JP2010115832A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009079241A2 (en) 2007-12-07 2009-06-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Density multiplication and improved lithography by directed block copolymer assembly
JP5300799B2 (ja) 2010-07-28 2013-09-25 株式会社東芝 パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料
JP5259661B2 (ja) * 2010-09-07 2013-08-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5112500B2 (ja) * 2010-11-18 2013-01-09 株式会社東芝 パターン形成方法
KR20120126725A (ko) 2011-05-12 2012-11-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자의 형성 방법
US9718250B2 (en) 2011-09-15 2017-08-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Directed assembly of block copolymer films between a chemically patterned surface and a second surface
JP5694109B2 (ja) * 2011-09-26 2015-04-01 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2013075984A (ja) 2011-09-30 2013-04-25 Toshiba Corp 微細構造体の製造方法
KR102018932B1 (ko) 2012-02-10 2019-09-05 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 박막 블록 공중합체의 배향 조절을 위한 무수물 공중합체 톱 코트
WO2013119811A1 (en) 2012-02-10 2013-08-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Using chemical vapor deposited films to control domain orientation in block copolymer thin films
US9314819B2 (en) 2012-02-10 2016-04-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Anhydride copolymer top coats for orientation control of thin film block copolymers
JP6089298B2 (ja) * 2012-04-10 2017-03-08 裕司 清野 パターン形成方法、スチレン系ポリマー薄膜付き基材、表面撥水性材料、パスワード生成装置、培養器、パターン形成剤、及び反転パターン形成方法。
JP5752655B2 (ja) * 2012-09-10 2015-07-22 株式会社東芝 パターン形成方法
KR101529646B1 (ko) * 2012-09-10 2015-06-17 주식회사 엘지화학 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체
JP5537628B2 (ja) * 2012-10-09 2014-07-02 株式会社東芝 自己組織化パターンの形成方法
JP6027912B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 東京応化工業株式会社 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料
KR101772038B1 (ko) * 2013-03-15 2017-08-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 블록 공중합체의 자가-조립에 의해 기판에 리소그래피 피처들을 제공하는 방법들
TWI658055B (zh) * 2013-06-19 2019-05-01 德州大學董事會 用於薄膜嵌段共聚物之定向控制之酸酐共聚物面塗層
JP5981392B2 (ja) 2013-06-19 2016-08-31 株式会社東芝 パターン形成方法
KR102399752B1 (ko) 2013-09-04 2022-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
JP6483695B2 (ja) 2013-12-06 2019-03-13 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
US10227437B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
EP3101043B1 (en) 2013-12-06 2021-01-27 LG Chem, Ltd. Block copolymer
KR101780100B1 (ko) 2013-12-06 2017-09-19 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
EP3078688B1 (en) 2013-12-06 2020-03-04 LG Chem, Ltd. Block copolymer
EP3078691B1 (en) 2013-12-06 2018-04-18 LG Chem, Ltd. Block copolymer
EP3078684B1 (en) 2013-12-06 2019-07-31 LG Chem, Ltd. Block copolymer
CN105980342B (zh) 2013-12-06 2019-02-15 株式会社Lg化学 单体和嵌段共聚物
JP6483693B2 (ja) 2013-12-06 2019-03-13 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
JP6410327B2 (ja) * 2013-12-06 2018-10-24 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
CN105899557B (zh) 2013-12-06 2018-10-26 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
CN105899559B (zh) 2013-12-06 2018-05-25 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
WO2015084130A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
JP6432846B2 (ja) 2013-12-06 2018-12-05 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
US10227436B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10377894B2 (en) 2014-09-30 2019-08-13 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10287429B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
EP3202797B1 (en) 2014-09-30 2021-07-07 LG Chem, Ltd. Block copolymer
WO2016053001A1 (ko) 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
WO2016053014A1 (ko) 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 패턴화 기판의 제조 방법
EP3202802B1 (en) 2014-09-30 2022-11-23 LG Chem, Ltd. Block copolymer
CN107077066B9 (zh) 2014-09-30 2021-05-14 株式会社Lg化学 制造图案化基底的方法
US10703897B2 (en) 2014-09-30 2020-07-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
JP6538157B2 (ja) * 2014-09-30 2019-07-03 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
US10281820B2 (en) 2014-09-30 2019-05-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
EP3202799B1 (en) 2014-09-30 2021-08-25 LG Chem, Ltd. Block copolymer
KR20160038708A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
US10303049B2 (en) * 2017-03-22 2019-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Reducing electric charge in imprint lithography
TWI805617B (zh) * 2017-09-15 2023-06-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 層壓板
JP7528580B2 (ja) * 2020-07-10 2024-08-06 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 パターン膜及びその形成方法
JP7552110B2 (ja) * 2020-07-10 2024-09-18 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 パターン膜の形成方法及びパターン膜

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW576864B (en) * 2001-12-28 2004-02-21 Toshiba Corp Method for manufacturing a light-emitting device
JP4455645B2 (ja) * 2001-12-28 2010-04-21 株式会社東芝 発光素子
RU2007137124A (ru) * 2005-03-09 2009-04-20 Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорния (Us) Нанокомпозитные мембраны и способы их получения и применения
US20070093587A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 Starfire Systems Silicon carbide precursors and uses thereof
JP4673266B2 (ja) * 2006-08-03 2011-04-20 日本電信電話株式会社 パターン形成方法及びモールド
US20080038467A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Eastman Kodak Company Nanostructured pattern method of manufacture
US8097175B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US8101261B2 (en) * 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
JP4654279B2 (ja) * 2008-08-28 2011-03-16 株式会社日立製作所 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法

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