JP2010165422A - 半導体記憶装置及びそのリード待ち時間調整方法、メモリシステム、並びに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】システムクロックと位相の揃った出力信号を生成するための同期回路と、同期回路を用いてシステムクロックに対する内部クロックの位相のずれを調整してリードデータを出力する同期回路選択モードと、同期回路を用いないで内部クロックに同期してリードデータを出力する同期回路非選択モードと、を切り換える同期回路選択回路と、同期回路非選択モードにおいてリードデータ出力の基準となる内部クロックのエッジを指定する基準エッジ指定レジスタと、を備える。システムクロックに対する内部クロックの遅延を基準エッジ指定レジスタにより基準となる内部クロックのエッジを調整することにより同期回路を用いなくとも大きくタイミングがずれることがない。
【選択図】図5
Description
2:メモリコントローラ
4:DLL選択モード制御部
5:DLL非選択モード制御部
10:メモリセルアレイ
11:ロウデコーダ
12:センスアンプ
13:カラムデコーダ
14:コマンドデコーダ
15:コントロールロジック
16:カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ
17:モードレジスタ
18:ロウアドレスバッファ
19:リフレッシュカウンタ回路
20:クロック生成器
21:データ入出力端子(DQ端子)
22:データストローブ端子(DQS端子)
24:DLL
25:データ入出力部
31:DLL選択回路
32:DQS出力制御回路
33:DQS出力バッファ
34:DQS入力バッファ
50:メモリシステム
61:リードレイテンシカウンタ
62:CASレイテンシ指定レジスタ
63:基準エッジ指定レジスタ
64:デコーダ回路
65:選択回路
Claims (19)
- 外部から与えられたシステムクロックに同期して動作する半導体記憶装置であって、
前記システムクロックと位相の揃った出力信号を生成するための同期回路と、
前記同期回路を用いて前記外部から与えられたシステムクロックに対する内部クロックの位相のずれを調整してリードデータを出力する同期回路選択モードと、前記同期回路を用いないで前記内部クロックに同期してリードデータを出力する同期回路非選択モードと、を切り換える同期回路選択回路と、
前記同期回路非選択モードにおいて前記リードデータ出力の基準となる内部クロックのエッジを指定する基準エッジ指定レジスタと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記同期回路がDLL回路又はPLL回路である請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記リードデータはリードデータストローブ信号に同期して出力され、前記リードデータストローブ信号が同期回路選択モードにおいて前記システムクロックに同期して出力され、前記同期回路非選択モードにおいて前記内部クロックに同期して出力されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 前記同期回路非選択モードにおいて、前記同期回路を停止させることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の半導体記憶装置。
- 前記同期回路選択モード時にリードコマンドが入力されてから前記リードデータの出力を開始するまでの前記システムクロックのクロック数を指定するCASレイテンシ指定レジスタをさらに備え、
前記同期回路非選択モードにおいて、前記CASレイテンシ指定レジスタで指定するクロック数と前記基準エッジ指定レジスタで指定する基準となる内部クロックのエッジとの組み合わせによって、リードコマンドが入力されてから前記リードデータの出力を開始するまでのタイミングを指定することを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 前記リードコマンドが入力された後のクロック数を計数するリードレイテンシカウンタと、
前記CASレイテンシ指定レジスタの出力信号と前記基準エッジ指定レジスタの出力信号とをデコードし前記リードデータの出力を開始するまでの内部クロックのクロック数を指定するデコーダ回路と、
前記リードレイテンシカウンタの出力する計時信号のうち、前記デコーダ回路で指定するクロック数の計時信号をリードデータ出力開始信号として出力する選択回路と、
を備えたことを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置。 - 同期回路によってシステムクロックに対するリードデータの位相を調整して出力する同期回路選択モードと、前記同期回路の動作を停止し同期回路を用いないで前記リードデータを出力する同期回路非選択モードと、を選択する同期回路選択レジスタと、
前記同期回路選択モードのときにリードコマンドが入力されてから前記リードデータの出力を開始するまでの前記システムクロックのクロック数を指定するCASレイテンシ指定レジスタと、
前記同期回路非選択モードのときに前記リードデータ出力開始の基準となる内部クロックのエッジを指定する基準エッジ指定レジスタと、
を備えた半導体記憶装置のリード待ち時間調整方法であって、
前記同期回路非選択モードにおいて、前記システムクロックの周波数と、前記リードデータの前記システムクロックに対する位相遅れを考慮して、前記位相遅れを打ち消すように前記基準エッジ指定レジスタのエッジを指定することを特徴とする半導体記憶装置のリード待ち時間調整方法。 - 前記リードデータは、リードデータストローブ信号に同期して出力され、前記リードデータストローブ信号のタイミングが前記位相遅れを打ち消すように調整して出力されることを特徴とする請求項7記載の半導体記憶装置のリード待ち時間調整方法。
- 外部からシステムクロックに同期して与えられたリードコマンドに応答してあらかじめ定められたCASレイテンシの後にリードデータ出力を開始する同期式半導体記憶装置において、前記システムクロックと位相の揃った出力信号を生成するための同期回路を用いないで、前記同期回路を用いてリードデータ出力タイミングを前記システムクロックに同期して出力する半導体記憶装置と互換性を持たせる方法であって、
前記リードデータ出力の基準となる内部クロックのエッジを指定する基準エッジ指定レジスタを設け、前記CASレイテンシで決まるエッジに先行する任意のエッジを前記基準エッジ指定レジスタで指定することにより前記システムクロックに対する内部クロックの遅延を補償するようにしたことを特徴とする半導体記憶装置のリード待ち時間調整方法。 - 前記同期回路がDLL回路又はPLL回路である請求項7乃至9いずれか1項記載の半導体記憶装置のリード待ち時間調整方法。
- 外部から与えられたシステムクロックと位相の揃った出力信号を生成するための同期回路と、前記同期回路を用いて与えられたシステムクロックに対する位相を調整してリードデータを出力する同期回路選択モードと前記同期回路を用いないで前記システムクロックから生成した内部クロックを基準にしてリードデータを出力する同期回路非選択モードとを切り換える同期回路選択レジスタと、前記同期回路非選択モードにおいて前記基準となるシステムクロックのエッジを指定する基準エッジ指定レジスタと、を備えた半導体記憶装置と、
前記同期回路選択レジスタと基準エッジ指定レジスタとを設定し、前記半導体記憶装置の動作を制御するメモリコントローラであって、前記同期回路選択レジスタを同期回路非選択モードに設定するときは、前記システムクロックの周波数に応じて前記基準エッジ指定レジスタを設定するメモリコントローラと、
を有することを特徴とするメモリシステム。 - 前記同期回路がDLL回路又はPLL回路である請求項11記載のメモリシステム。
- 前記半導体記憶装置が、前記同期回路選択モード時にリードコマンドが入力されてから前記リードデータの出力を開始するまでの前記システムクロックのクロック数を指定するCASレイテンシ指定レジスタをさらに備え、
前記メモリコントローラが、CASレイテンシ指定レジスタに設定するクロック数が大きいほど前記基準エッジ指定レジスタにより先行するエッジを指定することを特徴とする請求項11又は12記載のメモリシステム。 - 外部からシステムクロックに同期して与えられたコマンドに応答して伝送クロックと前記伝送クロックに同期してデータとを出力するソースシンクロナスデータ伝送回路と、
前記システムクロックと位相の揃った出力信号を生成するための同期回路と、
前記同期回路を用いて前記システムクロックに対する位相を調整して前記ソースシンクロナスデータ伝送回路を動作させる同期回路選択モードと、前記同期回路を用いないで内部クロックを基準にして前記ソースシンクロナスデータ伝送回路を動作させる同期回路非選択モードと、を切り換える同期回路選択回路と、
前記基準となる内部クロックのエッジを指定する基準エッジ指定レジスタと、
を備え、
前記同期回路非選択モードにおいて、前記基準エッジ指定レジスタで指定される前記内部クロックのエッジを基準にして前記ソースシンクロナスデータ伝送回路を動作させることを特徴とする半導体装置。 - 前記同期回路がDLL回路又はPLL回路である請求項14記載の半導体装置。
- 前記同期回路選択モードにおいて、前記コマンドが与えられてから前記ソースシンクロナスデータ伝送回路がデータを出力するまでのシステムクロックのクロック数があらかじめ決められており、
前記同期回路非選択モードにおいて、前記システムクロックに対する内部クロックの位相遅れを補償するように前記基準エッジ指定レジスタによりエッジを指定できるように構成されていることを特徴とする請求項14又は15記載の半導体装置。 - 前記同期回路選択モードにおいて、前記前記コマンドが与えられてから前記ソースシンクロナスデータ伝送回路がデータを出力するまでのシステムクロックのクロック数を指定するレイテンシ指定レジスタを更に備え、
前記ソースシンクロナスデータ伝送回路が、前記同期回路非選択モードにおいて、前記レイテンシ指定レジスタで指定されたクロック数と前記基準エッジ指定レジスタで指定されたエッジとの組み合わせにより前記ソースシンクロナスデータ伝送回路がデータ伝送を開始することを特徴とする請求項14乃至16いずれか1項記載の半導体装置。 - 前記コマンドが入力された後のクロック数を計数するレイテンシカウンタと、
前記レイテンシ指定レジスタの出力信号と前記基準エッジ指定レジスタの出力信号とをデコードし前記ソースシンクロナス伝送回路がデータ伝送を開始するまでの内部クロックのクロック数を指定するデコーダ回路と、
前記レイテンシカウンタの出力する計時信号のうち、前記デコーダ回路で指定するクロック数の計時信号をデータ伝送開始信号として出力する選択回路と、
を備えたことを特徴とする請求項17記載の半導体装置。 - 前記同期回路非選択モードにおいて、前記同期回路を停止させることを特徴とする請求項14乃至18いずれか1項記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009007829A JP5687412B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 半導体記憶装置及びそのリード待ち時間調整方法、メモリシステム、並びに半導体装置 |
US12/656,061 US8054700B2 (en) | 2009-01-16 | 2010-01-14 | Semiconductor memory device and read wait time adjustment method thereof, memory system, and semiconductor device |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009007829A JP5687412B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 半導体記憶装置及びそのリード待ち時間調整方法、メモリシステム、並びに半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010165422A true JP2010165422A (ja) | 2010-07-29 |
JP5687412B2 JP5687412B2 (ja) | 2015-03-18 |
Family
ID=42336859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009007829A Expired - Fee Related JP5687412B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 半導体記憶装置及びそのリード待ち時間調整方法、メモリシステム、並びに半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8054700B2 (ja) |
JP (1) | JP5687412B2 (ja) |
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- 2013-01-23 US US13/748,466 patent/US8593893B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
US8391090B2 (en) | 2013-03-05 |
US20100182856A1 (en) | 2010-07-22 |
US8804442B2 (en) | 2014-08-12 |
US8593893B2 (en) | 2013-11-26 |
JP5687412B2 (ja) | 2015-03-18 |
US20130135950A1 (en) | 2013-05-30 |
US8054700B2 (en) | 2011-11-08 |
US20120069687A1 (en) | 2012-03-22 |
US20140036607A1 (en) | 2014-02-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A602 | Written permission of extension of time |
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