧V11がピーク値(最小値、例えば0V)に達しない状態でスイッチMH2がオンされると、ドレイン・ソース間電圧が0Vになる前にオンされるためスイッチMH2で損失が発生する。さらに、共振ピーク電圧Vppの大きさは、軽負荷になる程出力電流Ioが小さくなるので、共振ピーク電圧Vppは直流電圧VDCにより顕著に達しなくなる。よって、このときスイッチMH2をオンさせたのではZVSが実現できないので、損失は増大する。
このことを図3のタイミングチャートに示す。着目すべきは、期間#4において一次側コイルの二端子間電圧(V11−V12)が、共振ピーク電圧Vppが直流電圧−VDCに到達しない場合である。このとき、スイッチMH2をオンさせるタイミングでは、スイッチMH2のドレイン電流I2にスパイク電流が重畳し、スイッチング損失が発生する。また、二次側コイルの端子間電圧(V21−V22)には、回路シミュレーションの動作波形であるが、同期整流スイッチML1をオン、ML2をオフさせるタイミングで、二次側コイルLsの端子電圧V22には同期整流スイッチML2のボディーダイオードDL2の耐圧を超える過大な電圧が誘起されるため、ボディーダイオードDL2がブレークダウンを起こし、損失が発生する。
軽負荷時に、以上のような損失が発生するのは、期間#4においてZVSが実現できていないためで、ZVSを実現するためには二次側の同期整流スイッチML1,ML2のタイミングを図4のように変える。即ち、同期整流スイッチML1,ML2のパルスのオン期間を短くしてオフ期間を長くし、かつ図3における期間#4においては前記フルブリッジ回路のZVSに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチMH1とMH2のうちオフからオンに切換る側のスイッチMH2の立上りタイミングと、2つの同期整流スイッチML1とML2のうちオフからオンに切換る側のスイッチML1の立上りタイミングとの位置を変えないようにしたパルスを用いることにある。以下では、図4に示す本実施例で新たに設けた期間#5によりZVSを実現する動作(様子)を、図9の等価回路図を用いて説明する。
期間#5は、図3に示した期間#4を図4に示すように2つの期間に分け、そのうちの後半の期間であり、前半の期間はこれまでと同様に期間#4とする。このため、図4の期間#4でのスイッチMH1〜MH4,ML1,ML2のオン/オフ状態は、これまでと同様に動作させる。即ち、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH2とMH4がオフ、MH3がオン状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、同期整流用スイッチML1がオフ、ML2がオン状態にされる。
次の期間#5では、図9のように、期間#4と同様に一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH2とMH4がオフ、MH3がオン状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、同期整流スイッチML1とML2が両方オフ状態にされる。これにより、同期整流スイッチML2に流れていた電流がボディーダイオードDL2に切換るので、二次側コイルLsの端子電圧V22の電圧が同期整流スイッチML2のオン電圧(0V付近)からボディーダイオードDL2の順方向降下電圧Vdだけ下がる。このとき、二次側コイルLsの一方の端子電圧V21の電圧もボディーダイオードDL1の順方向降下電圧Vdだけ下がっているので、二次側コイルLsの端子間電圧(V21−V22)が0V(電位的に短絡状態)になる。すると、同期整流スイッチML1の寄生容量Cs1に蓄積されたエネルギーがボディーダイオードDL2を介して二次側コイルLsに流され、一次側コイルLpに伝達される。この一次側コイルLpに伝達されたエネルギーは、スイッチMH1の寄生容量Cr1の充電(または、スイッチMH2の寄生容量Cr2の放電)を促進して一次側コイルLpの端子電圧V11を0Vに正弦波状に下降させる。即ち、この一次側コイルLpに伝達されたエネルギーは、式(2)のIo/nに相当する一次側回路の電流を増加させることに働くので、軽負荷時に共振ピーク電圧Vppを直流電圧VDCまで到達させ、ZVSを実現できるようにしている。
また、図3に示す期間♯9を図4に示すように期間♯9と期間♯10に分け、期間#10では、期間#9と同様に一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH2とMH3とMH1がオフ、MH4がオン状態にされる。また、このとき二次側の整流平滑回路20では、同期整流スイッチML1とML2が両方オフ状態にされる。これにより、同期整流スイッチML1に流れていた電流がボディーダイオードDL1に切換るので、二次側コイルLsの端子電圧V21の電圧が同期整流スイッチML1のオン電圧(0V付近)からボディーダイオードDL1の順方向降下電圧Vdだけ下がる。このとき、二次側コイルLsの一方の端子電圧V22の電圧もボディーダイオードDL2の順方向降下電圧Vdだけ下がっているので、二次側コイルLsの端子間電圧(V21−V22)が0V(電位的に短絡状態)になる。すると、同期整流スイッチML2の寄生容量Cs2に蓄積されたエネルギーがボディーダイオードDL1を介して二次側コイルLsに流され、一次側コイルLpに伝達される。この一次側コイルLpに伝達されたエネルギーは、スイッチMH2の寄生容量Cr2の充電(または、スイッチMH1の寄生容量Cr1の放電)を促進して一次側コイルLpの端子電圧V11を0Vに正弦波状に上昇させ、ZVSを実現できるようにしている。
なお、期間♯4と期間♯5を合わせた時間は100kHzのとき、0.5μsec程度である。
この方法は、負荷状態を検出し、軽負荷において、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH2がオフ状態(オフ期間)に、二次側の同期整流スイッチML1とML2が両方オフの状態(オフの期間)を設けることにより、一次側回路の電流の増加が図れるので、ZVSが実現できる。
また、一次側のフルブリッジ回路10のスイッチMH1とMH2がオフ期間に、軽負荷になる程二次側の同期整流スイッチML1とML2が両方オフの期間を広げることにより、一次側回路の電流の更なる増加が図れるので、広い負荷範囲に亘ってZVSが実現できる。
ここでは、一次側のフルブリッジ回路10のZVSに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチをスイッチMH1とMH2としているが、このことを位相シフトPWM制御方式の位相の観点からとらえると、フルブリッジ回路10の遅れ位相で制御する側の上下アームスイッチということができる。
スイッチMH1〜MH4,ML1,ML2の動作タイミングは、カレントトランスCTを用いて負荷電流を検出して、制御回路CONTに供給し、制御回路CONTで定格負荷(付近)なら図2、定格負荷(付近)以外の軽負荷なら図4のようなタイミングを発生している。しかしながら、負荷電流の検出法は、カレントトランスCTの代わりにセンス抵抗を用いて負荷電流に比例した電圧として検出しても良い。
また、期間#5に相当する二次側の同期整流スイッチML1,ML2が両方オフの期間を負荷電流の情報のみで設定しているが、直流電圧VDCの変動によっても一次側回路の電流値は変わるので、直流電圧VDCの情報も追加して、ZVSを実現するのが良い。このためには、図示していないが直流電圧VDCを分圧して得た電圧を制御回路CONTに供給するような方策をとっても良い。
更に、制御回路CONTで発生するスイッチMH1〜MH4,ML1,ML2の動作タイミングは、負荷状態によって変わるので、きめ細かな動作タイミングの発生に演算が要求される。このため、アナログ制御による演算は勿論、ディジタル制御によって演算を実現するのが良い。
以上の実施例では、図2〜図4の制御信号ML1の立上りタイミングは、制御信号MH2の立上りタイミングより、また制御信号ML2の立上りタイミングは、制御信号MH1の立上りタイミングより若干早めのタイミングでオンするようにしているが、制御信号ML1の立上りタイミングは、制御信号MH2の立上りタイミングと、また制御信号ML2の立上りタイミングは、制御信号MH1の立上りタイミングと同じタイミングでオンするようにしても、同様にZVSが実現できる。
また場合によっては、制御信号ML1の立上りタイミングは、制御信号MH2の立上りタイミングより、また制御信号ML2の立上りタイミングは、制御信号MH1の立上りタイミングより若干遅れたタイミングでオンするようにしても、同様にZVSが実現できる。
本実施例では、スイッチMH1〜MH4は、MOSFET(金属−酸化物−半導体電界効果型トランジスタの場合で説明したが、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ),BJT(バイポーラ型トランジスタ)、又は、他の適切なトランジスタを用いても良い。
このように本実施例では広い負荷範囲に亘ってZVSが実現できるので、軽負荷時、特に定格負荷のおよそ20%〜50%の領域での効率向上が図れる利点がある。また、軽負荷時の効率向上は、二次側の2つの同期整流スイッチの動作タイミングの変更のみでも対応でき、パワー部の回路部品を増加させなくてもよい。更には、パワー部に回路部品を増加させなくてもよいので、軽負荷対策に電源装置のコストが増加しないといった効果がある。
図11に第2の実施例を示す。図11で、図1と同じ構成要素には同じ符号を付している。図11が、図1と異なる点は、トランスTRの二次側コイルをセンタータップ付きコイルLs1,Ls2に変更した点である。このため、整流平滑回路20は、二次側コイルの両端から直列に同期整流スイッチML1とML2が接続され、二次側コイルのセンタータップからチョークコイルLを介して出力コンデンサCoの一端が接続される。また、出力コンデンサCoの他端には、同期整流スイッチML1とML2の中点が接続される。本実施例においても、負荷状態や一次側の直流電圧状態を検出して、スイッチMH1〜MH4,ML1,ML2の動作タイミングを、定格負荷(付近)では図2、定格負荷(付近)以外の軽負荷では図4のように制御回路CONTから発生することにより、図1と同様に広い負荷範囲でZVSが実現でき、軽負荷時の効率向上が図れる効果が得られる。
以上のことから、本実施例においても広い負荷範囲に亘ってZVSが実現できるので、軽負荷時、特に定格負荷のおよそ20%〜50%の領域での効率向上が図れる利点がある。また、軽負荷時の効率向上は、二次側の2つの同期整流スイッチの動作タイミングの変更のみでも対応でき、パワー部の回路部品を増加させなくてもよい。更には、パワー部に回路部品を増加させなくてもよいので、軽負荷対策に電源装置のコストが増加しないといった効果がある。
本実施例を図12に示す。図12は、HDD(Hard disk Drive)装置へ適用した実施例である。HDD装置における電源システムは、並列冗長構成の電源システムを構築しており、AC電圧を受電して、PFC(力率改善)回路PFC1,PFC2と実施例1、または実施例2に記載の電源装置である絶縁型DC−DCコンバータIso DC−DC1,Iso DC−DC2を介して出力電圧Voを出力している。この出力電圧Voには、電池を搭載したバックアップ電源BUPSを接続して停電対策を行っている。また、この出力電圧Voは、非絶縁型DC−DCコンバータDC−DC11〜DC−DC1mを介してHDD装置HDD1〜HDDmに電力を供給したり、非絶縁型DC−DCコンバータDC−DC1〜DC−DCnを介してHDD装置にデータを記憶するための制御を司るプロセッサCPUや高速大容量メモリDRAM,SRAMなどで構成されるボードに対象毎に異なる適した電圧の電力を供給している。
本実施例のように前述の実施例1,実施例2で説明したような電源装置を用いた電源システムや装置によれば、広い負荷範囲に亘ってZVSが実現できるので、さまざまな負荷に対応して効率の向上が図ることのできる電源システムや装置を得ることができる。
本発明の制御方式は一次側がフルブリッジ回路、二次側が同期整流スイッチを用いた整流平滑回路の絶縁型DC−DCコンバータへの応用であるが、この他共振動作を利用した絶縁型DC−DCコンバータの用途にも適用可能である。
実施例1,実施例2の電源装置はこの他、図示しないが、各種産業応用機器用電源装置や、通信情報機器用電源装置や、汎用の絶縁型DC−DCコンバータ、などへ応用展開ができることはいうまでもない。
10 フルブリッジ回路
20 整流平滑回路
AC−1,AC−2 ACライン
BUPS バックアップ電源
CONT 制御回路
Co,Cr1〜Cr4,Cs1,Cs2 コンデンサ
DC−DC1〜DC−DCn,DC−DC11〜DC−DC1m 非絶縁型DC−DCコンバータ
DRV,DH1〜DH4,DL1,DL2 ボディーダイオード
GND グランド
HDD1〜HDDm HDD装置
Iso DC−DC1,Iso DC−DC2 絶縁型DC−DCコンバータ
I1〜I6 電流
Io 出力(負荷)電流
L,L1,L2 チョークコイル
Lp 一次側コイル
Lr インダクタ
Ls 二次側コイル
MH1〜MH4,ML1,ML2 スイッチ
PFC1,PFC2 PFC回路
TR トランス
VDC 直流電圧
Vi 入力端子
VoH,VoL 出力端子

Claims (13)

  1. トランスと、該トランスの一次側に設けたフルブリッジ回路と、前記トランスの二次側に設けた2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路と前記整流平滑回路に設けられた出力端子と、前記出力端子からの出力状態が入力されると共に、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御する制御手段とを備えた電源装置において、
    前記トランスの漏れインダクタと配線の寄生インダクタ成分から成る共振インダクタと、前記フルブリッジ回路のゼロボルトスイッチングに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチの寄生容量による共振コンデンサとを有し、
    軽負荷時には、前記出力端子に流れる出力電流と前記共振インダクタ,共振コンデンサ容量とで決まるゼロボルトスイッチングに必要な共振ピーク電圧を、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御して、前記出力電流が増加したのと同等に作用するように前記整流平滑回路に蓄えられたエネルギーを前記フルブリッジ回路に戻し、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加を図ることによって確保してゼロボルトスイッチングを行うようにしたことを特徴とする電源装置。
  2. 請求項1に記載の電源装置において、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加を図るため、前記フルブリッジ回路のゼロボルトスイッチングに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチがオフ期間に、前記2つの同期整流スイッチが両方オフの期間を設けるようにしたことを特徴とする電源装置。
  3. 請求項2に記載の電源装置において、前記2つの同期整流スイッチが両方オフの期間は、前記2つの同期整流スイッチのオン期間を短くしてオフ期間を長くし、かつ前記フルブリッジ回路のゼロボルトスイッチングに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチのうちオフからオンに切換る側のスイッチの立上りタイミングと、2つの同期整流スイッチのうちオフからオンに切換る側のスイッチの立上りタイミングとの位置を変えないようにしたことを特徴とする電源装置。
  4. 請求項1に記載の電源装置において、負荷状態によって、電流の増加量を変えるため、軽負荷になる程、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加量を大きくするようにしたことを特徴とする電源装置。
  5. 請求項4に記載の電源装置において、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加量を大きくするため、負荷状態によって、前記2つの同期整流スイッチが両方オフの期間を広くする必要があるので、軽負荷になる程オフの期間を広くするようにしたことを特徴とする電源装置。
  6. 請求項1に記載の電源装置において、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加量を変えるため、負荷状態の情報のほかに、一次側の直流入力電圧変動の情報を加えるようにしたことを特徴とする電源装置。
  7. 請求項2,3,5,6に記載の電源装置において、前記フルブリッジ回路のスイッチや前記2つの同期整流スイッチのタイミング発生をディジタル制御で行うようにしたことを特徴とする電源装置。
  8. 請求項1に記載の電源装置において、前記トランスの二次側に設けた2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路は、カレントダブラ方式の回路構成としたことを特徴とする電源装置。
  9. 請求項1に記載の電源装置において、前記トランスの二次側に設けた2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路は、前記トランスの二次側コイルをセンタータップ付きとして整流平滑回路を構成したことを特徴とする電源装置。
  10. 請求項1,8,9に記載の何れの電源装置において、前記トランスと前記フルブリッジ回路の間に、新たに共振インダクタを設けたことを特徴とする電源装置。
  11. 請求項1に記載の電源装置において、軽負荷時に前記フルブリッジ回路に戻されるエネルギーは前記整流平滑回路の同期整流スイッチの寄生容量に蓄積されたエネルギーであることを特徴とする電源装置。
  12. 磁気記録ディスクと、磁気ヘッドと、磁気ディスク回転駆動装置と、磁気ヘッド駆動装置と、磁気ヘッド位置制御装置と、入出力信号制御装置と、電力を供給する電源装置を備えたハードディスク装置において、
    AC電圧から直流電圧を出力するAC−DCコンバータのうち、PFC回路の出力電圧を受けて直流電圧を出力する絶縁型DC−DCコンバータの電源装置が、トランスと、該トランスの一次側に設けたフルブリッジ回路と、前記トランスの二次側に設けた2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路と前記整流平滑回路に設けられた出力端子と、前記出力端子からの出力状態が入力されると共に、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御する制御手段とを備えた電源装置であり、
    前記トランスの漏れインダクタと配線の寄生インダクタ成分から成る共振インダクタと、前記フルブリッジ回路のゼロボルトスイッチングに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチの寄生容量による共振コンデンサとを有し、
    軽負荷時には、前記出力端子に流れる出力電流と前記共振インダクタ,共振コンデンサ容量とで決まるゼロボルトスイッチングに必要な共振ピーク電圧を、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御して、前記出力電流が増加したのと同等に作用するように前記整流平滑回路に蓄えられたエネルギーを前記フルブリッジ回路に戻し、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加を図ることによって確保してゼロボルトスイッチングを行うようにした電源装置を備えたことを特徴とするハードディスク装置。
  13. トランスと、該トランスの一次側に設けたフルブリッジ回路と、前記トランスの二次側に設けた2つの同期整流スイッチを有する整流平滑回路と前記整流平滑回路に設けられた出力端子と、前記出力端子からの出力状態が入力されると共に、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御する制御手段とを備えた電源装置において、
    前記トランスの漏れインダクタと配線の寄生インダクタ成分から成る共振インダクタと、前記フルブリッジ回路のゼロボルトスイッチングに共振動作を必要とする側の上下アームスイッチの寄生容量による共振コンデンサとを有し、
    軽負荷時には、前記出力端子に流れる出力電流と前記共振インダクタ,共振コンデンサ容量とで決まるゼロボルトスイッチングに必要な共振ピーク電圧を、前記フルブリッジ回路が備えるスイッチと前記整流平滑回路の2つの同期整流スイッチをオンオフ制御して、前記出力電流が増加したのと同等に作用するように前記整流平滑回路に蓄えられたエネルギーを前記フルブリッジ回路に戻し、前記フルブリッジ回路に流れる電流の増加を図ることによって確保してゼロボルトスイッチングを行うことを特徴とする電源装置のスイッチング方法。
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