JP2010087463A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態は、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層が交互に積層されて成る活性層とを含み、上記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造は、第1量子井戸層と、上記第1量子井戸層より高い量子準位を有する第2量子井戸層と、キャリアがトンネリングされることができる厚さのトンネリング量子障壁層と、上記トンネリング量子障壁層より厚い量子障壁層である結晶品質改善層とを有する単位積層構造と、上記第1及び第2量子井戸層より厚い厚膜量子井戸層とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。
【選択図】図3
Description
n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、上記n型及びp型窒化物半導体層の間に形成され、複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層が交互に積層されて成る活性層とを含み、上記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造は、第1量子井戸層と、上記p型窒化物半導体層方向に上記第1量子井戸層に隣接して形成され、上記第1量子井戸層より高い量子準位を有する第2量子井戸層と、上記第1及び第2量子井戸層の間に形成され、キャリアがトンネリングされることができる厚さのトンネリング量子障壁層と、上記p型窒化物半導体層方向に上記第2量子井戸層に隣接して形成され、上記トンネリング量子障壁層より厚い量子障壁層である結晶品質改善層とを有する単位積層構造と、上記第1及び第2量子井戸層と隣接して形成され、上記第1及び第2量子井戸層より厚い厚膜量子井戸層とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。
32 n型窒化物半導体層
300 活性層
35 単位積層構造
36 厚膜量子井戸層
37 p型窒化物半導体層
38 透明電極層
39a、39b n型及びp型電極
35a 第1量子井戸層
35b トンネリング量子障壁層
35c 第2量子井戸層
35d 結晶品質改善層
45a 第3量子井戸層
45b 第2トンネリング量子障壁層
SL 超格子構造
Claims (22)
- n型窒化物半導体層と、
p型窒化物半導体層と、
前記n型及びp型窒化物半導体層の間に形成され、複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層が交互に積層されて成る活性層と
を含み、
前記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造は、
第1量子井戸層と、前記p型窒化物半導体層方向に前記第1量子井戸層に隣接して形成され、前記第1量子井戸層より高い量子準位を有する第2量子井戸層と、前記第1及び第2量子井戸層の間に形成され、キャリアがトンネリングされることができる厚さのトンネリング量子障壁層と、前記p型窒化物半導体層方向に前記第2量子井戸層に隣接して形成され、前記トンネリング量子障壁層より厚い量子障壁層である結晶品質改善層とを有する単位積層構造と、
前記第1及び第2量子井戸層と隣接して形成され、前記第1及び第2量子井戸層より厚い厚膜量子井戸層と
を具備することを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記活性層内において、前記単位積層構造は、2回以上反復して積層されたことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記単位積層構造の反復回数は、2〜30回であることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記厚膜量子井戸層は、前記単位積層構造の間に配置されて前記単位積層構造に含まれたトンネリング量子障壁層と界面を形成することを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造のうちの一部は、超格子構造を成すことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記超格子構造は、前記活性層内において前記単位積層構造に比べて前記n型窒化物半導体層により隣接して形成されたことを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記超格子構造に含まれた複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の厚さは、20〜60Åであることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記超格子構造は、量子井戸層及び量子障壁層を夫々5〜15個ずつ具備することを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記活性層は、前記単位積層構造を1〜5個具備することを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記厚膜量子井戸層は、前記超格子構造と前記単位積層構造の間に形成されたことを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記厚膜量子井戸層は、前記活性層内において前記n型窒化物半導体層より前記p型窒化物半導体層に近く形成されたことを特徴とする請求項10に記載の窒化物半導体素子。
- 前記厚膜量子井戸層及びこれと隣接した前記単位積層構造に含まれた第1量子井戸層の間に形成された量子障壁層の厚さは、20〜60Åであることを特徴とする請求項10に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第2量子井戸層は、前記第1量子井戸層より厚さが薄いことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第1量子井戸層の厚さは20〜60Åであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第2量子井戸層の厚さは10〜50Åであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記トンネリング量子障壁層の厚さは10〜80Åであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記結晶品質改善層の厚さは30〜200Åであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記厚膜量子井戸層の厚さは50〜100Åであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第2量子井戸層の前記量子準位は、ドーピングによる量子準位であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記単位積層構造は、
前記n型窒化物半導体層方向に前記第1量子井戸層に隣接して形成され、前記第1量子井戸層より高い量子準位を有する第3量子井戸層と、
前記第1及び第3量子井戸層の間に形成され、キャリアがトンネリングされることができる厚さを有する第2トンネリング量子障壁層と
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。 - 前記第3量子井戸層の厚さは10〜50Åであることを特徴とする請求項20に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第2トンネリング量子障壁層の厚さは10〜80Åであることを特徴とする請求項20に記載の窒化物半導体素子。
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