JP2010086999A - 半導体デバイス用裏面電極、半導体デバイスおよび半導体デバイス用裏面電極の製造方法 - Google Patents
半導体デバイス用裏面電極、半導体デバイスおよび半導体デバイス用裏面電極の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体上のニッケルシリコン合金層またはニッケル層とシリコン層との積層体を加熱して形成されたニッケルシリサイド層と、ニッケルシリサイド層上に設置されたチタン層と、チタン層上に設置された金属層とを含み、金属層は、ニッケル層、白金層、銀層、金層、ニッケル層と銀層との積層体、およびニッケル層と金層との積層体からなる群から選択される少なくとも1種である、半導体デバイス用裏面電極、その半導体デバイス用裏面電極を含む半導体デバイスおよびその半導体デバイス用裏面電極の製造方法である。
【選択図】図3
Description
図1に、本発明の半導体デバイス用裏面電極の一例を用いた本発明の半導体デバイスの一例であるショットキーダイオードの模式的な断面図を示す。図1に示すショットキーダイオードは、半導体基板1と、半導体基板1の表面上に設置された半導体層2と、半導体層2上の表面に設置されたショットキー電極4と、半導体基板1の裏面上に設置されたニッケルシリサイド層3と、ニッケルシリサイド層3の裏面上に設置されたチタン層5と、チタン層5の裏面上に設置された金属層6とを備えた構成となっている。
図9に、本発明の半導体デバイス用裏面電極の他の一例を用いた本発明の半導体デバイスの他の一例であるショットキーダイオードの模式的な断面図を示す。図9に示す構成のショットキーダイオードは、ニッケルシリサイド層3とチタン層5との間にニッケルシリコン合金層8が設置されていることに特徴がある。なお、ニッケルシリコン合金層8の代わりにニッケル層とシリコン層との積層体が設置されていてもよい。
まず、図2に示すように、半導体基板1の表面上に半導体層2を形成した後に、図3に示すように、半導体基板1の裏面上にニッケルシリコン合金層8を形成する。ここでも、ニッケルシリコン合金層8の代わりにニッケル層とシリコン層との積層体(ニッケル層とシリコン層との積層順序は問わないが、半導体基板1側からニッケル層、シリコン層の順序で積層されていることが好ましい。)を形成してもよい。
まず、n型の炭化ケイ素(SiC)からなるSiC基板を用意し、その用意したSiC基板の表面上に厚さ10μmのSiC層をCVD法によってエピタキシャル成長させた。
チタン層を形成せずに、ニッケルシリサイド層の裏面上にニッケル層および金層をこの順序でEB蒸着法により形成したこと以外は実施例1と同様にして、比較例1のショットキーダイオードを作製した。すなわち、比較例1のショットキーダイオードのSiC基板の裏面上に形成された裏面電極は、ニッケルシリサイド層とニッケル層と金層との積層体から形成された。
チタン層、ニッケル層および金層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、比較例2のショットキーダイオードを作製した。すなわち、比較例2のショットキーダイオードのSiC基板の裏面上に形成された裏面電極は、ニッケルシリサイド層のみから形成された。
図12〜図14を比較すると明らかなように、実施例1のショットキーダイオードは、比較例2および比較例3のショットキーダイオードと比較して、より低い電圧でより大きな電流が流れることになることから、低抵抗であり、特性に優れることが確認された。
Claims (7)
- 半導体上のニッケルシリコン合金層またはニッケル層とシリコン層との積層体を加熱して形成されたニッケルシリサイド層と、
前記ニッケルシリサイド層上に設置されたチタン層と、
前記チタン層上に設置された金属層とを含み、
前記金属層は、ニッケル層、白金層、銀層、金層、ニッケル層と銀層との積層体、およびニッケル層と金層との積層体からなる群から選択される少なくとも1種である、半導体デバイス用裏面電極。 - 前記半導体は炭化ケイ素であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体デバイス用裏面電極。
- 前記ニッケルシリサイド層と前記チタン層との間に、ニッケルシリコン合金層またはニッケル層とシリコン層との積層体が設置されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体デバイス用裏面電極。
- 請求項1から3のいずれかに記載の半導体デバイス用裏面電極を含む、半導体デバイス。
- 半導体上にニッケルシリコン合金層またはニッケル層とシリコン層との積層体を形成する工程と、
前記ニッケルシリコン合金層または前記積層体を加熱することによって前記ニッケルシリコン合金層または前記積層体の前記半導体側の一部にニッケルシリサイド層を形成する工程と、
前記ニッケルシリコン合金層または前記積層体を除去する工程と、
前記ニッケルシリサイド層上にチタン層を形成する工程と、
前記チタン層上に、ニッケル層、白金層、銀層、金層、ニッケル層と銀層との積層体、およびニッケル層と金層との積層体からなる群から選択される少なくとも1種の金属層を形成する工程とを含む、半導体デバイス用裏面電極の製造方法。 - 半導体上にニッケルシリコン合金層またはニッケル層とシリコン層との積層体を形成する工程と、
前記ニッケルシリコン合金層または前記積層体を加熱することによって前記ニッケルシリコン合金層または前記積層体の前記半導体側の一部にニッケルシリサイド層を形成する工程と、
前記ニッケルシリコン合金層または前記積層体上にチタン層を形成する工程と、
前記チタン層上に、ニッケル層、白金層、銀層、金層、ニッケル層と銀層との積層体、およびニッケル層と金層との積層体からなる群から選択される少なくとも1種の金属層を形成する工程とを含む、半導体デバイス用裏面電極の製造方法。 - 前記半導体は炭化ケイ素であることを特徴とする、請求項5または6に記載の半導体デバイス用裏面電極の製造方法。
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