JP2010087067A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 単結晶半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、
   前記単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、
   前記単結晶半導体基板にイオンを照射して前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
   前記酸化膜上又は前記ベース基板上にプラズマＣＶＤ法を用いて窒素含有層を成膜し、
   前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを貼り合わせ、
   前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、
   前記窒素含有層の成膜を、基板温度が室温以上３００℃以下であって、成膜圧力が１６０Ｐａ以上で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 単結晶半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、
   前記単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、
   前記単結晶半導体基板にイオンを照射して前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
   前記酸化膜上又は前記ベース基板上にプラズマＣＶＤ法を用いて窒素含有層を成膜し、
   前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを貼り合わせ、
   前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、
   前記窒素含有層の成膜を、基板温度が室温以上２００℃以下であって、成膜圧力が１２０Ｐａ以上で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記窒素含有層の成膜ガスとして、少なくとも水素ガス、シランガス及びアンモニアガスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記窒素含有層の表面の平均面粗さは、０．５ｎｍ以下であり、自乗平均粗さは、０．４５ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化膜は、前記単結晶半導体基板を、塩化水素を含有させた酸化性雰囲気で熱処理することにより形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化膜は、前記単結晶半導体基板を、フッ酸に浸漬した後に酸化性雰囲気で熱処理することにより形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記単結晶半導体基板と前記ベース基板との貼り合わせの際、加圧処理を行った後に加熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記単結晶半導体基板に照射するイオンは、水素ガスから生成されるイオン種の総量に対してＨ _３ ^＋ の割合が５０％以上のものであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。