JP2010187230A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】黒太陽を防止できるにも拘わらず、オプチカルブラック画素に白欠陥が生じてもその顕在化を抑制し、歩留りを向上させる。
【解決手段】複数の画素PXは、有効画素及びオプチカルブラック画素を含む。垂直信号線VLは、画素PXの各列に対応して設けられ、対応する列の画素PXの出力信号が供給される。クリップトランジスタCLは、各垂直信号線VLに対応して設けられ、対応する垂直信号線VLの電位をゲート電位に基づいて制限する。少なくとも所定動作モードにおいて、オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートには、当該クリップトランジスタCLに対応する画素PXからのノイズレベルの読み出し時とクリップトランジスタCLに対応する画素PXからのデータレベルの読み出し時とで同じ電位Vclip_darkが供給される。
【選択図】図1

Description

本発明は、固体撮像装置に関するものである。
MOS型等のXYアドレス型などの固体撮像装置では、一般的に、画素からデータレベル(本来の信号レベルとノイズレベルとを含んだレベル)とノイズレベルを読み出し、両者の差分を得るCDS(相関2重サンプリング)が行われている。
このような固体撮像装置では、ノイズレベルを読み出す際に高輝度の光が入射していると、画素から出力されるノイズレベルが、本来のノイズレベルに高輝度光に基づくレベルを加えたレベルになってしまう。その結果、データレベルとノイズレベルとの間に差があまりなくなってしまい、太陽のような高輝度部分が黒く映しだされてしまう。この現象は、黒太陽などと呼ばれている。
このような現象を防止するため、下記特許文献1に開示された固体撮像装置では、画素の出力信号が供給される垂直信号線に、その垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するクリップトランジスタ(クランプトランジスタと呼ばれる場合もある。)を設けている。そして、クリップトランジスタのゲートには、ノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とでは異なる電位を供給している。これにより、ノイズレベル(リセット信号)を所定電位に制限している。したがって、データレベルとノイズレベルとの間に入射光に応じた十分な差が得られるため、前述した現象が防止される。
ところで、固体撮像装置では、入射光を光電変換して入射光に応じた信号を生成する有効画素の他に、黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素が設けられている。オプチカルブラック画素は、画面内の黒レベルを補正したりするために用いられ、例えば、有効画素と基本的に同じ構造であるがフォトダイオード等の光電変換部が遮光されたような構造を持ったり、有効画素から光電変換部を除去したような構造を持ったりしている。オプチカルブラック画素領域は、例えば、有効画素領域の上端又は下端と左端又は右端とに配置されている。そして、画素の読み出しに関しては、オプチカルブラック画素も有効画素も全く同じように取り扱われている。
特開2004−222273号公報
有効画素の他にオプチカルブラック画素を有する固体撮像装置においても、黒太陽を防止するには、特許文献1の固体撮像装置と同様に、垂直信号線にクリップトランジスタを設ければよい。このとき、画素の読み出しに関してオプチカルブラック画素も有効画素も全く同じように取り扱うという技術常識に従えば、有効画素を含む画素列の垂直信号線のみならずオプチカルブラック画素からなる画素列の垂直信号線にもクリップトランジスタを設け、また、有効画素を含む画素行の読み出し期間のみならずオプチカルブラック画素からなる画素列の読み出し期間においても、クリップトランジスタのゲートに、ノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給することになる。
このように、オプチカルブラック画素を有する固体撮像装置において技術常識に従ってクリップトランジスタを導入した場合、オプチカルブラック画素に白欠陥(常に、明信号に相当するレベルを出力してしまう欠陥)が生じなければ、特別な問題は生じない。ところが、本発明者の研究の結果、前述したようにクリップトランジスタを導入した場合において、オプチカルブラック画素に白欠陥が生ずると、その白欠陥が顕在化してしまう結果、固体撮像装置の歩留りが低下し、コスト上昇を免れないことが判明した。この点については、後に、比較例に関連して詳述する。
なお、オプチカルブラック画素は、正常であれば、その出力は常に黒レベルとなるはずである。しかし、一定の確率でオプチカルブラック画素に白欠陥が生ずることは、経験的に確認されている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、黒太陽を防止することができるにも拘わらず、オプチカルブラック画素に白欠陥が生じてもその顕在化を抑制することができ、ひいては歩留りを向上させることができる、固体撮像装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による固体撮像装置は、(i)入射光に応じた信号を生成する有効画素及び黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素を含み、2次元に配置された複数の画素と、(ii)前記画素の各列に対応して設けられ前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、(iii)前記各垂直信号線に対応して設けられ対応する前記垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するトランジスタと、(iv)前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給するゲート電位供給部と、を備えたものである。
第2の態様による固体撮像装置は、前記第1の態様において、前記ゲート電位供給部は、少なくとも所定動作モードにおいて、前記少なくとも1つの画素列を除いた画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給するものである。
第3の態様による固体撮像装置は、(i)入射光に応じた信号を生成する有効画素及び黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素を含み、2次元に配置された複数の画素と、(ii)前記画素の各列に対応して設けられ列の前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、(iii)前記各垂直信号線に対応して設けられ前記垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するトランジスタと、(iv)前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素行の読み出し期間において、前記各トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給するゲート電位供給部と、を備えたものである。
第4の態様による固体撮像装置は、前記第3の態様において、前記ゲート電位供給部は、少なくとも所定動作モードにおける、前記少なくとも1つの画素行を除いた画素行の読み出し期間において、前記各トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給するものである。
第5の態様による固体撮像装置は、(i)入射光に応じた信号を生成する有効画素及び黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素を含み、2次元に配置された複数の画素と、(ii)前記複数の画素の各列に対応して設けられ前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、(iii)前記各垂直信号線に対応して設けられ前記垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するトランジスタと、(iv)前記各トランジスタのゲートにゲート電位を供給するゲート電位供給部と、を備えたものである。前記ゲート電位供給部は、少なくとも所定動作モードにおいて、前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給する。また、前記ゲート電位供給部は、少なくとも前記所定動作モードにおける、前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素行の読み出し期間において、前記各トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給する。
第6の態様による固体撮像装置は、前記第5の態様において、(i)前記ゲート電位供給部は、少なくとも前記所定動作モードにおいて、前記少なくとも1つの画素列を除いた画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給し、(ii)前記ゲート電位供給部は、少なくとも前記所定動作モードにおける、前記少なくとも1つの画素行を除いた画素行の読み出し期間において、前記少なくとも1つの画素列を除いた画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給するものである。
第7の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第6のいずれかの態様において、前記各画素から読み出された前記ノイズレベルと前記データレベルとの差分を得る手段を備えたものである。
本発明によれば、黒太陽を防止することができるにも拘わらず、オプチカルブラック画素に白欠陥が生じてもその顕在化を抑制することができ、ひいては歩留りを向上させることができる、固体撮像装置を提供することができる。
以下、本発明による固体撮像装置について、図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置を示す回路図である。本実施の形態による固体撮像装置は、CMOS型固体撮像装置として構成されている。
図1に示すように、本実施の形態による固体撮像装置は、2次元状に配置された複数の画素PX(図1では、4×4個の画素PXを示す。)からなる画素部1と、垂直走査回路2と、水平走査回路3と、画素PXの各列に対応して設けられ対応する列の画素PXの出力信号が供給される垂直信号線VLと、各垂直信号線VLに接続された定電流源4と、クリップ回路5と、サンプルホールド部6と、出力アンプをなす差動アンプ7とを有している。図1において、Vddは電源電位である。各垂直信号線VLを区別する場合、n列目の垂直信号線は符号VLnで示す。
以下の説明では、画素PXの数は4×4個であるものとして説明するが、その数が限定されるものではないことは、言うまでもない。各画素PXを区別する場合、m行目n列目の画素は符号PXmnで示す。本実施の形態では、1行目の画素PXと1列目の画素PX、すなわち、PX11,PX12,PX13,PX14,PX21,PX31,PX41が黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素(以下、「OB画素」と称する。)、残りの画素PX22,PX23,PX24,PX32,PX33,PX34,PX42,PX43,PX44が入射光を光電変換して入射光に応じた信号を生成する有効画素となっている。なお、図1では、各画素PXのうちのOB画素を破線10で囲んでいる。
本実施の形態では、各画素PXのうちの有効画素は、一般的なCMOS型固体撮像装置の画素と同様に、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部としてのフォトダイオードPDと、前記信号電荷を受け取って前記信号電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する増幅部としての増幅トランジスタAMPと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに電荷を転送する電荷転送部としての転送トランジスタTXと、フローティングディフュージョンFDの電位をリセットするリセット部としてのリセットトランジスタRSTと、当該画素PXを選択するための選択部としての選択トランジスタSELとを有し、図1に示すように接続されている。なお、本実施の形態では、画素PXのトランジスタAMP,TX,RST,SELは、全てnMOSトランジスタである。各画素PXのうちのOB画素は、フォトダイオードPDが遮光されている点を除いて、各画素PXのうちの有効画素と同じ構造を有している。もっとも、OB画素では、例えば、フォトダイオードPDを取り除いてもよい。
各画素PXの転送トランジスタTXのゲートは、行毎に、垂直走査回路2からの転送トランジスタTXを制御する制御信号φTXを転送トランジスタTXに供給する制御線に、接続されている。リセットトランジスタRSTのゲートは、行毎に、垂直走査回路2からのリセットトランジスタRSTを制御する制御信号φRSTをリセットトランジスタRSTに供給する制御線に、接続されている。選択トランジスタSELのゲートは、行毎に、垂直走査回路2からの選択トランジスタSELを制御する制御信号φSELを選択トランジスタSELに供給する制御線に、接続されている。各制御信号φTXを行毎に区別する場合、m行目の制御信号φTXは符号φTXmで示す。この点は、制御信号φRST,φSELについても同様である。
各画素PXのうちの有効画素のフォトダイオードPDは、入射光の光量(被写体光)に応じて信号電荷を生成する。各画素PXのうちのOB画素のフォトダイオードPDは、入射光を受けないので、入射光の光量(被写体光)に応じた信号電荷は生成しない。各画素PXの転送トランジスタTXは、転送パルス(制御信号)φTXのハイレベル期間にオンし、フォトダイオードPDの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。リセットトランジスタRSTは、リセットパルス(制御信号)φRSTのハイレベル期間にオンし、フローティングディフュージョンFDをリセットする。
各画素PXの増幅トランジスタAMPは、そのドレインが電源電位Vddに接続され、そのゲートがフローティングディフュージョンFDに接続され、そのソースが選択トランジスタSELのドレインに接続され、定電流源4を構成し各垂直信号線VLに対応して設けられたトランジスタTDを負荷とするソースフォロア回路を構成している。各トランジスタTDのドレインは各垂直信号線VLに接続され、各トランジスタTDのソースは接地されている。各トランジスタTDのゲートは共通に接続され、そこには、バイアス回路BSから一定電圧が与えられている。これにより、定電流源4は、垂直信号線VLに対応する画素PXの選択トランジスタSELがオンされたときに、当該垂直信号線VLに電流を流す。この電流は、当該画素PXの増幅トランジスタAMPのソースフォロアバイアス電流である。
各画素PXの増幅トランジスタAMPは、フローティングディフュージョンFDの電圧値に応じて、選択トランジスタSELを介して垂直信号線VLに電圧を出力する。選択トランジスタSELは、選択パルス(制御信号)φSELのハイレベル期間にオンし、増幅トランジスタAMPのソースを垂直信号線VLに接続する。
垂直走査回路2は、素子外からの駆動パルス(図示せず)を受けて、画素PXの行毎に、選択パルスφSEL、リセットパルスφRST及び転送パルスφTXをそれぞれ出力する。また、水平走査回路3は、素子外からの駆動パルス(図示せず)を受けて、列毎に水平走査信号φHを出力する。各水平走査信号φHを列毎に区別する場合、n列目の水平走査信号は符号φHnで示す。
サンプルホールド部6は、各垂直信号線VLの信号に応じた信号(本実施の形態では各垂直信号線VLの信号であるが、例えば、垂直信号線VLの信号を列アンプで増幅した信号でもよい。)をサンプリング制御信号φMN,φMSに従ってサンプリングして保持するとともに、当該保持された信号を水平走査信号φHに従って水平信号線HLN,HLSへ供給する。
サンプルホールド部6は、各垂直信号線VLに対応して設けられたデータレベル用蓄積容量CS及びノイズレベル用蓄積容量CNと、画素PXからのデータレベル(本来の信号レベルとノイズレベルとを含んだレベル)をデータレベル用サンプリング制御信号φMSに従ってデータレベル用蓄積容量CSに蓄積させるデータレベル用サンプリングスイッチMSと、ノイズレベルをノイズレベル用サンプリング制御信号φMNに従ってノイズレベル用蓄積容量CNに蓄積させるノイズレベル用サンプリングスイッチMNと、データレベル用蓄積容量CSに蓄積されたデータレベルを水平走査信号φHに従ってデータレベル用水平信号線HLSに供給するデータレベル用水平転送スイッチHSと、ノイズレベル用蓄積容量CNに蓄積されたノイズレベルを水平走査信号φHに従ってノイズレベル用水平信号線HLNに供給するノイズレベル用水平転送スイッチHNとを有している。本実施の形態では、水平信号線HLN,HLSをそれぞれ所定タイミングで所定電位にリセットするための各トランジスタ(図示せず)が設けられている。本実施の形態では、スイッチMS,MN,HS,HNは、全てnMOSトランジスタである。
各データレベル用サンプリングスイッチMSのゲートは共通に接続され、そこにはデータレベル用サンプリング制御信号φMSが供給される。データレベル用サンプリング制御信号φMSに応じてデータレベル用サンプリングスイッチMSがオンすると、垂直信号線VLのデータレベルが、対応するデータレベル用蓄積容量CSに蓄積される。各ノイズレベル用サンプリングスイッチMNのゲートは共通に接続され、そこにはノイズレベル用サンプリング制御信号φMNが供給される。ノイズレベル用サンプリング制御信号φMNに応じてノイズレベル用サンプリングスイッチMNがオンすると、垂直信号線VLのノイズレベルが、対応するノイズレベル用蓄積容量CNに蓄積される。
各列毎に、データレベル用水平転送スイッチHS及びノイズレベル用水平転送スイッチHNのゲートが共通に接続され、そこには水平走査回路3から対応する列の水平走査信号φHが供給される。各列の水平走査信号φHに応じて、各列の水平転送スイッチHS,HNがオンすると、対応する列のデータレベル用蓄積容量CS及びノイズレベル用蓄積容量CNにそれぞれ蓄積されていたデータレベル及びノイズレベルが、データレベル用水平信号線HLS及びノイズレベル用水平信号線HLNにそれぞれ出力され、差動アンプ7によりデータレベルとノイズレベルとの間の差分が取得され、その差分信号が出力端子8から出力される。これにより相関2重サンプリングが実現され、この差動アンプ7から、画像信号として、固定パターンノイズ等が除去された本来の信号が得られる。なお、差動アンプ7の代わりに、水平信号線HLS,HLNの信号をそれぞれ増幅する2つの出力アンプを設け、素子外に設けた差動アンプ等によって、2つの出力アンプの出力信号の差分を取得するようにしてもよい。
本実施の形態では、クリップ回路5は、各垂直信号線VLに対応して設けられ対応する垂直信号線VLの電位をゲート電位に基づいて制限するクリップトランジスタCLと、切替回路SWと、配線11,12とを有している。各クリップトランジスタCLを列毎に区別する場合、n列目のクリップトランジスタは符号CLnで示す。各クリップトランジスタCLのドレインは、電源電位Vddに接続されている。各クリップトランジスタCLのソースは、対応する垂直信号線VLに接続されている。本実施の形態では、各クリップトランジスタCLは、nMOSトランジスタである。
切替回路SWは、相対的に高い所定電位Vclip_darkに接続された第1の入力部aと、相対的に低い所定電位Vclip_lightに接続された第2の入力部bと、切替回路SWの切替状態を制御する切替制御信号φCLIPを受ける制御入力部cと、出力部dとを有している。切替制御信号φCLIPがハイレベルの場合は、第1の入力部aと出力部dとの間が接続される一方で第2の入力部bと出力部dとの間が開放され、出力部dに所定電位clip_darkが現れるようになっている。逆に、切替制御信号φCLIPがローレベルの場合は、第1の入力部aと出力部dとの間が開放される一方で第2の入力部bと出力部dとの間が接続され、出力部dに所定電位clip_lightが現れるようになっている。切替制御信号φCLIPは、素子外の制御部(図示せず)から供給されるようになっている。
本実施の形態では、OB画素からなる画素列(1列目の画素列)に対応する1列目のクリップトランジスタCL1のゲートは、配線11によって、所定電位Vclip_darkに常時接続されている。一方、他の画素列(2列目〜4列目の画素列)に対応する2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートは、配線12によって、切替回路SWの出力部dに接続されている。本実施の形態では、配線11,12及び切替回路SWによって、クリップトランジスタCL1〜CL4にゲート電位を供給するゲート電位供給部が構成されている。
本実施の形態では、増幅トランジスタAMP及び選択トランジスタSELがnMOSトランジスタであることと等によって、有効画素から対応する垂直信号線VLに読み出されたデータレベルは、当該有効画素への入射光が強いほど低くなる。クリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_darkが印加されると、対応する垂直信号線VLの電位は所定電位clip_darkに応じた電位に制限される。クリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_lightが印加されると、対応する垂直信号線VLの電位は所定電位clip_lightに応じた電位に制限される。所定電位clip_darkは、黒太陽を防止するのに適した垂直信号線電位(説明の便宜上、「黒太陽防止用電位」と呼ぶ。)に応じた電位に設定されている。
一方、所定電位clip_lightは、垂直信号線VLのレベルが定電流源4のトランジスタTDをオフさせてしまうほどの電位に低下しないように制限される一方で可能な限り低い電位まで変化し得るように、設定されている。垂直信号線VLの電位が定電流源4のトランジスタTDをオフさせてしまうほどの電位に低下しないように制限することで、有効画素への入射光が強い場合でも定電流源4のトランジスタTDがオフしてしまうことがなくなるため、定電流源4による各垂直信号線VLの電流値の変動が最小限に抑えられる。このため、高輝度被写体を撮像した場合においても画素電流源の電流値の変動が抑えられるので、素子の消費電流値の揺らぎに伴う画像の揺らぎを抑止する効果(「揺らぎ抑止効果」と呼ぶ。)が得られる。もっとも、本発明では、必ずしも揺らぎ抑止効果は得られなくてもよい。揺らぎ抑止効果を得る必要がない場合には、例えば、切替回路SWの第2の入力部bに、所定電位clip_lightに代えて、接地電位を接続しておいてもよい。この点は、後述する実施の形態についても同様である。なお、説明の便宜上、所定電位clip_lightに応じた垂直信号線電位を、「電流値変動抑制用電位」と呼ぶ。先の説明からわかるように、本実施の形態では、電流値変動抑制用電位は、黒太陽防止用電位よりも低い。
図2は、本実施の形態による固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作の一例を示すタイミングチャートである。ここで、連続撮像動作モードは、いわゆるライブビューモードや動画撮像モードなどの、固体撮像装置に入射光が連続的に入射した状態(例えば、メカニカルシャッタを有する場合には、メカニカルシャッタを開いたままの状態)で電子シャッタ動作により繰り返して撮像するモードであり、1回の撮像毎にメカニカルシャッタを開閉するいわゆる単写モードと対比されるものである。
本実施の形態では、連続撮像モード時では、メカニカルシャッタが開かれた状態において、1行目から4行目まで1行ずつ順次選択される動作が繰り返され、各1行について順次同じ動作が行われていく。これにより、1画像の撮像が順次繰り返されていく。図2は、3行目の画素PXが選択された場合とその前後の状態を示している。以下の説明において、図2を参照する際には、m=3と読み替えられたい。
m行目の画素PXが選択されていない期間においては、m行目の選択パルスφSELmはローレベル、m行目のリセットパルスφRSTmはハイレベルとなっている。
m行目の画素PXが選択されている期間(m行目選択期間、すなわち、m行目の画素PXの読み出し期間)においては、垂直走査回路2によりm行目の画素PXが選択され、m行目のリセットパルスφRSTmがローレベルに変化し、m行目のリセットトランジスタRSTがオフする。また、m行目選択期間において、m行目の選択パルスφSELmがハイレベルに変化し、m行目の選択トランジスタSELmがオンする。m行目の選択トランジスタSELのオンにより、m行目の増幅トランジスタAMPのソースは垂直信号線VLに接続される。そして、m行目の増幅トランジスタAMPは、定電流源4によってソースフォロア回路として動作する。
m行目選択期間は、垂直転送期間とその後の水平転送期間(水平走査期間)とに分けられ、垂直転送期間はノイズレベル転送期間とその後のデータレベル転送期間とに分けられる。
m行目選択期間中のノイズレベル転送期間においては、m行目の選択トランジスタSELがオンし、同時にm行目のリセットトランジスタRSTがオフすることで、m行目の画素PXの増幅トランジスタAMPのゲート電圧が、フローティング状態となり、m行目の画素PXのリセットレベルがノイズレベルとして垂直信号線VLに現われる。このとき、ノイズレベル転送期間の大部分の期間において、ノイズレベル用サンプリングパルス(制御信号)φMNがハイレベルに変化し、ノイズレベル用サンプリングスイッチMNがオンする。これにより、m行目の画素PXのノイズレベルが、ノイズレベル用蓄積容量CNに蓄積される。この動作は、m行目の各列の画素PXに対して同時並列に実行される。
次に、m行目選択期間中のデータレベル転送期間の大部分の期間において、データレベル用サンプリングパルス(制御信号)φMSがハイレベルに変化し、データレベル用サンプリングスイッチMSがオンする。また、m行目選択期間中のデータレベル転送期間における前側期間において、m行目の転送パルスφTXmがハイレベルに変化し、m行目の転送トランジスタTXがオンする。m行目の転送トランジスタTXのオンにより、m行目の画素PXのフォトダイオードPDの電荷が、対応するフローティングディフュージョンFDに転送される。このとき、当該画素PXが有効画素である場合には、フォトダイオードPDで光電変換され蓄積されていた信号電荷が、対応するフローティングディフュージョンFDに転送される。一方、当該画素PXがOB画素である場合には、フォトダイオードPDに存していた電荷(暗電流成分)が、対応するフローティングディフュージョンFDに転送される。これによって、フローティングディフュージョンFDの電圧は転送されてきた電荷量に応じた電圧となり、この電圧が増幅トランジスタAMPのゲート電極に印加される。その結果、m行目の画素PXの光情報(有効画素の場合)又は黒レベル基準情報(OB画素の場合)を含んだデータレベルが、垂直信号線VLに現れる。このとき、データレベル用サンプリングスイッチMSがオンしているので、m行目の画素PXのデータレベルがデータレベル用蓄積容量CSに蓄積される。この動作は、m行目の各列の画素PXに対して同時並列に実行される。
このようにして、垂直転送期間において、m行目の画素PXの出力信号のサンプリングが行われ、各列毎に、ノイズレベル用蓄積容量CNにはm行目の画素PXのノイズレベルが蓄積され、データレベル用蓄積容量CSにはm行目の画素PXのデータレベルが蓄積される。
m行目選択期間中の水平転送期間において、水平走査回路3からの水平走査信号φHによる水平走査によってノイズレベル用水平転送スイッチHN及びデータレベル用水平転送スイッチHSが各垂直信号線VLに対応するもの毎に順次オンされ、蓄積容量CN,CSにそれぞれ蓄積されていたノイズレベル及びデータレベルが各垂直信号線VLに対応するもの毎に順次ノイズレベル用水平信号線HLN及びデータレベル用水平信号線HLSにそれぞれ読み出され、差動アンプ7によりそれらの間の差分が取得され、その差分信号が出力端子8から出力される。前記差分信号は、固定パターンノイズ等が除去された本来の画像信号又は黒レベル基準信号となる。
次に、m+1行目選択期間が開始し、m行目に関して行われたのと同様の動作がm+1行目について行われ、それ以降においても同様の動作を繰り返す。
ところで、本実施の形態では、いずれの行の選択期間においても、ノイズレベル転送期間中のみ切替制御信号φCLIPがハイレベルにされて切替回路SWにより2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートに所定電位clip_darkが供給されるとともに、データレベル転送期間及び水平転送期間中は切替制御信号φCLIPがローレベルにされて切替回路SWにより2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートに所定電位clip_lightが供給される。一方、1列目のクリップトランジスタCL1のゲートには、配線11によって、切替制御信号φCLIPとは無関係に、全期間において常時所定電位clip_lightが供給される。
したがって、全ての有効画素PX22,PX23,PX24,PX32,PX33,PX34,PX42,PX43,PX44については、当該有効画素PXのノイズレベル転送期間中(ひいては、当該有効画素PXからのノイズレベル読み出し時)は、当該有効画素PXに対応するクリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_darkが供給され、当該有効画素PXのデータレベル転送期間中(ひいては、当該有効画素PXからのデータレベル読み出し時)は、当該有効画素PXに対応するクリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_lightが供給される。このため、全ての有効画素PX22,PX23,PX24,PX32,PX33,PX34,PX42,PX43,PX44について、ノイズレベルが黒太陽防止用電位に制限されることにより黒太陽が防止されとともに、データレベルが電流値変動抑制用電位に制限されることにより揺らぎ抑止効果が得られる。
また、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、当該OB画素PXのノイズレベル転送期間中(ひいては、当該OB画素PXからのノイズレベル読み出し時)も当該OB画素PXのデータレベル転送期間中(ひいては、当該OB画素PXからのデータレベル読み出し時)も、当該OB画素PXに対応するクリップトランジスタCL1のゲートに所定電位clip_darkが供給される。したがって、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、ノイズレベルもデータレベルも黒太陽防止用電位に制限されることになる。
1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、当該OB画素PXが正常であれば、当該OB画素PXが出力するノイズレベルもデータレベルも暗信号に相当するレベルとなり、そのレベルは黒太陽防止用電位に達しないため、クリップトランジスタCL1による電位制限を受けることなく、ノイズレベルもデータレベルも同一レベルとなる。一方、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、当該OB画素PXが故障して白欠陥(常に、明信号に相当するレベルを出力してしまう欠陥)が生じていれば、クリップトランジスタCL1による電位制限を受けて、ノイズレベルもデータレベルも黒太陽防止用電位となり、ノイズレベルもデータレベルも同一レベルとなる。このように、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、当該OB画素PXが正常であっても故障して白欠陥が生じていても、ノイズレベルとデータレベルとが同一レベルとなるため、両者の差分を取った差分信号はゼロとなる。
よって、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、当該OB画素PXに白欠陥が生じていてもそれが顕在化することなく、得られる画像に何ら影響を及ぼさない。
また、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、当該OB画素PXのノイズレベル転送期間中は、当該OB画素PXに対応するクリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_darkが供給され、当該OB画素PXのデータレベル転送期間中は、当該OB画素PXに対応するクリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_lightが供給される。したがって、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、ノイズレベルは黒太陽防止用電位に制限される一方、データレベルは電流値変動抑制用電位に制限されることになる。
1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、当該OB画素PXが正常であれば、当該OB画素PXが出力するノイズレベルもデータレベルも暗信号に相当するレベルとなり、そのレベルは黒太陽防止用電位にも電流値変動抑制用電位にも達しないため、対応するクリップトランジスタCLによる電位制限を受けることなく、ノイズレベルもデータレベルも同一レベルとなる。しかし、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、当該OB画素が故障して白欠陥が生じていれば、ノイズレベル及びデータレベルはそれぞれ異なるゲート電位によるクリップトランジスタCLの電位制限を受けて、ノイズレベルは黒太陽防止用電位となる一方、データレベルは電流値変動抑制用電位となり、互いに異なるレベルとなる。したがって、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、当該OB画素PXが正常であれば、ノイズレベルとデータレベルとの差分を取った差分信号はゼロとなるが、当該OB画素PXに白欠陥が生じていれば、ノイズレベルとデータレベルとの差分を取った差分信号はゼロにならない。
よって、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、当該OB画素PXに白欠陥が生じていればそれが顕在化してしまい、得られる画像の画質が低下してしまう。
なお、本実施の形態による固体撮像装置の単写モード時には、1回の撮像毎にメカニカルシャッタが開閉され、メカニカルシャッタが一旦開いて閉じた後に、1行目から4行目まで、前述した連続撮像モード時と同様の読み出し動作が行われる。ただし、単写モード時には、切替制御信号φCLIPを常にハイレベルにして、2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL3のゲートに常に所定電位clip_lightを供給しておく。
ここで、本実施の形態による固体撮像装置と比較される比較例による固体撮像装置について、説明する。図3は、この比較例による固体撮像装置を示す回路図であり、図1に対応している。図3において、図1中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
この比較例による固体撮像装置が前記第1の実施の形態による固体撮像装置と異なる所は、配線11が取り除かれ、OB画素からなる画素列(1列目の画素列)に対応する1列目のクリップトランジスタCL1のゲートも、他の列のクリップトランジスタCL2〜CL4と同じく、配線12によって切替回路SWの出力部dに接続されている点のみである。この比較例による固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作のタイミングチャートは、前記第1の固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作のタイミングチャート(図2)と同一である。
この比較例は、画素PXの読み出しに関してOB画素も有効画素も全く同じように取り扱うという技術常識に従ったものとなっている。
この比較例では、前記第1の実施の形態と異なり、連続撮像モード時において、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41についても、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14と同様に、当該OB画素PXのノイズレベル転送期間中は、当該OB画素PXに対応するクリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_darkが供給され、当該OB画素PXのデータレベル転送期間中は、当該OB画素PXに対応するクリップトランジスタCLのゲートに所定電位clip_lightが供給される。
したがって、この比較例では、前記第1の実施の形態と異なり、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41についても、1行目のOB画素PPX12,PX13,PX14と同様に、当該OB画素PXに白欠陥が生じていればそれが顕在化してしまい、得られる画像の画質が低下してしまう。
このため、この比較例によれば、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41のいずれかに白欠陥が生じてしまえば、当該固体撮像装置は不良品となっていまい、歩留りが低下してしまう。
これに対し、前記第1の実施の形態では、前述したように、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41については、当該OB画素PXのノイズレベル転送期間中も当該OB画素PXのデータレベル転送期間中も、当該OB画素PXに対応するクリップトランジスタCL1のゲートに、同じ所定電位clip_darkが供給されるので、当該OB画素PXに白欠陥が生じていてもそれが顕在化することなく、得られる画像に何ら影響を及ぼさない。
このため、前記第1の実施の形態によれば、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41のいずれかに白欠陥が生じても、当該固体撮像装置は不良品とならずにすみ、歩留りが向上する。
このように、本実施の形態によれば、前記比較例に比べて白欠陥が顕在化してしまうOB画素PXの数を低減することができるので、前記比較例に比べて歩留りを向上させることができる。
また、本実施の形態と前記比較例との回路上の差異は、1列目のクリップトランジスタCL1のゲートに対する配線の変更のみであるため、特別な追加回路を要しない。したがって、本実施の形態は前記比較例に比べてコストが上昇することもない。
なお、本実施の形態はOB画素列が1列である例であったが、OB画素列が2列以上である場合には、全てのOB画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートを配線によって所定電位Vclip_darkに常時接続してもよいし、一部のOB画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートを配線によって所定電位Vclip_darkに常時接続する一方で、残りのOB画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートを切替回路SWの出力部dに接続してもよい。
[第2の実施の形態]
図4は、本発明の第2の実施の形態による固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作を示すタイミングチャートである。図4は、1行目の画素PXが選択された場合とその前後の状態を示している。図4において、図2中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
本発明の第2の実施の形態による固体撮像装置の回路図は、前記比較例による固体撮像装置の回路図(図3)と同一であるため、その図示は省略する。
本実施の形態による固体撮像装置が前記比較例による固体撮像装置と異なる所は、次の点のみである。前記比較例では、連続撮像モード時において、2行目〜4行目の選択期間のみならず、1行目の選択期間においても、ノイズレベル転送期間中のみ切替制御信号φCLIPがハイレベルにされて切替回路SWにより1列目〜4列目のクリップトランジスタCL1〜CL4のゲートに所定電位clip_darkが供給されるとともに、データレベル転送期間及び水平転送期間中は切替制御信号φCLIPがローレベルにされて切替回路SWにより1列目〜4列目のクリップトランジスタCL1〜CL4のゲートに所定電位clip_lightが供給される。これに対し、本実施の形態では、連続撮像モード時において、2行目〜4行目の選択期間とは異なり、1行目の選択期間においては、ノイズレベル転送期間及びデータレベル転送期間の両期間中に切替制御信号φCLIPがハイレベルにされて切替回路SWにより1列目〜4列目のクリップトランジスタCL1〜CL4のゲートに所定電位clip_darkが供給されるとともに、水平転送期間中は切替制御信号φCLIPがローレベルにされて切替回路SWにより1列目〜4列目のクリップトランジスタCL1〜CL4のゲートに所定電位clip_lightが供給される。
したがって、前記比較例では、連続撮像モード時において、1行目のOB画素PX11,PX12,PX13,PX14については、ノイズレベルが黒太陽防止用電位に制限される一方でデータレベルが電流値変動抑制用電位に制限されるので、当該OB画素が故障して白欠陥が生じていれば、ノイズレベルとデータレベルとが異なり、これにより、その白欠陥が顕在化してしまい、得られる画像の画質が低下してしまう。これに対し、本実施の形態では、1行目のOB画素PX11,PX12,PX13,PX14については、ノイズレベルもデータレベルも黒太陽防止用電位に制限されるので、当該OB画素が故障して白欠陥が生じていれば、ノイズレベルもデータレベルも黒太陽防止用電位となり、ノイズレベルもデータレベルも同一レベルとなり、これにより、その白欠陥が顕在化することなく、得られる画像に何ら影響を及ぼさない。
したがって、前記比較例では、1行目のOB画素PX11,PX12,PX13,PX14のいずれかに白欠陥が生じていれば、当該固体撮像装置は不良品となるため、歩留りが低下してしまう。これに対し、本実施の形態では、1行目のOB画素PX11,PX12,PX13,PX14のいずれかに白欠陥が生じても、当該固体撮像装置は不良品とならずにすみ、歩留りが向上する。
このように、本実施の形態によっても、前記比較例に比べて白欠陥が顕在化してしまうOB画素PXの数を低減することができるので、前記比較例に比べて歩留りを向上させることができる。
なお、本実施の形態はOB画素行が1行である例であったが、OB画素列が2行以上である場合には、連続撮像モード時において、全てのOB画素行の選択期間において、ノイズレベル転送期間及びデータレベル転送期間の両期間中に切替制御信号φCLIPをハイレベルにしてもよいし、一部のOB画素行の選択期間において、ノイズレベル転送期間及びデータレベル転送期間の両期間中に切替制御信号φCLIPをハイレベルにする一方で、残りのOB画素行の選択期間において、ノイズレベル転送期間中に切替制御信号φCLIPをハイレベルにするとともにデータレベル転送期間中に切替制御信号φCLIPをローレベルにしてもよい。
[第3の実施の形態]
本発明の第3の実施の形態による固体撮像装置の回路図は、前記第1の実施の形態による固体撮像装置の回路図(図1)と同一であるため、その図示は省略する。また、本実施の形態による固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作を示すタイミングチャーは、前記第2の固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作のタイミングチャート(図4)と同一であるため、その図示は省略する。
本実施の形態による固体撮像装置が前記第1の実施の形態による固体撮像装置と異なる所は、次の点のみである。前記第1の実施の形態では、連続撮像モード時において、2行目〜4行目の選択期間のみならず、1行目の選択期間においても、ノイズレベル転送期間中のみ切替制御信号φCLIPがハイレベルにされて切替回路SWにより2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートに所定電位clip_darkが供給されるとともに、データレベル転送期間及び水平転送期間中は切替制御信号φCLIPがローレベルにされて切替回路SWにより2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートに所定電位clip_lightが供給される。これに対し、本実施の形態では、連続撮像モード時において、2行目〜4行目の選択期間とは異なり、1行目の選択期間においては、ノイズレベル転送期間及びデータレベル転送期間の両期間中に切替制御信号φCLIPがハイレベルにされて切替回路SWにより2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートに所定電位clip_darkが供給されるとともに、水平転送期間中は切替制御信号φCLIPがローレベルにされて切替回路SWにより2列目〜4列目のクリップトランジスタCL2〜CL4のゲートに所定電位clip_lightが供給される。
したがって、前記第1の実施の形態では、連続撮像モード時において、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、ノイズレベルが黒太陽防止用電位に制限される一方でデータレベルが電流値変動抑制用電位に制限されるので、当該OB画素が故障して白欠陥が生じていれば、ノイズレベルとデータレベルとが異なり、これにより、その白欠陥が顕在化してしまい、得られる画像の画質が低下してしまう。これに対し、本実施の形態では、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14については、ノイズレベルもデータレベルも黒太陽防止用電位に制限されるので、当該OB画素が故障して白欠陥が生じていれば、ノイズレベルもデータレベルも黒太陽防止用電位となり、ノイズレベルもデータレベルも同一レベルとなり、これにより、その白欠陥が顕在化することなく、得られる画像に何ら影響を及ぼさない。
したがって、前記第1の実施の形態では、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14のいずれかに白欠陥が生じていれば、当該固体撮像装置は不良品となる。これに対し、本実施の形態では、1行目のOB画素PX12,PX13,PX14のいずれかに白欠陥が生じても、当該固体撮像装置は不良品とならずにすむ。勿論、本実施の形態によっても、前記第1の実施の形態と同じく、1列目のOB画素PX11,PX21,PX31,PX41のいずれかに白欠陥が生じても、当該固体撮像装置は不良品とならずにすむ。
よって、本実施の形態によれば、比較例に比べてのみならず前記第1の実施の形態に比べても、白欠陥が顕在化してしまうOB画素PXの数を低減することができ、歩留りをより一層向上させることができる。
なお、本実施の形態はOB画素列が1列であるとともにOB画素行が1行である例であったが、これに限定されるものではない。OB画素列が2列以上である場合には、全てのOB画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートを配線によって所定電位Vclip_darkに常時接続してもよいし、一部のOB画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートを配線によって所定電位Vclip_darkに常時接続する一方で、残りのOB画素列に対応するクリップトランジスタCLのゲートを切替回路SWの出力部dに接続してもよい。また、OB画素列が2行以上である場合には、連続撮像モード時において、全てのOB画素行の選択期間において、ノイズレベル転送期間及びデータレベル転送期間の両期間中に切替制御信号φCLIPをハイレベルにしてもよいし、一部のOB画素行の選択期間において、ノイズレベル転送期間及びデータレベル転送期間の両期間中に切替制御信号φCLIPをハイレベルにする一方で、残りのOB画素行の選択期間において、ノイズレベル転送期間中に切替制御信号φCLIPをハイレベルにするとともにデータレベル転送期間中に切替制御信号φCLIPをローレベルにしてもよい。
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明による固体撮像装置が搭載されるカメラは、ライブビューモードや動画撮像モードも可能なデジタルスチルカメラに限定されるものではなく、動画撮像専用のビデオカメラ等であってもよい。
本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置を示す回路図である。 本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作を示すタイミングチャートである。 比較例による固体撮像装置を示す回路図である。 本発明の第2の実施の形態による固体撮像装置の連続撮像モード時の読み出し動作を示すタイミングチャートである。
PX 画素
VL 垂直信号線
CL クリップトランジスタ
SW 切替回路
5 クリップ回路
11,12 配線

Claims (7)

  1. 入射光に応じた信号を生成する有効画素及び黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素を含み、2次元に配置された複数の画素と、
    前記画素の各列に対応して設けられ前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、
    前記各垂直信号線に対応して設けられ前記垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するトランジスタと、
    前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給するゲート電位供給部と、
    を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記ゲート電位供給部は、少なくとも所定動作モードにおいて、前記少なくとも1つの画素列を除いた画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給する、ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 入射光に応じた信号を生成する有効画素及び黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素を含み、2次元に配置された複数の画素と、
    前記画素の各列に対応して設けられ前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、
    前記各垂直信号線に対応して設けられ前記垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するトランジスタと、
    前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素行の読み出し期間において、前記各トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給するゲート電位供給部と、
    を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
  4. 前記ゲート電位供給部は、少なくとも所定動作モードにおける、前記少なくとも1つの画素行を除いた画素行の読み出し期間において、前記各トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給する、ことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
  5. 入射光に応じた信号を生成する有効画素及び黒基準レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素を含み、2次元に配置された複数の画素と、
    前記複数の画素の各列に対応して設けられ前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、
    前記各垂直信号線に対応して設けられ前記垂直信号線の電位をゲート電位に基づいて制限するトランジスタと、
    前記各トランジスタのゲートにゲート電位を供給するゲート電位供給部と、
    を備え、
    前記ゲート電位供給部は、少なくとも所定動作モードにおいて、前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時と当該トランジスタに対応する前記画素からのデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給し、
    前記ゲート電位供給部は、少なくとも前記所定動作モードにおける、前記オプチカルブラック画素からなる少なくとも1つの画素行の読み出し期間において、前記各トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とで同じ電位を供給する、
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  6. 前記ゲート電位供給部は、少なくとも前記所定動作モードにおいて、前記少なくとも1つの画素列を除いた画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給し、
    前記ゲート電位供給部は、少なくとも前記所定動作モードにおける、前記少なくとも1つの画素行を除いた画素行の読み出し期間において、前記少なくとも1つの画素列を除いた画素列に対応する前記トランジスタのゲートに、当該トランジスタに対応する前記画素からのノイズレベルの読み出し時とデータレベルの読み出し時とで異なる電位を供給する、ことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。
  7. 前記各画素から読み出された前記ノイズレベルと前記データレベルとの差分を得る手段を備えたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
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