JP2010123759A - 太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】にじみの少ない高精細なパターンの電極を有して光電変換特性に優れる太陽電池セルの製造を可能とする太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法を得る。
【解決手段】第１導電型の半導体基板の一面側に、レーザー照射による加工が可能な第１マスク膜を形成する工程と、レーザー耐性を有する第２マスクを前記第１マスク膜上における電極形成領域に選択的に形成する工程と、前記半導体基板の一面側にレーザー照射を行い、前記半導体基板に達する開口部を前記第１マスク膜に形成して第１マスクを形成する工程と、前記第２マスクを除去する工程と、前記第１マスクをエッチングマスクとして前記半導体基板の一面側に対してウェットエッチングによる等方性エッチングを行って、前記半導体基板の一面側における前記開口部に対応した位置に凹部を形成する工程と、前記第１マスクを除去する工程と、を含む。
【選択図】 図１−１

Description

本発明は、太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法に関するものである。

従来の太陽電池セルは、例えばｐ型多結晶シリコン基板の表面側の表面全体にｎ型の拡散層が形成され、該ｎ型の拡散層の受光面側にテクスチャーと呼ばれる微小な凹凸と表面電極とが設けられている。この微細な凹凸は、外部から太陽電池セルに入射した光の反射を抑えて閉じ込め、光を電気に変換する光電変換効率を向上させるために形成されたものである。微小な凹凸上には、反射防止膜として例えばシリコン窒化膜が形成されている。また、多結晶シリコン基板の裏面側には、裏面電極が設けられている。

このような太陽電池セルは、以下のようにして作製されている。まず、アルカリ溶液とアルコールとの混合液を用いたウェットエッチングプロセス、または反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）法を用いたドライエッチングプロセスを用いて、ｐ型多結晶シリコン基板の表面に微小な凹凸を形成する。

次に、例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス中において、気相拡散法によりｐ型多結晶シリコン基板にリン酸等を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する。そして、ｐ型多結晶シリコン基板をフッ化水素溶液に浸して表面のガラスを主成分とする膜を除去し、さらに端面と裏面側のｎ型不純物拡散層を除去する。その後、ｐ型多結晶シリコン基板のｎ型不純物拡散層を形成した受光面側に反射防止膜として窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ(化学的気層成長)法により形成する。

次に、ｐ型シリコン基板の受光面と反対側の面に、アルミニウムペーストを裏面電極の形状に印刷法で塗布し、また、ｐ型シリコン基板の受光面に、銀ペーストを受光面電極の形状に印刷法で塗布することで、電極ペースを配置する。そして、このペーストを例えば１５０℃で乾燥した後に例えば７００℃〜８００℃で焼成して表面電極および裏面電極を形成することで太陽電池セルが完成する。

また、上述した微細な凹凸の形成としては、ウェットエッチングプロセスやドライエッチングプロセスを使用する方法の他にも数多くの方法が提案されており、例えばシリコン基板の表面にレーザー光を照射することでＵ字状やＶ字状等の溝を形成し、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−２５８２８５号公報

しかしながら、上記従来の技術によれば、シリコン基板の表面をレーザー光で加工してＵ字状やＶ字状等の溝を形成した後にウェットエッチングで凹凸形成する。このため、単結晶シリコン基板を用いる場合には表面の状態を均一に、一様に加工できる可能性はあるが、多結シリコン晶基板を用いる場合には結晶粒界に起因してレーザー加工精度にばらつきが発生する。形成された溝にばらつきが生じた場合には、ウェットエッチング工程後の凹凸形成においてもそのばらつきが広がる。そして、電極ペーストの印刷面に大きな凹凸が形成されている場合には、その後の印刷による電極形成時において、印刷面の不均一性に起因して印刷面に印刷された電極ペーストがにじみ、形成される電極の線幅が広がる、という問題があった。この電極の線幅の広がりは、受光面積を減少させ、光電変換特性の低下の原因となる。これについては一般的なウェットエッチング法やドライエッチング法でも同様な問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、にじみの少ない高精細なパターンの電極を有して光電変換特性に優れる太陽電池セルの製造を可能とする太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法を得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池用基板の粗面化方法は、第１導電型の半導体基板の一面側に、レーザー照射による加工が可能な第１マスク膜を形成する第１マスク膜形成工程と、レーザー耐性を有する第２マスクを前記第１マスク膜上における電極形成領域に選択的に形成する第２マスク形成工程と、前記半導体基板の一面側にレーザー照射を行い、前記半導体基板に達する開口部を前記第１マスク膜に形成して第１マスクを形成する第１マスク形成工程と、前記第２マスクを除去する第２マスク除去工程と、前記第１マスクをエッチングマスクとして前記半導体基板の一面側に対してウェットエッチングによる等方性エッチングを行って、前記半導体基板の一面側における前記開口部に対応した位置に凹部を形成する凹部形成工程と、前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程と、を含む。

この発明によれば、表銀電極の電極形成領域には微小凹部を形成せずに良好な平坦性を保持し、受光面のみに選択的に微小凹部を形成して太陽電池用基板を粗面化することができる、という効果を奏する。また、このようにして粗面化した太陽電池用基板に対して電極ペーストにより電極を形成することにより、高精細なパターンを有する電極を形成することができ、光電変換特性に優れる太陽電池セルが得られる、という効果を奏する。

以下に、本発明にかかる太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。

実施の形態１．
図１−１〜図１−３は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法により作製した太陽電池セル１の概略構成を示す図であり、図１−１は、太陽電池セル１の要部断面図、図１−２は、受光面側から見た太陽電池セル１の上面図、図１−３は、受光面と反対側から見た太陽電池セル１の下面図である。図１−１は、図１−３の線分Ａ−Ａにおける要部断面図である。

太陽電池セル１は、図１−１〜図１−３に示されるように、第１導電型の半導体基板としてのｐ型シリコン基板１１および該ｐ型シリコン基板１１の表面の導電型が反転した（第２導電型）ｎ型不純物拡散層１２と、高濃度不純物を含んだｐ＋層（ＢＳＦ（Back Surface Field）ともいう）１３と、からなる光電変換機能を有する半導体層部１０と、ｎ型不純物拡散層１２上に設けられて受光面での入射光の反射を防止するシリコン窒化膜からなる反射防止膜１４と、半導体層部１０で発電された電気を集電するために受光面に局所的に設けられる長尺細長形状を有する表銀グリッド電極１５と、表銀グリッド電極１５で集電された電気を取り出すために表銀グリッド電極１５にほぼ直交して設けられる表銀バス電極１６と、半導体層部１０で発電された電気の取り出しと入射光の反射を目的として半導体層部１０の裏面（ｎ型不純物拡散層１２が設けられた受光面と反対側の面）のほぼ全面に設けられた裏アルミニウム電極１７と、裏アルミニウム電極１７に生じた電気を集電する裏銀電極１８と、を備える。なお、表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６をまとめて表銀電極（上部電極）という。また、裏アルミニウム電極１７と裏銀電極１８とにより裏面電極が構成される。

半導体基板としてはｐ型の単結晶もしくは多結晶のシリコン基板を用いることができる。なお、基板はこれに限定されるものではなく、ｎ型のシリコン基板を用いてもよい。また、反射防止膜１４には、シリコン窒化膜の他にシリコン酸化膜などを用いてもよい。

また、太陽電池セル１の半導体基板の受光面側の表面には、テクスチャー構造として微小凹凸形状が形成されている。すなわち、ｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面には、テクスチャー構造として直径５μｍの略半球面状の微小凹部１９が等ピッチで多数形成されており、これによりｎ型不純物拡散層１２の表面にテクスチャー構造が形成されている。この微小凹凸形状は、受光面において外部からの光を吸収する面積を増加し、受光面における反射率を抑え、光を閉じ込める構造となっている。

このような微小凹部１９は、ｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面において、表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域以外の領域に形成されている。すなわち、表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域においては微小凹部１９は形成されておらず、ｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面における表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域は、略平坦な面とされている。

このように構成された太陽電池セル１では、太陽光が太陽電池セル１の受光面側から半導体層部１０のｐｎ接合面（ｐ型シリコン基板１１とｎ型不純物拡散層１２との接合面）に照射されると、ホールと電子が生成する。ｐｎ接合部の電界によって、生成した電子はｎ型不純物拡散層１２に向かって移動し、ホールはｐ＋層１３に向かって移動する。これにより、ｎ型不純物拡散層１２に電子が過剰となり、ｐ＋層１３にホールが過剰となる結果、光起電力が発生する。この光起電力はｐｎ接合を順方向にバイアスする向きに生じ、ｎ型不純物拡散層１２に接続した表銀バス電極１６がマイナス極となり、ｐ＋層１３に接続した裏銀電極１８がプラス極となって、図示しない外部回路に電流が流れる。

上述した実施の形態１にかかる太陽電池セル１は、表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域においては微小凹部１９は形成されておらず、ｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面における表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域は、略平坦な面とされている。これにより、表銀電極の形成時における電極ペーストのにじみが抑制されており、高精細なパターン形状を有する表銀電極が形成されている。特に表銀グリッド電極１５は受光面積を極力広く確保するために長尺細長形状に形成されているが、電極ペーストのにじみが抑制されることで表銀グリッド電極１５も高精細なパターン形状で形成されており、広い受光面積が確保されている。したがって、実施の形態１にかかる太陽電池セル１によれば、広い受光面積が確保され、光電変換特性に優れた太陽電池セルが実現されている。

つぎに、上記の本実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造方法について図２−１〜図２−９を参照して説明する。図２−１〜図２−９は、実施の形態１にかかる太陽電池セル１の製造方法を説明するための断面図である。

まず、半導体基板としてｐ型シリコン基板１１を用意し、該ｐ型シリコン基板１１をフッ化水素や純水で洗浄する。そして、洗浄したｐ型シリコン基板１１の受光面側の表面に第１マスク膜２１ａを形成する（図２−１）。第１マスク膜２１ａは、後のウェットエッチングにおいてマスクとして使用する第１マスク２１を形成するための膜であり、レーザー照射による加工が可能な材料膜が用いられる。このような第１マスク膜２１ａとして、例えばシランとアンモニアとの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの成膜法によってシリコン窒化膜を６０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成する。

次に、レーザー耐性を有する第２マスク２２を第１マスク膜２１ａ上における電極形成領域に選択的に形成する（図２−２）。この電極形成領域は、表銀電極の形成領域、すなわち表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６の形成領域である。第２マスク２２は、表銀電極と同じパターン形状で形成する。第２マスク２２の形成は、ディスペンサー塗布やスプレー塗布、スクリーン印刷法などの方法で形成することができる。その中でも、容易に短時間で大面積の処理が可能であるスクリーン印刷法が好ましい。

この第２マスク２２は、後に形成する表銀電極の寸法に近い微細寸法で形成することが必要であり、レーザー加工に対する耐性も必要である。また、後の除去工程を考えると、マスク除去が容易であることが好ましい。以上のような条件を満たす第２マスク２２の材料としては、例えば樹脂材料を用いることができ、その中でも後の除去を容易にするために低温で加熱分解する樹脂を用いることが好ましい。このような樹脂材料としては、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリアセタール（ＰＡＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチルセルロース、メチルセルロースなどの熱分解後に残渣の残らない樹脂を用いることが好ましい。そして、第２マスク２２を形成する際には、このような樹脂を水または有機溶剤に溶解した樹脂ペーストとして用いる。

第２マスク２２は、表銀電極と同じパターン形状で形成するが、第２マスク２２の幅寸法（短手方向寸法）は、実際の表銀電極の設計電極幅寸法（短手方向幅）より幅広く形成する。これは第２マスク２２の形成時および表銀電極の形成時の機械精度とセルサイズ精度（半導体基板の寸法精度）を含む位置あわせマージンを確保するためである。

例えば第２マスク２２の幅寸法が３００μｍ程度のマスク幅であれば、前述の樹脂ペーストでも第２マスク２２としての機能は十分である。一方、幅寸法の設計値が１００μｍ前後の第２マスク２２を形成する場合には、前述の樹脂ペーストだけではペーストの粘度が不十分であり、ペーストの粘度を高くしてもペーストのチクソ性が低く、印刷後の第２マスク２２の線幅が広がる。第２マスク２２の印刷マスク幅を細く設計した場合には、前述の樹脂ペーストだけでは、第２マスク２２の直線性が低く、波打った線になり、第２マスク２２の厚みも薄くなる。このような場合は、十分なレーザー耐性を有するマスクの形成は不可能である。

そこで、この樹脂ペーストに例えば２μｍ〜１０μｍ程度の粒径を有する粒子（フィラー）を混入して樹脂ペーストのチクソ性を高めることで、高精細な第２マスク２２の形成とレーザー耐性とを両立することができる。これにより、幅１００μｍ以下の高精細な印刷が可能なる。樹脂ペーストの混入する粒子の材料には、金属、セラミックやガラスなど無機材料、樹脂材料などを用いることができる。その中でも、後の第２マスク２２の除去を容易にするためには、樹脂材料の微粒子を用いることが好ましい。樹脂ペーストに混合するフィラーとして樹脂材料の微粒子を用いることにより、加熱除去後の残渣をなくすることができ、洗浄工程が不要となる。

ｐ型シリコン基板１１（第１マスク膜２１ａ）上への第２マスク２２の形成は、後の電極形成工程において再度同じ位置に表銀電極を形成するため、予め設定された所定の位置への印刷が必要である。そこで、樹脂ペーストを印刷するためのスクリーン印刷装置における印刷ステージ（基板保持テーブル）上のｐ型シリコン基板１１のエッジ２辺の３ヶ所に対して固定カメラによって位置合わせを行い、同じくスクリーン印刷装置の既定の位置にセットされるように調整した印刷マスクで樹脂ペーストを印刷する。これにより、予め設定された絶対位置への第２マスク２２の印刷が可能である。

この位置合わせは、カメラ解像度や印刷ステージ（基板保持テーブル）の位置精度にもよるが、高精度の画像認識装置を使用することで例えば５μｍ以下の精度内の位置合わせが可能である。印刷マスクのパターンの幅寸法は、後の電極形成工程において銀を含むペーストの印刷ができるマージンを含めて、電極設計値の１．５倍〜２倍程度の幅寸法とする。これにより、位置精度に対する基板サイズや装置による誤差を吸収することができ、表銀電極の電極パターンとのずれをなくすることができる。

そして、このように所定の位置に樹脂ペーストが印刷されたｐ型シリコン基板１１を乾燥炉内で例えば１５０℃で１０分間程度乾燥する。これにより、ｐ型シリコン基板１１の第１マスク膜２１ａの電極形成領域に、表銀電極と同じパターン形状の第２マスク２２が形成される。

次に、第２マスク２２を形成したｐ型シリコン基板１１を、レーザー装置にセットし、例えばＹＡＧレーザーを用いて直径２μｍのレーザー光を、ｐ型シリコン基板１１上に形成した第１マスク膜２１ａであるシリコン窒化膜に例えば１０μｍピッチで全面に照射する（図２−３）。レーザー光の照射は、ホログラフィク光学素子（ＨＯＥ：Holographic Optical Element）を用いてパターン照射することで照射時間の短縮化を図ることができる。例えば、ＹＡＧレーザー（波長５３２ｎｍ）を用いて、１０μｍピッチ、直径２μｍにＨＯＥでパターン化したレーザー光を照射する。これにより、第１マスク膜２１ａに２μｍ径の開口部２３が形成される。これにより、第１マスク２１が形成される。

また、第２マスク２２はレーザー耐性を有するため、第２マスク２２が保護マクスとして機能する。これにより、第１マスク膜２１ａにおける第２マスク２２の形成された領域の第１マスク膜２１ａにはレーザー光が照射されないため、開口部２３は形成されない。すなわち、第１マスク膜２１ａにおける電極形成領域には開口部２３は形成されない。したがって、第１マスク膜２１ａにおける電極形成領域は、略平坦な面が保持される。これにより、第１マスク２１が形成される。

なお、第２マスク２２を使用せずに第１マスク膜２１ａにおける電極形成領域に開口部２３を形成しないようにレーザー光を高速スピードでＯＮ−ＯＦＦを行って第１マスク２１をパターン化する方法もあるが、この場合はレーザー光を照射するために複雑な制御が必要となり、レーザー加工処理時間の増大、レーザー装置の構造の複雑化、レーザー装置のコストの増大などの問題が生じる。

レーザー光の照射による開口部２３の形成後、第２マスク２２を除去する（図２−４）。第２マスク２２を形成する樹脂ペーストに混入した粒子が無機材料フィラーである場合は、有機溶剤または純水による超音波装置で第２マスク２２の除去を行うことができる。ただし、この場合は、溶剤除去工程、洗浄工程および乾燥工程が必要であり、工程時間が長くなる。

一方、樹脂微粒子を混入した樹脂ペーストにより形成した第２マスク２２の場合は、加熱による樹脂熱分解除去を短時間で行うことが可能である。この場合の熱処理温度は、例えば４５０℃、１分間であり、ベルト搬送やビーム搬送、ベルト搬送の赤外線加熱炉などを用いて、短時間で除去することができる。また、この場合は、洗浄工程が不要である。したがって、第２マスク２２の除去の観点からは、第２マスク２２に用いる樹脂および樹脂フィラーは低温熱分解して残渣のないものが好ましい。

次に、ｐ型シリコン基板１１の受光面側に対して、第１マスク２１をエッチングマスクとして、フッ酸と硝酸との混酸液を用いたウェットエッチングによる等方性エッチングを行う。これにより、第１マスク２１における開口部２３に対応した位置に略半球面状の微小凹部１９が等ピッチで多数形成され、ｐ型シリコン基板１１の表面に微小凹凸形状が形成される（図２−５）。このようなテクスチャー構造をｐ型シリコン基板１１の受光面側に形成することで、太陽電池セル１の表面で光の多重反射を生じさせて、実効的に反射率を低減し、変換効率を向上させることができる。

ここで、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の表面において、電極形成領域以外の領域には微小凹部１９が等ピッチで多数形成され、ｐ型シリコン基板１１の表面に微小凹凸形状が形成される。一方、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の表面における電極形成領域では、第１マスク２１に開口部２３が形成されていないため、微小凹部１９は形成されない。その後、第１マスク２１であるシリコン窒化膜をフッ酸で除去する（図２−６）。

次に、ｐ型シリコン基板１１をオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス中で気相拡散法により高温でリンを熱拡散させて、ｐ型シリコン基板１１の表面層に、リンが拡散されたｎ型不純物拡散層１２を形成して半導体ｐｎ接合を形成する（図２−７）。これにより、ｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面が、微小凹凸形状が形成されたテクスチャー構造とされる。このときに拡散させるリンの濃度は、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガスの濃度および温度雰囲気、加熱時間により制御することが可能である。なお、ｐ型シリコン基板１１の端面と裏面側に形成された不純物拡散層は除去する。

リンの拡散後、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の一面に、すなわちｎ型不純物拡散層１２上に反射防止膜１４を形成する（図２−８）。反射防止膜１４の形成は、例えばプラズマＣＶＤ法により、シランとアンモニアとの混合ガスを用いて窒化シリコン膜を一様な厚みで形成する。この反射防止膜１４は、ｐ型シリコン基板１１の表面のパッシベーション膜としての機能を兼ねている。

次に、ｐ型シリコン基板１１の裏面に、裏面電極である裏アルミニウム電極１７および裏銀電極１８を形成する。裏面電極のうち裏アルミニウム電極１７は、ｐ型シリコン基板１１の裏面のほぼ全体に形成する。裏面電極の形成方法としては、印刷法、インクジェット法、スパッタリング法、蒸着法などの手法を用いることができるが、電極形成の容易さと工程時間との観点からは印刷法が好ましい。

印刷法により裏面電極を形成する場合は、まずｐ型シリコン基板１１の裏面に銀（Ａｇ）ペーストを裏銀電極１８の形状にスクリーン印刷し、例えば１５０℃程度の温度で乾燥させて裏銀電極１８を形成する（焼成前）。次に、ｐ型シリコン基板１１の裏面において銀（Ａｇ）ペーストを印刷していない領域にアルミニウム（Ａｌ）ペーストを裏アルミニウム電極１７の形状にスクリーン印刷し、例えば１５０℃程度の温度で乾燥させて裏アルミニウム電極１７を形成する（焼成前）。

次に、表銀電極である表銀グリッド電極１５および表銀バス電極１６を形成する。表銀電極の形成方法としては、印刷法、インクジェット法、スパッタリング法、蒸着法などの手法を用いることができるが、電極形成の容易さと工程時間との観点からは印刷法が好ましい。

印刷法により表銀電極を形成する場合は、まず反射防止膜１４上の電極形成領域、すなわちｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面に微小凹部１９が形成されていない領域に銀（Ａｇ）ペーストを表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６との形状にスクリーン印刷し、例えば１５０℃程度の温度で乾燥させて表銀グリッド電極１５および表銀バス電極１６を形成する（焼成前）。

銀（Ａｇ）ペーストの印刷位置は、スクリーン印刷装置における印刷ステージ（基板保持テーブル）上に第２マスク２２の印刷のときと同じ方向にｐ型シリコン基板１１を配置し、ｐ型シリコン基板１１のエッジ２辺の３ヶ所に対して固定カメラによって位置合わせすることで、ｐ型シリコン基板１１の絶対位置を合わせることが可能である。これにより、予め設定された絶対位置（電極形成領域）への銀（Ａｇ）ペーストの印刷が可能である。

微小凹部１９の形成のエッチングなどでｐ型シリコン基板１１のサイズが変わると電極形成領域のズレを生じるので、基板縮小量を予めオフセットしておくとよい。また、微小凹部１９と電極形成領域とでは表面凹凸による反射光が変わるため、この反射光の差を画像認識装置により形状で認識して自動で位置合わせすることも可能である。

その後、赤外線焼成炉で例えば７００℃〜８００℃で電極ペーストを焼成する。これにより、表銀電極である表銀グリッド電極１５および表銀バス電極１６、裏面電極である裏アルミニウム電極１７および裏銀電極１８が形成されるとともに、ｐ型シリコン基板１１の裏面側における裏アルミニウム電極１７に接する領域周辺に、裏アルミニウム電極１７からアルミニウムが高濃度に拡散したｐ＋層１３が形成される。また、表銀電極中の銀が反射防止膜１４を貫通して、ｎ型不純物拡散層１２と表銀電極とが電気的に接続する（図２−９）。

以上により、図１−１〜図１−３に示す実施の形態１にかかる太陽電池セルが作製される。なお、電極材料であるペーストの塗布の順番を、受光面側と裏面側とで入れ替えてもよい。

実施例
以上のような実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法により、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのｐ型多結晶シリコン基板を用いて太陽電池セルを作製し、特性を評価した。

第１マスクは、シリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍの膜厚で形成した。第２マスクは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）１５％の水系バインダーに平均粒径５μｍのＰＭＭＡ（アクリル樹脂）粒子を１０％混合した樹脂ペーストをスクリーン印刷法で塗布した。樹脂ペーストの印刷に用いた印刷マスクのパターンは、１４７ｍｍ角の範囲において、表銀グリッド電極の電極形成領域においては幅寸法１２０μｍのパターンを７０本、表銀バス電極の電極形成領域においては幅寸法２．５ｍｍのパターンを２本形成した。樹脂ペーストの塗布後、ｐ型多結晶シリコン基板を１８０℃で１０分間乾燥した。

レーザー処理は、ＹＡＧレーザー（波長５３２ｎｍ）を用いて、１０μｍピッチ、直径２μｍにＨＯＥでパターン化したレーザー光を操作しながら３０秒で照射完了した。第２マスクの除去は、ランプアニール炉で４５０℃、３分間加熱することにより行った。微小凹部の形成は、フッ酸と硝酸との混酸液を用いたウェットエッチングを３分間行い、ｐ型多結晶シリコン基板の表面における電極形成領域以外の領域全面に直径１０μｍ、深さ８μｍの略半球状の微少凹部を形成した。第１マスクの除去は、フッ酸を用いて行った。

ｎ型不純物拡散層を形成後のｐ型多結晶シリコン基板の表面のシート抵抗は、５５Ω／□〜６０Ω／□であった。反射防止膜としては、プラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を８０ｎｍの厚みで形成した。

表銀グリッド電極は、幅６０μｍのマスクで銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷して形成した。これに対して、形成された表銀グリッド電極の幅は８５μｍであり、電極形成領域から外れることなく印刷することができた。表銀バス電極は、幅２．０ｍｍのマスクで銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷して形成した。これに対して、形成された表銀バス電極の幅は２．１ｍｍであり、電極形成領域から外れることなく印刷することができた。以上のようにして実施例１の太陽電池セルを得た。

また比較対象として、第２マスクを形成しないこと以外は実施例１の太陽電池セルと同じプロセスにより太陽電池セルを作製し、太陽電池セルを得た（比較例１）。比較例１の太陽電池セルでは、形成された表銀グリッド電極の幅は９５μｍであり、第２マスクを形成した実施例１の太陽電池セルよりも表銀グリッド電極の幅が広くなった。

このような実施例１および比較例１の太陽電池セルの受光面積を求めた。また、実施例１および比較例１の太陽電池セルを用いて実際に電池を作動させ、太陽電池出力特性を測定して光電変換効率を求めた。その結果、実施例１の太陽電池セルの受光面積は、比較例１の太陽電池セルの受光面積と比較して０．４５％増加した。また、実施例１の太陽電池セルは、短絡電流：３６．０ｍＡ／ｃｍ^２、開放電圧：３３０ｍＶ、光電変換効率：１７．０％であった。比較例１の太陽電池セルは、短絡電流：３４．０ｍＡ／ｃｍ^２、開放電圧：３２９ｍＶ、光電変換効率：１６．７％であった。これにより、実施例１の太陽電池セルでは、比較例１の太陽電池セルと比較して広い受光面積が確保され、また高い光電変換特性を得られていることが分かる。

上述したように、実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、第１マスク２１と第２マスク２２とを用いることにより、表銀電極の電極形成領域には微小凹部１９を形成せずに受光面のみに選択的に微小凹部１９を形成することができ、電極形成領域における微小凹部１９に起因した平坦性の劣化を防止して、電極形成領域を略平坦な面とすることができる。これにより、電極形成領域における電極ペーストの印刷にじみを抑制することができ、高精細なパターン形状を有する表銀電極を形成することができる。特に、表銀グリッド電極１５は受光面積を極力広く確保するために長尺細長形状に形成することが必要であるが、電極ペーストのにじみが抑制されることで表銀グリッド電極１５も高精細なパターン形状で形成することができ、広い受光面積が確保することができる。したがって、実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、広い受光面積が確保された、光電変換特性に優れた太陽電池セルを簡略な工程で効率良く作製することができる。

実施の形態２．
実施の形態２では、電極形成領域と受光面との抵抗値を異ならせる太陽電池セルの製造方法について説明する。実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法は、実施の形態１で説明した太陽電池セルの製造方法において、シリコン基板の洗浄後に低濃度での不純物拡散を行ってシリコン基板の電極形成領域に抵抗値の低いｎ型不純物拡散層を形成し、表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域における電流の流れを良好にする。また、微小凹部１９の形成後に受光面に対して高濃度での不純物拡散を行って、受光面における抵抗値を高くして電子の再結合を防ぎ、太陽電池セルの変換効率を向上させる。以下、実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法について図３−１〜図３−１０を参照して説明する。

最初に半導体基板としてｐ型シリコン基板１１を用意し、該ｐ型シリコン基板１１をフッ化水素や純水で洗浄する。次に、洗浄したｐ型シリコン基板１１をオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス中で気相拡散法により高温でリンを熱拡散させる拡散工程を実施する。この工程では、ｐ型シリコン基板１１の表面層に、実施の形態１の場合よりも低い第１の濃度でリンを拡散させて低抵抗である低抵抗不純物拡散層（第１不純物拡散層）３２を形成して半導体ｐｎ接合を形成する（図３−１）。ここでは、例えばシート抵抗値が２０Ω／□〜３０Ω／□である低抵抗不純物拡散層３２を形成する。なお、ｐ型シリコン基板１１の端面と裏面側に形成された不純物拡散層は除去する。

次に、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の表面に、すなわち低抵抗不純物拡散層３２の表面に第１マスク膜２１ａを形成する（図３−２）。第１マスク膜２１ａとしては、例えばシランとアンモニアとの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの成膜法によってシリコン窒化膜を６０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成する。

次に、レーザー耐性を有する第２マスク２２を第１マスク膜２１ａ上における電極形成領域に選択的に形成する（図３−３）。第２マスク２２は、表銀電極と同じパターン形状で形成する。

次に、第２マスク２２を形成したｐ型シリコン基板１１を、レーザー装置にセットし、例えばＹＡＧレーザーを用いて直径２μｍのレーザー光を、ｐ型シリコン基板１１上に形成した第１マスク膜２１ａであるシリコン窒化膜に例えば１０μｍピッチで全面に照射する（図３−４）。例えば、ＹＡＧレーザー（波長５３２ｎｍ）を用いて、１０μｍピッチ、直径２μｍにＨＯＥでパターン化したレーザー光を照射する。これにより、第１マスク膜２１ａに２μｍ径の開口部２３が形成される。

第２マスク２２はレーザー耐性を有するため、第２マスク２２が保護マクスとして機能する。これにより、第１マスク膜２１ａにおける第２マスク２２の形成された領域の第１マスク膜２１ａにはレーザー光が照射されないため、開口部２３は形成されない。すなわち、第１マスク膜２１ａにおける電極形成領域には開口部２３は形成されない。したがって、第１マスク膜２１ａにおける電極形成領域は、略平坦な面が保持される。これにより、第１マスク２１が形成される。開口部２３の形成後、第２マスク２２を除去する（図３−５）。

次に、ｐ型シリコン基板１１の受光面側に対して、第１マスク２１をエッチングマスクとして、フッ酸と硝酸との混酸液を用いたウェットエッチングによる等方性エッチングを行う。これにより、第１マスク２１における開口部２３に対応した位置に略半球面状の微小凹部１９が等ピッチで多数形成され、ｐ型シリコン基板１１の表面に微小凹凸形状が形成される（図３−６）。

ここで、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の表面において、電極形成領域以外の領域には微小凹部１９が等ピッチで多数形成され、ｐ型シリコン基板１１の表面に微小凹凸形状が形成される。一方、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の表面における電極形成領域では、第１マスク２１に開口部２３が形成されていないため、微小凹部１９は形成されない。その後、第１マスク２１であるシリコン窒化膜をフッ酸で除去する（図３−７）。この状態においては、電極形成領域および微小凹凸形状の凸部の表面には低抵抗不純物拡散層３２が残存する。一方、微小凹凸形状の微小凹部１９の表面は、該微小凹部１９形成時のエッチングにより低抵抗不純物拡散層３２が除去されているため、低抵抗不純物拡散層３２が存在しない。

次に、再度、拡散工程を行う。この工程では、ｐ型シリコン基板１１の受光面に、実施の形態１の場合よりも高い第２の濃度でリンを拡散させて高抵抗である高抵抗不純物拡散層（第２不純物拡散層）３３を形成して半導体ｐｎ接合を形成する（図３−８）。ここでは、シート抵抗値が例えば８０Ω／□〜９０Ω／□である高抵抗不純物拡散層３３を形成する。また、高抵抗不純物拡散層３３の表面は、微小凹凸形状が形成されたテクスチャー構造とされる。したがって、ｐ型シリコン基板１１の表面において、電極形成領域はシート抵抗値が例えば２０Ω／□〜３０Ω／□の低抵抗となり、受光面はシート抵抗値が例えば８０Ω／□〜９０Ω／□の高抵抗となる。なお、ｐ型シリコン基板１１の端面と裏面側に形成された高抵抗不純物拡散層は除去する。

高抵抗不純物拡散層３３の形成後、ｐ型シリコン基板１１の受光面側の一面に、すなわち低抵抗不純物拡散層３２上および高抵抗不純物拡散層３３上に反射防止膜１４を形成する（図３−９）。反射防止膜１４の形成は、例えばプラズマＣＶＤ法により、シランとアンモニアとの混合ガスを用いて窒化シリコン膜を一様な厚みで形成する。

その後、実施の形態１の場合と同様にして、表銀電極である表銀グリッド電極１５および表銀バス電極１６を反射防止膜１４上に形成し、ｐ型シリコン基板１１の裏面に裏面電極である裏アルミニウム電極１７および裏銀電極１８、ｐ＋層１３を形成する。（図３−１０）。

以上により、図３−１０に示す実施の形態２にかかる太陽電池セル３１が完成する。なお、電極材料であるペーストの塗布の順番を、受光面側と裏面側とで入れ替えてもよい。

上述した実施の形態２にかかる太陽電池セル３１は、実施の形態１にかかる太陽電池セル１と同様に表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域においては微小凹部１９は形成されておらず、ｎ型不純物拡散層１２の受光面側の表面における表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域は、略平坦な面とされている。これにより、表銀電極の形成時における電極ペーストのにじみが抑制されており、高精細なパターン形状を有する表銀電極が形成されている。特に表銀グリッド電極１５は受光面積を極力広く確保するために長尺細長形状に形成されているが、電極ペーストのにじみが抑制されることで表銀グリッド電極１５も高精細なパターン形状で形成されており、設計に即した広い受光面積が確保されている。したがって、実施の形態２にかかる太陽電池セル３１によれば、広い受光面積が確保され、光電変換特性に優れた太陽電池セルが実現されている。

また、実施の形態２にかかる太陽電池セル３１は、表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域は、抵抗値が低い低抵抗不純物拡散層３２とされており、電流の流れが良好である。また、受光面においては、抵抗値が高い高抵抗不純物拡散層３３とされており、電子の再結合を防止する。これにより、実施の形態２にかかる太陽電池セル３１では、より光電変換効率に優れた太陽電池セルが実現されている。

実施例
以上のような実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法により、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのｐ型多結晶シリコン基板を用いて太陽電池セルを作製し、特性を評価した。

低抵抗不純物拡散層は、ｐ型多結晶シリコン基板をフッ酸洗浄した後に拡散炉でオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス中で気相拡散法により８８０℃でリンを拡散させた。拡散炉から取り出したｐ型多結晶シリコン基板における低抵抗不純物拡散層のシート抵抗を測定した結果、２８Ω／□であった。

第１マスクは、シリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍの膜厚で形成した。第２マスクは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）１５％の水系バインダーに平均粒径５μｍのＰＭＭＡ（アクリル樹脂）粒子を１０％混合した樹脂ペーストを印刷法で塗布した。樹脂ペーストの印刷に用いた印刷マスクのパターンは、ｐ型多結晶シリコン基板の表面の１４７ｍｍ角の範囲において、表銀グリッド電極の電極形成領域においては幅寸法１００μｍのパターンを７０本、表銀バス電極の電極形成領域においては幅寸法２．５ｍｍのパターンを２本形成した。樹脂ペーストの塗布後、ｐ型多結晶シリコン基板を１８０℃で１０分間乾燥した。

レーザー処理は、ＹＡＧレーザー（波長５３２ｎｍ）を用いて、１０μｍピッチ、直径２μｍにＨＯＥでパターン化したレーザー光を操作しながら３０秒で照射完了した。第２マスクの除去は、ランプアニール炉で４５０℃、３分間加熱することにより行った。微小凹部の形成は、フッ酸と硝酸との混酸液を用いたウェットエッチングを３分間行い、ｐ型多結晶シリコン基板の表面における電極形成領域以外の領域全面に直径１０μｍ、深さ８μｍの略半球状の微少凹部を形成した。第１マスクの除去は、フッ酸を用いて行った。

高抵抗不純物拡散層は、第１マスクの除去後、ｐ型多結晶シリコン基板を再度拡散炉に投入し、８２０℃で浅い拡散を行って形成した。ｐ型多結晶シリコン基板における高抵抗不純物拡散層のシート抵抗を測定した結果、９２Ω／□であった。反射防止膜としては、プラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を８０ｎｍの厚みで形成した。

表銀グリッド電極は、幅６０μｍのマスクで銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷して形成した。表銀バス電極は、幅２ｍｍのマスクで銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷して形成した。これに対して、形成された表銀グリッド電極の幅は９０μｍであり、電極形成領域から外れることなく印刷することができた。また、形成された表銀バス電極の幅は２．２ｍｍであり、電極形成領域から外れることなく印刷することができた。電極ペーストの乾燥は、１５０℃の温度で１０分間行った。また、電極ペーストの焼成は、赤外線加熱炉を使用し、８００℃で行った。以上のようにして実施例２の太陽電池セルを得た。

また比較対象として、第１マスクおよび第２マスクを用いてｐ型シリコン基板の受光面側に略半球状の微少凹部を形成する代わりにウェットエッチングによりｐ型シリコン基板の受光面側に１０μｍの凹凸を形成したこと以外は実施例２の太陽電池セルと同じプロセスにより太陽電池セルを作製した（比較例２）。また、第２マスクを用いずにｐ型シリコン基板の受光面側の全面に略半球状の微少凹部を形成したこと以外は実施例２の太陽電池セルと同じプロセスにより太陽電池セルを作製した（比較例３）。

比較例２の太陽電池セルでは、形成された表銀グリッド電極の幅は１００μｍであり、実施例２の太陽電池セルよりも表銀グリッド電極の幅が広くなった。また、比較例３の太陽電池セルでは、形成された表銀グリッド電極の幅は９５μｍであり、実施例２の太陽電池セルよりも表銀グリッド電極の幅が広くなった。

このような実施例２、比較例２および比較例３の太陽電池セルの受光面積を求めた。また、実施例２、比較例２および比較例３の太陽電池セルを用いて実際に電池を作動させ、太陽電池出力特性を測定して光電変換効率を求めた。

その結果、実施例２の太陽電池セルの受光面積は、比較例２の太陽電池セルの受光面積と比較して０．８１％増加した。また、実施例２の太陽電池セルの受光面積は、比較例３の太陽電池セルの受光面積と比較して０．３１％増加した。これらの結果より、実施例２の太陽電池セルでは、比較例２および比較例３の太陽電池セルと比較して広い受光面積が確保されていることが確認された。

また、実施例２の太陽電池セルは、短絡電流：３７．０ｍＡ／ｃｍ^２、開放電圧：３３２ｍＶ、光電変換効率：１７．８％であった。比較例２の太陽電池セルは、短絡電流：３３．５ｍＡ／ｃｍ^２、開放電圧：３１５ｍＶ、光電変換効率：１６．１％であった。比較例２の太陽電池セルは、短絡電流：３５．０ｍＡ／ｃｍ^２、開放電圧：３２５ｍＶ、光電変換効率：１７．１％であった。これらの結果より、実施例２の太陽電池セルは、比較例２および比較例３の太陽電池セルと比較して電流増加と開放電圧の向上し、光電変換効率が向上していることが確認された。

したがって、実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法により太陽電池セルを形成することで、受光面における凹凸部の均一微小化と受光面の高抵抗化、電極下部の低抵抗化により太陽電池セルの特性向上を図ることができた。

上述したように、実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、第１マスク２１と第２マスク２２とを用いることにより、表銀電極の電極形成領域には微小凹部１９を形成せずに受光面のみに選択的に微小凹部１９を形成することができ、電極形成領域における微小凹部１９に起因した平坦性の劣化を防止して、電極形成領域を略平坦な面とすることができる。これにより、電極形成領域における電極ペーストの印刷にじみを抑制することができ、高精細なパターン形状を有する表銀電極を形成することができる。したがって、実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、広い受光面積が確保された、光電変換特性に優れた太陽電池セルを簡略な工程で効率良く作製することができる。

また、実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、表銀電極（表銀グリッド電極１５と表銀バス電極１６）の下部領域は、抵抗値が低い低抵抗不純物拡散層３２とされるため、電流の流れが良好とされる。また、受光面においては、抵抗値が高い高抵抗不純物拡散層３３としているため、電子の再結合を防止することができる。これにより、実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、より光電変換効率に優れた太陽電池セルを作製することができる。

以上のように、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、高精細なパターンの電極の製造に有用である。

本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの概略構成を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルを受光面側から見た上面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルを受光面と反対側から見た下面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１ 太陽電池セル
１０ 半導体層部
１１ ｐ型シリコン基板
１２ ｎ型不純物拡散層
１３ ｐ＋層
１４ 反射防止膜
１５ 表銀グリッド電極
１６ 表銀バス電極
１７ 裏アルミニウム電極
１８ 裏銀電極
１９ 微小凹部
２１ 第１マスク
２１ａ 第１マスク膜
２２ 第２マスク
２３ 開口部
３１ 太陽電池セル
３２ 低抵抗不純物拡散層
３３ 高抵抗不純物拡散層

Claims (9)

1. 第１導電型の半導体基板の一面側に、レーザー照射による加工が可能な第１マスク膜を形成する第１マスク膜形成工程と、
   レーザー耐性を有する第２マスクを前記第１マスク膜上における電極形成領域に選択的に形成する第２マスク形成工程と、
   前記半導体基板の一面側にレーザー照射を行い、前記半導体基板に達する開口部を前記第１マスク膜に形成して第１マスクを形成する第１マスク形成工程と、
   前記第２マスクを除去する第２マスク除去工程と、
   前記第１マスクをエッチングマスクとして前記半導体基板の一面側に対してウェットエッチングによる等方性エッチングを行って、前記半導体基板の一面側における前記開口部に対応した位置に凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程と、
   を含むことを特徴とする太陽電池用基板の粗面化方法。
2. 前記第２マスクを、加熱分解可能な樹脂材料により形成すること、
   を特徴とする請求項１に記載の太陽電池用基板の粗面化方法。
3. 前記第２マスクが、前記樹脂材料中に微粒子を含有してなること、
   を特徴とする請求項２に記載の太陽電池用基板の粗面化方法。
4. 前記微粒子が、樹脂材料からなること、
   を特徴とする請求項３に記載の太陽電池用基板の粗面化方法。
5. 前記第２マスク形成工程では、水または溶剤に前記樹脂材料が溶解された樹脂ペーストを前記第１マスク膜上に印刷法により塗布することにより前記第２マスクを形成すること、
   を特徴とする請求項２に記載の太陽電池用基板の粗面化方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載の太陽電池用基板の粗面化方法により前記半導体基板の一面側を粗面化する粗面化工程と、
   前記半導体基板の一面側に、第２導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、
   前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極ペーストを配置する電極ペースト配置工程と、
   前記電極ペーストを焼成して電極を形成する焼成工程と、
   を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
7. 前記不純物拡散層形成工程の後に、前記不純物拡散層上に反射防止膜を形成する工程を有し、
   前記電極ペースト配置工程では、前記半導体基板の一面側においては前記反射防止膜上における前記電極形成領域に対応した領域に前記電極ペーストを配置すること、
   を特徴とする請求項６に記載の太陽電池セルの製造方法。
8. 前記粗面化工程の前に、前記半導体基板の一面側に前記第２導電型の不純物元素を第１の濃度で拡散して第１不純物拡散層を形成する第１不純物拡散層形成工程を有し、
   前記第１マスク膜形成工程では、前記第１不純物拡散層上に前記第１マスク膜を形成し、
   前記第１マスク形成工程では、前記第１不純物拡散層に達する開口部を前記第１マスク膜に形成して第１マスクを形成し、
   前記不純物拡散層形成工程が、前記半導体基板の一面側における前記電極形成領域に前記第２導電型の不純物元素を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で拡散して第２不純物拡散層を形成する第２不純物拡散層形成工程であること、
   を特徴とする請求項６に記載の太陽電池セルの製造方法。
9. 前記第２不純物拡散層形成工程の後に、前記第１不純物拡散層上および前記第２不純物拡散層上に反射防止膜を形成する工程を有し、
   前記電極ペースト配置工程では、前記半導体基板の一面側においては前記反射防止膜上における前記電極形成領域に対応した領域に前記電極ペーストを配置すること、
   を特徴とする請求項８に記載の太陽電池セルの製造方法。

Images