CN113450867B - 形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 - Google Patents
形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113450867B CN113450867B CN202010229170.2A CN202010229170A CN113450867B CN 113450867 B CN113450867 B CN 113450867B CN 202010229170 A CN202010229170 A CN 202010229170A CN 113450867 B CN113450867 B CN 113450867B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- memory
- subgroup
- time value
- test results
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 346
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000010998 test method Methods 0.000 title description 4
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
- G06F16/10—File systems; File servers
- G06F16/11—File system administration, e.g. details of archiving or snapshots
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56012—Timing aspects, clock generation, synchronisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56008—Error analysis, representation of errors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2254—Calibration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供一种形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法,形成数据库的方法包括如下步骤:在一个存储器参数下,以预设时间值为起点,以设定时间步长对存储器进行多次测试,测试结果为合格或不合格;将在存储器参数下连续测试合格的测试结果作为一个子组,所述测试结果能够形成至少一个子组;将测试结果数量最多的子组作为标定组,并在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值;将所述选定时间值与所述预设时间值的差值作为所述存储器参数对应的数据选通信号与时钟信号之间的偏差值;更改所述存储器参数,重复上述步骤,以形成所述数据库,所述数据库包括数据选通信号与时钟信号之间的偏差值及所述偏差值与存储器参数的对应关系。
Description
技术领域
本发明涉及存储器测试领域,尤其涉及一种形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法。
背景技术
在进行存储器测试时,存储器可依据外部的时脉信号产生有效的数据窗(DataWindow),并由存储器测试设备获取数据以进行测试。
一些测试设备可自动跟踪数据选通信号(DQS)来获取数据以进行测试,而有些测试设备没有自动跟踪的功能。随着存储器运行速度的提升,存储器的数据窗会产生位移,而没有自动跟踪功能的测试设备无法正确地捕获到移动后的数据窗所具有的有效数据,进而无法准确地获取数据,造成存储器测试不准确。
因此,如何提高没有自动跟踪功能的测试设备的准确性,成为目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法,其能够提高没有自动跟踪功能的测试设备的准确性。
为了解决上述问题,本发明提供了一种形成用于存储器测试的数据库的方法,包括如下步骤:在一个存储器参数下,以预设时间值为起点,以设定时间步长对存储器进行多次测试,测试结果为测试合格或测试不合格;将在所述存储器参数下连续测试合格的测试结果作为一个子组,所述测试结果能够形成至少一个子组;将测试结果数量最多的子组作为标定组,并在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值;将所述选定时间值与所述预设时间值的差值作为所述存储器参数对应的数据选通信号与时钟信号之间的偏差值;更改所述存储器参数,重复上述步骤,以形成所述数据库,所述数据库包括数据选通信号与时钟信号之间的偏差值及所述偏差值与存储器参数的对应关系。
进一步,所述在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值的步骤进一步包括:获取所述标定组首次测试合格对应的测试时间值,作为初始时间值;获取所述标定组后首次测试不合格对应的测试时间值,作为结束时间值;将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的若干分之一作为参数,将所述初始时间值与所述参数之和作为所述选定时间值。
进一步,将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的二分之一作为所述参数。
进一步,所述将测试结果数量最多的子组作为标定组的方法包括如下步骤:获取第n子组;获取第n+1子组;将所述第n子组的测试结果数量与所述第n+1子组的测试结果数量进行比较,若所述第n子组的测试结果数量大于所述第n+1子组的测试结果数量,则将所述第n子组的测试结果数量作为当前测试结果数量,若所述第n子组的测试结果数量小于所述第n+1子组的测试结果数量,则将所述第n+1子组的测试结果数量作为当前测试结果数量;获取第n+2子组;将所述第n+2子组的测试结果数量与所述当前测试结果数量进行比较,若所述第n+2子组的测试结果数量大于所述当前测试结果数量,则将所述第n+2子组的测试结果数量作为当前测试结果数量;若所述第n+2子组的测试结果数量小于所述当前测试结果数量,则保持当前测试结果数量;循环上述步骤,直至获得在预设时间范围内测试结果数量最多的子组。
进一步,所述预设时间值为读取延迟消逝的时间值。
进一步,将测试数据与预设的测试数据进行比较,以判断所述测试结果是否测试合格。
进一步,所述测试结果的变化趋势为测试不合格、测试合格、测试不合格。
进一步,在所述预设时间值处对存储器进行测试,其测试结果为测试不合格。
进一步,所述存储器参数至少包括电压及温度。
本发明还提供一种存储器测试方法,其包括如下步骤:提供数据库,所述数据库包括数据选通信号与时钟信号之间的偏差值及所述偏差值与存储器参数的对应关系,所述数据库采用如权利要求1所述的方法形成;当在预设存储器参数下需要对所述存储器进行测试时,在所述数据库中查找与所述预设存储器参数对应的偏差值;根据所述偏差值获取进行测试的时间值;在所述时间值处对所述存储器进行测试。
进一步,所述根据所述偏差值获取进行测试的时间值的步骤进一步包括:将所述偏差值与读取延迟消逝的时间值之和作为进行测试的时间值。
本发明的优点在于,在采用测试设备对存储器进行测试时,由于测试结果合格区域与不合格区域的分界线不光滑,这会导致测试设备获取的偏差值tDQSCK不准确,例如,在一个测试结果为测试合格后,会接着出现测试结果为测试不合格的情况,因此,测试结果合格区域与测试不合格区域的分界线不光滑,进而影响测试设备的测试,而本发明形成用于存储器测试的数据库的方法能够在测试结果的最大测试合格区域内获取偏差值tDQSCK,从而避免分界线不光滑而引起的不准确性。
本发明的另一优点在于,可直接依据数据库的记录而确定对存储器进行测试的时间值,测试设备在所述时间值处对存储器进行测试,从而使得没有自动跟踪功能的测试设备也能够准确地获得测试数据。
附图说明
图1是本发明形成用于存储器测试的数据库的方法的一个具体实施方式的步骤示意图;
图2是对存储器装置施加读命令后的时序图;
图3是采用测试设备对存储器进行测试的结构示意图;
图4是在定温度下测试结果的shmoo分布图,,其中,纵坐标为电压V,横坐标为数据选通信号与时钟信号之间的偏差值tDQSCK;
图5是将图4中在电压V1下的测试结果为测试合格及测试不合格的分布单独列出的分布图;
图6是本发明存储器测试方法的一个具体实施方式的步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法的具体实施方式做详细说明。
本发明形成用于存储器测试的数据库的方法的目的在于形成数据库,所述数据库包括数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值tDQSCK及所述偏差值tDQSCK与存储器参数的对应关系。所述数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值tDQSCK是读取延迟消逝到实际有效DQS/DQ输出的时序,其为半导体常规的参数。所述存储器参数是指影响存储器性能的参数,其至少包括电压及温度。在不同的电压及温度下,所述偏差值tDQSCK可能不同。
图1是本发明形成用于存储器测试的数据库的方法的一个具体实施方式的步骤示意图,图2是对存储器装置施加读命令后的时序图,图3是采用测试设备对存储器进行测试的结构示意图。请参阅图1、图2及图3,在形成所述数据库时,需要采用测试设备1对存储器2进行测试,并获取测试结果。具体地说,所述形成用于存储器测试的数据库的方法包括如下步骤:
步骤S10,在一个存储器参数下,以预设时间值为起点,以设定时间步长对存储器进行多次测试,测试结果为合格或不合格。
所述述存储器参数至少包括电压及温度。在本具体实施方式中,所述存储器参数为电压V及温度T,例如电压V1、V2,温度T1、T2。该步骤S10所述的一个存储器参数是指电压V与温度T组合参数,例如,所述存储器参数为电压V1与温度T1的组合、电压V1与温度T2的组合,电压V2与温度T1的组合,电压V2与温度T2的组合。所述步骤S10可以为,在电压V1与温度T1下,对存储器施加读命令。
在本具体实施方式中,所述预设时间值为读取延迟消逝的时间值RL,则以读取延迟消逝的时间值RL为起点,所述测试设备1以设定时间步长分别对存储器进行多次测试,所述测试设备对存储器进行测试的位置请参阅图2中的箭头所示。所述设定时间步长可根据实际需求选取,例如几纳秒或十几纳秒等。例如,以读取延迟消逝的时间值RL为起点,每间隔5纳秒所述测试设备对所述存储器进行一次测试,并获得所述测试结果,所述测试结果为测试合格或者测试不合格。
进一步,在本具体实施方式中,所述测试设备1提供一选通信号Strobe,根据所述选通信号Strobe,所述测试设备1对所述存储器2进行测试。其中,所述选通信号Strobe可为时序信号。
所述测试设备在不同的测试时间对存储器机进行测试,其测试结果可能为测试合格,也可能为测试不合格。可通过将测试数据与预设的测试数据进行比较,以判断所述测试结果是否合格,若测试数据与预设的测试数据的差别在设定的误差范围内,则所述测试结果为测试合格,若测试数据与预设的测试数据的差别超出设定的误差范围内,则所述测试结果为测试不合格,则在图4所示的shmoo分布图中采用阴影绘示。
进一步,测试设备通过向存储器中写入测试数据,并读出该测试数据而对存储器进行测试。
进一步,在实际有效DQS/DQ输出的一个时钟周期后测试设备停止对存储器的测试,例如,如图2,在时钟周期Ta1与时钟周期Tb4之间测试设备对存储器进行测试,待下一个有效DQS/DQ输出前测试设备停止对存储器的测试。
图4是在定温度下测试结果的shmoo分布图,其中,纵坐标为电压V,横坐标为数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值tDQSCK,在图4中采用阴影绘示测试结果为测试不合格的区域。请参阅图2及图4,在一个定电压V下,例如电压V1下,随着偏差值tDQSCK的改变,测试结果可能为测试合格,也可能为测试不合格。
为了实现本发明的目的,提高数据库数据采集的准确度,本发明测试时间的选择需要满足:在预设时间值后,所述测试结果的变化趋势应该为测试不合格、测试合格、测试不合格,即在所述预设时间值处进行的测试的测试结果为测试不合格,在经过若干个设定时间步长后,所述测试结果变为测试合格,再经过若干个设定时间步长后,所述测试结果变为测试不合格。
步骤S11,将在所述存储器参数下连续测试合格的测试结果作为一个子组,所述测试结果能够形成至少一个子组。
请参阅图4,在该步骤中,随着偏差值tDQSCK的改变,测试结果由测试不合格变为测试合格,若测试结果的变化为一个测试结果为测试合格后变为测试结果为测试不合格,则将该一个测试合格的测试结果作为一个子组,若四个连续测试合格的测试结果后为测试不合格的测试结果,则将四个连续的测试合格的测试结果作为一个子组。
例如,将图4中电压V1下的测试结果为测试合格及测试不合格的分布单独列出,请参阅图5,在初始阶段,测试结果为测试不合格,随着tDQSCK的改变,连续的两个测试结果为测试合格,则将该两个测试结果定义为子组1,接着子组1后的测试结果为测试不合格,随着tDQSCK的改变,所述测试结果再次变为测试合格,具体地说,连续的五个测试结果为测试合格,则将该五个测试结果定义为子组2,在子组2后的测试结果为测试不合格,随着tDQSCK的改变,测试结果再次变为测试合格,具体地说,连续的四个测试结果为测试合格,则将该四个测试结果定义为子组3,此后所述测试结果一直为测试不合格。
步骤S12,将测试合格的测试结果数量最多的子组作为标定组,并在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值。
本发明列举了一种获取标定组的方法:获取第n子组;获取第n+1子组;将所述第n子组的测试合格的测试结果数量与所述第n+1子组的测试合格的测试结果数量进行比较,若所述第n子组的测试合格的测试结果数量大于所述第n+1子组的测试合格的测试结果数量,则将所述第n子组的测试合格的测试结果数量作为当前测试合格的测试结果数量,若所述第n子组的测试合格的测试结果数量小于所述第n+1子组的测试合格的测试结果数量,则将所述第n+1子组的测试合格的测试结果数量作为当前测试合格的测试结果数量;获取第n+2子组;将所述第n+2子组的测试合格的测试结果数量与所述当前测试合格的测试结果数量进行比较,若所述第n+2子组的测试合格的测试结果数量大于所述当前测试合格的测试结果数量,则将所述第n+2子组的测试合格的测试结果数量作为当前测试合格的测试结果数量;若所述第n+2子组的测试合格的测试结果数量小于所述当前测试合格的测试结果数量,则保持当前测试合格的测试结果数量;循环上述步骤,直至获得在预设时间范围内测试合格的测试结果数量最多的子组。
例如,如图5所示,以电压V1下的测试结果的测试合格及测试不合格的分布为例:
获取子组1及子组2。
将所述子组1的测试合格的测试结果数量与子组2的测试合格的测试结果数量进行比较,其中,在本具体实施方式中,子组1的测试合格的测试结果数量为2,子组2的测试合格的测试结果数量为5,子组1测试合格的测试结果数量小于子组2的测试合格的测试结果数量,则将子组2的测试合格的测试结果数量作为当前测试合格的测试结果数量,即当前测试合格的测试结果数量为5。
获取子组3。
将子组3的测试合格的测试结果数量与所述当前测试合格的测试结果数量进行比较,在本具体实施方式中,子组3的测试合格的测试结果数量为4,其小于所述当前测试合格的测试结果数量,则将子组2的测试合格的测试结果数量作为当前测试合格的测试结果数量,后续的测试结果皆为测试不合格,则子组2为预设时间范围内测试合格的测试结果数量最多的子组,即标定组。
在步骤S12中,所述测试设备还需要在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值。
在该步骤中,可在所述标定组的测试时间范围内任选一个时间值作为所述选定时间值。
进一步,为了能够提高数据库的准确性,所述在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值的步骤进一步包括:获取所述标定组首次测试合格对应的测试时间值,作为初始时间值;获取所述标定组后首次测试不合格对应的测试时间值,作为结束时间值;将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的若干分之一作为参数,将所述初始时间值与所述参数之和作为所述选定时间值。进一步,将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的二分之一作为所述参数,将所述初始时间值与所述参数之和作为所述选定时间值。
例如,在本具体实施方式中,获取所述子组2首次测试合格对应的测试时间值,作为初始时间值;获取所述子组2后首次测试不合格对应的测试时间值,作为结束时间值;将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的二分之一作为参数,将所述初始时间值与所述参数之和作为所述选定时间值。
步骤S13,将所述选定时间值与所述预设时间值的差值作为所述存储器参数对应的数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值。
在所述选定时间值处进行的测试的测试结果必然为测试合格,进而能够将所述选定时间值与所述预设时间值的差值作为所述存储器参数对应的数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值tDQSCK。
步骤S14,更改所述存储器参数,重复上述步骤,以形成所述数据库。
例如,更改所述存储器参数为电压V2与温度T1的组合,重复步骤S10至步骤S13,获取该存储参数对应的数据选通信号与时钟信号之间的偏差值。
以此类推,形成所述数据库。
所述数据库包括数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值tDQSCK及所述偏差值tDQSCK与存储器参数的对应关系。所述数据库可存储在所述测试设备中。
进一步,可选取一电压,获得该存储器参数对应的偏差值;再选取另一电压,获得另一个存储器参数对应的偏差值,以此类推,选取多个存储器参数对应的偏差值,并可将多个偏差值以曲线的形式存储在数据库中。
由于测试结果合格区域与不合格区域的分界线不光滑,如图4及图5所示,这会导致测试设备获取的偏差值tDQSCK不准确,例如,在一个测试结果为测试合格后,会接着出现测试结果为测试不合格的情况,因此,测试结果合格区域与测试不合格区域的分界线不光滑,进而影响测试设备的测试,而本发明形成用于存储器测试的数据库的方法能够在测试结果的最大测试合格区域内获取偏差值tDQSCK,从而避免分界线不光滑而引起的不准确性。
本发明还提供一种存储器测试方法。请参阅图6,其为本发明存储器测试方法的步骤示意图,所述存储器测试方法包括如下步骤:
步骤S50,提供数据库,所述数据库包括数据选通信号DQS与时钟信号CK之间的偏差值tDQSCK及所述偏差值tDQSCK与存储器参数的对应关系。
所述数据库采用上述形成数据库的方法形成。
步骤S51,当在预设存储器参数下需要对所述存储器进行测试时,在所述数据库中查找与所述预设存储器参数对应的偏差值。
所述预设存储器参数至少包括电压V及温度T。例如,在电压V1及温度T1的情况下需要对所述存储器进行测试时,则在所述数据库中查找与电压V1及温度T1的组合对应的偏差值tDQSCK。
步骤S52,测试设备根据所述偏差值获取进行测试的时间值。
在该步骤中,将所述偏差值与读取延迟消逝的时间值之和作为进行测试的时间值。即确定测试设备何时对存储器进行测试。
步骤S53,测试设备在所述时间值处对所述存储器进行测试。
本发明存储器测试方法可直接依据数据库的记录而确定对存储器进行测试的时间值,测试设备在所述时间值处对存储器进行测试,从而使得没有自动跟踪功能的测试设备也能够准确地获得测试数据。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,包括如下步骤:
在一个存储器参数下,以预设时间值为起点,以设定时间步长对存储器进行多次测试,测试结果为合格或不合格,所述预设时间值为读取延迟消逝的时间值;
将在所述存储器参数下连续测试合格的测试结果作为一个子组,所述测试结果能够形成至少一个子组;
将测试结果数量最多的子组作为标定组,并在所述标定组的测试时间范围内获取一选定时间值;
将所述选定时间值与所述预设时间值的差值作为所述存储器参数对应的数据选通信号与时钟信号之间的偏差值;
更改所述存储器参数,重复上述步骤,以形成所述数据库,所述数据库包括数据选通信号与时钟信号之间的偏差值及所述偏差值与存储器参数的对应关系。
2.根据权利要求1所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,所述在所述标定组的测试时间值范围内获取一选定时间值的步骤进一步包括:
获取所述标定组首次测试合格对应的测试时间值,作为初始时间值;
获取所述标定组后首次测试不合格对应的测试时间值,作为结束时间值;
将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的若干分之一作为参数,将所述初始时间值与所述参数之和作为所述选定时间值。
3.根据权利要求2所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,将所述结束时间值与所述初始时间值的差值的二分之一作为所述参数。
4.根据权利要求1所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,所述将测试结果数量最多的子组作为标定组的方法包括如下步骤:
获取第n子组;
获取第n+1子组;
将所述第n子组的测试结果数量与所述第n+1子组的测试结果数量进行比较,若所述第n子组的测试结果数量大于所述第n+1子组的测试结果数量,则将所述第n子组的测试结果数量作为当前测试结果数量,若所述第n子组的测试结果数量小于所述第n+1子组的测试结果数量,则将所述第n+1子组的测试结果数量作为当前测试结果数量;
获取第n+2子组;
将所述第n+2子组的测试结果数量与所述当前测试结果数量进行比较,若所述第n+2子组的测试结果数量大于所述当前测试结果数量,则将所述第n+2子组的测试结果数量作为当前测试结果数量;若所述第n+2子组的测试结果数量小于所述当前测试结果数量,则保持当前测试结果数量;
循环上述步骤,直至获得在预设时间范围内测试结果数量最多的子组。
5.根据权利要求1所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,将测试数据与预设的测试数据进行比较,以判断所述测试结果是否测试合格。
6.根据权利要求1所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,所述测试结果的变化趋势为测试不合格、测试合格、测试不合格。
7.根据权利要求6所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,在所述预设时间值处对存储器进行测试,其测试结果为测试不合格。
8.根据权利要求1所述的形成用于存储器测试的数据库的方法,其特征在于,所述存储器参数至少包括电压及温度。
9.一种存储器测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供数据库,所述数据库包括数据选通信号与时钟信号之间的偏差值及所述偏差值与存储器参数的对应关系,所述数据库采用如权利要求1所述的方法形成;
当在预设存储器参数下需要对所述存储器进行测试时,在所述数据库中查找与所述预设存储器参数对应的偏差值;
根据所述偏差值获取进行测试的时间值;
在所述时间值处对所述存储器进行测试。
10.根据权利要求9所述的存储器测试方法,其特征在于,所述根据所述偏差值获取进行测试的时间值的步骤进一步包括:将所述偏差值与读取延迟消逝的时间值之和作为进行测试的时间值。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010229170.2A CN113450867B (zh) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | 形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 |
PCT/CN2021/079978 WO2021190307A1 (zh) | 2020-03-27 | 2021-03-10 | 形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 |
US17/455,339 US20220075755A1 (en) | 2020-03-27 | 2021-11-17 | Method for forming database for memory test and method for testing memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010229170.2A CN113450867B (zh) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | 形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113450867A CN113450867A (zh) | 2021-09-28 |
CN113450867B true CN113450867B (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=77808075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010229170.2A Active CN113450867B (zh) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | 形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220075755A1 (zh) |
CN (1) | CN113450867B (zh) |
WO (1) | WO2021190307A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115424658B (zh) * | 2022-11-01 | 2023-01-31 | 南京芯驰半导体科技有限公司 | 存储单元的测试方法、装置、电子设备、存储介质 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6339555B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-01-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device enabling test of timing standard for strobe signal and data signal with ease, and subsidiary device and testing device thereof |
CN1851821A (zh) * | 2005-04-23 | 2006-10-25 | 英飞凌科技股份公司 | 半导体存储器和调整时钟信号与选通信号间相位关系的方法 |
CN102124451A (zh) * | 2009-05-27 | 2011-07-13 | 松下电器产业株式会社 | 延迟调整装置以及延迟调整方法 |
CN102999454A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 苹果公司 | 动态数据选通检测 |
CN103886912A (zh) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | 爱思开海力士有限公司 | 具有参数的半导体存储器件和半导体系统及其测试方法 |
CN106297889A (zh) * | 2015-05-19 | 2017-01-04 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器测试系统及其测试方法 |
CN108206043A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 爱思开海力士有限公司 | 数据存储装置及其操作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4291596B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2009-07-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路の試験装置およびそれを用いた半導体集積回路の製造方法 |
KR100891326B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2009-03-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 클럭 신호를 데이터 스트로브신호로서 이용하는 반도체 메모리 장치의 테스트 방법 및테스트 시스템 |
JP2010169480A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Elpida Memory Inc | 半導体デバイス試験装置及び半導体装置 |
US8918686B2 (en) * | 2010-08-18 | 2014-12-23 | Kingtiger Technology (Canada) Inc. | Determining data valid windows in a system and method for testing an integrated circuit device |
KR20180034738A (ko) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 분주 클록 보정 방법 |
CN107978337B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-12-04 | 上海华力微电子有限公司 | 适用于随机存储器自动测试的高速电路结构及其测试方法 |
CN109270432B (zh) * | 2018-09-28 | 2024-03-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 测试方法与测试系统 |
-
2020
- 2020-03-27 CN CN202010229170.2A patent/CN113450867B/zh active Active
-
2021
- 2021-03-10 WO PCT/CN2021/079978 patent/WO2021190307A1/zh active Application Filing
- 2021-11-17 US US17/455,339 patent/US20220075755A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6339555B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-01-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device enabling test of timing standard for strobe signal and data signal with ease, and subsidiary device and testing device thereof |
CN1851821A (zh) * | 2005-04-23 | 2006-10-25 | 英飞凌科技股份公司 | 半导体存储器和调整时钟信号与选通信号间相位关系的方法 |
CN102124451A (zh) * | 2009-05-27 | 2011-07-13 | 松下电器产业株式会社 | 延迟调整装置以及延迟调整方法 |
CN102999454A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 苹果公司 | 动态数据选通检测 |
CN103886912A (zh) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | 爱思开海力士有限公司 | 具有参数的半导体存储器件和半导体系统及其测试方法 |
CN106297889A (zh) * | 2015-05-19 | 2017-01-04 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器测试系统及其测试方法 |
CN108206043A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 爱思开海力士有限公司 | 数据存储装置及其操作方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Adaptive-latency DRAM: Optimizing DRAM timing for the common-case;Donghyuk Lee;《 2015 IEEE 21st International Symposium on High Performance Computer Architecture (HPCA)》;20150309;489-501 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220075755A1 (en) | 2022-03-10 |
WO2021190307A1 (zh) | 2021-09-30 |
CN113450867A (zh) | 2021-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109061432B (zh) | Ic芯片的测试装置、方法及系统和计算机可读记忆媒体 | |
TWI629493B (zh) | 積體電路晶片測試裝置,方法及系統 | |
US6789224B2 (en) | Method and apparatus for testing semiconductor devices | |
US8614571B2 (en) | Apparatus and method for on-chip sampling of dynamic IR voltage drop | |
US20080052585A1 (en) | Integrated testing apparatus, systems, and methods | |
JP2002074988A (ja) | 半導体装置および半導体装置のテスト方法 | |
CN108010558A (zh) | 一种存储器的信号完整性测试方法 | |
CN108387837B (zh) | 芯片的测试方法 | |
CN113450867B (zh) | 形成用于存储器测试的数据库的方法及存储器测试方法 | |
US7636828B2 (en) | Method for automatic adjustment of timing of double data rate interface | |
US7859938B2 (en) | Semiconductor memory device and test method thereof | |
CN116362176A (zh) | 电路仿真验证方法、验证装置、电子设备和可读存储介质 | |
CN100517515C (zh) | 测定方法及测定系统 | |
US6876219B2 (en) | Test configuration with automatic test machine and integrated circuit and method for determining the time behavior of an integrated circuit | |
US20050177331A1 (en) | Timing calibration apparatus, timing calibration method, and device evaluation system | |
US8552716B2 (en) | Testing methods for magnetic heads and magnetic storage devices assembled with the magnetic heads | |
CN113450866B (zh) | 存储器测试方法 | |
CN115542113A (zh) | 晶圆测试方法、装置、设备及存储介质 | |
CN108039189A (zh) | 一种存储器的信号完整性测试方法 | |
CN113496758B (zh) | 内存操作能力预测方法 | |
TWI220934B (en) | Ate calibration method | |
CN217086138U (zh) | 一种测试系统 | |
US12033712B2 (en) | Chip test method and apparatus, computer device, and readable storage medium thereof | |
WO2022262513A1 (zh) | 检测输入信号对输出信号影响的方法、装置、设备和介质 | |
KR20020056152A (ko) | 반도체 소자의 메모리 셀의 테스트 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |