JP2010152284A - パターン形成剤、パターン形成方法およびパターンが形成された基板 - Google Patents

パターン形成剤、パターン形成方法およびパターンが形成された基板 Download PDF

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Abstract

【課題】高感度であり、耐熱性の高いパターンを形成することができるパターン形成剤を提供すること。
【解決手段】一般式(1):RSi(OR(式中、R1は少なくとも1つのチオール基を有する炭素数1〜8の炭化水素基、または少なくとも1つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。)で示されるチオール基含有アルコキシシラン類(a1)を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物(A)および炭素−炭素2重結合を有する化合物(B)を含有するパターン形成剤を用いる。
【選択図】図1

Description

本発明は、パターン形成剤および当該パターン形成剤を用いて得られるパターンが形成された基板に関する。
基板の上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことによりパターンの下層を加工するパターン形成技術は、半導体のIC作成などで広く用いられている。
微細パターンは、通常、リソグラフィー法やナノインプリント法などの技術によって形成されるが、微細な加工が容易にできることから、リソグラフィー法が広く用いられている。
リソグラフィー法では、基板などの支持体の上に、樹脂などの基材成分を含むレジスト組成物からなるレジスト膜を形成させ、当該レジスト膜に所定のパターンが形成されたマスクを介して、光、電子線などの活性エネルギー線を用いて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、上記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。このようにして得られたレジストパターンをマスクとして、基板をエッチングにより加工する工程を経て半導体素子等が製造される。
当該レジスト組成物として、感光性組成物が用いられるが、省エネルギーや生産コスト低減のためにより感光性の高い感光性組成物が求められていた。この問題を解決する方法として、特定のチオール化合物を含有する光重合開始剤系、カルボキシル基を有するバインダー樹脂、エチレン性不飽和基を有する化合物を含有する感光性に優れた感光性組成物が提案されている(特許文献1参照)。当該組成物は、高感度で、アルカリ現像時の細線パターンの線幅保持性に優れる感光性組成物であるが、高温環境下では細線パターンが保持できない、すなわち耐熱性に劣るという問題があった。
特開2006−151959号公報
本発明は、高感度であり、耐熱性の高いパターンを形成することができるパターン形成剤を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記課題を解決すべく、鋭意検討したところ、特定のシラン化合物、炭素−炭素2重結合を有する化合物を用いることにより、前記課題を解決することができることを見出した。
すなわち、本発明は、一般式(1):RSi(OR(式中、R1は少なくとも1つのチオール基を有する炭素数1〜8の炭化水素基、または少なくとも1つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。)で示されるチオール基含有アルコキシシラン類(a1)を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物(A)および炭素−炭素2重結合を有する化合物(B)を含有するパターン形成剤に関する。
本発明によれば、高感度であり、かつ、加熱によっても微細構造の乱れがないパターンを提供することができる。本発明のパターン形成剤は、光製版用レジスト、ソルダーレジスト、エッチングレジスト、カラーフィルターレジスト、ホログラム、光造形、UVインクとしても用いることができる。また、本発明により得られる基板は、フラットパネルディスプレイ用の基板、プリズムシート、カラーフィルターなどや、光回路基板、回折型集光フィルム、偏光フィルム、光導波路等の光学デバイスの他、反射板、記録媒体、半導体、電子デバイス、バイオチップ、ケミカルチップなどの用途に用いることができる。
本発明のパターン形成剤は、一般式(1):RSi(OR(式中、R1は少なくとも1つのチオール基を有する炭素数1〜8の炭化水素基、または少なくとも1つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。)で示されるチオール基含有アルコキシシラン類(a1)(以下、成分(a1)という)を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物(A)(以下、成分(A)という)および炭素−炭素2重結合を有する化合物(B)(以下、成分(B)という)を含有することを特徴とする。
本発明で用いられる成分(A)は、成分(a1)を加水分解および縮合して得られる化合物である。成分(a1)の具体例としては、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリプロポキシシラン、3−メルカプトプロピルトリブトキシシラン、1,4−ジメルカプト−2−(トリメトキシシリル)ブタン、1,4−ジメルカプト−2−(トリエトキシシリル)ブタン、1,4−ジメルカプト−2−(トリプロポキシシリル)ブタン、1,4−ジメルカプト−2−(トリブトキシシリル)ブタン、2−メルカプトメチル−3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、2−メルカプトメチル−3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、2−メルカプトメチル−3−メルカプトプロピルトリプロポキシシラン、2−メルカプトメチル−3−メルカプトプロピルトリブトキシシラン、1,2−ジメルカプトエチルトリメトキシシラン、1,2−ジメルカプトエチルトリエトキシシラン、1,2−ジメルカプトエチルトリプロポキシシラン、1,2−ジメルカプトエチルトリブトキシシランなどがあげられ、該例示化合物はいずれか単独で、または適宜に組み合わせて使用できる。該例示化合物のうち、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランは、加水分解反応の反応性が高く、かつ入手が容易であるため特に好ましい。
また、成分(a1)に加えて、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシランなどのトリアルキルアルコキシシラン類、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランなどのジアルキルジアルコキシシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどのアルキルトリアルコキシシラン類、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどのテトラアルコキシチタン類、テトラエトキシジルコニウム、テトラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジルコニウム類などの金属アルコキシド類(a2)(以下、成分(a2)という)を使用しうる。成分(a2)は、いずれか単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらのうち、トリアルキルアルコキシシラン類、ジアルキルジアルコキシシラン類、テトラアルコキシシラン類を用いることで、成分(A)の架橋密度を調整することができる。アルキルトリアルコキシシラン類を用いることで、成分(A)中に含まれるチオール基の量を調整することができる。テトラアルコキシチタン類、テトラアルコキシジルコニウム類を用いることで、最終的に得られる紫外線硬化物の屈折率を高くすることができる。
成分(a1)と成分(a2)を併用する場合は、[成分(a1)に含まれるチオール基のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)の合計モル数](1分子あたりに含まれるチオール基の平均個数を示す)が0.5以上であることが好ましい。0.5未満である場合、得られる成分(A)中に含まれるチオール基の数が少なくなるため、紫外線硬化性が低下するとともに、硬化物の硬度などの物性についての改善効果も不充分となったり、アルカリ除去性が低下する傾向がある。また、[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数]/[成分(a1)と成分(a2)の合計モル数](1分子あたりに含まれるアルコキシ基の平均個数を示す)が2.5以上3.5以下であることが好ましく、2.7以上3.2以下であることがより好ましい。2.5未満の場合、得られる成分(A)の架橋密度が低く、硬化物の耐熱性が低下する傾向がある。また、3.5を超える場合、成分(A)を製造する際、ゲル化しやすくなる傾向がある。
本発明に用いられる成分(A)は、成分(a1)単独やこれに成分(a2)を併用して、それらを加水分解後、縮合させて得ることができる。加水分解反応によって、成分(a1)や成分(a2)に含まれるアルコキシ基が水酸基となり、アルコールが副生する。加水分解反応に必要な水の量は、[加水分解反応に用いる水のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)が0.2以上1.5以下であればよく、好ましくは0.3以上1.2未満である。0.2未満の場合、最終的に得られる成分(A)の分子量が低くなりすぎ、硬化性が低下する傾向がある。また、2を超える場合、後に行う縮合反応(脱水反応)の際に除くべき水の量が多くなるため、経済的に不利である。
また、成分(a2)としてテトラアルコキシチタン類、テトラアルコキシジルコニウム類等、特に加水分解性および縮合反応性の高い金属アルコキシド類を併用する場合には、急速に加水分解および縮合反応が進行し、系がゲル化してしまう場合がある。この場合、成分(a1)の加水分解反応を終了させ、実質的にすべての水が消費された状態にした後、該成分(a2)を添加することによって、ゲル化を避けることができる。
加水分解反応に用いる触媒としては、特に限定はされず、従来公知の加水分解触媒を任意に用いることができる。これらのうちギ酸は、触媒活性が高く、また引き続く縮合反応の触媒としても機能するので好ましい。ギ酸の添加量は、成分(a1)および成分(a2)の合計100重量部に対して、0.1〜25重量部であることが好ましく、1〜10重量部であることがより好ましい。25重量部よりも多いと、得られるパターン形成剤の安定性が低下する傾向があり、また後工程でギ酸を除去できるとしても該除去量が多くなる。一方、0.1重量部よりも少ないと、実質的に反応が進行しなかったり、反応時間が長くなる傾向がある。反応温度、時間は、成分(a1)や成分(a2)の反応性に応じて任意に設定できるが、通常0〜100℃程度、好ましくは20〜60℃、1分〜2時間程度である。該加水分解反応は、溶剤の存在下または不存在下に行うことができる。溶剤の種類は特に限定されず、任意の溶剤を1種類以上選択して用いることができるが、後述の縮合反応に用いる溶剤と同一のものを用いることが好ましい。成分(a1)や成分(a2)の反応性が低い場合は、無溶剤で行うことが好ましい。
上記方法で加水分解反応を行うが、[加水分解されてできた水酸基のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)が0.3以上になるように進行させることが好ましく、0.5以上に調整することがさらに好ましい。
縮合反応においては、前記の水酸基間で水が副生し、また水酸基とアルコキシ基間ではアルコールが副生して、シロキサン結合を生じる。縮合反応には、従来公知の脱水縮合触媒を任意に用いることができる。前記のように、ギ酸は触媒活性が高く、加水分解反応の触媒と共用できるため好ましい。反応温度、時間は成分(a1)や成分(a2)の反応性に応じてそれぞれ任意に設定できるが、通常は40〜150℃程度、好ましくは60〜100℃、30分〜12時間程度である。
上記方法で縮合反応を行うが、[未反応の水酸基および未反応のアルコキシ基の合計モル数]/[成分(a1)および成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)が0.4以下になるように進行させることが好ましく、0.3以下に調整することがさらに好ましい。0.4を超える場合、得られる成分(A)の分子量が小さくなり、1分子あたりのチオール基が少なくなって架橋密度が低下し、結果として硬化物の性能を損なう傾向があるため好ましくない。
当該縮合反応は、成分(a1)(成分(a2)を併用する場合は両者)の濃度が2〜80重量%程度になるように溶剤希釈して行うことが好ましく、15〜60重量%であることがより好ましい。縮合反応によって生成する水およびアルコールの沸点より高い沸点を有する溶剤を用いると、反応系中よりこれらを留去することができるため好ましい。当該濃度を2重量%以上とすることにより、得られるパターン形成剤に含まれる成分(A)の量が多くなるため、本発明の効果が顕著となるため好ましい。80重量%以下とすることにより、反応を安定に進行させることができ、また、生成する成分(A)の分子量が適当となるため、得られるパターン形成剤の保存安定性が良好となる。使用する溶剤としては、任意の溶剤を1種類以上選択して用いることができる。縮合反応によって生成する水およびアルコールより高い沸点を有する溶剤を用いれば、反応系中よりこれらを留去することができるため好ましい。また、成分(B)も溶剤の一部として用いることができる。
当該縮合反応の終了後、用いた触媒を除去すると、得られるパターン形成剤の安定性が向上するため好ましい。除去方法は、用いた触媒に応じて公知各種の方法から適宜に選択できる。例えば、ギ酸を用いた場合は、縮合反応の終了後、該沸点以上に加熱する、減圧するなどの方法により容易に除去でき、この点からもギ酸の使用が好ましい。
本発明で用いられる成分(B)は、特に限定されず、従来公知の炭素−炭素2重結合を有する化合物を適宜用いることができる。炭素−炭素2重結合に係わる官能基としては、ビニル基、アクリル基、メタクリル基、アリル基などがあげられる。
これらのうち、炭素−炭素2重結合を有する官能基とチオール基との反応より優先して、炭素−炭素2重結合を有する官能基同士が重合する不都合が起こらないよう、ラジカル重合性が低いものを用いることが好ましい。このような成分(B)として、アリル基を含有するものがあげられ、アリル基を1つ含有する化合物としては、ケイ皮酸、モノアリルシアヌレート、モノアリルイソシアヌレート、ペンタエリスリトールモノアリルエーテル、トリメチロールプロパンモノアリルエーテル、グリセリンモノアリルエーテル、ビスフェノールAモノアリルエーテル、ビスフェノールFモノアリルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコールモノアリルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノアリルエーテル、ジプロピレングリコールモノアリルエーテル、トリプロピレングリコールモノアリルエーテルなどがあげられる。アリル基を2つ含有する化合物としては、ジアリルフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、ペンタエリスリトールジアリルエーテル、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、グリセリンジアリルエーテル、ビスフェノールAジアリルエーテル、ビスフェノールFジアリルエーテル、エチレングリコールジアリルエーテル、ジエチレングリコールジアリルエーテル、トリエチレングリコールジアリルエーテル、プロピレングリコールジアリルエーテル、ジプロピレングリコールジアリルエーテル、トリプロピレングリコールジアリルエーテルなどがあげられる。アリル基を3つ以上含有する化合物としては、トリアリルイソシアヌレート、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエーテルなどがあげられる。これらの化合物は、いずれか単独で、または組み合わせて使用できる。これらの中でも、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルフタレート、ペンタエリスリトールトリアリルエーテルが特に好ましい。
また、成分(B)として、前記化合物よりも高分子量のものを用いることができる。高分子量のものを用いたパターン形成剤は、得られる硬化物の可撓性が向上する傾向がある。また、一般にラジカル重合性が低くなる傾向があり、このような視点からも好ましく用いることができる。該高分子量物としては、メチルアリルシロキサンとジメチルシロキサンとからなる共重合物、エピクロルヒドリンとアリルグリシジルエーテルとからなる共重合物(ダイソー(株):商品名「エピクロマー」、日本ゼオン(株):商品名「Gechron」など)、アリル基末端ポリイソブチレンポリマー((株)カネカ:商品名「エピオン」)、ウレタンアクリレート(荒川化学工業(株)製:商品名「ビームセット550B」)などがあげられる。これらの化合物は、単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
成分(B)の使用に際しては、[成分(B)に含まれる炭素−炭素2重結合のモル数]/[成分(B)のモル数](1分子あたりに含まれる炭素−炭素2重結合の平均個数を示す)が2以上であることが好ましい。2未満である場合、パターン形成剤の硬化性が低くなり、かつ得られる硬化物の架橋密度が低くなるため、硬化物の耐熱性、表面硬度等の物性が低下する傾向がある。
また、本発明のパターン形成剤には必要に応じて、イソシアネート基を有する化合物(C)(以下、成分(C)という)を加えてもよい。一般に成分(A)は液状である場合が多いため、パターン形成前に成分(C)によって架橋構造を形成させることによって固体化することで、コンタクト露光等の際に版とパターン形成剤とを密着させることができるため好ましい。成分(C)としては、特に限定されず、従来公知のイソシアネート基を有する化合物を適宜用いることができる。該ジイソシアネート化合物としては、たとえば芳香族、脂肪族または脂環族の各種公知のジイソシアネート類を使用することができ、より具体的には、たとえば、1,5−ナフチレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルジメチルメタンジイソシアネート、4,4’−ジベンジルイソシアネート、ジアルキルジフェニルメタンジイソシアネート、テトラアルキルジフェニルメタンジイソシアネート、1,3−フェニレンジイソシアネート、1,4−フェニレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ブタン−1,4−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソプロピレンジイソシアネート、メチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサン−1,4−ジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、水素化キシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、1,3−ビス(イソシアネートメチル)シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンジイソシアネート、m−テトラメチルキシリレンジイソシアネートやダイマー酸のカルボキシル基をイソシアネート基に転化したダイマージイソシアネートなどがあげられる。これらの化合物は、単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。該例示化合物のうち、イソホロンジイソシアネートは、最終的に得られる硬化物が無色透明性、耐熱性等に優れ、かつ入手が容易であるため特に好ましい。
また、成分(C)として、前記化合物よりも高分子量のものを用いることができる。高分子量のものを用いてなる硬化性樹脂組成物は、得られる硬化物の可撓性が向上する傾向がある。該高分子量物としては、ポリカーボネートジオール、ポリエステルジオールなどのポリオール類のジイソシアネート変性物、ポリメリックMDI(三井武田ケミカル(株):商品名「コスモネートM」など)などがあげられる。これらの化合物は、単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。該例示化合物のうち、ポリイソシアヌレートタイプのHDIは、最終的に得られる透明シートが無色透明性、耐熱性等に優れ、かつ入手が容易であるため特に好ましい。
本発明のパターン形成剤は、前述した成分(A)ならびに成分(B)を必須成分として含有し、必要に応じて成分(C)を含有する。各成分の使用量は、{(成分(B)中に含まれる2重結合の数)/(成分(A)中に含まれるチオール基の数)}が0.8〜1.2程度となるように調製する必要があり、0.9〜1.1とすることが好ましい。また、成分(C)を用いる場合には、{(成分(B)中に含まれる2重結合の数)+(成分(C)中に含まれるイソシアネート基の数)/(成分(A)中に含まれるチオール基の数)}が0.8〜1.2となるように調製する必要があり、0.9〜1.1とすることが好ましい。当該値が0.9未満であると、チオール基が残存し、その分解によって悪臭を発生させる場合があり、1.1を超えると、硬化後に2重結合やイソシアネート基が残存し、耐候性が低下する傾向がある。また、成分(C)を用いる場合には、{(成分(C)中に含まれるイソシアネート基の数)/(成分(A)中に含まれるチオール基の数)}が、通常、0.01〜0.3、好ましくは0.03〜0.1となるように調製する。当該値が0.01未満であると、硬化が不十分であるため表面にタックが残る場合があり、0.3を超えると、硬化が進行しすぎてアルカリでの除去性が低下する傾向がある。
本発明のパターン形成剤には、必要に応じて重合開始剤を用いることができる。重合開始剤としては、特に限定されず、従来公知の光カチオン開始剤、光ラジカル開始剤などを任意に選択できる。光カチオン開始剤としては、紫外線の照射により酸を発生する化合物であるスルホニウム塩、ヨードニウム塩、メタロセン化合物、ベンゾイントシレート等があげられ、それらの市販品としては、たとえばサイラキュアUVI−6970、同UVI−6974、同UVI−6990(いずれも米国ユニオンカーバイド社製商品名)、イルガキュア264(チバスペシャルティケミカルズ社製)、CIT−1682(日本曹達(株)製)などがある。光カチオン重合開始剤の使用量は、パターン形成剤100重量部中、通常10重量部程度以下、好ましくは1〜5重量部とされる。光ラジカル開始剤としては、ダロキュア1173、イルガキュア651、イルガキュア184、イルガキュア907(いずれもチバ・ジャパン社製 商品名)、ベンゾフェノン等があげられ、パターン形成剤100重量部中、15重量部程度以下、好ましくは1〜15重量部とされる。なお、得られる硬化物の耐候性低下が懸念される場合、特に高い耐候性、透明性が求められる光学部材などに用いられる場合には、光反応開始剤や光増感剤を使用しない方がよい。
また、パターン形成剤の安定性をより向上させるため、エン−チオール反応を抑制する化合物を配合できる。このような化合物としては、トリフェニルホスフィン、亜リン酸トリフェニル等のリン系化合物;p−メトキシフェノ−ル、ハイドロキノン、ピロガロ−ル、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコ−ル、塩化第一銅、2、6ージ−tert−ブチル−p−クレゾ−ル、2、2’−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノ−ル)、2、2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノ−ル)、N−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩、ジフェニルニトロソアミン等のラジカル重合禁止剤;ベンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4,6−トリス(ジアミノメチル)フェノール、ジアザビシクロウンデセン等の3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2-エチルへキシルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2‐メチルイミダール等のイミダゾール類があげられる。
リン系化合物のうち、亜リン酸トリフェニルはエン−チオール反応の抑制効果が高く、かつ室温で液状であり取り扱いが容易であるため好ましい。パターン形成剤に配合する該化合物の量は、パターン形成剤100重量部中、0.1〜10重量部程度であることが好ましい。0.1重量部に満たない場合は、エン−チオール反応を抑制する効果が不足し、また10重量部を超える場合は、得られる硬化物中の残存量が多くなり硬化物の物性が低下する傾向がある。
ラジカル重合禁止剤のうち、ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩は少量でもエン−チオール反応の抑制効果が高く、かつ得られる硬化物の色調に優れるため好ましい。パターン形成剤に配合する該化合物の量は、パターン形成剤100重量部中、0.0001〜0.1重量部程度であることが好ましい。0.0001重量部に満たない場合は、エン−チオール反応を抑制する効果が不足し、また0.1重量部を超える場合は、紫外線硬化性が低下する傾向がある。
3級アミン類のうち、ベンジルジメチルアミンは少量でもエン−チオール反応の抑制効果が高く、かつ室温で液状であり取り扱いが容易であるため好ましい。パターン形成剤に配合する該化合物の量は、パターン形成剤100重量部中、0.001〜5重量部程度であることが好ましい。0.001重量部に満たない場合は、エン−チオール反応を抑制する効果が不足する場合があり、また5重量部を超える場合は、成分(A)中の未反応の水酸基およびアルコキシ基が縮合反応してゲル化する傾向がある。
また、本発明のパターン形成剤には、必要に応じて溶剤を配合することができる。溶剤としては、従来公知のものを任意に用いることができるが、パターン形成後は揮発分が発生してはならないため、パターン形成前に揮発させやすいよう、揮発しやすいものを用いることが好ましい。パターン形成剤をコーティングして用いる場合は、溶剤で希釈し、所望の粘度とすればよい。また、パターン形成する際には、形成後に溶剤の揮発によって気泡が発生し、パターンが乱れてしまうおそれがあるためパターン形成剤中における成分(A)ならびに成分(B)および/または成分(C)の合計濃度を90重量%以上とすることが好ましく、95重量%以上とすることがより好ましい。該合計濃度は、成分(A)ならびに成分(B)および/または成分(C)の濃度とパターン形成剤の調製時に加えた溶剤の量とより計算で求めてもかまわないし、パターン形成剤に含まれる溶剤の沸点以上で2時間程度加熱し、加熱前後の重量変化により求めてもよい。なお、成分(A)合成の際に溶剤を使用する場合には、反応終了後、不揮発分含有量が90重量%以上となるよう溶剤を揮発させておいてもよい。また、パターン形成剤を調製した後、用いた溶剤を揮発させて、有効成分(A)、(B)の合計濃度を高めることもできる。
また、本発明のパターン形成剤は、さらに別の態様として、成分(a1)および任意成分(a2)をギ酸の存在下に加水分解した後、溶剤ならびに成分(B)および/または成分(C)の存在下に縮合反応させても得られる。反応温度、反応時間、溶剤種などの条件は、いずれも前記成分(A)における場合と同様である。
また、本発明のパターン形成剤に成分(C)を用いる場合には、必要に応じて、従来公知のウレタン化触媒を用いてもよい。ウレタン化触媒としては、例えば、ジブチルスズジラウレート、オクチル酸スズなどの有機スズ化合物、1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノールなどの三級アミン類などをあげることができる。ウレタン化触媒はパターン形成剤100重量部中、0.01〜5重量部の割合で使用することが好ましい。
さらに本発明のパターン形成剤には、用途に応じ、前記成分(a1)および/またはその加水分解物(D)(但し、該縮合物は除く)[以下、併せて成分(D)という]を配合できる。成分(D)は、成分(A)の合成に際して用いた成分(a1)をそのままで用いても、その加水分解物を用いても、これらを組み合わせて用いてもよい。成分(F)を用いることにより、密着性をより向上できる利点がある。成分(D)の配合量は、パターン形成剤100重量部中に、0.1〜20重量部含有させることが好ましい。0.1重量部以上とすることにより、パターン形成剤の基材に対する密着性向上効果が充分となるため好ましい。また、20重量部以下とすることにより、成分(D)が加水分解、縮合反応する際の揮発分が少なくなるため、パターン形成剤が厚膜硬化でき、または得られる硬化物が脆くなりにくいため好ましい。このような成分(D)としては、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランが、当該密着性向上効果の点で特に好ましい。
また、本発明のパターン形成剤には、用途(光導波路等)に応じ、前記成分(a2)である金属アルコキシド類および/またはその加水分解物(但し、縮合物は含まず)(E)[以下、併せて成分(E)という]を配合できる。成分(E)は、成分(A)の合成に際して用いた金属アルコキシド類をそのままで用いるか、その加水分解物を用いるか、これらを組み合わせて使用できる。成分(E)を含有するパターン形成剤を用いることで、得られる硬化物の屈折率を調整することができる。パターン形成剤を高屈折率のコーティング剤として用いる場合には、成分(E)としてアルコキシチタン類、アルコキシジルコニウム類が好適である。成分(E)の配合量は、パターン形成剤100重量部に対して、0.1〜20重量部程度であることが好ましい。0.1重量部以上20重量部以下とすることにより、硬化時の発泡やクラックの発生を抑制できるため好ましい。
さらに、本発明で用いるパターン形成剤には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種用途での必要性に応じて、可塑剤、耐候剤、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、帯電防止剤、増白剤、着色剤、導電剤、離型剤、表面処理剤、粘度調節剤、フィラー等を配合してもよい。
このようにして得られたパターン形成剤は、活性エネルギー線の照射および/または加熱により硬化させることができる。当該パターン形成剤は、本発明のパターンが形成された積層体のパターンが形成されるパターン形成層となる。
本発明のパターンが形成された基板は、基材上に本発明のパターン形成剤を塗布後、現像、硬化させることにより得られる。
本発明のパターン形成に用いる基板には、ガラスやシリコンなどの無機材料、アルミ、ステンレス、銅等の金属材料、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ナイロン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂、トリアセチルセルロース樹脂等の樹脂材料の他、紙等を用いることができる。これらの基板の表面を酸化処理、酸処理、プラズマ処理、放電処理などで処理してパターン形成剤の付着性を向上させてもよい。パターン形成剤は通常基板の表面にあるため、基板の厚さは任意に設定できる。またパターン形成剤と基板との間には、光反応には関与しない樹脂層等を設けてもよい。これらの中では、ガラス、金属シリコン、ポリエチレンテレフタレート樹脂が好ましい。なお、基材は、フィルムまたはシートであることが、パターン形成剤の塗布が容易になるため好ましい。
本発明の、パターン形成剤を用いたパターン形成方法としては、例えば、あらかじめ目的の形状にパターン形成剤を塗布した後、光照射により硬化させてもよく、基板上に一様にパターン形成剤を塗布した後、露光部分が目的の形状となるように光照射してパターン形成剤を硬化せしめた後、未露光部分を洗浄、剥離、物理研磨、化学研磨等の手段で除去し、残存した光硬化物によりパターンを形成させてもよい。本発明のパターン形成剤は、特に後者のパターン形成方法により好適に使用できる。
活性エネルギー線の照射量は特に限定されず、パターン形成剤で用いる化合物の種類、膜厚等に応じて適宜決定すればよいが、紫外線の場合には、たとえば、積算光量が50〜10000mJ/cm2程度となるよう照射すればよい。また、厚膜でコーティングや充填を行った場合には、前述のように該組成物に光反応開始剤や光増感剤を添加することにより、光硬化性を向上させることが好ましい。
硬化に用いる活性エネルギー線としては、高エネルギー電離放射線および紫外線が挙げられる。高エネルギー電離放射線源としては、例えば、コッククロフト型加速器、ハンデグラーフ型加速器、リニヤーアクセレーター、ベータトロン、サイクロトロン等の加速器によって加速された電子線が工業的に最も便利且つ経済的に使用されるが、その他に放射性同位元素や原子炉等から放射されるγ線、X線、α線、中性子線、陽子線等の放射線も使用できる。紫外線源としては、例えば、紫外線螢光灯、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノン灯、炭素アーク灯、太陽灯等が挙げられる。活性エネルギー線の照射時間は特に限定されず、公知の条件を採用することができる。パターン形成剤が、溶剤を含有する場合には、溶剤の揮発方法は溶剤の種類、量、膜厚等に応じて適宜決定すればよいが、40〜150℃程度、好ましくは60〜100℃に加熱し、常圧または減圧下で5秒〜2時間程度の条件とされる。
なお、加熱硬化を行う場合には、硬化温度および加熱時間は、使用した成分(B)または成分(C)の種類、および溶剤の種類、硬化物の厚みなどを考慮して、適宜決定すればよい。通常は20〜150℃程度で1分〜24時間程度の条件とするのが好ましい。また、硬化終了後さらに100℃〜300℃程度、好ましくは120℃以上250℃未満で、1分〜6時間程度加熱することにより、残存溶剤を完全に除くとともに硬化反応をさらに進行させる。こうして得られる硬化膜はシリカ複合化の効果によって、耐熱性、耐薬品性に優れるという特徴を有する。硬化は活性エネルギー線硬化、加熱硬化をそれぞれ単独で行ってもよく、併用してもよい。併用する場合には、その順序は特に限定されるものではないが、通常は紫外線照射して得られた硬化物を、さらに加熱することで、硬化物の物性を一層向上させることができる。加熱の方法は適宜決定すればよいが、40〜300℃程度、好ましくは100〜250℃に加熱し、1分〜6時間程度の条件とされる。
上記のパターン形成において、光照射等により硬化後のパターン形成剤の未硬化部分を溶解除去して現像処理する場合、現像液用の溶剤としては、例えば、N−メチルピロリドン、メタノール、エタノール、トルエン、シクロヘキサン、イソホロン、セロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、キシレン、エチルベンゼン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチル-エチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、アルカリ水溶液等が挙げられる。これらは、単独または2種以上組み合わせて用いてもよい。さらにこれら溶剤にトリメチルアミン、トリエチルアミン等の塩基性物質や界面活性剤類を加えてもよい。
前記アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩の水溶液、ヒドロキシテトラメチルアンモニウム、ヒドロキシテトラエチルアンモニウムなどの有機塩の水溶液を用いることができる。これらは単独または2種以上組み合わせて用いてもよい。
このようにして得られたパターンが形成された積層体は、透明であり、パターン形成前後での硬化収縮率が0.1〜5%程度である。
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、各例中、部および%は特記しない限り重量基準である。
製造例1(縮合物(A−1)の製造)
攪拌機、冷却管、分水器、温度計、窒素吹き込み口を備えた反応装置に、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製:商品名「KBM−803」)3400部、イオン交換水936部([加水分解反応に用いる水のモル数]/[成分(a1)に含まれるアルコキシ基のモル数](モル比)=1.0)、95%ギ酸17.0部を仕込み、室温で30分間加水分解反応させた。反応中、発熱によって最大35℃温度上昇した。反応後、トルエン5670部を仕込み、加熱した。71℃まで昇温したところで、加水分解によって発生したメタノールと、トルエンの一部が留去され始めた。2時間かけて75℃まで昇温し、縮合反応させて水を留去した。さらに1時間、75℃で反応させた後、70℃、20kPaで減圧して、残存するトルエンの一部、メタノール、水、ギ酸を留去した。さらに70℃、0.7kPaで減圧してトルエンを留去することで、縮合物(A−1)を2330部得た。[未反応の水酸基およびアルコキシ基のモル数]/[成分(a1)に含まれるアルコキシ基のモル数](モル比)は0.12、濃度は99.0%であった。また縮合物(A−1)のチオール基の濃度は、7.41ミリモル/gであった。
製造例2(縮合物(A−2)の製造)
製造例1と同様の反応装置に、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン3400部、イオン交換水562部([加水分解反応に用いる水のモル数]/[成分(a1)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)=0.6)、95%ギ酸68部を仕込み、室温で30分間加水分解反応させた。反応中、発熱によって最大19℃温度上昇した。反応後、トルエン5670部を仕込み、加熱した。72℃まで昇温したところで、加水分解によって発生したメタノールとトルエンの一部が留去され始めた。1時間かけて75℃まで昇温し、縮合反応させて水を留去した。さらに1時間、75℃で反応させた後、70℃、20kPaで減圧して、残存するトルエンの一部、メタノール、水、ギ酸を留去した。さらに70℃、0.7kPaで減圧してトルエンを留去することで、縮合物(A−2)を2450部得た。[未反応の水酸基およびアルコキシ基のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)は0.30、濃度は99.1%であった。また縮合物(A−2)のチオール基の濃度は、7.25ミリモル/gであった。
製造例3(縮合物(A−3)の製造)
製造例1と同様の反応装置に、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1000部、フェニルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製:商品名「KBM−103」)2020部([成分(a1)に含まれるチオール基のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)の合計モル数]=0.33、[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数]/[成分(a1)と成分(a2)の合計モル数]=3)、イオン交換水826部([加水分解反応に用いる水のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)=1.0)、95%ギ酸60部を仕込み、室温で30分間加水分解反応させた。反応中、発熱によって最大32℃温度上昇した。反応後、トルエン5033部を仕込み、加熱した。71℃まで昇温したところで、加水分解によって発生したメタノールとトルエンの一部が留去され始めた。1時間かけて75℃まで昇温し、縮合反応させて水を留去した。さらに1時間、75℃で反応させた後、70℃、20kPaで減圧して、残存するトルエンの一部、メタノール、水、ギ酸を留去した。さらに70℃、0.7kPaで減圧してトルエンを留去することで、縮合物(A−3)を2100部得た。[未反応の水酸基およびアルコキシ基のモル数]/[成分(a1)と成分(a2)に含まれる各アルコキシ基の合計モル数](モル比)は0.11、濃度は98.7%であった。また、縮合物(A−3)のチオール基の濃度は、2.44ミリモル/gであった。
実施例1(パターン形成剤の製造)
製造例1で得られた縮合物(A−1)43.5部に対し、成分(B)としてトリアリルイソシアヌレート(以下TAIC、日本化成(株)製:商品名「TAIC」、炭素‐炭素二重結合の濃度は12.0ミリモル/g)26.8部([成分(B)に含まれる炭素―炭素2重結合のモル数]/[成分(A)に含まれるチオール基のモル数](モル比)=1.00)、光硬化用触媒としてヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・ジャパン(株):商品名「イルガキュア184」、以下、Irg184という)0.14部、希釈溶剤としてエチレングリコールジメチルエーテル(日本乳化剤(株):商品名「DMG」、以下DMGという)29.6部を配合しパターン形成剤(D−1)とした。同様に、製造例1、2で得られた縮合物(A−1)、(A−2)を用い、表1に従ってパターン形成剤(D−2)、(D−3)とした。表1中、コロネートHX:ポリイソシアヌレートタイプのHDI(日本ポリウレタン(株)製:商品名「コロネートHX」、イソシアネート基の濃度は、5.00ミリモル/g)、IPDI:イソホロンジイソシアネート(住化バイエルウレタン(株)製:商品名「デスモジュールI」、イソシアネート基の濃度は、9.01ミリモル/g)である。U−100:ジブチルスズジラウレート(日東化成(株):商品名「ネオスタンU−100」)である。
比較例1(パターン形成剤の製造)
製造例1で得られた縮合物(A−3)58.7部に対し、成分(B)としてTAIC 11.9部([成分(B)に含まれる炭素‐炭素2重結合のモル数]/[成分(A)に含まれるチオール基のモル数](モル比)=1.00)、Irg184 0.14部、DMG 29.2部を配合しパターン形成剤(d−1)とした。同様に、成分(A)としてトリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)(以下TMMP、堺化学工業(株)製:商品名「TMMP」、チオール基の濃度は7.52ミリモル/g)を用い、表1に従ってパターン形成剤(d−2)とした。
Figure 2010152284
(耐熱性の評価)
実施例1で得られたパターン形成剤(D−1)をアルミカップに膜厚300μmとなるよう流し込み、80℃で15分乾燥させ、溶剤を揮散させた。続いて紫外線照射装置(ウシオ電機(株)製:商品名「UV−152」)を用いて254nmの検出器で積算光量が2000mJ/cmとなるよう紫外線を照射し、硬化物を得た。同様に、比較例1、2で得られたパターン形成剤(d−1)、(d−2)を用い、硬化物を得た。得られた硬化物をそれぞれ5mm×30mmにカットし、粘弾性測定器(セイコーインスツル(株)製、商品名「DMS6100」、測定条件:振動数10Hz、スロープ3℃/分)を用いて動的貯蔵弾性率を測定して、耐熱性を評価した。測定結果を図1に示す。図1から明らかなように、実施例1のパターン形成剤より得られた硬化物は比較例2のそれより得られた硬化物に比べTgが高く、かつTg前後での弾性率の変化が少なく、耐熱性に優れていることが認められる。
実施例4(パターンの形成)
パターン形成剤(D−1)をガラス基板上に膜厚5μmとなるようコーティングし、80℃で2分乾燥させ、溶剤を揮散させた。本段階ではタックがありコンタクト露光はできなかったため、マスクを浮かせた状態にして紫外線照射装置(ウシオ電機(株)製:商品名「UV−152」)を用いて254nmの検出器で積算光量が500mJ/cmとなるよう紫外線を照射した。2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(多摩化学(株)製:商品名「TMAH 2.38%」)を用いて現像することで、パターン付き基板を得た。また、現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に代わって1.0%水酸化ナトリウム水溶液を用いても良好に現像することができた。
実施例5(パターンの形成)
パターン形成剤(D−2)をガラス基板上に膜厚5μmとなるようコーティングし、80℃で2分乾燥させ、溶剤を揮散させた。本段階ではタックがありコンタクト露光はできなかったため、マスクを浮かせた状態にして紫外線照射装置(ウシオ電機(株)製:商品名「UV−152」)を用いて254nmの検出器で積算光量が500mJ/cmとなるよう紫外線を照射した。2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することで、パターン付き基板を得た。また、現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に代わって1.0%水酸化ナトリウム水溶液を用いても良好に現像することができた。
実施例6(パターンの形成)
パターン形成剤(D−3)をガラス基板上に膜厚5μmとなるようコーティングし、80℃で2分、110℃で8分溶剤乾燥および熱硬化させた。本段階でタックがなく、コンタクト露光可能であった。マスクを浮かせた状態にして紫外線照射装置(ウシオ電機(株)製:商品名「UV−152」)を用いて254nmの検出器で積算光量が500mJ/cmとなるよう紫外線を照射した。2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液では現像できなかったが、1.0%水酸化ナトリウム水溶液を用いても良好に現像することができた。
比較例3(パターンの形成)
パターン形成剤(d−1)をガラス基板上に膜厚5μmとなるようコーティングし、80℃で2分乾燥させ、溶剤を揮散させた。本段階ではタックがありコンタクト露光はできなかったため、マスクを浮かせた状態にして紫外線照射装置(ウシオ電機(株)製:商品名「UV−152」)を用いて254nmの検出器で積算光量が500mJ/cmとなるよう紫外線を照射した。2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液および1.0%水酸化ナトリウム水溶液で現像を試みたが、現像することはできなかった。
実施例4〜6ではいずれもパターン付き基板を得ることができ、実施例4、5では特に良好な現像性が、実施例3では特にコンタクト露光できることが示された。一方、比較例3はアルカリによる現像ができず、パターン付き基板を得ることはできなかった。これらのことより、本発明のパターン形成剤は、光製版用レジスト、ソルダーレジスト、エッチングレジスト、カラーフィルターレジスト、ホログラム、光造形、UVインクとして好適に用いることができる。
実施例1および比較例2で得られた硬化物の動的貯蔵弾性率測定結果である。

Claims (4)

  1. 一般式(1):RSi(OR(式中、R1は少なくとも1つのチオール基を有する炭素数1〜8の炭化水素基、または少なくとも1つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。)で示されるチオール基含有アルコキシシラン類(a1)を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物(A)および炭素−炭素2重結合を有する化合物(B)を含有するパターン形成剤。
  2. イソシアネート基を有する化合物(C)を含有する請求項1に記載のパターン形成剤。
  3. 請求項1または2に記載のパターン形成剤を基材上に塗布後、現像、硬化させることを特徴とするパターン形成方法。
  4. 請求項1または2に記載のパターン形成剤を基材上に塗布後、現像、硬化させることにより得られるパターンが形成された基板。
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