JP2010067692A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】SiC基板11と、このSiC基板11上に形成されたAlGaN層13と、このAlGaN層13上にそれぞれ離間して形成されたソース電極15及びドレイン電極14と、これらのソース電極15、ドレイン電極14間に形成され、ソース電極15及びドレイン電極14に対して平行な開口部16を有する絶縁膜17と、この絶縁膜17の開口部16に形成されたゲート電極18と、このゲート電極18のドレイン電極14側にゲート電極18と一体形成され、ドレイン電極14側端部191が絶縁膜17と離間したドレイン側フィールドプレート電極19とを具備する半導体装置。
【選択図】図1B
Description
Claims (9)
- 半導体基板と、
この半導体基板上に形成された動作層と、
この動作層上にそれぞれ離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
これらのソース電極、ドレイン電極間に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に対して平行な開口を有する絶縁膜と、
この絶縁膜の前記開口に形成されたゲート電極と、
このゲート電極の前記ドレイン電極側に前記ゲート電極と一体形成され、前記ドレイン電極側端部が前記絶縁膜と離間したドレイン側フィールドプレート電極と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極の前記ソース電極側に前記ゲート電極と一体形成され、前記ソース電極側端部が前記絶縁膜と離間したソース側フィールドプレート電極
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ドレイン電極側フィールドプレート電極の前記絶縁膜と離間した端部と前記絶縁膜とで形成される角度及び、前記ソース電極側フィールドプレート電極の前記絶縁膜と離間した端部と前記絶縁膜とで形成される角度は、
0°より大きくかつ、90°以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記ドレイン側フィールドプレート電極の長さは、前記ソース側フィールドプレート電極の長さより長いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ドレイン側フィールドプレート電極の表面及び前記ソース側フィールドプレート電極の表面は、表面保護層で覆われていることを特徴とする請求項1乃至請求項4に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に動作層を形成し、
この動作層上にそれぞれ離間してソース電極及びドレイン電極を形成し、
これらのソース電極、ドレイン電極間に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に対して平行な第1の開口を有する絶縁膜を形成し、
この第1の開口上に、前記第1の開口より大きくかつ、開口部がテーパ状の第2の開口が形成された第1のレジスト層を前記絶縁膜上に形成し、
この第2の開口上に、前記第2の開口より大きくかつ、開口部がオーバーハング状の第3の開口が形成された第2のレジスト層を前記第1のレジスト層上に形成し、
この第3の開口を有する第2のレジスト層上から金属を蒸着することでゲート電極、ドレイン側フィールドプレート電極及びソース側フィールドプレート電極を一体形成し、
前記金属蒸着後、第1のレジスト層及び第2のレジスト層を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ドレイン側フィールドプレート電極及びソース側フィールドプレート電極のそれぞれの端部は、これらの端部と前記絶縁膜とで形成される角度が0°より大きくかつ、90°以下になるように形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドレイン側フィールドプレート電極は、前記ソース側フィールドプレート電極よりも長く形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドレイン側フィールドプレート電極の表面及び前記ソース側フィールドプレート電極の表面に、表面保護層を形成することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008230962A JP2010067692A (ja) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US12/511,461 US8159027B2 (en) | 2008-09-09 | 2009-07-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008230962A JP2010067692A (ja) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010067692A true JP2010067692A (ja) | 2010-03-25 |
Family
ID=41798460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008230962A Pending JP2010067692A (ja) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8159027B2 (ja) |
JP (1) | JP2010067692A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014003231A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN110120347A (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-13 | 住友电气工业株式会社 | 形成场效应晶体管的方法 |
JP2019165056A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1401747B1 (it) * | 2010-08-02 | 2013-08-02 | Selex Sistemi Integrati Spa | Fabbricazione di transistori ad alta mobilita' elettronica con elettrodo di controllo a lunghezza scalabile |
JP2013089673A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10177061B2 (en) | 2015-02-12 | 2019-01-08 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283621A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置のt型ゲート電極形成方法およびその構造 |
JPH10135239A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001274377A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003203930A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | ショットキーゲート電界効果型トランジスタ |
JP2005085961A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Suntek Compound Semiconductor Co | 電界効果型トランジスタのゲート構造の形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW327241B (en) * | 1997-07-24 | 1998-02-21 | United Semiconductor Corp | The method for lowing down gate boundary capacitor |
US5955759A (en) * | 1997-12-11 | 1999-09-21 | International Business Machines Corporation | Reduced parasitic resistance and capacitance field effect transistor |
US7749911B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an improved T-shaped gate structure |
JP5162823B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2013-03-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7566918B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-07-28 | Cree, Inc. | Nitride based transistors for millimeter wave operation |
JP5320689B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2013-10-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-09-09 JP JP2008230962A patent/JP2010067692A/ja active Pending
-
2009
- 2009-07-29 US US12/511,461 patent/US8159027B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283621A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置のt型ゲート電極形成方法およびその構造 |
JPH10135239A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001274377A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003203930A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | ショットキーゲート電界効果型トランジスタ |
JP2005085961A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Suntek Compound Semiconductor Co | 電界効果型トランジスタのゲート構造の形成方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014003231A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN110120347A (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-13 | 住友电气工业株式会社 | 形成场效应晶体管的方法 |
CN110120347B (zh) * | 2018-02-05 | 2023-11-17 | 住友电气工业株式会社 | 形成场效应晶体管的方法 |
JP2019165056A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100059800A1 (en) | 2010-03-11 |
US8159027B2 (en) | 2012-04-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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