JP2010147107A - 光起電力装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光起電力装置の受光面側の受光面積を従来に比して削減することができる電極構造を有する光起電力装置を得ること。
【解決手段】N型拡散層が第1の主面側に形成されたP型シリコン基板12と、第1の主面上に第1の方向に延在して平行に形成され、シリコン基板12で生じた電流を集電する複数のグリッド電極21と、第1の主面上に第2の方向に形成され、グリッド電極21で集電される電流を外部に取り出すバスバー電極22と、シリコン基板12の第2の主面側に形成され、シリコン基板12で生じた電流を集電すると共に外部に取り出す裏面電極と、を備え、グリッド電極21は、先端部のグリッド電極21の第1の方向に垂直な断面積が、バスバー電極22との接続部における断面積よりも小さい。
【選択図】 図2−2
【解決手段】N型拡散層が第1の主面側に形成されたP型シリコン基板12と、第1の主面上に第1の方向に延在して平行に形成され、シリコン基板12で生じた電流を集電する複数のグリッド電極21と、第1の主面上に第2の方向に形成され、グリッド電極21で集電される電流を外部に取り出すバスバー電極22と、シリコン基板12の第2の主面側に形成され、シリコン基板12で生じた電流を集電すると共に外部に取り出す裏面電極と、を備え、グリッド電極21は、先端部のグリッド電極21の第1の方向に垂直な断面積が、バスバー電極22との接続部における断面積よりも小さい。
【選択図】 図2−2
Description
この発明は、光起電力装置とその製造方法に関するものである。
太陽電池は、基板面にほぼ平行なpn接合を有する半導体基板に太陽から放射される光を照射して、電気を取り出すものである。そのため、半導体基板に多くの光を入射させることで、光電変換効率を上げることができる。しかし、半導体基板上の各位置で光電変換された電気を集め、そして取り出すために、半導体基板の光入射側の面(以下、表面という)と反対側の面(以下、裏面という)に電極を設ける必要がある。
従来の太陽電池の表面側には、所定のピッチで互いに平行に多数形成された線状のグリッド電極と、すべてのグリッド電極に接続されるように形成されるバスバー電極と、が設けられる。ここで、グリッド電極は、主にグリッド電極近傍の半導体基板で発生した電子(電流)を集め、バスバー電極に送電する役割を有し、バスバー電極は、主にグリッド電極から送られてきた電子を外部端子へ送電する役割を有している。
ところで、この太陽電池の表面側に形成される電極は、発電した電流(電子)を効率よく外部へ取り出す必要があり、集電電極であるグリッド電極の抵抗値を下げることが重要であるため、従来では、グリッド電極の断面積を大きくするように考慮されていた。一方、太陽電池の受光面積を損なわないためには、表面側の電極線を細くすることも考慮される。そのため、太陽電池の表面側に形成される電極は、細くそして高く形成する必要があった。このような構造の表面側の電極線を形成する方法として、従来では、同じ場所にスクリーン印刷を複数回繰り返し行う方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。また、スクリーン印刷特有のメッシュ形状を転写することによる厚みのバラツキを抑制しつつ電極線を狭くかつ厚く形成するように、グラビアオフセット印刷を複数回繰り返し行う方法も提案されている(たとえば、特許文献2参照)。
しかしながら、上記従来の技術のように、導電性ペーストを繰り返して印刷することによって形成される電極にあっては、版と被印刷物との位置精度の誤差による重ねずれが生じる。そのため、重ねた電極部分は幅が広くなり、受光面積が減少してしまうという問題点があった。また、導電性ペーストは主導電材として、銀や金などの貴金属を用いているために高価であり、不必要な部分に塗布することは生産性を低下させるという問題点もあった。
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、光起電力装置の受光面側の受光面積の減少を従来に比して削減することができる電極構造を有する光起電力装置とその製造方法を得ることを目的とする。また、光起電力装置の受光面側の電極の製造に当たって導電性ペーストに含まれる貴金属の無駄を抑えることができる構造の光起電力装置とその製造方法を得ることも目的とする。
上記目的を達成するため、この発明にかかる光起電力装置は、第1の導電型の拡散層が第1の主面側に形成された第2の導電型の半導体基板と、前記第1の主面上に第1の方向に延在して平行に形成され、前記半導体基板で生じた電流を集電する複数のグリッド電極と、前記第1の主面上に第2の方向に形成され、前記グリッド電極で集電される電流を外部に取り出すバスバー電極と、前記半導体基板の第2の主面側に形成され、前記半導体基板で生じた電流を集電すると共に外部に取り出す裏面電極と、を備える光起電力装置において、前記グリッド電極は、先端部の前記第1の方向に垂直な断面積が、前記バスバー電極との接続部における断面積よりも小さいことを特徴とする。
この発明によれば、グリッド電極の断面積をその位置での電流密度に合わせて変えるようにしたので、より具体的にはグリッド電極のバスバー電極との接続部の断面積に比して先端部の断面積を小さくするようにしたので、グリッド電極のバルク抵抗成分による電圧降下を抑制しながら、従来に比して受光面積を増やすことができる。その結果、光起電力装置の発電効率が増大するという効果を有する。さらに、バスバー電極から比較的離れたグリッド電極の断面積を小さくすることによって、消費される導電性ペースト材を削減できるので、生産性が向上するという効果も有する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる光起電力装置とその製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態では、光起電力装置として太陽電池を例に挙げて説明を行うが、この発明がこれらの実施の形態により限定されるものではない。また、以下の実施の形態で用いられる太陽電池の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。
実施の形態1.
図1−1〜図1−3は、太陽電池の全体構成の一例を模式的に示す図であり、図1−1は太陽電池の上面図であり、図1−2は太陽電池の裏面図であり、図1−3は図1−1のA−A断面図である。太陽電池10は、半導体基板としてのP型シリコン基板(以下、単にシリコン基板ともいう)12と、このP型シリコン基板12の一方の主面(受光面)側の表面にN型の不純物を拡散させたN型拡散層13と、他方の主面(裏面)側の表面にシリコン基板12よりも高濃度にP型の不純物を含んだP+層14と、を含む光電変換層11を備える。
図1−1〜図1−3は、太陽電池の全体構成の一例を模式的に示す図であり、図1−1は太陽電池の上面図であり、図1−2は太陽電池の裏面図であり、図1−3は図1−1のA−A断面図である。太陽電池10は、半導体基板としてのP型シリコン基板(以下、単にシリコン基板ともいう)12と、このP型シリコン基板12の一方の主面(受光面)側の表面にN型の不純物を拡散させたN型拡散層13と、他方の主面(裏面)側の表面にシリコン基板12よりも高濃度にP型の不純物を含んだP+層14と、を含む光電変換層11を備える。
また、太陽電池10は、光電変換層11の受光面への入射光の反射を防止する反射防止膜15と、光電変換層11で発電された電気を局所的に集電するために受光面に所定のピッチで複数平行に設けられる銀などからなるグリッド電極21と、グリッド電極21で集電された電気を外部に取り出すためにグリッド電極21にほぼ直交して設けられる銀などからなるバスバー電極22と、光電変換層11で発電された電気の集電と光電変換層11を透過した入射光の反射を目的としてP型シリコン基板12の裏面のほぼ全面に設けられるアルミニウムなどからなる裏側集電電極31と、この裏側集電電極31に生じた電気を外部に取り出す銀などからなる裏側取出電極32と、を備える。なお、光電変換層11の受光面側には、入射光を効率よく光電変換層11内に導くために、数μm〜数十μmの凹凸を有するテクスチャ構造が一般的に形成されている。また、受光面側(表面側)のグリッド電極21とバスバー電極22とを合わせて、以下では、表面電極20ともいい、裏面側の裏側集電電極31と裏側取出電極32とを合わせて、以下では、裏面電極30ともいう。
このように構成された太陽電池10では、太陽光が太陽電池10の受光面側からPN接合面(P型シリコン基板12とN型拡散層13との接合面)に照射されると、ホールと電子が生成する。PN接合面付近の電界によって、生成した電子はN型拡散層13に向かって移動し、ホールはP+層14に向かって移動する。これにより、N型拡散層13に電子が過剰となり、P+層14にホールが過剰となる結果、光起電力が発生する。この光起電力はPN接合を順方向にバイアスする向きに生じ、N型拡散層13に接続した表面電極20がマイナス極となり、P+層14に接続した裏面電極30がプラス極となって、図示しない外部回路に電流が流れる。
図2−1は、図1−1の表面電極の一部拡大図であり、図2−2は、図2−1のB−B断面図である。これらの図に示されるように、この実施の形態1のグリッド電極21は、先端部の断面積がバスバー電極22との接続部の断面積よりも小さくなるように構成されている。より望ましくは、グリッド電極21は、バスバー電極22から先端部に向かうにしたがって、その断面積が減少するように構成される。つまり、バスバー電極22から先端部に向かうにしたがって、グリッド電極21の幅と高さがともに減少するように構成される。なお、ここで挙げた例では、グリッド電極21の幅と高さともに減少する場合を示しているが、その必要はなく、いずれか一つでもバスバー電極22から離れるにしたがって減少する構造であればよい。
図3は、グリッド電極のバスバー電極からの距離と、その位置におけるグリッド電極の断面を通る電流密度との間の関係を示す図である。バスバー電極22から見てグリッド電極21の先端よりも遠方の受光面で発生した電子は、主にグリッド電極21の先端部で集電されるため、グリッド電極21の先端部分の電流密度は0ではない。
グリッド電極21の先端からバスバー電極22へ近づくと(グリッド電極21上の任意の位置では)、図1−1や図2−1に示されるように、グリッド電極21に隣接して他のグリッド電極21が平行に配置されているため、グリッド電極21のある位置が集電する受光面の面積は、どの位置を取っても同じである。また、グリッド電極21上のある位置での電流密度は、そのグリッド電極21の先端から、その位置までのグリッド電極21が集電した電流の累積であるため、グリッド電極21先端からバスバー電極22の近傍(x1)までの領域では、バスバー電極22からの距離と電流密度との間の関係は線形となる。
しかし、バスバー電極22の近傍(バスバー電極22からの距離が0〜x1までの範囲)の受光面で発生した電子は、バスバー電極22とグリッド電極21とによって集電される。そのため、この領域のグリッド電極21のある位置が集電する受光面の面積は、グリッド電極21上の他の位置に比べて少なくなり、バスバー電極22からの距離と電流密度の関係は線形からずれる。
以上のように、グリッド電極21の先端部近傍においては、グリッド電極21を通る電流密度は小さく、バスバー電極22に近づくほどグリッド電極21を通る電流密度は大きくなる。つまり、グリッド電極21の先端部近傍では、電流密度が小さいために、グリッド電極21の断面積を小さくして電気抵抗を大きくしても、電圧低下の影響は小さい。しかし、バスバー電極22の近傍においては、グリッド電極21の先端部からの電流が累積して流れ、電流密度が大きくなるために、それに応じてグリッド電極21の断面積を大きくして電気抵抗を小さくし、電圧低下の影響を抑えなければならない。
より具体的には、光によって励起された電子の発生場所から外部端子とつながるバスバー電極22までの電気抵抗は、(1)励起された電子の発生場所から近隣のグリッド電極21までのN型拡散層13の電気抵抗と、(2)N型拡散層13とグリッド電極21との間の接触電気抵抗と、(3)グリッド電極21からバスバー電極22までのグリッド電極21のバルク電気抵抗と、の和となる。ここで、電極の断面積を、その位置での電流密度に合わせた大きさにして(3)のバルク電気抵抗を小さくすると、(1)と(2)の抵抗成分による影響が支配因子となる。すなわち、グリッド電極21のバスバー電極22からの位置に応じた断面積とすることによって、(3)のグリッド電極21のバルク電気抵抗成分による電圧降下を抑制することができる。
そこで、グリッド電極21の先端部近傍の断面積を、バスバー電極22との接続部近傍の断面積よりも小さく形成する。これによって、グリッド電極21の先端部近傍では、電流密度が小さいので、グリッド電極21の断面積を比較的小さくしても、ジュール熱として排出される損失が小さく、電圧低下の影響を小さくすることができる。また、バスバー電極22に比較的近いグリッド電極21の位置では、グリッド電極21の断面積をその先端部近傍の断面積よりも大きくすることで、電気抵抗を小さくし、電圧低下の影響を小さくすることができる。
以上のようなグリッド電極21の構造によって、グリッド電極21の先端部近傍では、バスバー電極22近傍に比べて断面積が小さくなるので、グリッド電極21の形成に必要な導電性材料の使用量を抑えることができる。また、グリッド電極21の先端部近傍に向かうにつれて、グリッド電極21の幅を狭くすることで断面積を減少させれば、受光面積が従来に比して増加し、光電変換効率の増加に資することになる。
つぎに、このような構造の太陽電池10の製造方法について説明する。図4−1〜図4−7は、この実施の形態1による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である。
まず、P型シリコン基板12を用意する(図4−1)。シリコン基板12としては、単結晶基板でも多結晶基板でもよい。たとえば、多結晶シリコン基板の場合には、多結晶シリコンインゴットからマルチワイヤソーでスライスしたものを、酸またはアルカリ溶液を用いたウェットエッチングでスライス時のダメージを除去して製造する。なお、ダメージ除去と同時に、またはそれに続いて、テクスチャ構造を形成する場合も多い。これはシリコン基板12に入射する光を効率的に内部に吸収させるための方策として、シリコン基板12の表面に凹凸形状を設けるものである。
ついで、ダメージ除去後のシリコン基板12を熱酸化炉へ投入し、N型の不純物としてのリン(P)の雰囲気下で加熱し、シリコン基板12表面にリンを拡散させ、導電型を反転させたN型拡散層13を形成する(図4−2)。ここではリン雰囲気の形成にオキシ塩化リン(POCl3)を用いて、800〜850℃で拡散させる。また、特に工夫の無い場合には、N型拡散層13はP型シリコン基板12の全面に形成される。その後、オキシ塩化リン蒸気の存在下で加熱して生じたリンガラス層をフッ酸溶液中で除去する。
ついで、P型シリコン基板12の受光面となる主面にレジストを塗布して保護した後、エッチングによって、レジストで保護した一主面のみにN型拡散層13を残すように、P型シリコン基板12の他の表面に形成されたN型拡散層13を除去する。その後、レジストを有機溶剤などを用いて除去する。これによって、受光面側にのみN型拡散層13が形成されたP型シリコン基板12が得られる(図4−3)。
その後、反射防止膜15として、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって、N型拡散層13の表面にSiN膜を形成する(図4−4)。膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、反射防止膜15として、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。また、スパッタ法など異なる成膜方法によって形成してもよい。
ついで、アルミニウムの混入したペーストをシリコン基板12の裏面の裏側取出電極32形成位置以外の全面にスクリーン印刷法で印刷して裏側集電電極形成層33を形成する。また、銀などを混入したペーストをシリコン基板12の裏面の所定の位置(裏側取出電極32形成位置)にスクリーン印刷法で印刷して裏側取出電極形成層34を形成する(図4−5)。
その後、銀などを混入したペーストをシリコン基板12の表面に櫛形にグラビアオフセット印刷法で印刷し、表面電極形成層を形成する。ここで、表面電極形成層の形成方法について詳細に説明する。図5は、グラビアオフセット印刷装置の構成の一例を模式的に示す図である。このグラビアオフセット印刷装置100は、基台101上に、印刷対象のシリコン基板12を載置し基台101上を移動させるコンベア102と、第1〜第n(nは2以上の自然数)の印刷ユニット110−1〜110−nと、シリコン基板12のアライメントを検出するCCD(Charge-Coupled Device)カメラ104などを有する位置合わせ手段103と、を備える。
各印刷ユニット110−1〜110−nは、印刷するグリッド電極21の形状に凹部が形成された印刷パターンとしての版胴111と、版胴111に導電性ペーストを供給するディスペンサ112と、版胴111の凹部に供給された導電性ペーストを掻き取るドクター刃113と、版胴111に供給された導電性ペーストを受理しコンベア102上に載置されたシリコン基板12上に転写するブランケット胴114と、を有する。版胴111とブランケット胴114とは、円柱状の構造を有し、円柱の上下面の中心を通る軸が互いに平行となるように配置されるとともに、その側面の一部が互いに接するように配置されている。なお、以下では、nが2の場合、すなわち第1と第2の印刷ユニットの2つの印刷ユニットからなる場合について説明する。
第1の印刷ユニット110−1の版胴111には、シリコン基板12上に形成されるグリッド電極21の長さが第1の長さとなるように、第1の方向に延在した複数の第1の溝が平行に形成されている。また、第2の印刷ユニットの版胴111には、第1の長さよりも短い第2の長さの複数の第2の溝が第1の方向に延在して平行に、そして第1の溝の形成位置と重なるように形成されている。なお、第2の溝の第1の方向の中心を、第1の溝の第1の方向の中心に合わせるように印刷が行われる。また、第1と第2の印刷ユニットの版胴111には、第1の方向とは異なる第2の方向、たとえば第1と第2の溝に直交する方向にバスバー電極22となる第3の溝も形成されている。
ディスペンサ112から供給される導電性ペーストは、主導電材として、銀、金、銅、白金、パラジウム、ニッケルおよびこれらの混合物のいずれかからなる導電性金属粉末と、テルピネオールなどの溶剤と、バインダ樹脂と、ガラス粉末などとを加えて攪拌、分散させることによって得られる。バインダ樹脂は、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エチルセルロースなどを用いることができる。また、ガラス粉末としては、シリコン、ホウ素、鉛、亜鉛、ナトリウムの酸化物の混合物などを用いることができる。
このような構造のグラビアオフセット印刷装置100のコンベア102上に、図4−5までに示した裏側集電電極形成層33と裏側取出電極形成層34を形成したシリコン基板12を、表面を上側に向けて配置し、シリコン基板12を第1の印刷ユニット110−1まで移動させる。第1の印刷ユニット110−1では、回転する版胴111にディスペンサ112から導電性ペーストが供給され、過剰な導電性ペーストはドクター刃113で掻き取られる。また、版胴111の回転とともに、ブランケット胴114も回転し、版胴111に形成されたパターンは、ブランケット胴114と接触する位置でブランケット胴114に受理される。そして、ブランケット胴114に受理されたパターンは、ブランケット胴114の下方をコンベア102とともに移動するシリコン基板12の表面に転写される(図4−6)。これによって、グリッド電極21の形成方向には第1の長さを有する第1の転写パターン23−1が形成される。第1の転写パターン23−1は、グリッド電極のパターン21Aと、バスバー電極のパターン22Aと、を有し、すべての位置で同じ高さを有している。
その後、シリコン基板12を第2の印刷ユニットまで移動させる。第2の印刷ユニットでも、回転する版胴111にディスペンサ112から導電性ペーストが供給され、過剰な導電性ペーストはドクター刃113で掻き取られる。また、版胴111の回転とともに、ブランケット胴114も回転し、版胴111に形成されたパターンは、ブランケット胴114と接触する位置でブランケット胴114に受理される。そして、ブランケット胴114に受理されたパターンは、ブランケット胴114の下方をコンベア102とともに移動する第1の転写パターン23−1が形成されたシリコン基板12上に転写される(図4−7)。これによって、グリッド電極21の形成方向には、第1の長さよりも短い第2の長さを有する第2の転写パターン23−2が形成される。この第2の転写パターン23−2も、グリッド電極のパターン21Bと、バスバー電極のパターン22Aと、を有し、すべての位置で同じ高さを有している。
図6は、第2の転写パターンを形成後のシリコン基板の上面を模式的に示す図である。この図に示されるように、第2の転写パターン23−2は第1の転写パターン23−1に重ねて印刷されるが、重ねて印刷する場合には、位置合わせをしたとしても、必然的に重ねずれが生じてしまうので、グリッド電極21の転写パターンは幅方向に太ることになる。しかし、図4−6〜図4−7に示したように、この実施の形態1では、グリッド電極21として最初に第1の長さを有する第1の転写パターン23−1を形成し、その上に第1の長さよりも短い第2の転写パターン23−2を形成するようにしたので、グリッド電極21の先端部付近は、第1の転写パターン23−1のみとなる。つまり、グリッド電極21の先端部付近は、転写パターンの重なりがないためにバスバー電極22近傍と比べて、細く、厚みも少ない。その結果、グリッド電極21は、バスバー電極22から先端部に向かうにしたがって、幅と高さが減少することになり、断面積も減少する。
特に、グリッド電極21の先端部分は、集電電極の端部に当たるため、重ね合わせ精度を高めることは困難で、先端部分を重ねて印刷した場合には、先端部分で重ねずれが顕著に現れ、受光面積を大きく削減してしまい、発電効率を劣化させてしまう原因となる。これに対して、この実施の形態1では、グリッド電極21の先端部分を重ねて印刷しないようにしたので、その部分での重ねずれが生じず、受光面積の減少を抑えることができる。
以上のようにして表面電極20の基となるパターンを形成した後、シリコン基板12の焼成処理を実施する。焼成処理は、たとえば、大気雰囲気中、760℃で実施し、表面には表面電極20が形成され、裏面には裏面電極30が形成される。このとき、表面電極20は、接合部分において、反射防止膜15を突き抜けN型拡散層13とコンタクトする。これによって、N型拡散層13は表面電極と良好な抵抗性接合を得ることができる。また、裏面に形成されたアルミニウムの混入したペーストからアルミニウムがシリコン基板12中に拡散し、シリコン基板12の裏面側にBSF(Back Surface Field)機能を有するP+層14を形成するとともに、P+層14の形成に使用されなかったペースト中のアルミニウムは、裏側集電電極31となる。以上の工程によって、先端部の断面積がバスバー電極22との接続部の断面積よりも小さい構造のグリッド電極21を有する太陽電池10が作製される。
なお、上述した説明では、2回の印刷によって、先端部に行くほど断面積の減少するグリッド電極21を形成する場合を示したが、3回以上の印刷を行って、先端部に行くほど断面積の減少するグリッド電極21を形成するようにしてもよい。この場合には、回数が多くなるほど、グリッド電極21方向の長さが短くなるようなパターンを設ければよい。また、同じパターンを用いた印刷は1回に限られることはなく、複数回行ってもよい。
つぎに、この実施の形態1の方法によって作製した太陽電池10を、従来の方法で作製した太陽電池と比較した実験結果について説明する。表面電極形成用の導電性ペーストとして、鱗片状銀粉末と、シリコン、鉛および亜鉛の酸化物からなるガラス粉末と、アクリル樹脂と、テルピネオールとを含む粘度50Pの導電性ペーストを用いる。また、印刷ユニット110のブランケット胴114としては、表面硬度がJIS−A硬度で5のものを使用し、複数の印刷ユニット110を用いて4回表面電極を印刷した。
ここで、この実施の形態1に対応する実施例では、グリッド電極21にあたる幅を50μmとし、バスバー電極22からグリッド電極21の先端部までに相当する長さを18mmとした第1の凹版パターンを有する第1の印刷ユニットの版胴(凹版)と、グリッド電極21にあたる幅を50μmとし、バスバー電極22からグリッド電極21の先端部までに相当する長さを15mmとした第2の凹版パターンを有する第2の印刷ユニットの版胴(凹版)と、グリッド電極21にあたる幅を50μmとし、バスバー電極22からグリッド電極21の先端部までに相当する長さを12mmとした第3の凹版パターンを有する第3の印刷ユニットの版胴(凹版)と、グリッド電極21にあたる幅を50μmとし、バスバー電極22からグリッド電極21の先端部までに相当する長さを9mmとした第4の凹版パターンを有する第4の印刷ユニットの版胴(凹版)と、のいずれか2つを用いて、またはすべてを用いて表面電極の印刷を4回行った。
また、比較例として、第1の印刷ユニットの版胴(凹版)のみを用いて4回重ね印刷を行ったものと、グリッド電極21にあたる凹版の幅は30μmとし、バスバー電極22からグリッド電極21の先端部までに相当する長さを18mmとした第5の凹版パターンを有する第5の印刷ユニットの版胴(凹版)のみで4回の重ね印刷を行ったものを用意した。なお、第5の凹版パターンでは、印刷重ねずれを加味したグリッド電極21の幅を実施例のグリッド電極21の先端部近傍と同等とするために、第1〜第4の印刷ユニットの版胴の場合に比して細くしている。
図7は、実施例と比較例による表面電極の印刷の方法を示す図である。実施例1〜3では、第1の凹版パターンで2回重ね印刷をした後、それぞれ第2〜第4の凹版パターンで2回重ね印刷をした。また、実施例4,5では、第1の凹版パターンを1回印刷した後、それぞれ第2と第3の凹版パターンで3回重ね印刷をし、実施例6では、第1〜第4の凹版パターンで1回ずつ重ね印刷をした。さらに、比較例1では、第1の凹版パターンで4回の重ね印刷を行い、比較例4では、第5の凹版パターンで4回の重ね印刷を行った。
図7のように、凹版パターンを用いて、所定の回数導電性ペーストを表面に印刷したシリコン基板12を、800℃で焼成して、太陽電池10を形成した。そして、作製したそれぞれの太陽電池10について、グリッド電極21の形状(幅と断面積)と発電効率を測定した。
図8は、実施例と比較例の太陽電池のグリッド電極の形状と発電効率の測定結果を示す図である。この図に示されるように、実施例1〜6は、比較例1,2と比べて、グリッド電極21の先端部の幅と断面積は、バスバー電極22近傍の幅と断面積に比べて小さくなっている。概略的には、グリッド電極21はバスバー電極22との接続部から先端部に向かうにしたがってグリッド電極21の幅と断面積が減少する傾向にあり、発電効率も高くなっている。また、実施例1〜6の中でも、グリッド電極21でのバスバー電極22に近い領域での重ね印刷回数を減らしてグリッド電極21の幅、断面積を減らした実施例1,2,4の発電効率は特に高くなっている。また、実施例1〜6を比較例1,2と比較することで、グリッド電極21は、図3に示したバスバー電極22からの距離とグリッド電極21の電流密度の間の関係から、グリッド電極21のバルクの抵抗値が所定値以下となるようにそれぞれの位置での断面積を取ることが好ましい。さらに、比較例1と比べ、いずれの実施例においても、消費される導電性ペーストは削減することができ、生産性の向上が見込める。
この実施の形態1によれば、断面積がバスバー電極22から離れるにしたがって減少するようにグリッド電極21を構成したので、従来構造の太陽電池と比較して、グリッド電極21の先端部分ほど受光面積を大きくし、変換効率を向上させることができるという効果を有する。また、表面電極20に使用する貴金属を含む導電性ペーストの量を、従来の製造方法に比して低減することができるので、太陽電池10の製造コストを低下させ、歩留まりが向上するという効果も有する。
実施の形態2.
実施の形態1で示した例は、グリッド電極の幅を一定とし、高さをバスバー電極から離れるにしたがって減少させる場合であった。この実施の形態2では、グリッド電極の高さだけでなく幅もバスバー電極から離れるにしたがって減少させる場合について説明する。
実施の形態1で示した例は、グリッド電極の幅を一定とし、高さをバスバー電極から離れるにしたがって減少させる場合であった。この実施の形態2では、グリッド電極の高さだけでなく幅もバスバー電極から離れるにしたがって減少させる場合について説明する。
図9−1は、実施の形態2によるグリッド電極の構造の一例を示す一部平面図であり、図9−2は、図9−1のC−C断面図である。この実施の形態2では、グリッド電極21の幅と高さがともに、バスバー電極22から離れるにしたがって減少するようにしている。つまり、バスバー電極22との接続部付近のグリッド電極21の幅と高さはそれぞれWbとHbであるが、グリッド電極21の先端部付近に向かうにつれてそれぞれの幅Wと高さHは減少して行き、先端部でグリッド電極21の幅と高さはそれぞれWt(<Wb)とHt(<Hb)となる。これによって、断面積の減少の割合を実施の形態1の場合に比して、より大きくすることが可能となる。
このような構造のグリッド電極21の形成にあたっては、バスバー電極22の形成位置から先端部に向けて幅および深さが減少する版胴を用いることによって形成することができる。なお、ここでは、この版胴を用いて1回の印刷を行うものとする。
つぎに、この実施の形態2の方法で製造した太陽電池10の評価結果について説明する。図10は、実施例による表面電極の印刷方法を示す図である。ここでは、グラビアオフセット印刷に用いた版胴に設けられるグリッド電極21に対応する凹部の溝の幅と深さ、より具体的には、図10で示したようにグリッド電極21の先端部に対応する凹部の溝の幅と深さと、バスバー電極22との接続部に対応する凹部の溝の幅と深さを変えて印刷を行った。なお、これらの実施例7〜9では、図10に示される凹版パターンが形成された版胴を有する印刷ユニットを1つ用いて1回の印刷を行った。
図11は、実施例による太陽電池のグリッド電極の形状と発電効率の測定結果を示す図である。この図に示されるように、実施例7〜9では、グリッド電極21の幅と断面積がともにバスバー電極22から先端部に向かうにつれて減少している。また、実施の形態1で示した比較例1,2と比較して、発電効率も高くなっている。
なお、上述した説明では、1つの版胴を用いて1回の印刷を行う場合を示したが、1つの版胴を用いて複数回の印刷を行ってもよいし、実施の形態1のようにバスバー電極22の形成位置から先端部に向けて幅および深さが減少し、長さが異なる2つ以上の版胴を用いて印刷を行ってもよい。このようにグリッド電極21の先端部付近ほど、電極を細らせることで、重ね塗りでずれが生じてしまっても、幅が同じ太さのパターンを印刷する場合に比して、グリッド電極21の先端部分での重ね塗りの失敗によるパターンの太りを抑えることができる。
この実施の形態2によっても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
実施の形態3.
上述した実施の形態1,2では、グラビアオフセット印刷法を用いて、表面電極の電極パターンを複数回印刷した後に焼成するようにしていた。しかし、この発明の太陽電池の表面電極がグラビアオフセット印刷法を用いてのみ形成されるものではなく、バスバー電極22との接続部分から先端部分に向けて断面積が減少するグリッド電極21を形成することができるものであればどのような方法で表面電極の電極パターンを形成してもよい。
上述した実施の形態1,2では、グラビアオフセット印刷法を用いて、表面電極の電極パターンを複数回印刷した後に焼成するようにしていた。しかし、この発明の太陽電池の表面電極がグラビアオフセット印刷法を用いてのみ形成されるものではなく、バスバー電極22との接続部分から先端部分に向けて断面積が減少するグリッド電極21を形成することができるものであればどのような方法で表面電極の電極パターンを形成してもよい。
たとえば、スクリーン印刷法を用いて複数回印刷することによっても実施の形態1,2と同様の太陽電池10を得ることもできる。たとえば実施の形態1のように、スクリーン印刷の版の形状を上に印刷する版ほど、バスバー電極22との接続部から先端部までの長さを短くしたり、また実施の形態2のように、スクリーン印刷の版の形状を上に印刷する版ほど、バスバー電極22との接続部から先端部までの長さを短くし、かつバスバー電極22に接続している部分のグリッド電極21に相当するスクリーン印刷版の幅と比較し、グリッド電極21先端部に相当するスクリーン印刷版の先端を減少させたりしたものを用いればよい。その結果、バスバー電極22から離れるにしたがって断面積が減少する形状の表面電極を有し、実施の形態1,2と同様に高い発電効率を有する太陽電池が得られる。
以上のように、この発明にかかる太陽電池の製造方法は、貴金属を有する導電性ペーストを用いて表面電極を形成する場合に有用である。
10 太陽電池
11 光電変換層
12 シリコン基板
13 N型拡散層
14 P+層
15 反射防止膜
20 表面電極
21 グリッド電極
22 バスバー電極
30 裏面電極
31 裏側集電電極
32 裏側取出電極
100 グラビアオフセット印刷装置
101 基台
102 コンベア
110−1〜110−n 印刷ユニット
111 版胴
112 ディスペンサ
113 ドクター刃
114 ブランケット胴
11 光電変換層
12 シリコン基板
13 N型拡散層
14 P+層
15 反射防止膜
20 表面電極
21 グリッド電極
22 バスバー電極
30 裏面電極
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32 裏側取出電極
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110−1〜110−n 印刷ユニット
111 版胴
112 ディスペンサ
113 ドクター刃
114 ブランケット胴
Claims (12)
- 第1の導電型の拡散層が第1の主面側に形成された第2の導電型の半導体基板と、
前記第1の主面上に第1の方向に延在して平行に形成され、前記半導体基板で生じた電流を集電する複数のグリッド電極と、
前記第1の主面上に第2の方向に形成され、前記グリッド電極で集電される電流を外部に取り出すバスバー電極と、
前記半導体基板の第2の主面側に形成され、前記半導体基板で生じた電流を集電すると共に外部に取り出す裏面電極と、
を備える光起電力装置において、
前記グリッド電極は、先端部の前記第1の方向に垂直な断面積が、前記バスバー電極との接続部における断面積よりも小さいことを特徴とする光起電力装置。 - 前記グリッド電極は、前記バスバー電極の接続部から前記先端部に向かうにしたがって断面積が減少することを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。
- 前記グリッド電極は、高さと幅の少なくとも一方を変えることによって前記断面積を異ならせることを特徴とする請求項1または2に記載の光起電力装置。
- 第1の導電型の拡散層が第1の主面側に形成された第2の導電型の半導体基板の第2の主面上に導電性ペーストを塗布して裏面電極となる裏面電極形成層を形成し、前記第1の主面上に第1の方向に複数平行に延在するグリッド電極となるグリッド電極形成層と、第2の方向に延在し、前記グリッド電極間を接続するバスバー電極となるバスバー電極形成層とを形成し、焼成して光起電力装置を製造する光起電力装置の製造方法において、
前記グリッド電極形成層の先端部の前記第1の方向に垂直な断面積が、前記バスバー電極形成層との接続部での断面積に比して小さくなるように、前記グリッド電極形成層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 前記グリッド電極形成層の断面積が前記バスバー電極形成層との接続部から前記先端部に向かうにしたがって減少するように、前記グリッド電極形成層を形成することを特徴とする請求項4に記載の光起電力装置の製造方法。
- 銀、金、銅、白金、パラジウムおよびニッケルからなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む導電性ペーストを印刷パターンを用いて印刷して、前記グリッド電極形成層を形成することを特徴とする請求項4または5に記載の光起電力装置の製造方法。
- 幅が同じで、上に印刷する前記印刷パターンほど前記バスバー電極形成層との接続部から前記先端部までの長さが短くなる前記印刷パターンを複数用いて、前記グリッド電極形成層を2回以上重ねて印刷を行うことを特徴とする請求項6に記載の光起電力装置の製造方法。
- 前記バスバー電極形成層との接続部から前記先端部に向かって幅と高さが減少する前記印刷パターンを用いて1回印刷または複数回印刷を行うことを特徴とする請求項6に記載の光起電力装置の製造方法。
- 上に印刷する前記印刷パターンほど、幅と高さと前記バスバー電極形成層との接続部から前記先端部までの距離が減少していく前記印刷パターンを複数用いて、前記グリッド電極形成層を2回以上重ねて印刷を行うことを特徴とする請求項6に記載の光起電力装置の製造方法。
- 前記グリッド電極形成層は、前記バスバー電極形成層と同時に印刷されることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。
- 前記グリッド電極形成層は、前記バスバー電極形成層と別々に印刷されることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。
- 前記印刷パターンは、グラビアオフセット印刷法またはスクリーン印刷法によって形成されることを特徴とする請求項6〜11のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。
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-
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