JP5635367B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に、該内面から、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより該壁の外面側を残して形成され、前記真空容器の内部に対して常時閉鎖されている空洞であるアンテナ配置部と、
c) 前記アンテナ配置部に配置された誘導結合型の高周波アンテナと、
d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、
を備えることを特徴とする。
a) 少なくとも一部が固体の誘電体部材から成る壁を有する真空容器と、
b) 前記誘電体部材に埋め込まれた、導電性の管により形成された高周波アンテナと、
を備えることを特徴とする。
第3の実施例では、空洞113内が誘電体部材27で満たされていることにより、高周波アンテナ21の近傍で不要な放電が生じることを防ぐことができる。
上記各実施例では高周波アンテナ21の個数を8個としたが、その個数は真空容器の容量などに応じて定めることができる。真空容器の容量が比較的小さい場合には高周波アンテナ21を1個のみ設けてもよい。また、上記実施例では高周波アンテナユニット20を真空容器の上壁に設けたが、側壁など、上壁以外の壁に設けてもよい。
11…真空容器
111…真空容器の上壁
111A…真空容器の上壁の外面
111B…真空容器の上壁の内面
111C…真空容器の上壁に設けられた段
112…真空容器の内部空間
113、113A…空洞(アンテナ配置部)
113B…アンテナ配置部
12…基体保持部
13…ガス排出口
14…ガス導入口
15…基体搬出入口
16、16A、16B…仕切材(仕切板)
20、20A、20B…高周波アンテナユニット
21、41…高周波アンテナ
211…給電側端部
21A…第1高周波アンテナ
21B…第2高周波アンテナ
212A…第1U字部
212B…第2U字部
212C…接続部
23…蓋
24…フィードスルー
25、25C…空洞真空排気口
25A…空洞不活性ガス導入口
25B…空洞ガス排気口
27…誘電体部材
31…給電点
32…給電棒
51…ファラデーシールド
52…絶縁部材
S…基体
Claims (14)
- a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に、該内面から、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより該壁の外面側を残して形成され、前記真空容器の内部に対して常時閉鎖されている空洞であるアンテナ配置部と、
c) 前記アンテナ配置部に配置された誘導結合型の高周波アンテナと、
d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記空洞が密閉されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞内が真空であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞内が不活性ガスで満たされていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞内において、前記高周波アンテナの導体が露出するように配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナが1つのアンテナ配置部内に複数設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナと前記仕切材の間に接地電極が設けられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナと前記接地電極の間に誘電体製の絶縁部材が介挿されていることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地電極がファラデーシールドであることを特徴とする請求項7又は8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地電極を前記仕切材と接触させることにより、該仕切材の温度上昇を抑制することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記仕切材に温度上昇抑制機構が設けられていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記仕切材の材料が酸化物、窒化物、炭化物、又はフッ化物であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記仕切材の材料が石英、アルミナ、ジルコニア、イットリア、窒化珪素又は炭化珪素であることを特徴とする請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナ配置部を複数備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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