JP2005197672A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板を受容する受容空間を形成するチャンバ本体及びドームと、前記ドームの上側に設けられて前記受容空間にプラズマを発生させるアンテナと、前記ドームの上側に設けられて前記ドームの温度を調節する温度調節ユニットとを備えた半導体製造装置において、前記温度調節ユニットは、前記ドームの上側に前記ドーム及び前記アンテナと隣接に設けられた熱伝達部材と;前記熱伝達部材の上側に設けられて前記ドームを加熱させるためのヒーターと;前記熱伝達部材と前記ヒーターとの間に設けられて前記ドームを冷却させる冷却部材と;前記冷却部材に対して結合されて前記ドームが所定の基準温度範囲を維持するように前記冷却部材に供給される冷却剤の量を調節する調節弁とを含む。
【選択図】 図2
Description
3 ドーム
5 アンテナ
7 チャンバ本体
10 温度調節ユニット
11 熱伝達部材
12 アンテナ受容部
14 ヒーター
20 冷却部材
21 冷却剤チャネル
23 供給管
25 排出管
27 調節弁
30 補助冷却部材
31 補助冷却剤チャネル
33 補助供給管
35 補助排出管
37 補助調節弁
39 カバー部材
Claims (12)
- 基板を受容する受容空間を形成するチャンバ本体及びドームと、前記ドームの上側に設けられて前記受容空間にプラズマを発生させるアンテナと、前記ドームの上側に設けられて前記ドームの温度を調節する温度調節ユニットとを備えた半導体製造装置において、
前記温度調節ユニットは、
前記ドームの上側に前記ドーム及び前記アンテナと隣接に設けられた熱伝達部材と;
前記熱伝達部材の上側に設けられて前記ドームを加熱させるためのヒーターと;
前記熱伝達部材と前記ヒーターとの間に設けられて前記ドームを冷却させる冷却部材と;
前記冷却部材に対して結合されて前記ドームが所定の基準温度範囲を維持するように前記冷却部材に供給される冷却剤の量を調節する調節弁とを含むことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記冷却部材には、冷却剤が通過できるように形成された冷却剤チャネルと、前記冷却剤チャネルの入口領域に設けられた供給管と、前記冷却剤チャネルの出口領域に設けられた排出管とを含み、
前記調節弁は、前記供給管及び前記排出管の中で少なくともいずれか一つに設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記温度調節ユニットは、前記ドームの温度を測定することができるように設けられた温度センサーをさらに含み、
前記調節弁は、前記温度センサーによって測定された前記ドームの温度が前記所定の基準温度範囲より以下である時には閉鎖され、前記ドームの温度が前記所定の基準温度より高い時には開放されるように調節されることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。 - 前記ドームの所定の基準温度範囲は、前記ドームの設定された基準温度で−20℃乃至+20℃程度の範囲であることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。
- 前記調節弁は、前記アンテナに印加される電源の電力に従って調節されることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記ヒーターの上側には、上部カバーが設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記温度調節ユニットは、前記ヒーターの上側に設けられて前記ドームを冷却させるための補助冷却部材をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記補助冷却部材には、冷却剤が通過できるように形成された補助冷却剤チャネルと、前記補助冷却剤チャネルの入口領域に設けられた補助供給管と、前記補助冷却剤チャネルの出口領域に設けられた補助排出管とを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。
- 前記温度調節ユニットは、前記補助供給管及び補助排出管の中で少なくともいずれか一つに設けられて前記補助冷却剤チャネルに供給される冷却剤の量を調節する補助調節弁をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体製造装置。
- 前記補助調節弁は、前記ドームの温度を基準として調節されることを特徴とする請求項9に記載の半導体製造装置。
- 前記補助調節弁は、前記アンテナに印加される電源の電力に従って調節されることを特徴とする請求項9に記載の半導体製造装置。
- 前記温度調節ユニットは、前記補助冷却部材の上側に設けられて前記補助冷却剤チャネルを気密に維持するカバー部材をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。
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