JP2010109909A - 圧電性複合基板の製造方法 - Google Patents
圧電性複合基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010109909A JP2010109909A JP2008282212A JP2008282212A JP2010109909A JP 2010109909 A JP2010109909 A JP 2010109909A JP 2008282212 A JP2008282212 A JP 2008282212A JP 2008282212 A JP2008282212 A JP 2008282212A JP 2010109909 A JP2010109909 A JP 2010109909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- piezoelectric
- thin film
- ion implantation
- composite substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 helium ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
- H10N30/045—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning by polarising
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe+イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。
【選択図】図３
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe+イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。
【選択図】図３
Description
この発明は、圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法に関するものである。
近年、圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板を利用する圧電素子が開発されている。圧電体の単結晶薄膜の製造に、従来はスパッタ法やＣＶＤ法などにより圧電体であるＡｌＮやＺｎＯを堆積する第1の製造方法や、圧電体の単結晶基材を研磨する第２の製造方法が採用されていた（例えば、非特許文献１および２参照。）。
他にも、ＺカットされたＬｉＮｂＯ３基板に、ヘリウムイオンを注入して結晶ダメージ層を形成し、ウェットエッチングにより結晶ダメージ層を除去して、圧電体の単結晶薄膜を得る第３の製造方法が提案されている（非特許文献３参照）。
Y. Osugi et al.; "Single crystalFBAR with LiNbO3 and LiTaO3", 2007 IEEE MTT-S International MicrowaveSymposium, pp.873-876 M. Bruel ; "A new Silicon OnInsulator material technology", Electronics Letters, vol. 31, Issue 14,June 6th 1995, p.1201 "Fabrication of single-crystal lithium niobate films by crystal ion slicing",APPLIEDPHYSHICS LETTERS VOLUME73,NUMBER16
Y. Osugi et al.; "Single crystalFBAR with LiNbO3 and LiTaO3", 2007 IEEE MTT-S International MicrowaveSymposium, pp.873-876 M. Bruel ; "A new Silicon OnInsulator material technology", Electronics Letters, vol. 31, Issue 14,June 6th 1995, p.1201 "Fabrication of single-crystal lithium niobate films by crystal ion slicing",APPLIEDPHYSHICS LETTERS VOLUME73,NUMBER16
第1の製造方法では、圧電体の結晶軸の配向方向を揃えるための成膜温度や成膜条件などから材料制約が厳しく、また配向膜が得られたとしても結晶軸の配向方向が基板の上下に整列したＣ軸配向膜となり、結晶軸の配向方向を制御することができない。そのため、結晶軸の配向方向を傾斜させて振動モードを制御することができない。
第２の製造方法では、圧電体の単結晶基材を研磨するので、大半の圧電体を研磨クズとして廃棄することになり、圧電体の利用効率が悪い。さらに、得られる薄膜の厚みは、研磨速度のばらつきや、研磨前の基板うねりにより左右されるため、均質な厚みを得るための制御は難しく生産性が悪い。
第３の製造方法では、ウェットエッチングを利用するために製造コストが高く、また、ウェットエッチングによる影響を受けうる位置に電極を設けておくことができない。このため、圧電体の単結晶薄膜と支持基板との貼合せ面に電極を設けたい場合には、その電極をウェットエッチングの後で形成することになるが、剛性が低い薄膜の取り回しが困難で破損する虞が強い。
そこで本発明は、上述の問題を解消して圧電体の単結晶薄膜を形成する、圧電性複合基板の製造方法の提供を目的とする。
この発明は、圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程と剥離工程とを含む。イオン注入工程では、圧電体の単結晶基材へ希ガスイオンを注入する。これにより、単結晶基材の表面から内部に離れた剥離層に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程では、イオン注入工程で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材を剥離層で分断して単結晶薄膜を剥離する。
この製造方法では、イオン注入工程で単結晶基材の表面から内部に離れた剥離層にマイクロキャビティを集積して形成し、剥離工程で単結晶基材を剥離層で分断して単結晶薄膜を剥離するので、圧電体の単結晶基材を再利用可能になり圧電体の利用効率が高い。さらには、薄膜の厚みはイオン注入工程での注入エネルギーにより定まり、均質な厚みの薄膜を得られる。また、圧電体の単結晶基材の配置方向の制御により、結晶軸の配向方向を傾斜させて振動モードを制御することができる。また、イオン注入は剥離による影響は剥離層のみに作用するので、圧電性複合基板の他の部位への影響が少ない。
また、イオン注入工程では希ガスイオンを利用するが、これは、希ガス元素の最外殻の電子軌道が電子で満たされているため、他の元素に比べ圧電体を構成する元素との反応性が小さいためである。仮に、半導体などでの薄膜形成に利用される水素イオン注入法のように水素を含む最外殻の電子軌道が電子で満たされていない元素のイオンを圧電体の薄膜形成に利用した場合、このイオンが圧電体を構成する元素と反応し、より強いボンドが形成される。水素イオンではその質量が小さいためボンドを切ることが難しく、マイクロキャビティの形成効率が悪い。一方、希ガスイオンを採用する本発明の構成では、上述のイオンよりも圧電体を構成する元素との反応性が弱く、また、水素イオンよりもその質量が大きいため、効率的にマイクロキャビティを形成できる。
イオン注入工程は、水素のイオン化エネルギーよりも大きいイオン化エネルギーの希ガス元素のイオンを希ガスイオンとして利用すると好適であり、ヘリウムイオンを利用するとさらに好適である。
図１は、元素周期番号と各元素のイオン化エネルギーとの対応を示す図である。
ここで示すように、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンは水素よりもイオン化エネルギーが大きく、それらのうちヘリウムが最もイオン化エネルギーが大きい。大きなイオン化エネルギーを持つイオンを利用して、圧電体の単結晶薄膜を形成すると、イオン化が解除される際のエネルギー放出によって、ボンドを効率的に切ることができ、効率的にマイクロキャビティを形成できる。
ここで示すように、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンは水素よりもイオン化エネルギーが大きく、それらのうちヘリウムが最もイオン化エネルギーが大きい。大きなイオン化エネルギーを持つイオンを利用して、圧電体の単結晶薄膜を形成すると、イオン化が解除される際のエネルギー放出によって、ボンドを効率的に切ることができ、効率的にマイクロキャビティを形成できる。
イオン注入工程は、希ガスイオンの注入密度を、2×1016〜5×1016atom／cm2とすると好適である。希ガスイオンの注入密度2×1016atom／cm2とすると、剥離工程で圧電体の単結晶基材を欠陥層で分断できる程度のマイクロキャビティが発生し、圧電体の単結晶薄膜の形成が可能になる。また、希ガスイオンの注入密度5×1016atom／cm2よりも大きい8×1016atom／cm2とすると、欠陥層に発生するマイクロキャビティが過多になって、イオン注入工程で圧電体の単結晶基材にかかる熱により欠陥層で分断してしまう。その場合、実用的な品質を確保できない。そのため、希ガスイオンの注入密度を、2×1016〜5×1016atom／cm2として、実用的な品質を確保する。
この圧電性複合基板の製造方法は、イオン注入工程の後から前記剥離工程の前までに、単結晶薄膜が剥離される単結晶基材の表面に、圧電性複合基板を構成する支持基板を接合する工程を含むと好適である。また、この圧電性複合基板の製造方法は、単結晶薄膜が剥離された単結晶基材の表面および、単結晶薄膜の表面を平坦化する工程を含むと好適である。
この発明によれば、イオン注入工程と剥離工程との採用により、圧電体の単結晶基材を再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の、均質な厚みの単結晶薄膜を得られる。また、希ガスイオンのイオン注入により効率的にマイクロキャビティを形成できる。
以下、本発明の実施形態に係る圧電性複合基板の製造方法を、表面弾性波共振素子の製造方法に採用した工程例を説明する。本実施形態では圧電体としてLiNbO3を採用し、支持基板にSi基板を採用する。
図２は、本実施形態に係る表面弾性波共振素子の製造方法の製造工程フローを示す図である。図３は、同製造工程フローにおける各工程での圧電性複合基板や、圧電体の単結晶基材、支持基板を示す模式図である。
この製造工程フローでは、まず圧電体単結晶基材１の鏡面研磨された主面にＨｅ+イオンを注入するイオン注入工程を行う（Ｓ１）。ここで、Ｈｅ+イオンの注入エネルギーは１５０KeVとし、ドーズ量（イオン注入密度）は2×1016atom／cm2とする。これにより、Ｈｅ+イオンが圧電体単結晶基材１の主面から約0.5μmの深さで集積してマイクロキャビティを形成する。この圧電体単結晶基材１の主面から約0.5μmの深さの面が剥離層３となる。
なお、弾性表面波共振素子を製造する上で圧電体の結晶方位は、電気機械結合係数や周波数温度特性、音速に影響し、弾性表面波共振素子の周波数や帯域幅、挿入損失などに重要な影響を与える。そのため、本工程で利用する圧電体単結晶基材１の主面近傍における結晶方位を適切に制御しておくことで、優れた弾性表面波共振素子を構成できる。本実施形態では、圧電体単結晶基材１の主面近傍における結晶方位を制御可能であるため、製造する弾性表面波共振素子の周波数や帯域幅、挿入損失、電気機械結合係数、周波数温度特性、音速などの選択自由度が高い。
次に、圧電体単結晶基材１の主面に支持基板２の主面を接合する接合工程を行う（Ｓ２）。ここで、LiNbO3を採用する圧電体単結晶基材１とSiを採用する支持基板２とでは線膨張係数が異なるので常温直接接合法を利用して、常温環境下で圧電体単結晶基材１と支持基板２との主面をプラズマにより活性化して真空中で接合する。
次に、接合した圧電体単結晶基材１と支持基板２とを５００℃加熱環境下におき、剥離層３を分断する剥離工程を行う（Ｓ３）。これにより剥離層３では、マイクロキャビティが熱応力により成長し、圧電体単結晶基材１の剥離層３より上部の約0.5μmの厚み部分が、圧電体単結晶薄膜４として剥離して支持基板２とともに圧電性複合基板５を構成する。
なお、圧電体単結晶薄膜４の厚みはイオン注入するときのエネルギーで決まり、研磨のように基板うねりに厚みが左右されることはなく安定する。この厚みは、表面弾性波の音速を決定するので、本実施形態の製造方法により表面弾性波素子を安定した性能に設定できる。
次に、残りの圧電体単結晶基材１と圧電性複合基板５とで、それぞれの剥離面を化学機械研磨（ＣＭＰ）する研磨工程を行う（Ｓ４）。ここで、圧電体単結晶基材１と圧電性複合基板５との剥離面は、それぞれＲＭＳ（二乗平均平方根）で1nm程度で荒れるので、ＣＭＰにより荒れが1nm以下になるように鏡面研磨する。なお、ＣＭＰでは深さ方向に約１００ｎｍほど研磨を行う。鏡面研磨後の圧電体単結晶基材１は再びイオン注入工程で利用する。
なお、鏡面研磨後の圧電体単結晶基材１は再利用するので、高単価な圧電体単結晶基材１から、数十枚〜数百枚の圧電体単結晶薄膜４を得ることができる。したがって、圧電体単結晶薄膜４の一枚当たりの、LiやTaなどの使用量を抑制でき、環境負荷を抑えられる。また、低単価なSiなどからなる支持基板２を利用するので、圧電性複合基板５を低単価で得られる。圧電体単結晶基材１が高単価となるのは、単結晶の育成速度が遅く、割れやすいためスライスしづらく、LiやTaなどの原料が希少であるためである。
次に、鏡面研磨後の圧電性複合基板５に分極工程を行う（Ｓ５）。ここでは、圧電性複合基板５の圧電体単結晶薄膜４に対して、４００℃環境下で約5ms、22kVのパルス電圧を印加し分極処理を行う。この分極処理は、イオン注入や熱処理によって圧電体単結晶内の電気双極子の状態が変化して部分的な分極反転が生じた状態を修復するために行う。部分的な分極反転は圧電性の劣化を引き起こすため好ましくないが、この工程を採用することにより、圧電性を回復できる。この分極反転する圧電体単結晶内の電気双極子は、正に帯電した原子が電界内で陰極側に、負に帯電した原子が電界内で陽極側に結晶内をシフトして生ずる電気双極子が電界の印加を止めても分極の状態を維持する自発分極現象により生じる。
なお、この分極工程は剥離工程後に行うことが望ましく、温度は支持基板や電極の融点や熱膨張係数差を考慮して、200〜1200℃で行う。高温であるほど抗電界が下がるので、印加する電界を低く抑えることができる。また、電界は1μs〜1分の範囲で断続的に印加すると直流電界による結晶へのダメージを抑制できるので、望ましい。また、200℃以上での加熱は、イオン注入により受けた結晶のひずみを緩和するため望ましい。結晶ひずみをとるための加熱温度は、分極の解消を避けるためにキューリー温度より100℃以上低くするとよい。
次に、圧電性複合基板５の圧電体単結晶薄膜４上に、フォトリソグラフィプロセスを利用して、アルミニウムによるＩＤＴ電極を形成して表面弾性波共振フィルタを構成する（Ｓ６）。
なお、携帯電話用のRFフィルタに表面弾性波共振素子を利用する際には、1〜2Wの大きな電力が印加されることになる。表面弾性波共振素子の耐電力性能は、電気信号を加えたときのIDT領域の温度により大きな影響を受ける。電力印加によりIDT領域が250℃などの高温になると、表面弾性波共振素子が破壊するまでの時間が著しく短くなる。IDT領域の温度上昇は、電気的なオーミック損に起因するジュール熱や弾性的な吸音による発熱が、圧電体基板の熱伝導率の低さにより十分に放熱されないことが要因となる。本発明により製造される表面弾性波共振素子では、Siに比べて熱伝導率が小さいLiTaO3やLiNbO3などの圧電体を薄膜として利用し、支持基板は熱伝導率が大きいSiとするので、放熱性が改善でき、大きな電力印加に耐えることができる。
本実施形態では、表面弾性波共振素子の製造方法に本発明を採用する実施形態を示したが、本発明はこれ以外にも、バルク弾性波共振素子や、界面弾性波共振素子の製造方法にも採用することができる。表面弾性波共振素子やバルク弾性波共振素子は一般的な構成を採用するとよい。境界弾性波共振素子については、特願２００３−３２４０９などの構成を採用するとよい。
また、本実施形態では希ガスイオンとしてHe+イオンを採用する実施形態を示したが、本発明はこれ以外の希ガスイオンであっても採用でき、好ましくは、イオン化エネルギーが水素よりも大きい、ネオン、アルゴン、クリプトンのイオンを採用するとよい。
１…圧電体単結晶基材
２…支持基板
３…剥離層
４…圧電体単結晶薄膜
５…圧電性複合基板
２…支持基板
３…剥離層
４…圧電体単結晶薄膜
５…圧電性複合基板
Claims (6)
- 圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、
前記圧電体の単結晶基材へ希ガスイオンを注入することにより、前記単結晶基材の表面から内部に離れた剥離層に、マイクロキャビティを集積して形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程で形成した前記マイクロキャビティに熱応力を作用させるにより、前記単結晶基材を前記剥離層で分断して前記単結晶薄膜を剥離する剥離工程と、を含む、圧電性複合基板の製造方法。 - 前記イオン注入工程は、水素のイオン化エネルギーよりも大きいイオン化エネルギーの希ガス元素のイオンを前記希ガスイオンとして利用する、請求項１に記載の圧電性複合基板の製造方法。
- 前記イオン注入工程は、前記希ガスイオンとしてヘリウムイオンを利用する、請求項２に記載の圧電性複合基板の製造方法。
- 前記イオン注入工程は、前記希ガスイオンの注入密度を、2×1016〜5×1016atom／cm2とする、請求項１〜３のいずれかに記載の圧電性複合基板の製造方法。
- 前記イオン注入工程の後から前記剥離工程の前までに、
前記単結晶薄膜が剥離される前記単結晶基材の表面に、前記圧電性複合基板を構成する支持基板を接合する工程を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の圧電性複合基板の製造方法。 - 前記単結晶薄膜が剥離された前記単結晶基材の表面および、前記単結晶薄膜の表面を平坦化する工程を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の圧電性複合基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008282212A JP4821834B2 (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 圧電性複合基板の製造方法 |
| EP20090173492 EP2182562B1 (en) | 2008-10-31 | 2009-10-20 | Method for producing piezoelectric composite substrate |
| US12/608,120 US8932686B2 (en) | 2008-10-31 | 2009-10-29 | Method for producing piezoelectric composite substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008282212A JP4821834B2 (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 圧電性複合基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010109909A true JP2010109909A (ja) | 2010-05-13 |
| JP4821834B2 JP4821834B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=41697785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008282212A Active JP4821834B2 (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 圧電性複合基板の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8932686B2 (ja) |
| EP (1) | EP2182562B1 (ja) |
| JP (1) | JP4821834B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012199762A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP2012199638A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイス |
| WO2013141184A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ素子及びその製造方法 |
| US20140130319A1 (en) * | 2010-09-28 | 2014-05-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing piezoelectric device |
| KR20150118143A (ko) * | 2013-02-19 | 2015-10-21 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 탄성파 디바이스 및 탄성파 디바이스의 제법 |
| WO2018066653A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
| KR20180074702A (ko) * | 2015-10-20 | 2018-07-03 | 소이텍 | 하이브리드 구조체의 제조 방법 |
| KR20190030747A (ko) * | 2016-08-02 | 2019-03-22 | 소이텍 | 도너 기판에서 압전 층을 박리하기 위한 전기장의 사용 |
| JP2020205621A (ja) * | 2017-02-14 | 2020-12-24 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
Families Citing this family (80)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4582235B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-11-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP5569537B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-08-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP6170349B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-07-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP2017034527A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、プローブ、超音波測定装置、電子機器、分極処理方法、及び、初期化装置 |
| FR3051979B1 (fr) * | 2016-05-25 | 2018-05-18 | Soitec | Procede de guerison de defauts dans une couche obtenue par implantation puis detachement d'un substrat |
| US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
| US20210328574A1 (en) | 2020-04-20 | 2021-10-21 | Resonant Inc. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor |
| US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
| US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
| US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
| US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
| US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
| US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
| US10601392B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-03-24 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
| US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
| US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
| US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
| US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
| US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
| US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
| US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
| US10992284B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers |
| US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US10819309B1 (en) | 2019-04-05 | 2020-10-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
| US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
| US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
| US10998877B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method with frequency trimming based on electric measurements prior to cavity etch |
| US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
| US10985728B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer |
| US10797675B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-06 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate |
| US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
| US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US10992283B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated Z-cut lithium niobate |
| US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
| US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
| US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
| US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| US10868513B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-12-15 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
| JP7127472B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-08-30 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子の作製方法 |
| CN109818590B (zh) * | 2019-03-13 | 2021-12-03 | 电子科技大学 | 具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器 |
| US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
| DE112020001227T5 (de) | 2019-03-14 | 2022-02-10 | Resonant Inc. | Transversal angeregter akustischer Filmresonator mit Lambda-Halbe-Dielektrikumschicht |
| US10911021B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop |
| US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
| US10862454B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
| US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
| CN111341904B (zh) * | 2020-03-04 | 2023-06-23 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种压电薄膜及其制备方法、确定压电晶轴方向的方法 |
| US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
| US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
| US10992282B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width |
| CN111834519B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-12-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法 |
| US11742828B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm |
| US11482981B2 (en) | 2020-07-09 | 2022-10-25 | Resonanat Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
| US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
| US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
| US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
| US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
| US11405019B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters |
| US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
| US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
| US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
| US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
| US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
| US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
| US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| CN113314342B (zh) * | 2021-04-15 | 2022-08-05 | 华南师范大学 | 提高介电薄膜电容器储能密度的方法和介电薄膜电容器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10200080A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-07-31 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法 |
| JPH1155070A (ja) * | 1997-06-02 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
| JP2002503885A (ja) * | 1998-02-17 | 2002-02-05 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 単結晶薄膜の結晶イオンスライス法 |
| JP2002534886A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-15 | タレス | 分子結合剤によってキャリヤ基板に結合された圧電材料の薄層中で案内される表面弾性波のためのデバイスおよび製造方法 |
| JP2003017967A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP2003095798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Hoya Corp | 単結晶基板の製造方法 |
| JP2005093898A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 結晶基板および素子の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG65697A1 (en) * | 1996-11-15 | 1999-06-22 | Canon Kk | Process for producing semiconductor article |
| US6641662B2 (en) * | 1998-02-17 | 2003-11-04 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same |
| JP2003032409A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Konica Corp | 画像データ処理システム |
| US6777727B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-08-17 | Motorola, Inc. | Flexural plate wave systems |
| FR2914492A1 (fr) * | 2007-03-27 | 2008-10-03 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de structures avec couches ferroelectriques reportees. |
-
2008
- 2008-10-31 JP JP2008282212A patent/JP4821834B2/ja active Active
-
2009
- 2009-10-20 EP EP20090173492 patent/EP2182562B1/en active Active
- 2009-10-29 US US12/608,120 patent/US8932686B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10200080A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-07-31 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法 |
| JPH1155070A (ja) * | 1997-06-02 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
| JP2002503885A (ja) * | 1998-02-17 | 2002-02-05 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 単結晶薄膜の結晶イオンスライス法 |
| JP2002534886A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-15 | タレス | 分子結合剤によってキャリヤ基板に結合された圧電材料の薄層中で案内される表面弾性波のためのデバイスおよび製造方法 |
| JP2003017967A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP2003095798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Hoya Corp | 単結晶基板の製造方法 |
| JP2005093898A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 結晶基板および素子の製造方法 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9246462B2 (en) * | 2010-09-28 | 2016-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing piezoelectric device |
| US20140130319A1 (en) * | 2010-09-28 | 2014-05-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing piezoelectric device |
| JP2012199638A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイス |
| JP2012199762A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法 |
| US9374062B2 (en) | 2012-03-23 | 2016-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter device and manufacturing method of the same |
| JPWO2013141184A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-08-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ素子及びその製造方法 |
| WO2013141184A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ素子及びその製造方法 |
| KR20150118143A (ko) * | 2013-02-19 | 2015-10-21 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 탄성파 디바이스 및 탄성파 디바이스의 제법 |
| JP5934424B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-06-15 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイスの製法 |
| KR102094026B1 (ko) | 2013-02-19 | 2020-03-27 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 탄성파 디바이스 및 탄성파 디바이스의 제법 |
| JPWO2014129432A1 (ja) * | 2013-02-19 | 2017-02-02 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイスの製法 |
| US9911639B2 (en) | 2013-02-19 | 2018-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate, elastic wave device, and method for producing elastic wave device |
| US11930710B2 (en) | 2015-10-20 | 2024-03-12 | Soitec | Hybrid structure and a method for manufacturing the same |
| KR20180074702A (ko) * | 2015-10-20 | 2018-07-03 | 소이텍 | 하이브리드 구조체의 제조 방법 |
| JP2018534863A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-11-22 | ソイテック | ハイブリッド構造を製造するための方法 |
| KR102639433B1 (ko) * | 2015-10-20 | 2024-02-23 | 소이텍 | 하이브리드 구조체의 제조 방법 |
| US11349065B2 (en) | 2015-10-20 | 2022-05-31 | Soitec | Method for manufacturing a hybrid structure |
| KR20190030747A (ko) * | 2016-08-02 | 2019-03-22 | 소이텍 | 도너 기판에서 압전 층을 박리하기 위한 전기장의 사용 |
| JP2019527937A (ja) * | 2016-08-02 | 2019-10-03 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | ドナー基板から圧電層を剥離するための電界の使用 |
| KR102200791B1 (ko) | 2016-08-02 | 2021-01-12 | 소이텍 | 도너 기판에서 압전 층을 박리하기 위한 전기장의 사용 |
| US11744154B2 (en) | 2016-08-02 | 2023-08-29 | Soitec | Use of an electric field for detaching a piezoelectric layer from a donor substrate |
| US10756254B2 (en) | 2016-10-06 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composite substrate and method of manufacturing composite substrate |
| JPWO2018066653A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2019-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
| KR102444516B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2022-09-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 복합 기판 및 복합 기판의 제조 방법 |
| KR20190065249A (ko) * | 2016-10-06 | 2019-06-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 복합 기판 및 복합 기판의 제조 방법 |
| WO2018066653A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
| JP2020205621A (ja) * | 2017-02-14 | 2020-12-24 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
| JP7008769B2 (ja) | 2017-02-14 | 2022-01-25 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
| US11722121B2 (en) | 2017-02-14 | 2023-08-08 | Kyocera Corporation | Acoustic wave element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2182562B1 (en) | 2013-08-21 |
| US8932686B2 (en) | 2015-01-13 |
| EP2182562A3 (en) | 2011-08-31 |
| JP4821834B2 (ja) | 2011-11-24 |
| US20100108248A1 (en) | 2010-05-06 |
| EP2182562A2 (en) | 2010-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4821834B2 (ja) | 圧電性複合基板の製造方法 | |
| JP5408312B2 (ja) | 複合圧電基板の製造方法 | |
| US9508918B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric device with a composite piezoelectric substrate | |
| JP5353897B2 (ja) | 圧電性複合基板の製造方法、および圧電素子の製造方法 | |
| JP5447682B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| US9240543B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric device | |
| JP2003017967A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
| JP2013531950A (ja) | 圧電材料の埋め込み方法 | |
| WO2012043616A1 (ja) | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 | |
| US8764998B2 (en) | Method for manufacturing composite substrate | |
| JP5359615B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| JP5277975B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| WO2011074329A1 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100816 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101025 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110322 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110809 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110822 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4821834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |