CN115542113A - 晶圆测试方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种晶圆测试方法、装置、设备及存储介质，晶圆测试方法包括：获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组预设测试条件对应的目标采样时间点；根据每组预设测试条件及其对应的目标采样时间点，对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。通过获得每组预设测试条件下同批次晶圆中预设数量的裸片的目标采样点，再根据获得目标采样点的预设测试条件和晶圆批次信息，对相同条件的剩余裸片进行测试，以降低晶圆测试过程中的采样时间点与裸片的输出信号的时间点的差异，提高晶圆测试的准确性和裸片的良率。

Description

晶圆测试方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆测试方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

在晶圆(Wafer)制造完成之后，分布在晶圆上的裸片(Die)中会有一定量的残次品，通过晶圆测试鉴别出残次品裸片，以提高出厂产品良率，降低生产成本。在测试过程中，受不同的制造工艺、测试温度、测试电压等条件的影响，晶圆的输出信号的时间点的差异较大，因此，对裸片的输出信号进行采样的时间点的准确性对裸片的良率有很大影响。

目前，对裸片的输出信号采样的过程中，通常是测试人员手动设置采样时间点，该采样时间点存在与输出信号的时间点存在差异的情况，晶圆测试的准确性不高，导致裸片的良率损失。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种晶圆测试方法、装置、设备及存储介质。

根据本公开实施例的第一方面，提供了一种晶圆测试方法，所述晶圆测试方法包括：

获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；

基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点；

根据每组所述预设测试条件及其对应的所述目标采样时间点，对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

根据本公开的一些实施例，每组所述预设测试条件包括温度信息以及多个电压信息。

根据本公开的一些实施例，基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：

在每组预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息；

当所述测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；

根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点。

根据本公开的一些实施例，所述在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息，包括：

在所述预设测试条件下开始测试，等待第一预设时长；

在等待所述第一预设时长后，每间隔第二预设时长向预设数量中的每个所述裸片执行一次写读操作，采集所述写读操作对应的测试信息。

根据本公开的一些实施例，所述晶圆测试方法，还包括：

自所述开始测试起，当每个所述裸片的累积测试时长达到第三预设时长，且所获得的全部所述测试信息均未满足预设条件，则停止测试并确定所述裸片存在异常。

根据本公开的一些实施例，所述晶圆测试方法，还包括：

若采集到的所述测试信息未满足所述预设条件，则对未满足所述预设条件的次数进行记录，并继续进行测试。

根据本公开的一些实施例，所述测试信息包括采样电压信息，所述预设条件包括参考电压值；

所述测试信息满足预设条件，包括：

所述采样电压信息大于所述参考电压值。

根据本公开的一些实施例，根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：

获取所述采样电压信息的周期信息；

将所述周期信息的预设倍数与所述参考时间信息之和，作为所述目标采样时间点。

根据本公开的一些实施例，确定所述参考时间信息的方法，包括：

计算所述测试信息未满足所述预设条件的次数与所述第二预设时长的乘积；

将所述乘积与所述第一预设时长之和，作为所述参考时间信息。

根据本公开的一些实施例，所述预设倍数为四分之一至四分之三；和/或，

所述第一预设时长为4ns至6ns；和/或，

所述第二预设时长为0.15ns至0.25ns；

所述第三预设时长为14ns至16ns。

根据本公开的一些实施例，根据所述目标采样时间点对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试，包括：

在每组所述预设测试条件下，根据所述预设测试条件对应的所述目标采样时间点对所述剩余的裸片进行测试；

获取所述剩余的裸片中每个裸片的采样信息，若每个所述采样信息均满足所述预设条件，则所述剩余的裸片正常；

若所述剩余的裸片中存在所述采样信息未满足所述预设条件，则未满足所述预设条件的所述采样信息对应的所述裸片异常。

根据本公开实施例的第二方面，提供了一种晶圆测试装置，所述晶圆测试装置包括：

获取模块，被配置为获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；

第一测试模块，被配置为基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点；；

第二测试模块，被配置为根据每组所述预设测试条件及其对应的所述目标采样时间点，对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

根据本公开的一些实施例，第一测试模块包括：

采集装置，被配置为在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息；

第一确定模块，被配置为当所述测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；

第二确定模块，被配置为根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点。

根据本公开的一些实施例，第二测试模块包括：

第三测试模块，被配置为在每组所述预设测试条件下，根据所述预设测试条件对应的所述目标采样时间点对所述剩余的裸片进行测试；

第三确定模块，被配置为获取所述剩余的裸片中每个裸片的采样信息，若每个所述采样信息均满足所述预设条件，则所述剩余的裸片正常；

第四确定模块，被配置为若所述剩余的裸片中存在所述采样信息未满足所述预设条件，则未满足所述预设条件的所述采样信息对应的所述裸片异常。

根据本公开实施例的第三方面，提供了一种晶圆测试设备，所述晶圆测试设备包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行本公开实施例第一方面所述的晶圆测试方法。

根据本公开实施例的第四方面，提供了一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由晶圆测试设备的处理器执行时，使得所述晶圆测试设备能够执行本公开实施例第一方面所述的晶圆测试方法。

本公开实施例所提供的晶圆测试方法、装置、设备及存储介质中，基于晶圆的不同生产批次信息和多组预设测试条件，通过获得每组预设测试条件下同批次晶圆中预设数量的裸片的目标采样点，再根据获得目标采样点的预设测试条件和晶圆批次信息，对相同条件的剩余裸片进行测试，以降低晶圆测试过程中的采样时间点与裸片的输出信号的时间点的差异，提高晶圆测试的准确性和裸片的良率。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试方法的流程图；

图2是根据一示例性实施例示出的多组预设测试条件的示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试方法的流程图；

图4是根据一示例性实施例示出的一种裸片的测试信息的示意图；

图5是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试方法的流程图；

图6是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试方法的流程总图；

图7是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试装置的结构框图；

图8是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试设备的框图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在晶圆制造完成之后，分布在晶圆上的裸片中会有一定量的残次品，通过晶圆测试鉴别出残次品裸片，以提高出厂产品良率，降低生产成本。通常采用ATE(Automatic TestEquipment，半导体集成电路自动测试机)对晶圆进行测试，在测试过程中，通过ATE上的探针(Probe Card)连接裸片上的管脚和ATE的测试机台(Tester)，向晶圆上的裸片提供测试电源并进行信号传输。在测试过程中，受不同的制造工艺、测试温度、测试电压等条件的影响，晶圆的输出信号的时间点的差异较大，因此，对裸片的信号输出采样的时间点的准确性对裸片的良率有很大影响。

目前，对裸片的信号输出采样的过程中，通常是测试人员基于少量调试数据以及测试条件，根据经验手动在固定的基础采样时间点上加减时间，以设置采样时间点。该采样时间点与输出信号的时间点可能存在差异，晶圆测试的准确性不高，导致裸片的良率损失；同时，该方法增加了测试程序对测试人员的依赖性，增加了人力成本。

有鉴于此，本公开提供了一种晶圆测试方法，包括：获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组预设测试条件对应的目标采样时间点；根据每组预设测试条件及其对应的目标采样时间点，对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。通过获得每组预设测试条件下同批次晶圆中预设数量的裸片的目标采样点，再根据获得目标采样点的预设测试条件和晶圆批次信息，对相同条件的剩余裸片进行测试，以降低晶圆测试过程中的采样时间点与裸片的输出信号的时间点的差异，提高晶圆测试的准确性和裸片的良率，提高晶圆测试的自动化。

下面结合附图及具体实施例对本公开进行说明。本公开示例性的实施例提供了一种晶圆测试方法，如图1所示，图1是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试方法，该晶圆测试方法包括：

步骤S100、获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；

步骤S200、基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组预设测试条件对应的目标采样时间点；

步骤S300、根据每组预设测试条件及其对应的目标采样时间点，对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

在步骤S100中，不同批次生产的晶圆的制造工艺可能有细微差别，从而影响晶圆上的裸片的测试时的输出信号的时间点，在开始测试之前，可以获取当前测试的晶圆的批次信息，以便于对该批次的晶圆的目标采样时间点进行记录。晶圆的批次信息可以是从制造端数据库获得的，也可以是在晶圆上标注生产批号，通过读取生产批号获得的。晶圆的批次信息可以是晶圆的生产批次，相同生产批次的晶圆可以表征晶圆的生产工艺完全相同。

预设测试条件可以是测试人员根据晶圆的规格参数以及测试需要预先设计的，预设测试条件可以在进行晶圆测试之前预先设置在ATE中，以便于对其获取，并根据预设测试条件对晶圆进行测试。预设测试条件可以包括测试温度、测试电压、测试电流等测试条件中的一种或多种。预设测试条件可以将各种测试条件进行排列组合，设置为多组预设测试条件，以便于测试晶圆在各种情况下是否可以正常地执行多种功能，以达到晶圆测试的目的。

在步骤S200中，在晶圆开始进行测试之前，晶圆上的裸片的管脚通过探针与测试机台连接，使得晶圆上的裸片可以在预设测试条件下进行测试。测试机台依次获取多组预设测试条件中的每组预设测试条件，对当前测试机台上的晶圆进行测试。为了便于说明，本实施例以及后续实施例中，以基于一组预设测试条件进行晶圆测试对本公开的晶圆测试方法进行说明。在一些实施例中，由于同批次晶圆的生产工艺相同，在测试过程中，可以晶圆批次为区分条件，在一组预设测试条件下对同批次晶圆中的预设数量的晶圆进行测试以获得对应的目标采样点，或者，对同批次晶圆中的预设数量的裸片进行测试以获得对应的目标采样点。在另一些实施例中，以相同批次中的单个晶圆为单位，在测试过程中，在一组预设测试条件下，可以是对晶圆上的所有裸片同时进行测试，也可以是对晶圆上的部分裸片同时进行测试，还可以是按照一定次序对晶圆上的裸片依次分别进行测试。

本实施例中，对同批次晶圆中的预设数量的裸片分别进行测试，预设数量可以是根据实际测试需求在测试机台中进行预先设置，预设数量例如可以是5个，也可以是10个，等等。通过测试预设数量的裸片，通过获取各裸片的在当前的预设测试条件下的输出信号的时间点，通过各裸片的输出信号的时间点，可以确定各裸片对应的晶圆在当前的预设测试条件下与输出信号的时间点对应的目标采样时间点。由于目标采样时间点是基于当前实际的预设测试条件进行测试确定的，使得获得的目标采样时间点与输出信号的时间点的差异非常小，以提高晶圆测试的准确率。

在一些可能的实施方式中，每组预设测试条件包括温度信息和多个电压信息。

参考图2所示，图2是多组预设测试条件的示意图。为了保证晶圆上的裸片生产的芯片在高低温的恶劣环境下可以正常工作，需要在测试机台中将晶圆加热或冷却后的高低温环境中进行测试。温度信息可以是晶圆测试时的晶圆的温度，示例性地，预设测试条件中的温度范围例如可以在125℃至-65℃，例如可以选择125℃、-40℃、98℃，以测试晶圆在不同温度下是否可以正常工作。可以通过测试机台中的载片台上的加热层和冷却层对晶圆进行加热或冷却，以使得晶圆的温度达到测试温度。

为了使得芯片具有存储和读取功能，裸片中设置有内部电路。电压信息可以是通过探针向裸片的内部电路提供的电压，使得裸片可以执行相应的功能。基于裸片中的内部电路的设计，向裸片提供的电压可以包括VDD1、VDD2和VDDQ等多个电压信息。其中，VDD1表示高电压，VDD2表示低电压，VDDQ表示存储芯片输出缓冲器供电电压，一般情况下，VDD2与VDDQ的电压值相同。示例性地，由于晶圆测试需要测试裸片的多个功能，即多个测试项，例如可以包括预充电、刷新、读取、写入等功能，不同的测试项所需要的电压不同，因此，需要分别设置VDD1、VDD2和VDDQ等电压为不同的数值以形成不同的电压组合，一个电压组合可以代表执行一个测试项需要的多个电压信息。

每组预设测试条件可以包括温度信息中的一个温度值以及多个电压信息形成的多个电压组合中的一个电压组合。例如，125℃与电压组合a为一组预设测试条件，125℃与电压组合b为另一组预设测试条件。在每组预设测试条件下对晶圆进行测试，可以测试晶圆中的裸片在当前温度下执行该电压组合对应的测试项时是否可以正常工作。

在一些可能的实施方式中，如图3所示，步骤S200中，基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：

步骤S210、在每组预设测试条件下，分别向预设数量中的每个裸片执行写读操作，采集裸片的测试信息；

步骤S220、当测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；

步骤S230、根据参考时间信息，确定每组预设测试条件对应的目标采样时间点。

在步骤S210中，将晶圆的测试温度设置为与当前预设测试条件中的温度信息一致，并向晶圆中预设数量的裸片分别提供VDD1、VDD2和VDDQ等多个电压形成的电压组合，向各个裸片提供的电压组合相同。裸片中的内部电路接收到外部提供的电压会进行信号翻转，并对该信号进行输出。通过控制测试机台向各个裸片传输读写信号，以对裸片执行写读操作，使得测试机台可以在写读操作指定的位置采集裸片的测试信息，测试信息可以是裸片在当前预设测试条件下的信号输出信息，例如可以是输出电压信号。

在一些可能的实施方式中，步骤S210中，在每组预设测试条件下，分别向预设数量中的每个裸片执行写读操作，采集裸片的测试信息，包括：

步骤S211、在预设测试条件下开始测试，等待第一预设时长；

步骤S212、在等待第一预设时长后，每间隔第二预设时长向预设数量中的每个裸片执行一次写读操作，采集写读操作对应的测试信息。

本实施例中，将晶圆的测试温度设置为与当前预设测试条件中的温度信息一致，向晶圆中预设数量的裸片分别提供VDD1、VDD2和VDDQ等多个电压形成的电压组合时，即开始进行测试。参考图4，图4是裸片的测试信息的示意图，由于在开始测试至出现信号输出信息的过程中，信号翻转需要一定的时长，即第一预设时长。第一预设时长可以基于不同的晶圆规格参数设置不同的时长，例如可以为4ns至6ns中的任一时长，例如是5ns。也就是说，在测试过程中，从开始测试起，需等待第一预设时长后，裸片的内部电路才会输出测试信息，即输出输出信号。在等待第一预设时长后，每间隔第二预设时长向预设数量中的每个裸片执行一次写读操作，使得测试机台可以在写读操作指定的位置采集裸片中该次写读操作对应的测试信息，第二预设时长例如可以为0.15ns至0.25ns中的任一时长，例如是0.2ns。第二预设时长是执行写读操作的间隔时长。通过间隔执行写读操作以采集测试信息，以便于迅速捕捉裸片的测试信息对应的输出信号，确定参考时间信息。

在步骤S220中，测试人员可以在测试机台中预先设置预设条件，通过判断采集到的测试信息是否满足预设条件，以判断该测试信息对应的裸片正常或异常。测试信息例如可以是采样电压信息，例如是采样得到的输出电压值，预设条件例如可以是参考电压值。判断测试信息是否满足预设条件，例如可以判断采样电压信息是否大于参考电压值，当采样电压信息小于参考电压值时，判断测试信息不满足预设条件；当采样电压信息大于参考电压值时，判断测试信息满足预设条件。当测试信息满足预设条件时，则判定测试信息对应的裸片正常，测试机台停止测试，同时获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息，参考时间信息是获得目标采样时间点的参考参数。

在一些可能的实施方式中，晶圆测试方法，还包括：

自开始测试起，当每个裸片的累积测试时长达到第三预设时长，且所获得的全部测试信息均未满足预设条件，则停止测试并确定裸片存在异常。

本实施例中，由于对芯片的时序有一定要求，即要求芯片在一定时长内将满足预设条件的测试信息进行输出，因此，自开始测试起，当裸片的累积测试时长达到第三预设时长，例如是等于或者大于第三预设时长，且所获得的全部测试信息均未满足预设条件时，停止测试并确定该裸片存在异常。裸片的累积测试时长包括信号翻转的第一预设时长和多个执行写读操作的第二预设时长，第三时长例如可以为14ns至16ns中的任一时长，例如是15ns。第三预设时长可以是根据客户或者行业标准设置的时序对应的时长，通过设置第三预设时长，可以确保正常的裸片的时序在准许的范围内。

在一些可能的实施方式中，晶圆测试方法，还包括：

若采集到的测试信息未满足预设条件，则对未满足预设条件的次数进行记录，并继续进行测试。

本实施例中，受不同的制造工艺、测试温度、测试电压等条件的影响，晶圆输出满足预设条件的测试信息的时间差异较大，因此，当一次写读操作采集的测试信息未满足预设条件时，将该测试信息记录为fail，对未满足预设条件的次数进行记录，即记录fail的次数，并判断裸片的累积测试时长是否达到第三预设时长。若未达到第三预设时长，则继续进行测试，即继续执行写读操作采集测试信息，若达到第三预设时长，则停止测试并确定该裸片存在异常。

在一些可能的实施方式中，步骤S220中，确定参考时间信息的方法，包括：

步骤S221、计算测试信息未满足预设条件的次数与第二预设时长的乘积；

步骤S222、将乘积与第一预设时长之和，作为参考时间信息。

本实施例中，由于参考时间信息为测试信息满足预设条件时停止测试时刻的时间信息，在开始测试至停止测试的过程中，经过等待信号翻转时间的第一预设时长，并在等待第一预设时长后，由于受不同的制造工艺、测试温度、测试电压等条件的影响，例如可以是第一次执行写读操作得到的测试信息就满足预设条件，也可以是经过多次fail，最终采集得到的测试信息才满足预设条件。因此，计算测试信息未满足预设条件的次数与第二预设时长的乘积，即为开始出现信号翻转至测试信息满足预设条件，测试所花费的时长。将该乘积加上第一预设时长所得到的和，作为参考时间信息，参考时间信息表示自开始测试起至测试信息满足预设条件测试所花费的时长。参考时间信息表示为：参考时间信息＝第一预设时长+fail次数*第二预设时长。

在步骤S230中，将获得的参考时间信息作为参考参数，可以确定当前的预设测试条件下的晶圆中的裸片的目标采样时间点，以降低目标采样时间点与输出信号的时间点的差异，提高晶圆测试的准确率，减少晶圆的良率损失。

在一些可能的实施方式中，步骤S230中，根据参考时间信息，确定每组预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：

步骤S231、获取采样电压信息的周期信息；

步骤S232、将周期信息的预设倍数与参考时间信息之和，作为目标采样时间点。

本实施例中，参考图4所示，裸片的采样电压信息即为裸片在预设测试条件下进行测试得到的输出电压信号，根据芯片的实际运行情况，满足预设条件的采样电压信息具有一定的信号波形，例如是规律性信号波形。示例性地，采样电压信息例如可以是正弦信号波形或余弦信号波形，获取采样电压信息的周期信息，周期信息例如是输出一个周期的采样电压信息所需要的时间。

参考时间信息对应的时间信息为停止测试时刻的时间，由于晶圆的生产过程中可能存在细微的工艺差异，通过确定满足预设测试条件的采样电压信息的峰值，将采样电压信息的峰值处对应的时间信息作为目标采样时间点，采样电压信息的峰值处对应的时间信息即为周期信息的预设倍数处，以降低目标采样时间点与裸片实际的输出信号的时间点的差异性，确保获得的目标采样时间点的准确性。参考图4，采样电压信息为正弦信号波形，该波形的一个周期中具有两个峰值，预设倍数分别对应一个周期中所需要的时间的四分之一处和四分之三处。因此，可以确定采样电压信息一个周期中的四分之一至四分之三对应的时间为采样时间点，例如可以是一个周期中的四分之一对应的第一个峰值处对应的时间点，满足采样时间点的准确性的同时，节省不必要的测试时间。将周期信息的预设倍数与参考时间信息之和，作为目标采样时间点，目标采样时间点表示自开始测试起至ATE最终采样时所花费的时长。目标采样时间点表示为：目标采样时间点＝参考时间信息+采样电压信息的周期信息*[1/4～3/4]。即，目标采样时间点＝第一预设时长+fail次数*第二预设时长+采样电压信息的周期信息*[1/4～3/4]。

在步骤S300中，ATE根据当前预设测试条件下获得的目标采样时间点，在同样的预设测试条件下，对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试时，可以时同时对所有剩余的裸片进行测试，也可以是依次对剩余的裸片进行测试。由于采用的目标采样时间点是基于当前实际的预设测试条件进行测试确定的，目标采样时间点与输出信号的时间点的差异非常小，进而减少采样时间点错误导致的误判，使得晶圆测试的准确率得以提高，提高裸片和晶圆的良率。

在一些可能的实施方式中，参考图5所示，步骤S300中，根据目标采样时间点对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试，包括：

步骤S310、在每组预设测试条件下，根据预设测试条件对应的目标采样时间点对剩余的裸片进行测试；

步骤S320、获取剩余的裸片中每个裸片的采样信息，若每个采样信息均满足预设条件，则剩余的裸片正常；

步骤S330、若剩余的裸片中存在采样信息未满足预设条件，则未满足预设条件的采样信息对应的裸片异常。

在步骤S310中，每组预设测试条件下，根据预设测试条件对应的目标采样时间点对剩余的裸片进行测试，即，对于与获得目标采样时间点的相同批次的晶圆，或者，对于与获得目标采样时间点的相同单个晶圆，在相同的预设测试条件下，对剩余的裸片进行测试时，采用获得的目标采样时间点对剩余的裸片进行采样。例如，在预设测试条件X下，通过对晶圆x中预设数量的裸片进行测试，获得的目标采样时间点为9.6ns，即9.6ns为计算得到的开始测试后对裸片的信号输出进行采样的目标时间。在同样的预设测试条件X下，对晶圆x中剩余的裸片进行测试时，均采用目标采样时间点对剩余的裸片进行采样，即，均在开始测试后的9.6ns对裸片的信号输出进行采样，以减少采样时间点错误导致的误判，提高晶圆测试的准确率。

在步骤S320中，获取剩余的裸片中每个裸片的采样信息，每个裸片的采样信息均采用目标采样时间点进行采样获得。采样信息例如可以是采样电压信息，通过对比采样信息与预设条件，若剩余的裸片中每个裸片的采样信息均满足预设条件，即每个裸片的采样电压信息均大于参考电压值，即判断剩余的每个裸片均正常。

在步骤S330中，若剩余的裸片中存在采样信息未满足预设条件，则未满足预设条件的采样信息对应的裸片异常。即，在测试过程中，当存在一个或多个裸片的采样电压信息小于参考电压值时，即判断该采样电压信息对于的裸片异常。

需要说明的是，由于晶圆测试过程中设置有多组预设测试条件，参考图2，对于同批次晶圆，或者单个晶圆，均需要依次基于每组预设测试条件进行测试，其中，每组预设测试条件对应的目标采样时间点，需要在测试过程中基于当前的预设测试条件重新获取和确定。多组预设测试条件均测试完成后，晶圆测试结束。晶圆中的裸片是否判定合格，需要基于每个裸片在多组预设测试条件下进行测试采样后，根据每个裸片在多组预设测试条件下的正常或异常情况进行进一步的判定。

下面对本公开的技术方案的整体工作流程进行说明。参考图6所示，图6为本公开一示例性实施例提供的晶圆测试方法的流程示意总图。本实施例中的晶圆测试方法包括多组预设测试条件，本实施例中的晶圆测试方法中，对于每组预设测试条件，均包括以下步骤：

S1、获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件。

S2、基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试。

S3、等待第一预设时长。

S4、每间隔第二预设时长向预设数量中的每个裸片执行写读操作，采集测试信息。

S5、判断测试信息是否满足预设条件；

若是，说明测试信息满足预设条件，表明该测试信息对应的裸片正常，执行S8；若否，执行S6。

S6、记录测试信息未满足预设条件的次数。

S7、判断累积测试时长是否达到第三预设时长；

若是，说明累积测试时长达到第三预设时长对应的裸片异常，执行S15；若否，继续执行S4。

S8、停止测试，裸片正常。

S9、计算测试信息未满足预设条件的次数与第二预设时长的乘积，将乘积与第一预设时长之和，作为参考时间信息。

S10、获取满足预设条件的测试信息对应的周期信息，将周期信息的预设倍数与参考信息之和，作为目标采样信息。

S11、在每组预设测试条件下，根据预设测试条件对应的目标采样时间点对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

S12、获取每个裸片的采样信息。

S13、判断采样信息是否满足预设条件；

若是，表明该采样信息对应的裸片正常，执行S14；若否，执行S15。

S14、停止测试，裸片正常。

S15、停止测试，裸片异常。

本公开示例性地提供了一种晶圆测试装置，参考图7所示，图7是晶圆测试装置的结构框图，该晶圆测试装置被配置为能够执行本公开上述实施例中的晶圆测试方法，该晶圆测试装置包括：

获取模块100，被配置为获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；

第一测试模块200，被配置为基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组预设测试条件对应的目标采样时间点；

第二测试模块300，被配置为根据每组预设测试条件及其对应的目标采样时间点，对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

在一些可能的实施方式中，第一测试模块200包括：

采集装置210，被配置为在每组预设测试条件下，分别向预设数量中的每个裸片执行写读操作，采集裸片的测试信息；

第一确定模块220，被配置为当测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；

第二确定模块230，被配置为根据参考时间信息，确定每组预设测试条件对应的目标采样时间点。

在一些可能的实施方式中，第二测试模块300包括：

第三测试模块310，被配置为在每组预设测试条件下，根据预设测试条件对应的目标采样时间点对剩余的裸片进行测试；

第三确定模块320，被配置为获取剩余的裸片中每个裸片的采样信息，若每个采样信息均满足预设条件，则剩余的裸片正常；

第四确定模块330，被配置为若剩余的裸片中存在所述采样信息未满足预设条件，则未满足预设条件的采样信息对应的裸片异常。

关于上述实施例中的晶圆测试装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

图8是根据一示例性实施例示出的一种晶圆测试设备，即晶圆测试设备800的框图。晶圆测试设备800可以是本公开上述示例性实施例中的ATE设备，例如，晶圆测试设备800可以被提供为终端设备。参照图8，晶圆测试设备800包括处理器801，处理器801的个数可以根据需要设置为一个或者多个。晶圆测试设备800还包括存储器802，用于存储可由处理器801的执行的指令，例如应用程序。存储器802的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器801被配置为执行指令，以执行上述的晶圆测试方法。

本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

在示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器802，上述指令可由晶圆测试设备800的处理器801执行以完成上述晶圆测试方法。例如，非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

在本公开示例性的实施例中，提供了一种非临时性计算机可读存储介质，该非临时性计算机可读存储介质可以设置于晶圆测试设备，使得晶圆测试设备能够执行本公开示例性的实施例所提供的晶圆测试方法。

本公开是参照根据本公开实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

显然，本领域技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开的意图也包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种晶圆测试方法，其特征在于，所述晶圆测试方法包括：

获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；

基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点；

根据每组所述预设测试条件及其对应的所述目标采样时间点，对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，每组所述预设测试条件包括温度信息以及多个电压信息。

3.根据权利要求2所述的晶圆测试方法，其特征在于，基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：

在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息；

当所述测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；

根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点。

4.根据权利要求3所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息，包括：

在所述预设测试条件下开始测试，等待第一预设时长；

在等待所述第一预设时长后，每间隔第二预设时长向预设数量中的每个所述裸片执行一次写读操作，采集所述写读操作对应的测试信息。

5.根据权利要求4所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述晶圆测试方法，还包括：

自所述开始测试起，当每个所述裸片的累积测试时长达到第三预设时长，且所获得的全部所述测试信息均未满足预设条件，则停止测试并确定所述裸片存在异常。

6.根据权利要求5所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述晶圆测试方法，还包括：

若采集到的所述测试信息未满足所述预设条件，则对未满足所述预设条件的次数进行记录，并继续进行测试。

7.根据权利要求6所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述测试信息包括采样电压信息，所述预设条件包括参考电压值；

所述测试信息满足预设条件，包括：

所述采样电压信息大于所述参考电压值。

8.根据权利要求7所述的晶圆测试方法，其特征在于，根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：

获取所述采样电压信息的周期信息；

将所述周期信息的预设倍数与所述参考时间信息之和，作为所述目标采样时间点。

9.根据权利要求8所述的晶圆测试方法，其特征在于，确定所述参考时间信息的方法，包括：

计算所述测试信息未满足所述预设条件的次数与所述第二预设时长的乘积；

将所述乘积与所述第一预设时长之和，作为所述参考时间信息。

10.根据权利要求8所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述预设倍数为四分之一至四分之三；和/或，

所述第一预设时长为4ns至6ns；和/或，

所述第二预设时长为0.15ns至0.25ns；

所述第三预设时长为14ns至16ns。

11.根据权利要求3所述的晶圆测试方法，其特征在于，根据所述目标采样时间点对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试，包括：

在每组所述预设测试条件下，根据所述预设测试条件对应的所述目标采样时间点对所述剩余的裸片进行测试；

获取所述剩余的裸片中每个裸片的采样信息，若每个所述采样信息均满足所述预设条件，则所述剩余的裸片正常；

若所述剩余的裸片中存在所述采样信息未满足所述预设条件，则未满足所述预设条件的所述采样信息对应的所述裸片异常。

12.一种晶圆测试装置，其特征在于，所述晶圆测试装置包括：

获取模块，被配置为获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；

第一测试模块，被配置为基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点；

第二测试模块，被配置为根据每组所述预设测试条件及其对应的所述目标采样时间点，对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。

13.根据权利要求12所述的晶圆测试装置，其特征在于，第一测试模块包括：

采集装置，被配置为在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息；

第一确定模块，被配置为当所述测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；

第二确定模块，被配置为根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点。

14.根据权利要求13所述的晶圆测试装置，其特征在于，第二测试模块包括：

第三测试模块，被配置为在每组所述预设测试条件下，根据所述预设测试条件对应的所述目标采样时间点对所述剩余的裸片进行测试；

第三确定模块，被配置为获取所述剩余的裸片中每个裸片的采样信息，若每个所述采样信息均满足所述预设条件，则所述剩余的裸片正常；

第四确定模块，被配置为若所述剩余的裸片中存在所述采样信息未满足所述预设条件，则未满足所述预设条件的所述采样信息对应的所述裸片异常。

15.一种晶圆测试设备，其特征在于，所述晶圆测试设备包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行权利要求1至11任一项所述的晶圆测试方法。

16.一种非临时性计算机可读存储介质，其特征在于，当所述存储介质中的指令由晶圆测试设备的处理器执行时，使得所述晶圆测试设备能够执行权利要求1至11任一项所述的晶圆测试方法。

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