JP2010169480A - 半導体デバイス試験装置及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被試験デバイス200からは、読み出されるデータ入出力信号DQと共に基準クロック(データストローブ信号DQS)が出力される。半導体デバイス試験装置100内のピンエレクトロニクス102aにおいては、データ入出力信号DQの読み取りをコンパレータ171で行う。読み取りの際のストローブ信号183aとして、基準クロック(データストローブ信号DQS)の立上り又は立下りに同期したストローブ信号182a、またはユーザーが発生時刻を定めたストローブ信号114bのいずれかをセレクタ183により選択できる構成としている。
【選択図】図1
Description
図9に、この種の半導体デバイスの読み出し時の様子を示す。
図9においては、半導体デバイスに、外部クロック信号CLKに同期させたコマンド信号CMDにリードコマンドREDを与えると、CL(CAS Latency)=2で、すなわちリードコマンドREDから2クロック目でデータストローブ信号DQS,データ入出力信号DQが出力され、その後、外部クロック信号CLKの立上り立下りに同期して両信号が変化する様子を示している。
半導体デバイスの実使用状態においては、データストローブ信号DQSの立上り立下りに同期して、データD1〜D8が受け渡される。
良否判定は、半導体デバイス試験装置内でストローブ信号STBを出力し、その発生時刻において、データ入出力信号DQ,データストローブ信号DQSが期待電圧以上あるいは以下にあるかどうかを、ピンエレクトロニクス内のコンパレータにより読み取り、テスト信号制御部内の論理比較器において期待値と一致するかどうかを判定することで行われる。
例えば、図9において、上述の半導体デバイス(サンプル1とする)とは別の半導体デバイス(サンプル2とする)が一つの入出力端子からデータ入出力信号DQ2及びデータストローブ信号DQS2を出力する場合を仮定する。
すると、ストローブ信号STBの発生時刻が図9のように設定されていると、サンプル1については、論理比較器における期待値をデータD1〜D8と同じく1,0,1,0,1,0,1,0とすれば、良品と判定される。
一方、サンプル2もサンプル1と同じデータを出力するにもかかわらず、ストローブ信号STBの時刻に対してデータ出力時刻がずれているため、不良品と判定される。
上述の通り、実使用状態においては、データ入出力信号DQの受け渡しにデータストローブ信号DQS(サンプル2においては、それぞれデータ入出力信号DQ2,データストローブ信号DQS2として、図9において示す。)が利用される。
そこで、サンプル1,2いずれもtDQSCK(tACとtDQSCKの時間差であり、図9においては、tDQSQ,tDQSQ2とする)が所定の時間内であれば、いずれも良品と判定すべきである。
すなわち、データストローブ信号DQSの立上り又は立下りのタイミングを、わずかずつ位相差が与えられた多相パルスで構成されたストローブパルスでサンプリング動作する複数の信号読取回路で読み取る。そして、データストローブ信号DQSの変化点を検出した多相パルスの相番号によりデータストローブ信号DQSの立上り又は立下りのタイミングを規定する。そして、この相番号を半導体デバイス試験装置内に設けられたメモリに記憶する。こうして、被試験デバイスの試験中は、この相番号によって一義的に決定されるタイミングで被試験デバイスから読み出されるデータ入出力信号DQの読取を行い、そのタイミングで変化点の有無を判定し、その判定結果に従って被試験デバイスの良否判定を行う。
また、この問題に対応すべく、テストパターンを変えて多くのテスト項目を続けて評価する場合においては、テスト項目ごとに予めデータストローブ信号DQSのタイミングを規定する必要が生じ、テスト時間が増加するという問題もあった。
そのため、時間の経過(熱的な変化)に従って変動するデータの変化、いわゆるジッタを考慮する必要はない。
すなわち、上述の基準クロックは、データと被試験デバイスから出力されるので、同様の熱的変化を受ける。
従って、この発明によれば、被試験デバイスの実使用に対応した試験、すなわち、データとそのデータとともに出力される基準クロックとの関係に対応した試験を行うことができる半導体デバイス試験装置を提供できる。
また、テスト項目の度に基準クロックのタイミングを規定することによるテスト時間増加はないため、短時間にデータの検出を行うことができる半導体デバイス試験装置を提供できる。
図1に示す半導体デバイス試験装置の説明に先立って、図2を用いて一般的な半導体デバイス試験装置の概要を説明する。
図2は、半導体デバイス試験装置の一般的な構成図を示しており、半導体デバイス試験装置100は、テスト信号制御部101とピンエレクトロニクス102とから構成され、被試験デバイス200が試験される。
主制御器110は、コンピュータシステムによって構成され、ユーザーが作成した被試験デバイスを試験するプログラムに従って、テスタバス151を介してテスタ制御信号を伝送し、基準信号発生器111等を制御する。
タイミング発生器112は、テスタバス151からテスタ制御信号151b及び上記基準信号111aが入力され、テスタ制御信号151bに従い基準信号111aを計数し、所望の周期、時間遅れを持つドライバ用位相信号112a等を発生する。
位相信号としては、一般的に、試験周期(テストレート)や、ストローブ用やコントロール用の信号が例示される。
図2においては、位相信号としてドライバ用位相信号112a、ストローブ用位相信号112b、論理比較器用位相信号112cが示されている。
また、パターン発生器113へ対して出力される位相信号112ca,112cb,112ccも示されている。
パターン発生器113は、例えば被試験デバイスがDRAMに代表されるメモリデバイスである場合には、試験に際して想定されるあらゆるパターンを発生できるように構成されたALPG(Algorithmic Pattern Generator)が例示される。
図2においては、パターンデータ信号として、テスタ制御信号151cを受けて位相信号112caのタイミングで発生するドライバ用パターンデータ信号113a、テスタ制御信号151cを受けて位相信号112cbのタイミングで発生するストローブ用パターンデータ信号113b、テスタ制御信号151cを受けて位相信号112ccのタイミングで発生する論理比較器用パターンデータ信号113cが示されている。
図2においては、波形整形器114は、ドライバ用位相信号112aのタイミングでドライバ用パターンデータ信号113aを論理合成し、ピンエレクトロニクス102内のドライバ161を駆動するドライバ駆動信号114aを生成する。
また、波形整形器114は、ストローブ用位相信号112bのタイミングでストローブ用パターンデータ信号113bを論理合成し、ピンエレクトロニクス102内のコンパレータ171に入力するストローブ信号114bを生成する。
また、フェイルメモリ116は、上述の良否判定信号115aが入力され、良否判定結果を格納するものである。フェイルメモリ116は、被試験デバイス200の試験終了後にテスタバス151を介して、判定信号151dを主制御器110へ伝送する。
比較電圧源122は、ピンエレクトロニクス102内のコンパレータ171へ、所定の直流電圧を供給するものである。即ち、被試験デバイス200からのアナログ出力信号を論理信号に変換する為のスレッショルドレベル電圧となる、基準の比較用電圧(VOH、VOL)を供給する。
デバイス電源123は、被試験デバイス200へ直流電圧を供給する可変電源である。
ピンエレクトロニクス102は、被試験デバイス200と伝送線路202を介して接続されている。
被試験デバイス200としては、DRAMが例示されるが、特にDRAMに限定されるものでなく、SRAM(Static Random Access Memory)やシステムLSI(Large Scale Integration)であってもよい。
図2においては、被試験デバイス200のデータ入出力端子DQPが伝送線路202を介してピンエレクトロニクス102と接続される様子を示している。
なお、図2においては示されていないが、被試験デバイス200におけるデータ入出力端子DQP以外の端子も、それぞれの伝送線路を介してピンエレクトロニクス102に相当する他に設けられるピンエレクトロニクスに接続される。
また、これらのピンエレクトロニクスは上述のテスト信号制御部101に相当するそれぞれのテスト信号制御部に接続され、半導体デバイス試験装置100全体で被試験デバイス200が試験される。
ピンエレクトロニクス102中のコンパレータ171は、被試験デバイス200が読み出し動作にあるとき、データ0または1に相当する電圧レベルが入力される。コンパレータ171は、かかる電圧レベルを電圧VOLまたはVOHと比較し、比較結果信号171a,171bを上述の論理比較器115に対して出力する。
なお、上述の比較は、ストローブ信号114bが印加された時点の入力信号の電圧レベルにより行われる。
まず、本実施形態のテスト信号制御部101においては、波形整形器114の出力信号として、遅延制御信号114d及びセレクタ制御信号114eが新たに追加されている。
いずれも後述するピンエレクトロニクス102aを制御する信号であり、両信号を生成するため、タイミング発生器112及びパターン発生器113それぞれにおいても出力信号が新たに追加されている。
すなわち、タイミング発生器112においては、テスタバス151からテスタ制御信号151b及び基準信号発生器111から基準信号111aが入力されて生成される位相信号112d,112e,112cd,112ceが追加されている。
波形整形器114においては、遅延制御用位相信号112dのタイミングで遅延制御用パターンデータ信号113dを論理合成し、遅延制御信号114dが生成される。また、セレクタ制御用位相信号112eのタイミングでセレクタ制御用パターンデータ信号113eを論理合成し、セレクタ制御信号114eが生成される。
図1におけるピンエレクトロニクス102aは、遅延線181、ストローブ発生回路182及びセレクタ183を備えている。
遅延線181は、入力端に伝送線路203が接続され、遅延量はテスト信号制御部101から入力される遅延制御信号114dにより制御され、出力端から遅延信号181aを出力する。
なお、遅延線181は、ゲート段数で遅延させる構成としたり、抵抗素子及び容量素子等により時定数で遅延させる構成としたり、或いは入力信号を位相のずれた信号でラッチする構成とすることができるが、いずれの構成をとってもよい。
セレクタ183は、テスト信号制御部101から入力されるセレクタ制御信号114eの論理レベルに従って、ストローブ信号182aまたはテスト信号制御部101から入力されるストローブ信号114bのいずれかを選択し、ストローブ信号183aを出力する回路である。
具体的には、セレクタ183は、セレクタ制御信号114eの論理レベルが0の場合はストローブ信号114bを、論理レベルが1の場合はストローブ信号182aをストローブ信号183aとして出力する。
また、被試験デバイス200は1つしか示されていないが、複数個同時測定するいわゆるパラレル測定においては、ピンエレクトロニクスも被試験デバイスの個数に応じて半導体デバイス試験装置に用意され、複数個の被試験デバイスを試験する。
データ入出力端子DQPは、DRAM内のメモリセルへデータを入出力する際の端子であり、図1においてはデータ入出力端子DQPと伝送線路202は一つの端子及び伝送線路で示されているが、8端子,8伝送線路を省略して示している。
すなわち、DRAM(被試験デバイス200)は、データ入出力端子DQ0P〜7Pを有し、8台のピンエレクトロニクス102a〜102hへそれぞれの伝送線路202を介して接続され、データ入出力信号DQ0〜7が入出力される。
なお、ピンエレクトロニクス102b〜102hについては、図1において内部構成を省略しているが、ピンエレクトロニクス102aと同じ構成をしており、データ入出力信号DQ1〜7が入出力される。
データストローブ端子DQSPは、伝送線路203を介してピンエレクトロニクス103へ接続される。
ピンエレクトロニクス103についても、図1においては内部構成を省略しているが、上述の図2におけるピンエレクトロニクス102と同じ構成であり、データストローブ信号DQSが入出力される。
すなわち、ピンエレクトロニクス103中のコンパレータは、被試験デバイス200が読み出し動作にあるとき、データストローブ信号DQSが入力される。
コンパレータは、データストローブ信号DQSの電圧レベルを電圧VOLまたはVOHと比較し、比較結果をピンエレクトロニクス103に対応する論理比較器に対して出力する。
なお、上述の比較は、ピンエレクトロニクス103に対応する波形整形器から出力されるストローブ信号が印加された時点の入力信号の電圧レベルにより行われる。
図3は、被試験デバイス200の読み出し時の様子を示すタイミングチャートであり、以下この図面を用いて説明を続ける。
まず、ユーザーが作成した被試験デバイスを試験するプログラムにおいて、上述のセレクタ制御信号114eは論理レベルが1であるものとして説明をする。
かかる場合、ピンエレクトロニクス102a内のセレクタ183により、ストローブ信号183aは、ピンエレクトロニクス102a内のストローブ発生回路182が出力するストローブ信号182aとなる。
従って、コンパレータ171はストローブ信号182aにより、データ入出力信号DQの電圧レベルを読み取る。
上述の説明では、被試験デバイス200は入出力端子を8端子有するとして説明したが、便宜上データ入出力端子DQ0Pについて行う。
また、図3において、D1〜D8は、サンプル1及びサンプル2のそれぞれのデータ入出力端子DQ0Pから出力されたデータ入出力信号DQ,DQ2の論理レベルを示し、それぞれ期待値通りのデータ1,0,1,0,1,0,1,0が出力されているものと仮定する。
また、データストローブ信号DQS,DQS2は、それぞれデータ入出力信号DQ,DQ2の受け渡しに利用される被試験デバイス200から出力される信号であるので、データ入出力信号とほぼ同時刻に、例えばデータ1,0,1,0,1,0,1,0が出力されるものとする。
ストローブ信号183aは、セレクタ183によりストローブ信号182aであるから、サンプル1から出力されるデータストローブ信号DQSの立上り立下り時刻より遅延線181の持つ遅延量分だけ遅れた時刻にストローブ信号STB(ストローブ信号183a)が発生する。
すると、コンパレータ171はこの時刻におけるデータ入出力信号DQの電圧レベルを予め設定されたVOH及びVOLと比較し、比較結果信号171a,171bを出力する。
その後、論理比較器115は、サンプル1について、期待値通りの信号が読み取られたとして、良否判定信号115aを良品判定として発生する。
サンプル2についても同様に、データストローブ信号DQS2の立上り立下り時刻より遅延線181の持つ遅延量分だけ遅れた時刻に発生するストローブ信号STB2(ストローブ信号183a)により、データ入出力信号DQ2の変化を読み取ることとしているので、良品判定される。
論理レベルの設定は、そもそもユーザーが作成した被試験デバイスを試験するプログラムにおいて設定される。
また、図1におけるストローブ信号114bの発生時刻も、かかるプログラムにより設定される。
従って、セレクタ制御信号114eの論理レベルが0の場合は、図1におけるストローブ信号183aは、波形整形器114が出力するストローブ信号114bとなる。
かかる場合、従来技術において、図9を用いて説明したように、サンプルによってストローブ信号の発生時刻を設定できず、全サンプルに対して一括してストローブ信号の発生時刻が設定される。
従って、本実施形態の半導体デバイス試験装置100により被試験デバイス200を試験する場合は、セレクタ制御信号114eの論理レベルの0または1に分けて、次のように評価することが最適である。
すなわち、セレクタ制御信号114eの論理レベルが0の場合は、被試験デバイス200の電気的特性tAC,tDQSCが所定時間内であるかどうかを評価する。
なお、上述した図1における遅延制御信号114dにより、半導体装置300内の遅延線181の遅延量を、ユーザーが作成した被試験デバイスを試験するプログラムにおいて任意の値に設定することで、精度良く評価を行うことができる。
そのため、時間の経過(熱的な変化)に従って変動するデータ(データ入出力信号DQ)の変化、いわゆるジッタを考慮する必要はない。
すなわち、上述の基準クロック(データストローブ信号DQS)は、データ(データ入出力信号DQ)と被試験デバイスから出力されるので、同様の熱的変化を受ける。
従って、この発明によれば、被試験デバイスの実使用に対応した試験、すなわち、データ(データ入出力信号DQ)とそのデータ(データ入出力信号DQ)とともに出力される基準クロック(データストローブ信号DQS)の関係に対応した試験を行うことができる半導体デバイス試験装置を提供できるという効果を奏する。
また、テスト項目の度に基準クロックのタイミングを規定することによるテスト時間増加はないため、短時間にデータの変化の検出を行うことができるという効果も奏する。
また、半導体デバイス試験装置が複数の被試験デバイスを同時測定可能な場合、すなわちパラレル測定に対応できる場合においては、半導体デバイス試験装置が一括してデータの検出を行うことはなくなるため、被試験デバイスの個体毎のばらつきに対処できるという効果も奏する。
図4は、かかる場合における半導体デバイス試験装置の構成図である。
図4において、遅延線181は、テスト信号制御部101内に設けられている。
また、遅延線181の入力端は、ピンエレクトロニクス103を介して、データストローブ信号DQSが伝送される伝送線路203と接続される。
なお、上述したパラレル測定に対応する半導体デバイス試験装置においては、被試験デバイスの数だけ遅延線181が設けられているものとする。
また、ピンエレクトロニクスにおける遅延線搭載スペースが減る分だけ、テスト信号制御部における遅延線搭載スペースを拡げることができ、より高精度な遅延線を設けることで、データ入出力信号の検出を高精度に行うことができるという効果も奏する。
上述のような半導体デバイス試験装置内部に遅延線を設けることができない場合においては、被試験デバイス内に遅延線を設けることができる。
図5においては、かかる被試験デバイスとして半導体装置300の概略構成図を示している。
半導体装置300は、外部クロック信号CLKが入力されるCLK入力端子CLKP、コマンド信号CMDが入力されるコマンド入力端子CMDP、外部アドレス信号が入力されるアドレス入力端子ADDPを備えている。
また、データ入出力信号DQ0〜DQnが入出力されるデータ入出力端子DQ0P〜DQnP及びデータストローブ信号DQSが入出力されるデータストローブ端子DQSPを備えている。
また、出力回路部301は、複数の出力バッファ回路3011を備えている。
なお、読み出し動作に係る出力バッファ制御回路3031、データストローブ信号用出力バッファ制御回路307及び出力バッファ回路3011の読み出し動作の詳細については後述する。
CLK入力端子CLKPから入力される外部クロック信号CLKに基づいて制御信号発生回路308で発生する内部クロック信号320が発生する。
コマンド信号CMD及び外部アドレス信号ADDは、内部クロック信号320により、コマンド入力ラッチ&デコード回路309及びアドレス入力ラッチ&デコード回路310に取り込まれる。
コマンド信号CMDは、コマンド入力ラッチ&デコード回路309でデコードされた後、コントロールロジック回路311に入力される。
コントロールロジック回路311は、入力されたコマンドに応じてXアドレス系コントロール信号321、Yアドレス系コントロール信号324等を発生し、Xアドレス信号322及びYアドレス信号323を出力するアドレス入力ラッチ&デコード回路310、Xデコーダ402及びYデコーダ403並びに上述の出力回路部301等を制御して所望の動作を行う。
また、アクティブコマンド入力と同時に、アドレス入力端子ADDPにXアドレス信号も入力され、メモリセルアレイ401内のXアドレスに該当するワードラインが選択されワードライン上のセルが選択された状態になる。
図6は、図5における出力バッファ制御回路及び出力バッファ回路の構成を、より詳細に示した図5の補足説明図である。
図7は、半導体装置300の読み出し時の様子を示すタイミングチャートであり、データ入出力端子DQ0P及びデータストローブ端子DQSPへ出力されるデータ入出力信号及びデータストローブ信号の変化を、通常動作モード、テスト動作モードに分けて示している。
データ入出力信号DQ0N及びデータストローブ信号DQSNは、通常動作モードにおける信号の変化であり、データ入出力信号DQ0T及びデータストローブ信号DQSTは、テスト動作モードにおける信号の変化である。
また、ストローブ信号STBTは、後述する半導体装置300の試験の際に半導体デバイス試験装置内において発生するストローブ信号である。
また、データストローブ端子DQSPに対応するデータストローブ信号用出力バッファ制御回路307及び出力バッファ回路3011が、入力される出力制御信号とともに示されている。
出力制御信号については、図5におけるYアドレス系コントロール信号324として、出力制御信号324a,324b,324c,324d,mode1,mode2及びmode3が示されている。
出力バッファ制御回路3031は、メモリセルに記憶されたデータがデータアンプ回路304を介して出力制御信号324cとして入力され、出力制御信号324bにより出力バッファ回路3011へメモリセルに記憶されたデータを伝送する。
なお、出力制御信号324dは、図5中のコントロールロジック回路311において、外部クロック信号CLKに同期して、発生される信号である。
遅延線351は、ゲート段数で遅延させる構成としたり、抵抗素子及び容量素子等により時定数で遅延させる構成としたり、或いは入力信号を位相のずれた信号でラッチする構成とすることができるが、いずれの構成をとってもよい。
また、遅延線351はDLL(Delay Locked Loop)やPLL(Phase Locked Loop)で構成されても良い。
なお、上述の制御信号は、mode1〜3の3信号としたが、これは何本の信号であってもよい。
具体的には、セレクタ352は、後述の読み出し動作におけるテスト動作モードにおいて、出力制御信号mode1〜mode3のいずれかの論理レベルが1の場合は出力制御信号324bを、遅延線351の遅延量に相当する分だけ遅延させ、出力信号をデータストローブ信号用出力バッファ制御回路307へと出力する。
一方、読み出し動作における通常動作モードにおいては、出力制御信号324bを遅延させることなく、データストローブ信号用出力バッファ制御回路307へと出力する。
読み出し動作において、コマンド入力端子CMDPに読み出しコマンド(RED)が入力されるとほぼ同時に、アドレス入力端子ADDPにYアドレス信号が入力され、上述のワードライン上のYアドレスのメモリセルに書き込まれたデータがメモリセルアレイ401からデータアンプ回路304に読み出される。
出力バッファ制御回路3031は、出力制御信号324bにより出力バッファ回路3011にデータを伝送する。
伝送のタイミングは、データ入出力端子DQ0Pからの読み出しデータが、データ読み出しコマンド(RED)から例えば2クロック遅れた外部クロック信号CLKに同期するよう出力制御信号324bにより調整される。
図7に示すタイミングチャートでは、選択されたカラムアドレスから連続する8ビットのデータD1〜D8が、外部クロック信号CLKの立上り立下りに同期して、データ入出力信号DQ0Nとしてデータ入出力端子DQ0Pへ読み出される例を示している。
従って、図7に示すタイミングチャートに示すように、データストローブ信号DQSNは、上述のデータ入出力信号DQ0N出力とほぼ同一のタイミングで、データストローブ端子DQSPへ出力される。
出力されるデータストローブ信号DQSの出力データは、データ入出力の1ビット目と同時に論理レベル1、2ビット目と同時に論理レベル0というように、論理レベルが交互に変化する。
すると、データストローブ信号用出力バッファ制御回路307が出力バッファ回路3011にデータを伝送するタイミングは、出力バッファ制御回路3031より遅延線で定められた遅延量に相当する分だけ遅れた時刻となる。
従って、図7に示すタイミングチャートに示すように、データストローブ信号DQSTは、データ入出力信号DQ0T出力よりやや遅れたタイミングで、データストローブ端子DQSPへ出力される。
なお、データ入出力信号DQ0Tは、上述の通常動作モードにおけるデータ入出力信号DQ0Nとほぼ同じタイミングで、データ入出力端子DQ0Pへ出力される
図8は、上述の半導体装置300を試験する半導体デバイス試験装置100の構成図である。
図8において、図1と相違する点は、ストローブ発生回路182に接続される遅延線181が図8における半導体デバイス試験装置にない点である。
また、遅延線181がないことにより、ピンエレクトロニクス102aには遅延制御信号114dが入力されない。また、ピンエレクトロニクス102aに対応するテスト信号制御部101内には、位相信号112d,位相信号112cd,パターンデータ信号113dは、発生されない。
半導体装置300の通常動作モードにおいては、半導体デバイス試験装置100のセレクタ183に入力されるセレクタ制御信号114eの論理レベルは0に、テストモード動作においては1に設定される。
論理レベルの設定は、ユーザーが作成した被試験デバイスを試験するプログラムにおいて設定される。なお、図8におけるストローブ信号114bの発生時刻も、かかるプログラムにより設定される。
従って、本実施形態の半導体デバイス試験装置100により半導体装置300を試験する場合は、セレクタ制御信号114eの論理レベルの0または1に分けて、次のように評価することが最適である。
かかる場合、図7において示すように、例えば外部クロック信号CLKの2クロック目から所定の時間経過後に(例えばtAC経過後に)ストローブ信号を発生させ、データ入出力信号DQの電圧レベルがVOH以上またはVOL以下にあることをコンパレータ171により比較する。
また、データストローブ信号DQSの電圧レベルが、外部クロック信号CLKの2クロック目から所定の時間経過後に(例えばtDQSC経過後に)VOH以上またはVOL以下にあることをコンパレータ171により比較する。
すなわち、セレクタ制御信号114eの論理レベルが0の場合は、半導体装置300の電気的特性tAC,tDQSCが所定時間内であるかどうかを評価する。
図7において、ストローブ信号STBTは、半導体装置300のテストモードにおける遅延されたデータストローブ信号DQSTの立上り立下りに同期して、ストローブ発生回路182において発生するストローブ信号182aである。
すなわち、セレクタ制御信号114eの論理レベルが1の場合は、半導体装置300の実使用状態を考慮して、データストローブ信号DQSのタイミングを利用してデータ入出力信号DQの電圧レベルを判定し、データがD1〜D8と期待値通りに変化しているかを評価する。
なお、上述した図6における出力制御信号mode1,mode2,mode3により選択される遅延線351の遅延量を、設計において半導体装置の実使用から予想される値に設定しておくことで、精度良く評価を行うことができる。
また、本実施形態の半導体デバイス試験装置は、上述の被試験デバイス(半導体装置300)を試験する試験装置(半導体デバイス試験装置100)であって、被試験デバイス(半導体デバイス試験装置100)からは、出力されるデータ(データ入出力信号DQ)とともにデータの受け渡しに供する基準クロック(データストローブ信号DQS)が出力され、データ(データ入出力信号DQ)の検出を基準クロック(データストローブ信号DQS)の立上り立下りのタイミングに同期して発生するストローブパルス(ストローブ信号182a)により行うことを特徴とする半導体デバイス試験装置(半導体デバイス試験装置100)である。
従って、本発明の実施形態に係る半導体デバイス試験装置によれば、データの変化の検出を更に高精度に行うことができるという効果を奏する。
102,102a,102b,103…ピンエレクトロニクス、
200…被試験デバイス、DQ,DQ2…データ入出力信号、DQP…データ入出力端子、DQS,DQS2,DQST,DQSN…データストローブ信号、DQSP…データストローブ端子、
202,203…伝送線路、
110…主制御器、111…基準信号発生器、111a…基準信号、
112…タイミング発生器、112a,112b,112c,112d,112e,112ca,112cb,112cc,112cd,112ce…位相信号、
113…パターン発生器、113a,113b,113c,113d,113e…パターンデータ信号、
114…波形整形器、114a…ドライバ駆動信号、
STB,114b,STB2,STBT…ストローブ信号、
114d…遅延制御信号、114e…セレクタ制御信号、
115…論理比較器、115a…良否判定信号、
116…フェイルメモリ、
121…基準電圧源、122…比較電圧源、123…デバイス電源、
151…テスタバス、151a,151b,151c…テスタ制御信号、
161…ドライバ、
171…コンパレータ、171a,171b…比較結果信号、
181…遅延線、181a…遅延信号、
182…ストローブ発生回路、182a…ストローブ信号、
183…セレクタ、183a…ストローブ信号、
CLKP…CLK入力端子、CLK…外部クロック信号、
CMDP…コマンド入力端子、CMD…コマンド信号、
ADDP…アドレス入力端子、ADD…外部アドレス信号、
DQ0P…データ入出力端子、
DQ0,DQ1,DQ0T,DQ0N…データ入出力信号、
300…半導体装置、401…メモリセルアレイ、
402…Xデコーダ、403…Yデコーダ、
301…出力回路部、3011…出力バッファ回路、
302…入力回路、3021…入力バッファ回路、
303…出力バッファ制御部、3031…出力バッファ制御回路、
304…データアンプ回路、305…データラッチ回路、
306…ライトバッファ回路、
307…データストローブ信号用出力バッファ制御回路、
308…制御信号発生回路、309…コマンド入力ラッチ&デコード回路、
310…アドレス入力ラッチ&デコード回路、311…コントロールロジック回路、
324a,324b,324c,324d,mode1…出力制御信号、
351…遅延線、352…セレクタ、353…OR回路
Claims (4)
- 被試験デバイスを試験する半導体デバイス試験装置であって、
前記被試験デバイスからは、出力されるデータとともにデータの受け渡しに供する基準クロックが出力され、
前記データの検出を前記基準クロックの立上り立下りのタイミングに同期して発生するストローブパルスにより行うことを特徴とする半導体デバイス試験装置。 - 前記基準クロックを遅延させ、遅延された信号に応じてストローブパルスを発生する第1ストローブパルス発生回路を有することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス試験装置。
- ユーザーが設定する発生時刻にストローブパルスを発生させる第2ストローブパルス発生回路を更に有し、ユーザーにより前記第1ストローブパルス発生回路と前記第2ストローブパルス発生回路の切り替えが行われることを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス試験装置。
- 請求項1記載の被試験デバイスであって、
テストモード動作において、前記基準クロックを遅延させ出力させることを特徴とする半導体装置。
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