JP2010087428A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 凸部が周辺部に形成されたボンド基板の作製方法であって、
   中央部より周辺部の厚さが薄いボンド基板上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記ボンド基板の表面からイオンを照射することによって脆化層を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせ、
   加熱処理により、前記脆化層において前記絶縁膜を介して半導体膜が形成された前記ベース基板と、残存脆化層、残存半導体層、及び残存絶縁膜からなる残存部が周辺部に形成された分離ボンド基板とに分離し、
   前記分離ボンド基板に対してフッ酸を含むエッチャントでウェットエッチングを行うことにより、前記残存絶縁膜を除去し、
   前記分離ボンド基板に第１の研磨を行い、前記残存脆化層、及び前記残存半導体層を除去することにより、凸部が周辺部に形成されたボンド基板を作製し、
   前記凸部が周辺部に形成されたボンド基板の形状は、中央部に平行且つ前記凸部より下に位置する基準面から前記凸部先端までの距離Ｄ１と、前記基準面から前記中央部までの距離Ｄ２が、Ｄ１≦Ｄ２の関係を満たすことを特徴とするボンド基板の作製方法。
2. 第１の工程と第２の工程とを複数回繰り返し行うごとに、前記第２の工程に代えて第３の工程を行うことにより形成される、凸部が周辺部に形成されたボンド基板の作製方法であって、
   前記第１の工程として、
   中央部より周辺部の厚さが薄いボンド基板上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記ボンド基板の表面からイオンを照射することによって脆化層を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせ、
   加熱処理により、前記脆化層において前記絶縁膜を介して半導体膜が形成された前記ベース基板と、残存脆化層、残存半導体層、及び残存絶縁膜からなる残存部が周辺部に形成された分離ボンド基板とに分離し、
   前記第２の工程として、
   前記分離ボンド基板に対してフッ酸を含むエッチャントでウェットエッチングを行うことにより、前記残存絶縁膜を除去し、
   前記分離ボンド基板に第１の研磨を行い、前記残存脆化層、及び前記残存半導体層を除去することにより、凸部が周辺部に形成されたボンド基板を作製し、
   前記凸部が周辺部に形成されたボンド基板の形状は、中央部に平行且つ前記凸部より下に位置する基準面から前記凸部先端までの距離Ｄ１と、前記基準面から前記中央部までの距離Ｄ２が、Ｄ１≦Ｄ２の関係を満たし、
   前記第３の工程として、
   前記分離ボンド基板に対してフッ酸を含むエッチャントでウェットエッチングを行うことにより、前記残存絶縁膜を除去し、
   前記分離ボンド基板に、前記第１の研磨よりも研磨レートが高い第２の研磨を行い、前記残存脆化層、及び前記残存半導体層を除去することにより、凸部が周辺部に形成されたボンド基板を作製することを特徴とするボンド基板の作製方法。
3. 請求項２において、前記第２の研磨の研磨代を５μｍ乃至２０μｍとすることを特徴とするボンド基板の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の研磨の研磨代を５００ｎｍ乃至１０００ｎｍとすることを特徴とするボンド基板の作製方法。