JP2013030601A - 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013030601A
JP2013030601A JP2011165256A JP2011165256A JP2013030601A JP 2013030601 A JP2013030601 A JP 2013030601A JP 2011165256 A JP2011165256 A JP 2011165256A JP 2011165256 A JP2011165256 A JP 2011165256A JP 2013030601 A JP2013030601 A JP 2013030601A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
finger
bus bar
portions
cross
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011165256A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5903550B2 (ja
Inventor
Satoshi Tohoda
悟司 東方田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2011165256A priority Critical patent/JP5903550B2/ja
Priority to CN201280037913.XA priority patent/CN103733348B/zh
Priority to PCT/JP2012/057142 priority patent/WO2013014973A1/ja
Priority to EP12816845.7A priority patent/EP2738816B1/en
Publication of JP2013030601A publication Critical patent/JP2013030601A/ja
Priority to US14/160,077 priority patent/US20140196783A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5903550B2 publication Critical patent/JP5903550B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】出力を向上させることができる。
【解決手段】バスバー部３ｂ，４ｂと、フィンガー部３ａ，４ａと、を備える太陽電池であって、前記フィンガー部３ａ，４ａは、前記フィンガー部３ａ，４ａの長手方向に延在した第１端部と、前記バスバー部３ｂ，４ｂに接続された第２端部と、を備え、前記第１端部の断面が、三角形状であり、前記第２端部の断面が、台形状である太陽電池１。
【選択図】図２

Description

本発明は、太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池の製造方法に関する。
に関する。
太陽電池には、単位面積当たりの発電量を高めて効率を向上させることが求められている。このような状況に鑑みて、遮光ロスを低減させた太陽電池の電極構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、幅の異なるファンガー部を組み合わせた構造が開示されている。
実用新案登録第３１５４１４５号公報
特許文献１では、フィンガー部の幅により出力向上を図るものが記載されている。しかし、近年、太陽電池の出力をさらに高めたいという要望がある。
本発明に係る太陽電池は、バスバー部と、フィンガー部と、を備える太陽電池であって、前記フィンガー部は、前記フィンガー部の長手方向に延在した第１端部と、前記バスバー部に接続された第２端部と、を備え、前記第１端部の断面が、三角形状であり、前記第２端部の断面が、台形状である。
本発明に係る太陽電池の製造方法は、バスバー部と、フィンガー部と、を備える太陽電池の製造方法であって、前記バスバー部及び前記フィンガー部はスクリーン印刷法によって形成し、前記フィンガー部の長手方向に延在した第１端部は、前記スクリーン印刷法における断面三角形状形成条件領域で形成する。
本発明によれば、太陽電池の出力を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る太陽電池の表面側平面図と裏面側平面図である。 図１のＡＡ線断面図とＢＢ線断面図とＣＣ線断面図である。 図１のＤＤ線断面図である。 図１のＥＥ線断面図である。 本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの断面図である。 本発明の一実施形態に係る電極高さとスクリーン版開口幅との関係を示した図である。 図６における各スクリーン版開口幅での断面形状の模式図である。
図面を参照して、本発明の一実施形態に係る太陽電池１、太陽電池モジュール１０、太陽電池１の製造方法について以下で詳細に説明する。
なお、本発明は、以下の実施形態に限定されない。また、実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
（太陽電池）
最初に、図１を参照して、本発明の一実施形態に係る太陽電池１の表面および裏面の構造について説明する。
図１（ａ）は、太陽電池１の表面側平面図であり、図１（ｂ）は裏面側平面図である。
太陽電池１の表面には、光電変換部２と、フィンガー部３ａとバスバー部３ｂとからなる表面電極３と、を備えている。
光電変換部２は図示はしないが、例えば、ｎ型結晶系シリコンからなる基板と、当該基板の表面側に真性の非晶質シリコン層と、ｐ型の非晶質シリコン層とがこの順で積層され、当該基板の裏面側に真性の非晶質シリコン層と、ｎ型の非晶質シリコン層とがこの順で積層されている。なお、ｎ型の結晶系シリコン基板の表面にｎ型の非晶質アモルファスシリコン層を積層させ、裏面側にｐ型の非晶質アモルファスシリコン層を積層させてもよい。
フィンガー部３ａは、主に光電変換で発生したキャリアを収集する電極であり、フィンガー部３ａの長手方向であるｘ方向に延在した第１端部とバスバー部３ｂに接続された第２端部とを備えている。ここで、第１端部は、バスバー部３ｂから離れるに従って幅が細くなる構造のため、テーパー形状を有している。例えば、第１端部の幅は１０μｍ〜７０μｍであり、第２端部の幅は７５μｍ〜２００μｍである。また、フィンガー部３ａのピッチ幅は１ｍｍ〜３ｍｍであり、４０本〜１２０本設けられている。なお、遮光ロスを低減する観点から、第１端部の幅が４０μｍ、第２端部の幅１００μｍ、ピッチ幅２．２ｍｍで５５本のフィンガー部３ａが設けられるのが好ましい。
バスバー部３ｂは、フィンガー部３ａで収集されたキャリアを集める電極である。ここで、バスバー部３ｂは、幅５０μｍ〜２ｍｍで２本設けられている。
太陽電池１の裏面側には、光電変換部２と、フィンガー部４ａとバスバー部４ｂとからなる裏面電極４と、を備えている。
フィンガー部４ａは、主に光電変換で発生したキャリアを収集する電極であり、フィンガー部４ａの長手方向であるｘ方向に延在した第１端部とバスバー部４ｂに接続された第２端部とを備えている。ここで、第１端部は、バスバー部４ｂから離れるに従って幅が細くなる構造のため、テーパー形状を有している。例えば、第１端部の幅は１０μｍ〜７０μｍであり、第２端部の幅は７５μｍ〜２００μｍである。また、フィンガー部４ａのピッチ幅は、フィンガー部３ａのピッチ幅より狭く、２５０μｍ〜１ｍｍであり、１２０本〜４８０本設けられている。なお、裏面側においても遮光ロスを低減する観点から、第１端部の幅が４０ｎｍ、第２端部の幅が８０ｎｍ、ピッチ幅５００μｍで２４０本のフィンガー部３ａが設けられるのが好ましい。本実施形態においては、裏面側でも光の利用効率向上を図るため、太陽電池1は両面受光型としている。ここで、両面受光型とは、太陽電池１の表面側だけでなく裏面側でも光電変換部２へ光が入射することを意味する。なお、両面受光型の他、片面受光型でも本発明の効果を享受することができる。
バスバー部４ｂは、フィンガー部４ａで収集されたキャリアを集める電極である。ここで、バスバー部４ｂは、幅５０μｍ〜４ｍｍで２本設けられている。
次に、図２を参照して、本実施形態の太陽電池１の断面構造について説明する。
図２（ａ）は図１のＡＡ線断面図であり、図２（ｂ）は図１のＢＢ線断面図であり、図２（ｃ）は図１のＣＣ線断面図である。
図２（ａ）に示すように、フィンガー部３ａ，４ａの第１端部側では、断面が三角形状であり、その電極高さは１３μｍである。図２（ｂ）に示すように、フィンガー部３ａ，４ａの第２端部側では、断面が台形状であり、その電極高さは２３μｍである。図２（ｃ）に示すように、フィンガー部３ａ，４ａの第１端部では、断面が三角形状であり、その電極高さは１３μｍである。ここで、三角形状および台形状とは、それぞれ略三角形状および略台形状を意味する。すなわち、三角形状と台形状との比較において、三角形状の方が近い場合には三角形状とし、台形状の方が近い場合には台形状と見なすものである。例えば、図２（ａ），（ｃ）における三角形状のｙ方向の上部側の頂角が丸まっていてもよいし、その頂角においてわずかな幅を有しても構わない。また、図２（ｂ）における台形状のｙ方向の上部側の上底において一定の幅を有していれば構わない。
図３は、図１のＤＤ線断面図である。
フィンガー部３ａ，４ａは、ｘ方向に延在し、バスバー部３ｂ、４ｂから離れるのに伴い、最初は電極高さが一定だが、その後次第に電極高さが低くなっている。すなわち電極高さが一定の領域と、電極高さが次第に低くなる領域とで構成されている。
図４は、図１のＥＥ線断面図である。
２本のバスバー部３ｂ，３ｂ間およびバスバー部４ｂ，４ｂ間において、バスバー部３ｂ，４ｂに接続されたフィンガー部３ａ，４ａの第１端部同士が接続され、バスバー部３ｂ、４ｂから離れるのに伴い、最初は電極高さが一定だが、その後次第に電極高さが低くなっている。すなわちフィンガー部３ａ，４ａは、電極高さが一定の領域と電極高さが次第に低くなる領域とで構成され、第１端部同士が接続された構成となっている。
以上より、フィンガー部３ａ，４ａの平面構造が、フィンガー部３ａ，４ａの長手方向において、バスバー部３ｂ，４ｂから離れるに従って細くなるテーパー形状を有しているため、遮光ロスを低減できる。更に、そのテーパー形状に加えて、フィンガー部３ａ，４ａの長手方向に延在した第１端部側の断面が三角形状を有しているため、太陽電池１のフィンガー部３ａ，４ａに入射した光を効率良く発電に寄与させることができる。このことについては後述する。これにより、太陽電池１の出力を向上させることができる。
また、フィンガー部３ａ，４ａの電極高さが第１端部側と第２端部側とで異なっている。つまり、フィンガー部３ａ，４ａの電極高さが次第に低くなる領域を有している。そうすると、太陽電池１に所定の角度で入射した光に対して、フィンガー部の電極高さによる遮蔽を抑制できるため、更に太陽電池１の出力を向上させることができる。
ところで、フィンガー部３ａ，４ａでは、その長手方向の体積分だけその部分に応力がかかる。そのため、バスバー部３ｂ，４ｂから離れるに従って、応力が大きくなる。つまり、第１端部の方が第２端部より大きい応力が加わることになる。しかし、本実施形態では、第１端部の方が第２端部より電極高さが低いため、第１端部側の応力の増加を抑制することができる。その結果、フィンガー部３ａ，４ａが光電変換部２から剥離するのを抑制でき、太陽電池１の信頼性を向上させることができる。
（太陽電池モジュール）
図５は、太陽電池モジュール１０の断面図である。太陽電池モジュール１０は、上述の太陽電池１を充填材５を介して表面保護部材６及び裏面保護部材７で挟み、周知のラミネート処理を行うことで作製することができる。ここで、充填材５としては、例えば、ＥＶＡを用いられている。表面保護部材６としては、例えば、ガラスを用いられている。裏面保護部材７としては、例えば、ＰＥＴを用いられている。
図５では、太陽電池モジュール１０のうち、フィンガー部３ａおよび４ａの断面形が三角形状となっている部分の断面図であり、太陽電池モジュール１０へ光が入射する様子を示している。
太陽電池モジュール１０に光が入射すると、フィンガー部３ａの断面が三角形状の辺の部分で光を反射させ、その反射光が表面保護部材６と空気との界面で再反射し、その再反射光が光電変換部２へと入射する。その結果、光電変換部２へ入る光の割合が増えるため、太陽電池モジュール１０の出力が向上する。一方、太陽電池モジュール１０に入射した光が光電変換部２を透過した場合には、フィンガー部４ａの断面が三角形状の辺の部分で光を反射させ、その反射光が充填材５と裏面保護部材７との界面で再反射し、その再反射光が光電変換部２へと入射する。その結果、光電変換部２へ入る光の割合が増えるため、太陽電池モジュール１０の出力が向上する。また、太陽電池モジュール１０で封止された太陽電池１が複数ある場合には、それら複数の太陽電池１間に光が入射した場合にも同様である。
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池１の製造方法について説明する。
図６は、スクリーン印刷法でフィンガー部を形成した場合における電極高さとスクリーン版の開口幅の関係を示したものである。
図６には、実験１〜３の結果を示している。実験１〜３では、同じ条件でスクリーン印刷を行っている。これらのいずれの実験結果からも、所定のスクリーン版開口幅以上ではフィンガー部の電極高さは一定であるが、所定のスクリーン版開口幅以下になると開口幅の減少に伴いフィンガー部の電極高さは次第に低くなっていくことが分かる。
図７は、図６の実験１における各スクリーン版開口幅I〜Vでの断面形状の模式図である。フィンガー部の電極高さが一定の領域では断面が台形状であり、フィンガー部の電極高さが次第に低くなる領域では断面が三角形状であった。実験２〜３でも同様の断面形状であった。以下、断面が三角形状になるようなスクリーン版開口幅の領域を断面三角形状形成条件領域といい、断面が台形状になるようなスクリーン版開口幅の領域を断面台形状形成条件領域という。本実施形態では、光電変換部２の表面および裏面にスクリーン印刷法により、フィンガー部３ａ，４ａとバスバー部３ｂ，４ｂとからなる表面電極３および裏面電極４とを形成している。
フィンガー部３ａ，４ａは、前述のように、その長手方向において、バスバー部３ｂ，４ｂから離れるに従って細くなるテーパー形状となるようなスクリーン版開口幅としている。そのとき、第１端部が断面三角形状形成条件領域であるスクリーン版開口幅となるようにし、第２端部が断面台形状形成条件領域であるスクリーン版開口幅となるようにする。
本実施形態では、熱硬化型の銀ペーストを用いているため、所定の粘度の銀ペーストを用いることが好ましい。
また、バスバー部３ｂ，４ｂはフィンガー部３ａ，４ａを形成するのと同時にスクリーン印刷法により印刷して形成する。
そして、フィンガー部３ａ，４ａとバスバー部３ｂ，４ｂとを２００℃で乾燥させて硬化させる。
以上の製造方法で作製した太陽電池１を周知の方法により、配線材（図示はしない）を接続した太陽電池１を充填材５によって封止した状態で表面保護部材６と裏面保護部材７とに挟み、ラミネートすることにより形成する。
本実施形態の製造方法では、スクリーン印刷法における断面三角形状形成条件領域により、フィンガー部３ａ，４ａの長手方向に延在した第１端部を形成しているため、第１端部の断面を三角形状にできる。そうすると、入射した光に対して、三角形状の部分で効率的に光を反射させることができる。
また、スクリーン印刷法における断面台形状形成条件領域により、フィンガー部３ａ，４ａのバスバー部３ｂ，４ｂと接続された第２端部を形成しているため、第２端部の断面を台形状にできる。そうすると、フィンガー部３ａ，４ａとバスバー部３ｂ，４ｂとの接触面積については、断面を三角形状に形成するより大きくできるため、フィンガー部３ａ，４ａとバスバー部３ｂ，４ｂとの接続抵抗を低くできる。その結果、出力を向上させた太陽電池１を製造することができる。
更に、スクリーン印刷法における断面三角形状形成条件領域により、２本のバスバー３ｂ，４ｂの間において、各々のバスバー部に接続されたフィンガー部３ａ，４ａの第１端部同士を接続するように形成しているため、その接続された部分の断面を三角形状に形成できる。その結果、その接続された部分においても入射した光に対して断面が三角形状部分で効率的に光を反射することができ、出力が向上した太陽電池１を提供できる。
なお、バスバー部３ｂ，４ｂは直線形状でもよくギザギザ状の非直線形状でもよい。
フィンガー部３ａ，４ａは、１層構造でもよく、多層構造でも構わない。その際、表面側と裏面側とで上記層構造が同様でもよいし、異なっていてもよい。フィンガー部３ａ，４ａのスクリーン印刷法においても、１層印刷でもよいし、多層印刷でもよい。
また、光電変換部２は本実施形態には限定されない。光電変換機能を有するものでありさえすれば良く、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコンなど何でも良い。
また、光電変換部の表面側と裏面側の両方にフィンガー部およびバスバー部の両者を設けなくとも良い。例えば、表面側にはフィンガー部およびバスバー部の両者を設け、裏面側には光電変換層の表面上に金属層を配置することで、フィンガー部を設けず、バスバー部のみを設けるようにしても良い。
１ 太陽電池、２ 光電変換部、３ 表面電極、３ａ フィンガー部、３ｂ バスバー部、４ 裏面電極、４ａ フィンガー部、４ｂバスバー部、５ 充填材、６ 表面保護部材、７ 裏面保護部材、 １０ 太陽電池モジュール

Claims (7)

  1. バスバー部と、フィンガー部と、を備える太陽電池であって、
    前記フィンガー部は、前記フィンガー部の長手方向に延在した第１端部と、前記バスバー部に接続された第２端部と、を備え、
    前記第１端部の断面が、三角形状であり、
    前記第２端部の断面が、台形状である太陽電池。
  2. 前記第１端部の電極高さは、前記第２端部の電極高さより低い請求項１記載の太陽電池。
  3. 前記太陽電池は、前記バスバー部を複数有し、
    複数の前記バスバー部の間において、各々のバスバー部に接続された前記フィンガー部は、第１端部同士が接続された請求項１又は２に記載の太陽電池。
  4. 表面保護部材と、充填材と、裏面保護部材と、を備え、
    前記太陽電池が前記充填材中で配線材により接続された請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
  5. バスバー部と、フィンガー部と、を備える太陽電池の製造方法であって、
    前記バスバー部及び前記フィンガー部はスクリーン印刷法によって形成し、
    前記フィンガー部の長手方向に延在した第１端部は、前記スクリーン印刷法における断面三角形状形成条件領域で形成する太陽電池の製造方法。
  6. 前記フィンガー部の前記バスバー部に接続された第２端部は、前記スクリーン印刷法における断面台形状形成条件領域で形成する請求項５記載の太陽電池の製造方法。
  7. 前記スクリーン印刷法によって、前記バスバー部を複数形成し、
    複数の前記バスバー部の間において、各々のバスバー部に接続された前記フィンガー部の第１端部同士を接続するように当該フィンガー部を前記断面三角形状形成条件領域で形成する請求項５又は６に記載の太陽電池の製造方法。
JP2011165256A 2011-07-28 2011-07-28 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法 Active JP5903550B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011165256A JP5903550B2 (ja) 2011-07-28 2011-07-28 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法
CN201280037913.XA CN103733348B (zh) 2011-07-28 2012-03-21 太阳能电池、太阳能电池组件、太阳能电池的制造方法
PCT/JP2012/057142 WO2013014973A1 (ja) 2011-07-28 2012-03-21 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法
EP12816845.7A EP2738816B1 (en) 2011-07-28 2012-03-21 Solar cell, solar cell module, and method for producing solar cell
US14/160,077 US20140196783A1 (en) 2011-07-28 2014-01-21 Solar cell, solar cell module, and method for producing solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011165256A JP5903550B2 (ja) 2011-07-28 2011-07-28 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013030601A true JP2013030601A (ja) 2013-02-07
JP5903550B2 JP5903550B2 (ja) 2016-04-13

Family

ID=47600833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011165256A Active JP5903550B2 (ja) 2011-07-28 2011-07-28 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140196783A1 (ja)
EP (1) EP2738816B1 (ja)
JP (1) JP5903550B2 (ja)
CN (1) CN103733348B (ja)
WO (1) WO2013014973A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104810415A (zh) * 2014-01-27 2015-07-29 三菱电机株式会社 太阳能电池以及太阳能电池的制造方法
WO2016158977A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社カネカ 太陽電池および太陽電池モジュール
WO2024048332A1 (ja) * 2022-09-02 2024-03-07 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池モジュール

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103208540A (zh) * 2013-04-17 2013-07-17 新疆嘉盛阳光风电科技股份有限公司 用于光伏电池的电极及其制造方法
ES2723970T3 (es) * 2014-03-11 2019-09-04 Think Labs Kk Unidad de tratamiento modular y sistema de fabricación de cilindros de grabado totalmente automatizado que usa dicha unidad
WO2015172823A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 Applied Materials Italia S.R.L. Solar cell device and method for producing a solar cell device
DE102014110526B4 (de) * 2014-07-25 2018-03-15 Hanwha Q Cells Gmbh Solarzellenstring und Solarzellenstring-Herstellungsverfahren
CN106274038A (zh) * 2015-06-29 2017-01-04 江苏正能电子科技有限公司 一种太阳能硅片正银印刷网板
JP6706849B2 (ja) * 2016-03-30 2020-06-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セル、太陽電池モジュール、太陽電池セルの製造方法
KR20180046810A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 핑거 전극 및 이의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610977A (en) * 1979-07-09 1981-02-03 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of photoelectric converter
JPH0653531A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sharp Corp 光電変換装置およびその製造方法
JPH09260696A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Daido Hoxan Inc 太陽電池
JP2002217430A (ja) * 2001-01-03 2002-08-02 Samsung Sdi Co Ltd Ｐｎ接合太陽電池
JP2010147107A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Mitsubishi Electric Corp 光起電力装置とその製造方法
US20110277835A1 (en) * 2010-07-23 2011-11-17 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell with split gridline pattern

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10239845C1 (de) * 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul
US20100275976A1 (en) * 2007-12-18 2010-11-04 Day4 Energy Inc. Photovoltaic module with edge access to pv strings, interconnection method, apparatus, and system
US8187906B2 (en) * 2008-02-28 2012-05-29 Sunlight Photonics Inc. Method for fabricating composite substances for thin film electro-optical devices
DE202009006542U1 (de) * 2009-05-05 2009-07-23 Feindrahtwerk Adolf Edelhoff Gmbh & Co. Kg Elektrisches Kontaktierungselement für photovoltaische Zellen
CN201523015U (zh) * 2009-10-12 2010-07-07 江苏林洋新能源有限公司 塑封太阳能光伏组件
TWM387372U (en) * 2010-03-29 2010-08-21 Neo Solar Power Corp Electrode structure of solar cell
JPWO2012115006A1 (ja) * 2011-02-21 2014-07-07 シャープ株式会社 スクリーンおよび太陽電池の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610977A (en) * 1979-07-09 1981-02-03 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of photoelectric converter
JPH0653531A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sharp Corp 光電変換装置およびその製造方法
JPH09260696A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Daido Hoxan Inc 太陽電池
JP2002217430A (ja) * 2001-01-03 2002-08-02 Samsung Sdi Co Ltd Ｐｎ接合太陽電池
JP2010147107A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Mitsubishi Electric Corp 光起電力装置とその製造方法
US20110277835A1 (en) * 2010-07-23 2011-11-17 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell with split gridline pattern

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104810415A (zh) * 2014-01-27 2015-07-29 三菱电机株式会社 太阳能电池以及太阳能电池的制造方法
CN104810415B (zh) * 2014-01-27 2017-04-12 三菱电机株式会社 太阳能电池以及太阳能电池的制造方法
WO2016158977A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社カネカ 太陽電池および太陽電池モジュール
US10644178B2 (en) 2015-03-31 2020-05-05 Kaneka Corporation Solar battery and solar battery module
WO2024048332A1 (ja) * 2022-09-02 2024-03-07 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
EP2738816A1 (en) 2014-06-04
US20140196783A1 (en) 2014-07-17
EP2738816A4 (en) 2014-12-03
EP2738816B1 (en) 2019-09-18
CN103733348B (zh) 2017-03-29
JP5903550B2 (ja) 2016-04-13
WO2013014973A1 (ja) 2013-01-31
CN103733348A (zh) 2014-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5903550B2 (ja) 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法
JP5874011B2 (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP5687506B2 (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP4948219B2 (ja) 太陽電池
EP3067939B1 (en) Solar cell module
JP4925844B2 (ja) 太陽電池モジュール
WO2012057243A1 (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2010016246A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2013046324A1 (ja) 太陽電池および太陽電池モジュール
EP2500948A1 (en) Solar cell
JP2012253062A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2015065303A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2013114555A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
WO2013030991A1 (ja) 太陽電池及びその製造方法
EP2980859B1 (en) Solar cell module
JP5906422B2 (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2017050514A (ja) 太陽電池モジュール
WO2018003243A1 (ja) 太陽電池モジュール
TWM504356U (zh) 四柵匯流排太陽能電池
WO2012014680A1 (ja) 太陽電池モジュール、およびその製造方法
JP6328891B2 (ja) 太陽電池および太陽電池モジュール
JP5367090B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2012160768A (ja) 太陽電池セル
JP2011160008A (ja) 太陽電池モジュール
JPWO2013114555A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20130628

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140611

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20140714

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20150224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151214

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5903550

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151