JP2010087211A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】搬送制御における処理負担を一部に集中させることなく、適切な搬送制御を実現することができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１を複数の被制御区画であるセルＣ１〜Ｃ６に分割し、各セルＣ１〜Ｃ６内部の搬送スケジュールを管理するセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６を設ける。さらに、その上位のスケジューラとして、複数個のセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６を統括的に管理するセル間スケジューラＭＳを設ける。セル間スケジューラＭＳが、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、基板Ｗの払い出しのタイミングを指示することによって、セル間での基板Ｗの受け渡しを制御する。
【選択図】図６

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。

特許文献１には、このような装置の構成例が開示されている。ここに開示されている基板処理装置においては、複数の処理部（レジスト膜等の各種塗布膜の形成を行う処理部、現像処理を行う処理部、熱処理を行う熱処理部等）と、処理部間で基板を搬送する複数の搬送機構とがそれぞれ所定位置に配置され、各搬送機構が基板を所定の順序で所定の処理部に搬送していく。これによって、基板に対する一連の処理が行われることになる。

このような基板処理装置においては、基板を各処理部に搬送するスケジュールを算出するとともに、当該スケジュールにしたがって搬送機構を制御するコントローラが設けられる。従来においては、装置全体にわたる搬送制御を１個のコントローラで行っていた。しかしながら、装置内に設けられる処理部の個数が増加するにつれてスケジュール計算は複雑なものとなり、その算出に時間がかかり、リアルタイムの計算も難しくなってきた。また、ソフトの不具合も多発するようになってきた。

そこで、コントローラの処理負担を軽減すべく、装置全体を複数の被制御区画に分割し、各区画を別個のコントローラで独立して管理する構成が考案されている。例えば、特許文献１に開示されている基板処理装置においては、装置全体を、１個の搬送機構と当該搬送機構が基板の搬出入を行う処理部とを含むユニット単位（セル）に分割し、各セル内の搬送スケジュールを別個のコントローラ（セルコントローラ）に独立して管理させる構成をとっている。

この構成によると、各セルコントローラは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれが管理するセル内だけの搬送スケジュールをみていればよいので、搬送制御に係る処理負担が軽くなる。また、処理に要する時間が短縮され、スループットが向上する。

特開２００４−８７５７０号公報

セル単位で独立した搬送制御を行えば、上述した利点が得られる半面、セル間を通じたトータルでの搬送制御を行うことができないという不都合があり、その結果、各種の問題が生じていた。

例えば、レジスト膜を塗布形成する処理部にてカップリンスを行う場合、その間はレジスト膜の塗布形成処理が行えない。そこで、当該処理部を含むセル（レジスト塗布セル）のセルコントローラは、カップリンスが終了するまで当該セル内への基板の受け入れを停止する。ところが他のセルではそのような事情を感知することができないため、そのまま処理が続行されていく。その結果、レジスト塗布セルに対して基板を払い出すセル（バークセル）では、処理した基板をレジスト塗布セルに払い出すことができず、基板のどん詰まり状態が発生してしまう。バークセルにおいては、反射防止膜の塗布形成処理および、これに付随する熱処理が行われるところ、どん詰まり状態においては、熱処理を施された基板を熱処理部から搬出できず、その結果、反射防止膜を塗布形成した基板を熱処理部に搬入できない状態が生じてしまう。すなわち、反射防止膜が形成された基板が、熱処理されないまま相当時間待たされるため、プロセス的な問題が発生してしまう。

このように、セル単位での独立した搬送制御によると、あるセルでのスケジュールの遅れに応じて他のセルのスケジュールを調整する、といったセル間でのスケジュール調整を行うことができず、そのために、プロセスリスクの発生を回避できなかった。

また例えば、セル単位での独立した搬送制御によると、セル間をまたがる全体タクト搬送（同一ロットの基板を同じ搬送履歴、処理履歴となるように搬送する搬送制御態様）が実現できないという不都合もあった。すなわち、個々のセルコントローラが自分のセル内の搬送状態しか把握しないため、例えば、ある基板はバークセルから払い出されてから３秒後にレジスト塗布セルへ受け入れられ、別の基板は７秒後に受け入れられる、といったように、セル間の受け渡しタイミングが基板間でばらついてしまうのである。このため、セル単位でのタクト搬送を行ったとしても、全体としての搬送履歴を一定にすることができず、全体タクト搬送が実現できなかった。

このように、装置全体を複数の被制御区画に分割し、各被制御区画の搬送制御を別個のコントローラで独立して行う構成においては、処理負担の分散および処理速度の向上という利点が得られる一方で、複数の被制御区画全体を通じたトータルでの搬送制御を行えないために、適切な搬送制御が担保されないという欠点があった。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、搬送制御における処理負担を一部に集中させることなく、適切な搬送制御を実現することができる技術を提供することを目的としている。

請求項１の発明は、基板を複数の処理部に順次搬送して一連の処理を施す基板処理装置であって、前記基板処理装置を分割して規定された複数の被制御区画と１対１で対応付けられ、それぞれが対応する被制御区画内部の搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラと、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラと、を備える。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記被制御区画間スケジューラが、前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれから、対応する前記被制御区画の状態を示す情報であるステータス情報を取得するステータス情報取得手段、を備え、前記ステータス情報に基づいて、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを決定する。

請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、前記被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画からの基板の払い出しの停止指示を与える払出タイミング指示手段、を備える。

請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な理由を示す情報が含まれ、前記払出タイミング指示手段が、前記理由に基づいて、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから前記停止指示を与えるべき被制御区画スケジューラを選択する。

請求項５の発明は、請求項３または４に記載の基板処理装置であって、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な期間を示す情報が含まれ、前記払出タイミング指示手段が、前記期間に基づいて決定したタイミングで、前記停止指示を与えた被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの再開指示を与える。

請求項６の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、前記被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を与える受入タイミング指示手段と、前記複数の被制御区画のそれぞれについて、当該被制御区画から基板が払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく前記被制御区画内に安全に収容可能な基板の最大枚数である安全枚数を特定する安全枚数特定手段と、を備え、前記受入タイミング指示手段が、前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を、当該被制御区画の前記安全枚数を超える数の基板が当該被制御区画へ受け入れられる前に与える。

請求項７の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記被制御区画間スケジューラが、前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれに対して指示を与えて、前記複数の被制御区画それぞれにおいて１枚の基板が当該被制御区画に搬入されてから払い出されるまでの時間である区画内タクトタイムを、前記複数の被制御区画の全てについて所定の値に揃えさせる区画内タクトタイム調整手段と、前記複数の被制御区画それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させるタイミング調整手段と、を備える。

請求項１の発明によると、複数の被制御区画それぞれの搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラの他に、複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラを設ける。このようにスケジューラを階層化することによって、搬送制御における処理負担を分散させつつ、被制御区画間でのトータルの搬送制御を行って、適切な搬送制御を実現することができる。

請求項３の発明によると、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、被制御区画間スケジューラが、選択された被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの停止指示を与えることにより被制御区画間での搬送スケジュールの調整を行う。これによって、プロセスリスクの発生を回避した適切な搬送制御を実現することができる。

請求項４の発明によると、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、被制御区画間スケジューラが、そこに基板を受け入れられない理由に基づいて停止指示を与えるべき被制御区画スケジューラを選択する。この構成によって、被制御区画間での搬送スケジュールを柔軟かつ適切に調整することが可能となり、プロセスリスクの発生を回避しつつ、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。

請求項５の発明によると、被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な期間に基づいて決定したタイミングで、基板の払い出しの再開指示を与える。この構成によって、被制御区画間での搬送スケジュールを適切なタイミングで切り換えることが可能となり、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。

請求項６の発明によると、被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、選択された被制御区画スケジューラに対して、被制御区画にその安全枚数を超える数の基板が受け入れられる前に、基板の受け入れの停止指示を与える。これによって、プロセスリスクの発生を回避しつつ、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。

請求項７の発明によると、被制御区画間スケジューラが、複数の被制御区画の区画内タクトタイムを所定の値に揃えさせるとともに、各被制御区画からの基板の払い出しタイミングを同期させる。これによって、被制御区画間をまたがる全体タクト搬送が担保された適切な搬送制御を行うことができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

〈１．基板処理装置〉
〈１−１．全体構成〉
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

本実施形態の基板処理装置１は、半導体ウェハ等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であってもよい。

本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。露光ユニットＥＸＰは、ホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して基板処理装置１と接続されている。

インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。

インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。

インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＢＲＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰおよびレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー２３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび密着強化処理ユニットＡＨＬ）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられていてもよい。

レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられてもよい。

現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。

図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰは露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。

また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤおよび熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３およびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６およびスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦおよび基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。

リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。

現像処理ブロック４０の露光後ベーク処理部４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と全く同じである。また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。

露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取って露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであってもよい。

以上のインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０は、基板処理装置１を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置１が構成されている。

〈１−２．制御機構〉
基板処理装置１の制御機構について説明する。はじめに、「セル」について説明する。この実施の形態では、基板搬送に係る搬送制御単位（被制御区画）を、機械的に分割した「ブロック」とは別に構成しており、本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲやインターフェイスブロック５の搬送機構ＩＦＲも含まれる。

基板処理装置１には、インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６の６つのセルが含まれている。インデクサセルＣ１は、載置台１１とインデクサロボットＩＲとを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１０と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルＣ２は、下地塗布処理部２１と２つの熱処理タワー２２，２３と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルＣ２も、機械的に分割した単位であるバークブロック２０と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルＣ３は、レジスト塗布処理部３１と２つの熱処理タワー３２，３３と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルＣ３も、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３０と結果として同じ構成になっている。

一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部４１と熱処理タワー４２と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対してアクセスすることができず、現像処理セルＣ４に熱処理タワー４３は含まれない。この点において、現像処理セルＣ４は機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０と異なる。

また、露光後ベークセルＣ５は、現像処理ブロック４０に位置する熱処理タワー４３と、インターフェイスブロック５０に位置するエッジ露光ユニットＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルＣ５は、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱ユニットＨＰと搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱ユニットＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４３に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルＣ４の搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルＣ５の搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構ＩＦＲを含んで構成されている。このインターフェイスセルＣ６は、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光ユニットＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５０とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルＣ６の搬送機構ＩＦＲとの間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

次に、基板処理装置１の制御機構について図５を参照しながら具体的に説明する。図５は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、この実施の形態の基板処理装置１は、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。

第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ３、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順にしたがって循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。上述した現像処理ブロック４０の加熱部ＨＰ７〜ＨＰ１２は露光後ベークセルのベークコントローラによって制御されている。

また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、この実施の形態に係る基板処理装置１が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置１に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置１のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。

なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピにしたがって動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。

〈１−３．処理動作〉
次に、上記の基板処理装置１における基板処理の手順について簡単に説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容にしたがって図５の制御機構が各部を制御することにより実行される。

まず、基板処理装置１における全体の処理手順を簡単に説明する。装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２のいずれかの密着強化処理ユニットＡＨＬに搬送する。密着強化処理ユニットＡＨＬでは、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理して基板Ｗの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。

冷却された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットＣＰから下地塗布処理部２１のいずれかの塗布処理ユニットＢＲＣに搬送される。塗布処理ユニットＢＲＣでは、基板Ｗの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって熱処理タワー２２，２３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が焼成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

次に、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送して所定温度に温調する。続いて、搬送ロボットＴＲ２が温調済みの基板Ｗをレジスト塗布処理部３１のいずれかの塗布処理ユニットＳＣに搬送する。塗布処理ユニットＳＣでは、基板Ｗにレジスト膜の塗布液が回転塗布される。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。

レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットＳＣから搬出された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって熱処理タワー３２，３３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱(Post Applied Bake)されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構ＩＦＲによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送する。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。

露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニットＨＰ内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰにおいては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットＣＰから基板Ｗを取り出して現像処理部４１のいずれかの現像処理ユニットＳＤに搬送する。現像処理ユニットＳＤでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって熱処理タワー４２のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送され、さらにその後いずれかの冷却ユニットＣＰに搬送される。

その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

〈２．搬送スケジューラ〉
〈２−１．階層構造〉
次に、基板処理装置１の搬送スケジューラの構成について図６を参照しながら説明する。図６は、搬送スケジューラに係る機能部を概略的に示すブロック図である。この実施の形態の基板処理装置１は、セル間スケジューラＭＳ、セルスケジューラＣＳの２階層からなる制御階層を備えている。

第１階層のセル間スケジューラＭＳは、メインコントローラＭＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される機能部である。セル間スケジューラＭＳは、セルスケジューラＣＳの上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、セルスケジューラＣＳのそれぞれに対して、基板Ｗをセルから払い出す（もしくは、セル内に受け入れる）タイミングを指示することによって、セル間で基板Ｗを受け渡しするタイミングを制御する。

第２階層のセルスケジューラＣＳは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される機能部である。セルスケジューラＣＳのそれぞれは、基板処理装置１を分割して規定された複数のセルと１対１で対応付けられ、それぞれが対応するセル内部の搬送スケジュールを管理する。

例えば、バークセルＣ２に対して設けられたセルコントローラＣＣにて実現されるセルスケジューラＣＳは、バークセルＣ２と対応付けられ、バークセルＣ２内部の搬送スケジュールを管理する。したがって、バークセルＣ２内部の搬送動作（具体的には、搬送ロボットＴＲ１による、ＰＡＳＳ１に置かれた基板Ｗの受け取りから始まって、ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置するまでの一連の搬送動作）は、バークセルスケジューラＣＳ２によって、他のセルとは独立して管理されることになる。

なお、以下において、各セルＣ１〜Ｃ６のそれぞれと対応付けられたセルスケジューラＣＳを、それぞれ「インデクサセルスケジューラＣＳ１」「バークセルスケジューラＣＳ２」「レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３」「現像処理セルスケジューラＣＳ４」「露光後ベークセルスケジューラＣＳ５」「インターフェイスセルスケジューラＣＳ６」ともいう。

〈２−２．セル間スケジューラ〉
セル間スケジューラＭＳの構成および処理動作について具体的に説明する。以下においては、３態様のセル間スケジューラＭＳ（セル間スケジューラＭＳａ，ＭＳｂ，ＭＳｃ）について説明する。基板処理装置１が備えるセル間スケジューラＭＳは、セル間スケジューラＭＳａ，ＭＳｂ，ＭＳｃのいずれであってもよい。また、セル間スケジューラＭＳａ，ＭＳｂ，ＭＳｃとして説明する各機能を併せ持ったものでもよい。

〈２−２−１．第１の態様のセル間スケジューラ〉
〈ａ．構成〉
第１の態様のセル間スケジューラＭＳ（セル間スケジューラＭＳａ）について、図７（ａ）を参照しながら説明する。図７（ａ）は、セル間スケジューラＭＳａの機能構成を示すブロック図である。セル間スケジューラＭＳａは、セル間でのスケジュール調整を行う機能部であり、ステータス情報取得部８１１と、払出タイミング指示部８１２とを備える。

ステータス情報取得部８１１は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれから、セルＣ１〜Ｃ６それぞれの状態を示す情報（ステータス情報）を取得する。セルのステータス情報には、当該セルに基板Ｗを受け入れ可能か否かを示す情報が含まれる。例えば、セル内のいずれかの処理部にて基板Ｗを処理できない事情がある場合（例えば、塗布処理部においてカップリンスを行う場合、熱処理部において設定温度の変更処理を行う場合、処理液の温度変更を行う場合、異常が検知された場合、等）は、「基板の受け入れ不可」とのステータス情報が当該セルを管理するセルスケジューラＣＳから通知され、ステータス情報取得部８１１により取得される。

なお、ステータス情報には、当該セル内に基板Ｗを受け入れ不可能な理由を示す情報が含まれてもよい。すなわち、「基板の受け入れ不可」との情報に加えて、その理由を示す情報（例えば、「塗布処理ユニットＳＣのカップリンス洗浄のため」、「加熱ユニットＨＰの温度変更処理のため」、「処理液の温度変更処理のため」、「塗布処理ユニットＳＣにて異常発生のため」、等の情報）がステータス情報に含められてもよい。

また、ステータス情報には、当該セル内に基板Ｗを受け入れ不可能な期間を示す情報が含まれてもよい。すなわち、「基板の受け入れ不可」との情報に加えて、その期間を示す情報（例えば、「１２０秒後に受け入れ可」、といった情報）がステータス情報に含められてもよい。

払出タイミング指示部８１２は、ステータス情報取得部８１１が取得した各セルＣ１〜Ｃ６のステータス情報に基づいて各セルＣ１〜Ｃ６のそれぞれから基板Ｗを払い出すべきタイミングを決定し、セルスケジューラＣＳのそれぞれに対して基板Ｗの払い出しの開始指示、停止指示、再開指示、等を与える。

具体的には、払出タイミング指示部８１２は、いずれかのセルスケジューラＣＳから「基板を受け入れ不可」とのステータス情報が取得された場合に、セルスケジューラＣＳのいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与える。これによって、選択されたセルスケジューラＣＳが管理するセルからの基板Ｗの払い出しが停止されることになる。

ところで、セル内に基板Ｗを受け入れできない理由が判明すれば、当該理由および処理レシピに基づいて、当該セルからの基板Ｗの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルを特定することができる。例えば、塗布処理ユニットＳＣのカップリンス洗浄のためにレジスト塗布セルＣ３が基板Ｗを受け入れできない場合、インデクサセルＣ１からバークセルＣ２への基板Ｗの払い出しを停止しなければ、バークセルＣ２内にて基板Ｗの滞留が生じ、反射防止膜が形成された基板Ｗを引き続き熱処理できない状態が発生し、プロセスリスクの発生につながってしまう。つまり、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しを停止しなければ、プロセスリスクを招くおそれがある。すなわち、当該セルからの基板Ｗの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルは、インデクサセルＣ１であると特定できる。

そこで、払出タイミング指示部８１２は、セル内に基板Ｗを受け入れできない理由を含むステータス情報が取得された場合、当該ステータス情報およびレシピ情報に基づいて、このようなセルを特定し、当該セルを管理するセルスケジューラＣＳを、基板Ｗの払い出しの停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳとして選択する。上記の例の場合、払出タイミング指示部８１２は、インデクサセルＣ１を管理するセルスケジューラＣＳであるインデクサセルスケジューラＣＳ１を、停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳとして選択する。

また、払出タイミング指示部８１２は、セル内に基板Ｗを受け入れできない期間を含むステータス情報が取得された場合、当該期間に基づいて、基板Ｗの払い出しの再開指示を与えるタイミングを決定する。例えば、１２０後に基板Ｗを受け入れ可、とのステータス情報が取得された場合、払出タイミング指示部８１２は、当該ステータス情報が取得されてから１２０秒を経過した時点で、基板Ｗの払い出しの停止指示を与えていたセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与える。

〈ｂ．処理動作〉
セル間スケジューラＭＳａの処理動作について、具体例を提示しながら説明する。

〈具体例１〉
図８を参照する。図８は、具体例１に係るセル間スケジューラＭＳａの処理動作を模式的に示す図である。以下に説明する処理は、新たなロットについての処理を開始する際に実行される。

新たなロットについての処理が開始される際には、ホストコンピュータ１００から、セル間スケジューラＭＳａおよびセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知される。

続いて、ステータス情報取得部８１１が、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれからセルＣ１〜Ｃ６それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から、「基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。

この場合、払出タイミング指示部８１２は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳ（ここでは例えば、インデクサセルスケジューラＣＳ１とする）に対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与える。この停止指示に応じてインデクサセルスケジューラＣＳ１がインデクサロボットＩＲを制御することにより、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しが停止されることになる。

なお、停止指示を与えるセルスケジューラＣＳを選択する態様はどのようなものであってもよい。例えば、セル内に基板Ｗを受け入れできない理由が判明している場合は当該理由に基づいて選択する構成としてもよい（この構成については、〈具体例２〉として後述する）。また、オペレータに選択させる構成としてもよいし、レシピ毎に停止指示を与えるセルスケジューラＣＳを予め規定しておいてもよい。

そして、ステータス情報取得部８１１が、レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から、「基板Ｗを受け入れ可」とのステータス情報を取得すると、払出タイミング指示部８１２は、基板Ｗの払い出しの停止指示を与えていたインデクサセルスケジューラＣＳ１に対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインデクサセルスケジューラＣＳ１がインデクサロボットＩＲを制御することにより、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しが再開されることになる。

上記の搬送制御によると、基板Ｗを受け入れ不可能なセルがある場合に、選択されたセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与えることによりセル間での搬送スケジュールの調整を行うので、プロセスリスクの発生を回避することができる。

〈具体例２〉
図９を参照する。図９は、具体例２に係るセル間スケジューラＭＳａの処理動作を模式的に示す図である。

ここでも、〈具体例１〉の場合と同様、ホストコンピュータ１００から、セル間スケジューラＭＳａおよびセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知され、続いて、ステータス情報取得部８１１が、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれからセルＣ１〜Ｃ６それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から、「塗布処理ユニットＳＣのカップリンス洗浄のために基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。

この場合、払出タイミング指示部８１２は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与える。ただしここでは、取得されたステータス情報に基板Ｗを受け入れできない理由が含まれているので、払出タイミング指示部８１２は、当該理由に基づいて停止指示を与えるセルスケジューラＣＳを選択する。

具体的には、ステータス情報およびレシピ情報に基づいて、当該セルからの基板Ｗの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルを特定し、当該セルを管理するセルスケジューラＣＳを、基板Ｗの払い出しの停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳとして選択する。

上述したとおり、レジスト塗布セルＣ３が塗布処理ユニットＳＣのカップリンス洗浄のために基板Ｗを受け入れできない場合、当該セルからの基板Ｗの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルは、インデクサセルＣ１である。

そこで、この場合、払出タイミング指示部８１２は、インデクサセルスケジューラＣＳ１を、停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳとして選択し、これに停止指示を与える。この停止指示に応じてインデクサセルスケジューラＣＳ１がインデクサロボットＩＲを制御することにより、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しが停止されることになる。

そして、ステータス情報取得部８１１が、レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から、レジスト塗布セルＣ３が基板Ｗを受け入れ可能になったとのステータス情報を取得すると、払出タイミング指示部８１２は、停止指示を与えていたインデクサセルスケジューラＣＳ１に対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインデクサセルスケジューラＣＳ１がインデクサロボットＩＲを制御することにより、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しが再開されることになる。

上記の搬送制御によると、基板Ｗをセル内に受け入れられない理由に基づいて停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳを選択するので、セル間での搬送スケジュールを柔軟かつ適切に調整することが可能となり、プロセスリスクの発生を確実に回避することができる。これについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、ロットＡの処理を終了し、引き続きロットＢについての処理を開始する際に、レジスト塗布セルＣ３の塗布処理ユニットＳＣがカップリンス洗浄するという状況において、各ロットの各基板Ｗが各セルにて処理を施されていく様子を時間に沿って模式的に示す図である。

従来の搬送制御を行った場合を、図１０（ａ）を参照しながら説明する。ロットＡの最後の基板Ｗ（LotＡ２５）がインデクサセルＣ１からバークセルＣ２に向けて払い出されると、引き続いてロットＢの最初の基板Ｗ（LotＢ１）がインデクサセルＣ１から払い出される。インデクサセルＣ１から払い出された基板Ｗ（LotＢ１）は、バークセルＣ２に搬入され、ここで所定の処理を行われた後に、バークセルＣ２から払い出されてＰＡＳＳ３上に載置される。

ところが、レジスト塗布セルＣ３の塗布処理ユニットＳＣ（具体的には、レジスト塗布セルＣ３が有する３個の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３のうち、基板Ｗ（LotＢ１）が搬入されるべき塗布処理ユニットＳＣ１）のカップリンス洗浄が終了するまでは、レジスト塗布セルＣ３は基板Ｗ（LotＢ１）を受け入れることができない。したがって、基板Ｗ（LotＢ１）は、カップリンス洗浄が終了するまで、レジスト塗布セルＣ３に搬入されずに、そのままＰＡＳＳ３上で待機させられる。その結果、基板間で処理履歴のばらつきが発生する。また、この間にバークセルＣ２内でどん詰まり状態が生じ、プロセスリスクの原因となる。

一方、本願発明に係る上記の搬送制御を行った場合を、図１０（ｂ）を参照しながら説明する。ここでは、レジスト塗布セルＣ３が基板Ｗを受け入れできない間は、セル間スケジューラＭＳがインデクサセルスケジューラＣＳ１に対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与えている。したがって、ロットＡの最後の基板Ｗ（LotＡ２５）がインデクサセルＣ１から払い出されてしまっても、停止指示が与えられている間はロットＢの最初の基板Ｗ（LotＢ１）はインデクサセルＣ１から払い出されない。

レジスト塗布セルＣ３が基板Ｗを受け入れ可能となると、セル間スケジューラＭＳがインデクサセルスケジューラＣＳ１に対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与え、これに応じてロットＢの最初の基板Ｗ（LotＢ１）がインデクサセルＣ１から払い出される。インデクサセルＣ１から払い出された基板Ｗ（LotＢ１）は、バークセルＣ２に搬入され、ここで所定の処理を行われた後に、バークセルＣ２から払い出されてＰＡＳＳ３上に載置される。この時点において、レジスト塗布セルＣ３の塗布処理ユニットＳＣのカップリンス洗浄は終了しており、レジスト塗布セルＣ３は基板Ｗ（LotＢ１）を受け入れ可能な状態となっている。したがって、基板Ｗ（LotＢ１）はＰＡＳＳ３上で待機させられることなくスムースにレジスト塗布セルＣ３に搬入される。ここでは、ＰＡＳＳ３上で待機させられる時間が生じないので、基板間で処理履歴のばらつきも生じない。また、バークセルＣ２内でどん詰まり状態が生じることもないので、プロセスリスクの発生を回避できる。

〈具体例３〉
図１１を参照する。図１１は、具体例３に係るセル間スケジューラＭＳａの処理動作を模式的に示す図である。

ここでも、〈具体例１〉の場合と同様、ホストコンピュータ１００から、セル間スケジューラＭＳａおよびセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知され、続いて、ステータス情報取得部８１１が、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれからセルＣ１〜Ｃ６それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、露光後ベークセルスケジューラＣＳ５から、「加熱ユニットＨＰの温度変更処理のために基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。

この場合、払出タイミング指示部８１２は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与える。ただしここでは、取得されたステータス情報に基板Ｗを受け入れできない理由が含まれているので、払出タイミング指示部８１２は、ステータス情報およびレシピ情報に基づいて、当該セルからの基板Ｗの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルを特定し、当該セルを管理するセルスケジューラＣＳを、基板Ｗの払い出しの停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳとして選択する。

露光後ベークセルＣ５が加熱ユニットＨＰの温度変更処理のために基板Ｗを受け入れできない場合、当該セルからの基板Ｗの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルは、インターフェイスセルＣ６である。露光処理されてから露光後熱処理を行うまでの時間は厳密に管理しなければならず、一旦露光処理された基板Ｗは、速やかに露光後ベークセルＣ５にて露光後熱処理しなければプロセスリスクが発生してしまうところ、露光後ベークセルＣ５が加熱ユニットＨＰの温度変更処理のために基板Ｗを受け入れできない場合、インターフェイスセルＣ６から露光ユニットＥＸＰへの払い出しを停止しておかなければ、露光処理された基板Ｗを引き続き露光後熱処理できない状態が発生し、プロセスリスクの発生を招くことになるからである。

そこで、この場合、払出タイミング指示部８１２は、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６を、停止指示を与えるべきセルスケジューラＣＳとして選択し、これに停止指示を与える。この停止指示に応じてインターフェイスセルスケジューラＣＳ６が搬送機構ＩＦＲを制御することにより、インターフェイスセルＣ６から露光ユニットＥＸＰへの基板Ｗの払い出しが停止されることになる。なお、払い出しが停止されている間、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６は、搬送機構ＩＦＲを制御して、露光処理前の基板Ｗを順次センドバッファＳＢＦに収納させる。

そして、ステータス情報取得部８１１が、露光後ベークセルスケジューラＣＳ５から、露光後ベークセルＣ５が基板Ｗを受け入れ可能になったとのステータス情報を取得すると、払出タイミング指示部８１２は、停止指示を与えていたインターフェイスセルスケジューラＣＳ６に対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインターフェイスセルスケジューラＣＳ６が搬送機構ＩＦＲを制御することにより、インターフェイスセルＣ６からの基板Ｗの払い出しが再開されることになる。なお、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６は、搬送機構ＩＦＲを制御して、センドバッファＳＢＦに収納されている基板Ｗを、先に収納されたものから順に露光ユニットＥＸＰに向けて払い出させる。

上記の搬送制御によると、〈具体例２〉の搬送制御と同様、プロセスリスクの発生を確実に回避することができる。すなわち、上記の搬送制御においては、露光後ベークセルＣ５が基板Ｗを受け入れできない間は、セル間スケジューラＭＳがインターフェイスセルスケジューラＣＳ６に対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与えている。したがって、例えばロットＡの最後の基板ＷがインターフェイスセルＣ６から露光ユニットＥＸＰへ払い出されてしまっても、停止指示が与えられている間はロットＢの最初の基板ＷはインターフェイスセルＣ６から払い出されず、ロットＢの基板Ｗについては露光処理が開始されない。

そして、露光後ベークセルＣ５が基板Ｗを受け入れ可能となると、セル間スケジューラＭＳがインターフェイスセルスケジューラＣＳ６に対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与え、これに応じてロットＢの最初の基板ＷがインターフェイスセルＣ６から露光ユニットＥＸＰへと払い出される。インターフェイスセルＣ６から払い出された基板Ｗは、露光ユニットＥＸＰで露光処理された後に、インターフェイスセルＣ６を介して露光後ベークセルＣ５へ搬入される。この時点において、露光後ベークセルＣ５の加熱ユニットＨＰの温度変更処理は終了しており、露光後ベークセルＣ５はロットＢの基板Ｗを受け入れ可能な状態となっている。したがって、露光処理後の基板Ｗは待機させられることなくスムースに露光後ベークセルＣ５に搬入される。これにより、露光処理されてから露光後熱処理を行うまでの時間を厳密に管理することが可能となり、プロセスリスクの発生を回避できる。

〈具体例４〉
図１２を参照する。図１２は、具体例４に係るセル間スケジューラＭＳａの処理動作を模式的に示す図である。

ここでも、〈具体例１〉の場合と同様、ホストコンピュータ１００から、セル間スケジューラＭＳａおよびセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知され、続いて、ステータス情報取得部８１１が、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれからセルＣ１〜Ｃ６それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から、「塗布処理ユニットＳＣのカップリンス洗浄のために基板の受け入れ不可」との情報および「１２０秒後に受け入れ可」との情報が、ステータス情報として取得されたとする。

この場合、払出タイミング指示部８１２は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のいずれか（例えば、インデクサセルスケジューラＣＳ１）を選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与える。この停止指示に応じてインデクサセルスケジューラＣＳ１がインデクサロボットＩＲを制御することにより、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しが停止されることになる。

そして、ステータス情報取得部８１１がレジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から「１２０秒後に受け入れ可能」とのステータス情報を取得してから１２０秒を経過した時点で、払出タイミング指示部８１２は、停止指示を与えていたインデクサセルスケジューラＣＳ１に対して基板Ｗの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインデクサセルスケジューラＣＳ１がインデクサロボットＩＲを制御することにより、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しが再開されることになる。

上記の搬送制御によると、基板Ｗをセル内に受け入れられない期間に基づいて基板Ｗの払い出しの再開指示を与えるべきタイミングを決定するので、セル間での搬送スケジュールを適切なタイミングで切り換えることが可能となり、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。

〈２−２−２．第２の態様のセル間スケジューラ〉
〈ａ．構成〉
第２の態様のセル間スケジューラＭＳ（セル間スケジューラＭＳｂ）について、図７（ｂ）を参照しながら説明する。図７（ｂ）は、セル間スケジューラＭＳｂの機能構成を示すブロック図である。セル間スケジューラＭＳｂは、セル間スケジューラＭＳａと同様、セル間でのスケジュール調整を行う機能部であり、ステータス情報取得部８２１と、安全枚数特定部８２２と、受入タイミング指示部８２３とを備える。ステータス情報取得部８２１の機能は、上述したステータス情報取得部８１１と同様であるので、その説明を省略する。

安全枚数特定部８２２は、レシピ情報に基づいて、セルＣ１〜Ｃ６それぞれの「安全枚数」を特定する。セルの「安全枚数」とは、当該セルから基板Ｗが払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく当該セル内に安全に収容可能な基板Ｗの最大枚数であり、セルのユニット構成と処理レシピとから決定される。

例えば、バークセルＣ２の安全枚数は次のように決定される。レシピ情報において、ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取って、反射防止膜の塗布形成、加熱処理、冷却処理の各処理をこの順序で行うように規定されているとする。一方、バークセルＣ２において、当該一連の処理に用いることができる塗布処理ユニットＢＲＣが４個であり、加熱処理ユニットが４個であり、冷却ユニットＣＰが４個であるとする。この場合、当該一連の処理を行うにあたりバークセルＣ２内に一度に収容される基板Ｗの枚数は、ＰＡＳＳ１上に１枚、４個の塗布処理ユニットＢＲＣ内に１枚ずつ、４個の加熱ユニットＨＰ内に１枚ずつ、４個の冷却ユニットＣＰ内に１枚ずつ、の計１３枚である。

ここで、何らかの事情により、バークセルＣ２からの基板Ｗの払い出しが行えなくなったとする。この場合、冷却ユニットＣＰに搬入された基板Ｗは冷却処理まで完了した状態で冷却ユニットＣＰ内で待機させられることになるので、プロセスリスクの心配はない。しかしながら、基板Ｗの払い出しが行えないと、そのうちに４個の冷却ユニットＣＰすべてが基板Ｗに占領されてしまう。こうなると、５枚目に搬入された基板Ｗは、冷却処理まで完了しない状態で加熱ユニットＨＰ内で待機させられることになり、ここでプロセスリスクが発生してしまう。つまり、バークセルＣ２から基板Ｗが払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく当該セル内に安全に収容可能な基板Ｗの最大枚数、すなわち、バークセルＣ２の安全枚数は、「４枚」ということになる。

受入タイミング指示部８２３は、いずれかのセルスケジューラＣＳから「基板を受け入れ不可」とのステータス情報が取得された場合に、セルスケジューラＣＳのいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの受け入れの停止指示を与える。これによって、選択されたセルスケジューラＣＳが管理するセルへの基板Ｗの受け入れが停止されることになる。

ただし、受入タイミング指示部８２３は、セルへの基板の受け入れの停止指示を、当該セルの安全枚数を超える数の基板Ｗが当該セルへ受け入れられる前に与える。すなわち、受入タイミング指示部８２３は、セルの安全枚数を超える枚数の基板Ｗが搬入される前に、当該セルを管理するセルスケジューラＣＳに対して、受け入れの停止指示を与える。

〈ｂ．処理動作〉
セル間スケジューラＭＳｂの処理動作について、具体例を提示しながら説明する。図１３を参照する。図１３は、セル間スケジューラＭＳｂが実行する処理動作の具体例を模式的に示す図である。

上述したとおり、新たなロットについての処理が開始される際には、ホストコンピュータ１００から、セル間スケジューラＭＳａおよびセルスケジューラＣＳのそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知される。すると、安全枚数特定部８２２が、取得されたレシピ情報に基づいて、各セルＣ１〜Ｃ６の安全枚数を特定する。ここでは、バークセルＣ２の安全枚数が例えば「４枚」と特定されたとする。

新たなロットに対する処理を開始する際、また、処理が実行されている間の所定のタイミングで（例えば、一定の時間毎に）、ステータス情報取得部８２１が、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれからセルＣ１〜Ｃ６それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルＣ３から、「異常発生のために基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。

この場合、受入タイミング指示部８２３は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラＣＳに対して基板Ｗの受け入れの停止指示を与える。レジスト塗布セルＣ３が基板を受け入れできない場合、バークセルＣ２からレジスト塗布セルＣ３に対する基板Ｗの払い出しが行えない。するとバークセルＣ２にどん詰まり状態が発生し、プロセスリスクの発生を招くおそれがある。そこで、受入タイミング指示部８２３は、バークセルＣ２内に当該セルの安全枚数（「４枚」）を超える数の基板Ｗが搬入されないように、バークセルスケジューラＣＳ２に対して基板Ｗの受け入れの停止指示を与える。

具体的には、受入タイミング指示部８２３は、バークセルＣ２内に４枚目の基板Ｗが搬入された時点で（すなわち、バークセルＣ２内に４枚目の基板Ｗが搬入されたとのステータス情報がバークセルスケジューラＣＳ２から通知された時点で）、バークセルスケジューラＣＳ２に対して停止指示を与える。この停止指示に応じてバークセルスケジューラＣＳ２が搬送ロボットＴＲ１を制御することにより、バークセルＣ２への基板Ｗの受け入れが停止されることになる。

そして、ステータス情報取得部８２１が、レジスト塗布セルスケジューラＣＳ３から、レジスト塗布セルＣ３が基板Ｗを受け入れ可能になったとのステータス情報を取得すると、受入タイミング指示部８２３は、停止指示を与えていたバークセルスケジューラＣＳ２に対して基板Ｗの受け入れの再開指示を与える。この再開指示に応じてバークセルスケジューラＣＳ２が搬送ロボットＴＲ１を制御することにより、バークセルＣ２への基板Ｗの受け入れが再開されることになる。

上記の搬送制御によると、基板Ｗを受け入れできないセルが発生した場合に、他のセル内に安全枚数を超える基板Ｗが搬入されることがなくなるので、プロセスリスクの発生が未然に防止されることになる。また、安全枚数を超えない範囲で基板Ｗの受け入れを認めるので、可能な限り多くの基板Ｗに対して処理を進めておくことが可能となり、処理効率の低下を抑制することができる。

〈２−２−３．第３の態様のセル間スケジューラ〉
〈ａ．構成〉
第３の態様のセル間スケジューラＭＳ（セル間スケジューラＭＳｃ）について、図７（ｃ）を参照しながら説明する。図７（ｃ）は、セル間スケジューラＭＳｃの機能構成を示すブロック図である。セル間スケジューラＭＳｃは、全体タクト搬送を管理する機能部であり、セル内タクト調整指示部８３１と、払出タイミング同期調整部８３２と、空搬送指示部８３３とを備える。

セル内タクト調整指示部８３１は、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して指示を与えて、セルＣ１〜Ｃ６全てのセル内タクトタイム（１枚の基板Ｗが当該セルに搬入されてから払い出されるまでの時間）を所定の値に揃えさせる。所定の値とは、セルＣ１〜Ｃ６のうちでセル内タクトタイムが最も長いセルのセル内タクトタイムであることが好ましい。

払出タイミング同期調整部８３２は、セルＣ１〜Ｃ６それぞれから基板が同時に払い出されるようにセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して基板Ｗの払い出しタイミングを指示することによって、セルＣ１〜Ｃ６それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させる。

空搬送指示部８３３は、セル間で同期された払い出しタイミングとはずれたタイミングで露光ユニットＥＸＰから基板Ｗが払い出される場合に、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６に対して、空搬送を行うように指示を与える。ただし、ここでいう「空搬送」とは、基板Ｗを実際に搬送しないで搬送動作を行うことを意味する。

〈ｂ．処理動作〉
セル間スケジューラＭＳｃの処理動作について、具体例を提示しながら説明する。図１４を参照する。図１４は、セル間スケジューラＭＳｃが実行する処理動作を模式的に示す図である。以下に説明する処理は、新たなロットについての処理を開始する際に実行される。

新たなロットについての処理が開始される際には、ホストコンピュータ１００から、セル間スケジューラＭＳａおよびセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知される。

ホストコンピュータ１００からレシピ情報を取得すると、セル内タクト調整指示部８３１が、各セルＣ１〜Ｃ６のセル内タクトタイムを算出して、セルＣ１〜Ｃ６のうちでセル内タクトタイムが最も長いセルのセル内タクトタイムを特定する。そして、セル内タクトタイムが当該特定されたセル内タクトタイムとなるように、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して搬送スケジュールの調整指示を与える。この指示に応じてセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれが各セルＣ１〜Ｃ６内の搬送スケジュールを調整することによって、各セルＣ１〜Ｃ６のセル内タクトタイムが等しくなる。ただし、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれは、セル内タクト搬送（セル内において、同一ロットの基板が同じ搬送履歴、処理履歴となるように搬送する搬送制御態様）を実現しているものとする。

続いて、払出タイミング同期調整部８３２が、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、同時に、基板Ｗの払い出しを指示することによって、セルＣ１〜Ｃ６それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させる。

上記の搬送制御によると、各セルＣ１〜Ｃ６のセル内タクトタイムが統一された状態で、各セルＣ１〜Ｃ６から基板Ｗが払い出されるタイミングを同時にするので、基板Ｗがセル間の受け渡し部である各ＰＡＳＳに載置されている時間を、ロット内のいずれの基板Ｗについても等しくすることができる。一方で、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれによって、セル内タクト搬送が実現されている。したがって、上記の搬送制御によって、セル間をまたがる全体タクト搬送が実現されることになる。

ところで、上記の制御により、各セルＣ１〜Ｃ６からは同じタイミングで基板Ｗが払い出されることになる。例えば、セル内タクトタイムが「２４秒」で揃えられているとすると、図１５（ａ）に示すように、あるセル（図１５の例ではインデクサセルＣ１）からは、ｔ＝２４，ｔ＝４８，ｔ＝７２，ｔ＝９６…のそれぞれの時間に、隣接するセル（図１５の例では、バークセルＣ２）に対して周期的なタイミングで基板Ｗが払い出され、当該隣接するセル（バークセルＣ２）に搬入されていくことになる。しかしながら、露光ユニットＥＸＰから基板Ｗが払い出されるタイミングはこれと同じとは限らない。例えば、図１５（ｂ）に示すように、４枚目の基板Ｗが通常の払い出しのタイミングよりも遅れてインターフェイスセルＣ６に向けて払い出されることがある。

このような場合に、インターフェイスセルＣ６が、図１５（ｂ）に示すように、同期されたタイミングから遅れた露光ユニットＥＸＰからの払い出しのタイミングに合わせてしまうと（すなわち、遅れて払い出された基板Ｗを待って、搬送のリズムを変えてしまうと）、各セルＣ１〜Ｃ６間で基板Ｗが払い出されるタイミングがバラバラになってしまう。

そこで、このような場合、空搬送指示部８３３が、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６に対して空搬送を行うように指示し、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６は、当該指示に応じて搬送機構ＩＦＲに空搬送を行わせる。すなわち、図１５（ｃ）に示すように、インターフェイスセルＣ６内にて反復して実行される搬送動作のうち、ｔ＝９６に基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って露光後ベークセルＣ５まで搬送する搬送機構ＩＦＲの搬送動作は、実際の基板Ｗを伴わずに行われる。そして、次の周期の搬送動作（すなわち、ｔ＝１２０に基板Ｗを受け取って露光後ベークセルＣ５まで搬送する搬送動作）で、ｔ＝９６に露光ユニットＥＸＰから払い出された基板Ｗを搬送する。

すなわち、図１４に示すように、例えば、ホストコンピュータ１００からの通知によって、露光ユニットＥＸＰから同期されたタイミングとはずれたタイミングで基板Ｗが払い出されたことがセル間スケジューラＭＳｃに検知された場合、空搬送指示部８３３は、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６に対して、空搬送を行うように指示を与え、当該指示に応じてインターフェイスセルスケジューラＣＳ６が搬送機構ＩＦＲに空搬送を行わせる。

上記の搬送制御によると、露光ユニットＥＸＰからの払い出しタイミングにズレが生じた場合であっても、インターフェイスセルスケジューラＣＳ６からの基板Ｗの払い出しタイミングが他のセルからの払い出しのタイミングと同期した状態を維持することができる。すなわち、全体タクト搬送を維持することができる。

〈３．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置１によると、セルＣ１〜Ｃ６それぞれの搬送スケジュールを管理するセルスケジューラＣＳの他に、セル間で基板Ｗを受け渡しするタイミングを制御するセル間スケジューラＭＳを設ける。このようにスケジューラを階層化することによって、搬送制御における処理負担を分散させつつ、セル間でのトータルの搬送制御を行って、適切な搬送制御を実現することができる。

セル間でのトータルの搬送制御とは、第１には、セル間で搬送スケジュールの調整を行う搬送制御であり、上述したセル間スケジューラＭＳａ，ＭＳｂにより実現される。これを実現することによって、各種の要因（例えば、塗布処理部においてカップリンスを行う場合、熱処理部において設定温度の変更処理を行う場合、処理液の温度変更を行う場合、どこかの処理部にて異常が検知された場合、等）により基板Ｗを受け入れ不可能なセルが発生した場合に、それに起因するプロセスリスクを削減することができる。

また、第２には、セル間をまたぐ全体タクト搬送を担保した搬送制御であり、上述したセル間スケジューラＭＳｃにより実現される。これを実現することによって、同一ロットの基板Ｗの搬送履歴、処理履歴を等しくすることができる。

〈４．変形例〉
〈４−１．多階層化〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置１においては、上位階層のスケジューラ（セル間スケジューラＭＳ）は、被制御区画（上記の実施の形態においては、各セル）間での基板Ｗの受け渡しのタイミングを制御し、被制御区画内の搬送スケジュールについては下位階層のスケジューラ（セルスケジューラＣＳ）が管理する構成をとっている。

この構成をそのまま適用して、さらなる多階層化を形成することができる。例えば、上記の実施の形態に係る基板処理装置１の制御階層を３階層から形成する場合について図１６を参照しながら説明する。図１６は、３階層から形成される搬送スケジューラの構成を示すブロック図である。

第３階層のスケジューラは、上述したセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６であり、これが各セルＣ１〜Ｃ６内の基板Ｗの搬送スケジュールをそれぞれ管理する。

第２階層のスケジューラ（第２階層セル間スケジューラＭＳ１１，ＭＳ１２）のうち、一方のセル間スケジューラＭＳ１１は、セルスケジューラＣＳ１，ＣＳ２，ＣＳ３の上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、セルスケジューラＣＳ１，ＣＳ２，ＣＳ３のそれぞれに対して、基板Ｗをセルから払い出す（もしくは、セル内に受け入れる）タイミングを指示することによって、セル間で基板Ｗを受け渡しするタイミングを制御する。他方のセル間スケジューラＭＳ１２は、セルスケジューラＣＳ４，ＣＳ５，ＣＳ６の上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、セルスケジューラＣＳ４，ＣＳ５，ＣＳ６のそれぞれに対して、基板Ｗをセルから払い出す（もしくは、セル内に受け入れる）タイミングを指示することによって、セル間で基板Ｗを受け渡しするタイミングを制御する。第２階層セル間スケジューラＭＳ１１，ＭＳ１２の具体的な機能構成は、上述したセル間スケジューラＭＳと全く同様である。

第１階層のスケジューラ（第１階層セル間スケジューラＭＳ１）は、第２階層セル間スケジューラＭＳ１１，ＭＳ１２の上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、第２階層セル間スケジューラＭＳ１１，ＭＳ１２のそれぞれに対して、基板Ｗを当該スケジューラが管理する被制御区画から払い出す（もしくは、当該被制御区画内に受け入れる）タイミングを指示することによって、被制御区画間で基板Ｗを受け渡しするタイミングを制御する。ただし、第２階層セル間スケジューラＭＳ１１が管理する被制御区画Ｃ１０は、インデクサセルＣ１とバークセルＣ２とレジスト塗布セルＣ３とから構成される。また、第２階層セル間スケジューラＭＳ１２が管理する被制御区画Ｃ２０は、現像処理セルＣ４と露光後ベークセルＣ５とインターフェイスセルＣ６とから構成される。第１階層セル間スケジューラＭＳ１の具体的な機能構成は、上述したセル間スケジューラＭＳと全く同様である。

このように、上述したセル間スケジューラＭＳの構成をそのまま適用して、制御階層を多階層化することができる。これにより、システムの大型化にも容易に対応することが可能となる。例えば、上記の実施の形態に係る基板処理装置１が組み込まれた複数の装置からなるシステムを構成する場合、各装置の最上位のスケジューラのさらに上位にこれらを統括して管理するスケジューラを設け、これに各装置間で基板Ｗを受け渡しするタイミングを制御させればよい。

〈４−２．その他の変形例〉
上記の実施の形態においては、セル間スケジューラＭＳａは基板Ｗの払い出しの停止指示を与えることによってセル間での基板Ｗの受け渡しのタイミングを制御していたが、基板Ｗの受け入れの停止指示を与えることによってこれを制御してもよい。

同様に、セル間スケジューラＭＳｂは基板Ｗの払い出しの停止指示を与えることによってこれを制御してもよい。ただし、この場合、セル間スケジューラＭＳｂは、停止指示を与えるセルスケジューラＣＳが管理するセルから隣接するセルに向けて払い出された基板Ｗの枚数が、当該隣接するセルの安全枚数に達した時点で、停止指示を与える。例えば、バークセルＣ２の安全枚数が「４枚」と特定されている場合、セル間スケジューラＭＳｂは、インデクサセルＣ１がバークセルＣ２に向けて４枚目の基板Ｗを払い出した時点で、インデクサセルスケジューラＣＳ１に対して基板Ｗの払い出しの停止指示を与える。

また、この発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、種々の配置構成を採用することが可能である。

また、この発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板Ｗは半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であってもよい。

本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。 基板処理装置の制御機構を示すブロック図である。 搬送スケジューラの構成を示すブロック図である。 セル間スケジューラの構成を示すブロック図である。 第１の態様に係るセル間スケジューラが実行する処理動作を模式的に示す図である。 第１の態様に係るセル間スケジューラが実行する処理動作を模式的に示す図である。 基板が処理されていく様子を時間に沿って模式的に示す図である。 第１の態様に係るセル間スケジューラが実行する処理動作を模式的に示す図である。 第１の態様に係るセル間スケジューラが実行する処理動作を模式的に示す図である。 第２の態様に係るセル間スケジューラが実行する処理動作を模式的に示す図である。 第３の態様に係るセル間スケジューラが実行する処理動作を模式的に示す図である。 セルや露光ユニットから基板が払い出されるタイミングを模式的に示す図である。 搬送スケジューラの構成を示すブロック図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
１０ インデクサブロック
２０ バークブロック
３０ レジスト塗布ブロック
４０ 現像処理ブロック
５０ インターフェイスブロック
８０ ベークプレート
８１１，８２１ ステータス情報取得部
８１２ 払出タイミング指示部
８２２ 安全枚数特定部
８２３ 受入タイミング指示部
８３１ セル内タクト調整指示部
８３２ 払出タイミング同期調整部
８３３ 空搬送指示部
ＢＲＣ，ＳＣ 塗布処理ユニット
ＣＰ 冷却ユニット
ＨＰ 加熱ユニット
ＩＦＲ 搬送機構
ＩＲ インデクサロボット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＳＤ 現像処理ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４ 搬送ロボット
Ｃ１ インデクサセル
Ｃ２ バークセル
Ｃ３ レジスト塗布セル
Ｃ４ 現像処理セル
Ｃ５ 露光後ベークセル
Ｃ６ インターフェイスセル
ＣＳ セルスケジューラ
ＭＳ，ＭＳａ，ＭＳｂ，ＭＳｃ セル間スケジューラ
Ｗ 基板

Claims (7)

1. 基板を複数の処理部に順次搬送して一連の処理を施す基板処理装置であって、
   前記基板処理装置を分割して規定された複数の被制御区画と１対１で対応付けられ、それぞれが対応する被制御区画内部の搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラと、
   前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラと、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記被制御区画間スケジューラが、
   前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれから、対応する前記被制御区画の状態を示す情報であるステータス情報を取得するステータス情報取得手段、
   を備え、
   前記ステータス情報に基づいて、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを決定することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、
   前記被制御区画間スケジューラが、
   基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画からの基板の払い出しの停止指示を与える払出タイミング指示手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な理由を示す情報が含まれ、
   前記払出タイミング指示手段が、前記理由に基づいて、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから前記停止指示を与えるべき被制御区画スケジューラを選択することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３または４に記載の基板処理装置であって、
   前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な期間を示す情報が含まれ、
   前記払出タイミング指示手段が、前記期間に基づいて決定したタイミングで、前記停止指示を与えた被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの再開指示を与えることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、
   前記被制御区画間スケジューラが、
   基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を与える受入タイミング指示手段と、
   前記複数の被制御区画のそれぞれについて、当該被制御区画から基板が払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく前記被制御区画内に安全に収容可能な基板の最大枚数である安全枚数を特定する安全枚数特定手段と、
   を備え、
   前記受入タイミング指示手段が、前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を、当該被制御区画の前記安全枚数を超える数の基板が当該被制御区画へ受け入れられる前に与えることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記被制御区画間スケジューラが、
   前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれに対して指示を与えて、前記複数の被制御区画それぞれにおいて１枚の基板が当該被制御区画に搬入されてから払い出されるまでの時間である区画内タクトタイムを、前記複数の被制御区画の全てについて所定の値に揃えさせる区画内タクトタイム調整手段と、
   前記複数の被制御区画それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させるタイミング調整手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。

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