JP2010212105A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器11と、真空容器11の壁の内面111Aと外面111Bの間に配置された高周波アンテナ21と、前記高周波アンテナ21と前記真空容器11の内部を仕切る誘電体製の仕切材16と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器11内に形成することができる。また、仕切材16により、真空容器11内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ21がスパッタされることや高周波アンテナ21の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。
【選択図】 図1
Description
a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に設けられたアンテナ配置部と、
c) 前記アンテナ配置部に配置された高周波アンテナと、
d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、
を備えることを特徴とする。
第3の実施例では、空洞113内が誘電体部材27で満たされていることにより、高周波アンテナ21の近傍で不要な放電が生じることを防ぐことができる。
上記各実施例では高周波アンテナ21の個数を8個としたが、その個数は真空容器の容量などに応じて定めることができる。真空容器の容量が比較的小さい場合には高周波アンテナ21を1個のみ設けてもよい。また、上記実施例では高周波アンテナユニット20を真空容器の上壁に設けたが、側壁など、上壁以外の壁に設けてもよい。
11…真空容器
111…真空容器の上壁
111A…真空容器の上壁の外面
111B…真空容器の上壁の内面
111C…真空容器の上壁に設けられた段
112…真空容器の内部空間
113、113A…空洞(アンテナ配置部)
113B…アンテナ配置部
12…基体保持部
13…ガス排出口
14…ガス導入口
15…基体搬出入口
16、16A、16B…仕切材(仕切板)
20、20A、20B…高周波アンテナユニット
21、41…高周波アンテナ
211…給電側端部
21A…第1高周波アンテナ
21B…第2高周波アンテナ
212A…第1U字部
212B…第2U字部
212C…接続部
23…蓋
24…フィードスルー
25、25C…空洞真空排気口
25A…空洞不活性ガス導入口
25B…空洞ガス排気口
27…誘電体部材
31…給電点
32…給電棒
51…ファラデーシールド
52…絶縁部材
S…基体
Claims (18)
- a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に設けられたアンテナ配置部と、
c) 前記アンテナ配置部に配置された高周波アンテナと、
d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記アンテナ配置部が前記内面と前記外面の間に設けられた空洞であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞が密閉されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞内が真空であることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞内が不活性ガスで満たされていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞内が固体の誘電体で満たされていることを特徴とする請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞の前記外面側に蓋が設けられていることを特徴とする請求項2〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナが前記蓋に取り付けられていることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記壁の少なくとも一部が固体の誘電体から成り、前記高周波アンテナが該誘電体内に埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナが1つのアンテナ配置部内に複数設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナと前記仕切材の間に接地電極が設けられていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナと前記接地電極の間に誘電体製の絶縁部材が介挿されていることを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地電極がファラデーシールドであることを特徴とする請求項11又は12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地電極を前記仕切材と接触させることにより、該仕切材の温度上昇を抑制することを特徴とする請求項11〜13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記仕切材に温度上昇抑制機構が設けられていることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記仕切材の材料が酸化物、窒化物、炭化物、又はフッ化物であることを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記仕切材の材料が石英、アルミナ、ジルコニア、イットリア、窒化珪素又は炭化珪素であることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナ配置部を複数備えることを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212104A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Emd:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2011071123A (ja) * | 2010-10-29 | 2011-04-07 | Emd:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2011179061A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Emd:Kk | スパッタリング薄膜形成装置 |
WO2012033191A1 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
WO2013030954A1 (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
JP2013055243A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2013165116A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
US9583312B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-02-28 | Tokyo Electron Limited | Film formation device, substrate processing device, and film formation method |
US9932674B2 (en) | 2011-05-12 | 2018-04-03 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable recording medium |
JP2018101463A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 株式会社プラズマイオンアシスト | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
EP3813092A1 (en) | 2019-10-23 | 2021-04-28 | EMD Corporation | Plasma source |
JP2021068694A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ源 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101594229B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2016-02-15 | 가부시키가이샤 이엠디 | 플라스마 처리장치 |
TWI553138B (zh) * | 2011-08-30 | 2016-10-11 | Emd Corp | Sputtering film forming device |
CN103813608A (zh) * | 2013-04-16 | 2014-05-21 | 杜志刚 | 等离子高压气体发热方法 |
CN103813609A (zh) * | 2013-04-16 | 2014-05-21 | 杜志刚 | 等离子二氧化碳高压气体发热装置方法 |
CN103813606A (zh) * | 2013-04-16 | 2014-05-21 | 杜志刚 | 等离子高压气体发热装置 |
JP6295439B2 (ja) | 2015-06-02 | 2018-03-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
KR102481432B1 (ko) | 2015-08-10 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 커버 플레이트 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
JP6708887B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-06-10 | 株式会社プラズマイオンアシスト | プラズマ処理装置、アンテナ導体又は/及び導電性部材の製造方法 |
US11515122B2 (en) * | 2019-03-19 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | System and methods for VHF plasma processing |
JP2021077451A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6447930A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-22 | Nippon Flaekt Kk | Sampling and feeding apparatus for liquid |
JPH05335262A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06283473A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-10-07 | Applied Materials Inc | 電磁的に結合された平面プラズマ装置内の酸化物をエッチングするための改良されたプロセス |
JPH0774115A (ja) * | 1993-03-06 | 1995-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH07263188A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09245993A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Anelva Corp | プラズマ処理装置及びアンテナの製造方法 |
JPH10233297A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-09-02 | Surface Technol Syst Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH11238597A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2001085195A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 高周波放電装置およびプラズマ処理方法 |
JP2002237490A (ja) * | 1996-04-23 | 2002-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003151797A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置および処理装置 |
JP2004039719A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Japan Science & Technology Corp | プラズマ装置、プラズマ制御方法及びプラズマ処理基体 |
JP2004186531A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004349199A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ発生用アンテナ装置及びプラズマ処理装置 |
JP2005197672A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2006324603A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法及び装置並びにプラズマcvd方法及び装置 |
JP2008075182A (ja) * | 2007-11-09 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸化膜の成膜方法および装置 |
JP2009182023A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6447930U (ja) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | ||
US5309063A (en) * | 1993-03-04 | 1994-05-03 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus |
DE69510427T2 (de) | 1994-10-31 | 1999-12-30 | Applied Materials Inc | Plasmareaktoren zur Halbleiterscheibenbehandlung |
US5653811A (en) * | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
KR100290813B1 (ko) * | 1995-08-17 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라스마 처리장치 |
KR100471728B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2005-03-14 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리장치 |
US6534922B2 (en) * | 1996-09-27 | 2003-03-18 | Surface Technology Systems, Plc | Plasma processing apparatus |
JP2929275B2 (ja) * | 1996-10-16 | 1999-08-03 | 株式会社アドテック | 透磁コアを有する誘導結合型−平面状プラズマの発生装置 |
US5800621A (en) * | 1997-02-10 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for HDP-CVD chamber |
US6149760A (en) * | 1997-10-20 | 2000-11-21 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Plasma processing apparatus |
JPH11317299A (ja) | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Toshiba Corp | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 |
KR20010008612A (ko) * | 1999-07-02 | 2001-02-05 | 김영환 | 트랜지스터의 게이트전극 형성방법 |
JP3836636B2 (ja) | 1999-07-27 | 2006-10-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | プラズマ発生装置 |
US6494998B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-12-17 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma using an internal inductive element |
JP2004055600A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4540369B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-09-08 | 株式会社シンクロン | 薄膜形成装置 |
US8920600B2 (en) * | 2006-08-22 | 2014-12-30 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma source with high coupling efficiency |
-
2009
- 2009-03-11 JP JP2009057328A patent/JP4621287B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-10 CN CN201080011018.1A patent/CN102349356B/zh active Active
- 2010-03-10 KR KR1020117023907A patent/KR101725564B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-10 US US13/255,200 patent/US20120031562A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-10 EP EP10750875.6A patent/EP2408276A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-10 WO PCT/JP2010/054019 patent/WO2010104122A1/ja active Application Filing
- 2010-03-11 TW TW099107063A patent/TWI418263B/zh active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6447930A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-22 | Nippon Flaekt Kk | Sampling and feeding apparatus for liquid |
JPH05335262A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06283473A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-10-07 | Applied Materials Inc | 電磁的に結合された平面プラズマ装置内の酸化物をエッチングするための改良されたプロセス |
JPH0774115A (ja) * | 1993-03-06 | 1995-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH07263188A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09245993A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Anelva Corp | プラズマ処理装置及びアンテナの製造方法 |
JP2002237490A (ja) * | 1996-04-23 | 2002-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10233297A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-09-02 | Surface Technol Syst Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH11238597A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2001085195A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 高周波放電装置およびプラズマ処理方法 |
JP2003151797A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置および処理装置 |
JP2004039719A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Japan Science & Technology Corp | プラズマ装置、プラズマ制御方法及びプラズマ処理基体 |
JP2004186531A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004349199A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ発生用アンテナ装置及びプラズマ処理装置 |
JP2005197672A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2006324603A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法及び装置並びにプラズマcvd方法及び装置 |
JP2008075182A (ja) * | 2007-11-09 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸化膜の成膜方法および装置 |
JP2009182023A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212104A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Emd:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2011179061A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Emd:Kk | スパッタリング薄膜形成装置 |
WO2012033191A1 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
JP2011071123A (ja) * | 2010-10-29 | 2011-04-07 | Emd:Kk | プラズマ処理装置 |
US9932674B2 (en) | 2011-05-12 | 2018-04-03 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable recording medium |
WO2013030954A1 (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
JP2013055243A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US9453280B2 (en) | 2011-09-05 | 2016-09-27 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method and storage medium |
JP2013165116A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
US9583312B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-02-28 | Tokyo Electron Limited | Film formation device, substrate processing device, and film formation method |
JP2018101463A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 株式会社プラズマイオンアシスト | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
EP3813092A1 (en) | 2019-10-23 | 2021-04-28 | EMD Corporation | Plasma source |
JP2021068694A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ源 |
KR20210048411A (ko) | 2019-10-23 | 2021-05-03 | 가부시키가이샤 이엠디 | 플라즈마원 |
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