JP2010055160A - バンドギャップ電源回路およびその起動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のダイオードの順方向電圧と第1のダイオードに直列に接続された抵抗の電圧降下との和が、第1のダイオードより接合面積小さい第2のダイオードの順方向電圧と等しくなるように第1、第2のダイオードに流れる電流を制御する差動増幅回路を有するバンドギャップ電源回路が、起動時において差動増幅回路に起動信号を出力して差動増幅回路を起動させ、差動増幅回路の立上りを検出した後、起動信号の出力を停止する起動制御回路を有する。
【選択図】図1
Description
H. Banba et al., "A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1-V Operation" in IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.34, No.5, May 1999, pp.670-673
このような例の問題点は、トランジスタMN11の閾値電圧 Vthのバラツキや、電源電圧の立上り速度などにより、バンドギャップ電源が立上る前に 信号PwrUpが Lowに遷移してしまうケースが存在し得ることである。図8は、図6の低電圧バンドギャップ電源回路の電源立上り時のシミュレーション波形の例である。図8(A-1)と(A-2)は、VDDが 0Vから 1.2Vまで 100msで立上り、信号PwrUpが 0.8Vで Low遷移した場合の、出力 Vrefの立上る様子を示している。(A-1)の太線が 信号PwrUp、(A-2)の太線が出力Vrefである。
ところが、同図(B-1)と(B-2)は、信号PwrUpの遷移電圧を 0.7Vに変動した場合である
が、同図(B-2)太線の Vref波形に示したように、信号PwrUpが Lowに遷移したとほぼ同時に 0V付近まで低下してしまい、電流ゼロの安定状態になってしまっていることが分かる。
本発明は、このような問題を解決する為に考案されたもので、例えば、バンドギャップ電源回路が立上らない現象をまったく生じさせることがないバンドキャップ電源回路およびその起動方法を提供する。
(第1実施形態)
電源電圧の立上りの検出信号を、バンドギャップ電源回路の外部から供給する従来の手段の本質的問題点は、バンドギャップ電源の差動増幅回路が動作状態であるのか、電流ゼロの状態であるのかを観測していないことである。
図1に本発明の第1実施形態のブロック図を示す。この図において、符号1は、1対の接合面積が異なるダイオードD1、D2を有するバンドギャップコア回路である。接合面積が小さいダイオードD1のカソードは接地電位VSSに接続され、アノードはPチャネルトランジスタMP1のドレインに接続されている。トランジスタMP1のソースは電源電圧VDDに接続され、また、ダイオードD1に並列に抵抗R1が接続されている。
上述したバンドギャップコア回路1および差動増幅回路2を有するバンドギャップ電源回路に関して、パワーアップ時にバンドギャップ電源回路の出力電圧が立上らないという現象の発生を防止するため設けた回路が、起動制御回路10であり、差動増幅回路2の入力差動対を模擬したレプリカ回路3と、レプリカ回路3に所定の電流が流れた事を検出する電流電圧変換回路4と、電流電圧変換回路4の出力によって接合面積の小さいダイオードD1に電流を流す起動バイアス回路5である。そして起動バイアス回路5の出力である起動信号SCが差動増幅回路2およびバンドギャップコア回路1へ出力される。
電流電圧変換回路4は、ゲートがレプリカ回路3のトランジスタMP9のゲートに接続され、ソースが電源VDDに接続されたPチャネルトランジスタMP8と、トランジスタMP8のドレインと接地VSSとの間に配置された定電流源IC2とから構成されている。
起動バイアス回路5はソースが電源VDDに接続され、ゲートが電流電圧変換回路4のトランジスタMP8のドレインに接続され、ドレインがバンドギャップコア回路1のダイオードD1のアノードに接続されたPチャネルトランジスタMP7によって構成されており、トランジスタMP7のドレイン電流が起動信号SCとして出力される。
差動増幅回路2の負入力端の電位が高いので、差動増幅回路2の出力 OUTは Low側にドライブされる。これにより、接合面積の大きいダイオードD2とそれに直列に接続された抵抗R3にも電流が流され、差動増幅回路2の正入力端の電位も上昇すると共に、レプリカ回路3の入力も上昇する。レプリカ回路3の差動対のうち、差動増幅回路2の正入力端にゲートが接続されている トランジスタMN10所定の電流が流れると、電流電圧変換回路4の出力が Highとなり、起動バイアス回路5のトランジスタMP7がオフとなり(起動信号SCが停止し)、起動バイアス回路5からの電流供給はストップする。即ち、起動バイアス回路5を停止するのは、差動増幅回路2自身であり、差動増幅回路2が立ち上がらない状態で起動信号SCが切れるという事は起こり得ないことになる。これにより、バンドギャップ電源回路の外部からの起動信号を必要とせずに、安定して立ち上げることができるバンドギャップ電源回路を実現できる。
図2は本発明の第2の実施形態によるバンドギャップ電源回路の構成を示す回路図である。この図におけるバンドギャップコア回路11は、カソードが接地電位VSSに接続された第1のダイオード D1と、カソードが接地電位 VSSに接続され、その接合面積が第1のダイオード D1よりも大きい第2のダイオード D2とを有する。また、一端が接地電位 VSSに接続され、他端が第1のダイオード D1のアノードに接続された第1の抵抗 R1と、一端が接地電位 VSSに接続され、他端が抵抗R3の一端に接続された第2の抵抗 R2とを有する。また、一端が第2のダイオード D2のアノードに接続され、他端が第2の抵抗 R2のもう一方の端子に接続された第3の抵抗 R3と、一端が接地電位 VSSに接続され、他端がバンドギャップ電源の基準電圧出力端子Toに接続された第4の抵抗 R4とを有する。また、ソースが電源 VDDに接続され、ドレインが第1のダイオード D1のアノードに接続された第1の PチャネルトランジスタMP1と、ソースが電源 VDDに接続され、ゲートが第1の PチャネルトランジスタMP1のゲートに接続され、ドレインが第3の抵抗 R3と第2の抵抗 R2の接点に接続された第2の PチャネルトランジスタMP2とを有する。また、ソースが電源 VDDに接続され、ゲートが第1の PチャネルトランジスタMP1のゲートに接続され、ドレインがバンドギャップ電源の基準電圧出力端子Toに接続された第3の PチャネルトランジスタMP3を有している。ここで、トランジスタMP3と抵抗R4の直列回路が出力部11aを構成している。
起動バイアス回路15は、ソースが電源 VDDに接続され、ドレインが第1の NチャネルトランジスタMN1のゲートに接続された第7の PチャネルトランジスタMP7によって構成されている。
上記の構成において、レプリカ回路13、電流電圧変換回路14、起動バイアス回路15が起動制御回路20を構成しており、トランジスタMP7のドレイン電流が起動信号SCである。
次に、上記構成によるバンドギャップ電源回路のパワーアップの時の動作を、図3の各部の電圧、電流波形の図を参照して説明する。
流波形を示している。図3(C-1)に示すように、電源VDDは 0Vから 1.2Vまで 100msの時間で昇圧されている。電源VDDが 0.5V以下(時間軸で 41.6ms以下)の領域では、図3(C-10)、(C-11)に示すように、Vx1と VxNはほぼ 0Vである。更に電源 VDDの電位が上昇して、VDDが 0.5Vから 0.6V(時間軸で 41.6msから 50ms)の範囲では、図3(C-11)の Vx1が上昇し始める。これは図2のレプリカ回路13および電流電圧変換回路14には電流が流れておらず、一方 トランジスタMN8,MN7はオンしているので、電流電圧変換回路14の出力電圧 Vpubはほぼ 0Vであるため、起動バイアス回路15の トランジスタMP7がオンして、抵抗 R1に電流が流れて Vx1が上昇し始めたのである。図3(C-8)の I1は、この領域で R1に流れる電流を示しており、ダイオード D1にはまだ電流は流れていない。
差動増幅回路12のテール電流 I_tailも図3(C-4)のように流れ始める。電流I_tailは、この時点ではもっぱら トランジスタMN1に流れるので、トランジスタMP4のドレイン電圧 Vcの電位は図3(C-13)のように低下する。Vcが低下するとバンドギャップコア回路11の トランジスタMP1,MP2,MP3もオンするので、図3(C-10)および(C-1)のように 、電圧VxNと出力電圧Vrefも上昇する。電圧VxNが上昇したことで、トランジスタMN2もオンして トランジスタMP5にも電流が流れる。これにより、トランジスタMP5のドレイン電位 Vdも図3(C-12)のように低下する。この時点で、トランジスタMP4もオンする。但し、この時点ではまだ MP4と MP5は十分な電流を流せるだけのゲート・ソース間電圧が確保できないので、電圧Vdと電圧Vcは図3(C-12)(C-13)に示すようにほぼ図3(C-2)の 電圧Vcsの電位と等しく、差動増幅回路12まだ動作可能な状態とは言えない。
図4に本発明の第3の実施形態を示す。この実施形態は、レプリカ回路13aのみが図2に示す実施形態におけるレプリカ回路13と異なっており、他の構成は図2のものと同様である。すなわち、図4においては、図2におけるトランジスタMN11を省略し、また、トランジスタMN10のゲート端子を差動増幅回路12の正入力端子である MN2のゲートではなく、バンドギャップ電源回路の出力端子Toに接続したものである。この場合でも、出力電圧Vrefの立上りを検出することは、差動増幅回路12が立上ったことを検出するのと同じ意味を持つので、第2実施形態と同じ効果が得られる。図5に本実施形態における電源電圧立ち上げ時のシミュレーション波形の例を示す。同図(A-1)は 電源VDDと電流電圧変換回路14の出力(MP7のゲート)電圧Vpubである。同図(A-2)は 電源VDDとバンドギャップ電源回路の出力電圧 Vrefである。安定して立上るとともに、過剰な昇圧も無いことが分かる。なお、図4において、レプリカ回路13a、電流電圧変換回路14、起動バイアス回路15が起動制御回路30を構成し、また、トランジスタMP7のドレイン電流が起動信号SCである。
Claims (4)
- 第1のダイオードの順方向電圧と前記第1のダイオードに直列に接続された抵抗の電圧降下との和が、前記第1のダイオードより接合面積小さい第2のダイオードの順方向電圧と等しくなるように前記第1、第2のダイオードに流れる電流を制御する差動増幅回路を有するバンドギャップ電源回路が、
起動時において前記差動増幅回路に起動信号を出力して前記差動増幅回路を起動させ、前記差動増幅回路の立上りを検出した後、前記起動信号の出力を停止する起動制御回路
を有することを特徴とするバンドギャップ電源回路。 - 前記起動制御回路は、
前記差動増幅回路の入力差動対を模擬したレプリカ回路と、
前記レプリカ回路に所定の電流が流れたことを検出する電流電圧変換回路と、
起動時において前記第2のダイオードに電流を流し、前記レプリカ回路に所定の電流が流れたことを前記電流電圧変換回路が検出した場合に、前記第2のダイオードに電流を流すことを停止する起動バイアス回路と
を有することを特徴とする請求項1に記載のバンドギャップ電源回路。 - 前記起動制御回路は、
バンドギャップ電源回路の出力信号を増幅するレプリカ回路と、
前記レプリカ回路に所定の電流が流れたことを検出する電流電圧変換回路と、
起動時において前記第2のダイオードに電流を流し、前記レプリカ回路に所定の電流が流れたことを前記電流電圧変換回路が検出した場合に、前記第2のダイオードに電流を流すことを停止する起動バイアス回路と
を有することを特徴とする請求項1に記載のバンドギャップ電源回路。 - 第1のダイオードの順方向電圧と前記第1のダイオードに直列に接続された抵抗の電圧降下との和が、前記第1のダイオードより接合面積小さい第2のダイオードの順方向電圧と等しくなるように前記第1、第2のダイオードに流れる電流を制御する差動増幅回路を有するバンドギャップ電源回路の起動時において、
前記差動増幅回路に起動信号を出力して前記差動増幅回路を起動させ、前記差動増幅回路の立上りを検出した後、前記起動信号の出力を停止する
ことを特徴とするバンドギャップ電源回路の起動方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140084287A (ko) * | 2011-11-01 | 2014-07-04 | 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크 | 저전압, 저전력 밴드갭 회로 |
JP2022125299A (ja) * | 2018-05-24 | 2022-08-26 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の起動方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5419635B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-02-19 | キヤノン株式会社 | 全差動増幅器、全差動増幅器を用いた光電変換装置、および撮像システム |
US8742746B1 (en) * | 2012-04-24 | 2014-06-03 | Applied Micro Circuits Corporation | Ultra low-noise true sub-volt band gap |
TWI449312B (zh) * | 2012-05-09 | 2014-08-11 | Novatek Microelectronics Corp | 啟動電路及帶隙電壓產生裝置 |
US9148140B1 (en) | 2012-09-27 | 2015-09-29 | Maxim Integrated Systems, Inc. | Integrated circuit with precision current source |
KR20140104203A (ko) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 삼성전자주식회사 | 기준 전압 생성 회로 |
DE102014013032A1 (de) * | 2014-09-02 | 2016-03-03 | Infineon Technologies Ag | Erzeugung eines Stroms mit umgekehrter Versorgungsspannungsproportionalität |
US20170023967A1 (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | Anaprime Llc | Voltage reference compensation |
US10401887B2 (en) | 2015-07-22 | 2019-09-03 | Hewlett Packard Enterprise Devlopment LP | Startup circuit to initialize voltage reference circuit |
KR102499482B1 (ko) | 2018-07-16 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 회로 및 반도체 시스템 |
CN109725672B (zh) * | 2018-09-05 | 2023-09-08 | 南京浣轩半导体有限公司 | 一种带隙基准电路及高阶温度补偿方法 |
US10620655B2 (en) * | 2018-09-13 | 2020-04-14 | Arm Limited | Comparison of a voltage signal to a reference |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005149338A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Hitachi Eng Co Ltd | 基準電圧回路 |
US7148672B1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-12-12 | Zilog, Inc. | Low-voltage bandgap reference circuit with startup control |
US20080007244A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Dieter Draxelmayr | Electronic Circuits and Methods for Starting Up a Bandgap Reference Circuit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4857823A (en) * | 1988-09-22 | 1989-08-15 | Ncr Corporation | Bandgap voltage reference including a process and temperature insensitive start-up circuit and power-down capability |
US6724176B1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-04-20 | National Semiconductor Corporation | Low power, low noise band-gap circuit using second order curvature correction |
US7233196B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-06-19 | Sires Labs Sdn. Bhd. | Bandgap reference voltage generator |
JP4103859B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2008-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 基準電圧発生回路 |
US7688054B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-03-30 | David Cave | Bandgap circuit with temperature correction |
GB2442494A (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-09 | Wolfson Microelectronics Plc | Voltage reference start-up circuit |
-
2008
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-
2009
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-
2012
- 2012-09-27 US US13/628,819 patent/US8653806B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005149338A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Hitachi Eng Co Ltd | 基準電圧回路 |
US7148672B1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-12-12 | Zilog, Inc. | Low-voltage bandgap reference circuit with startup control |
US20080007244A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Dieter Draxelmayr | Electronic Circuits and Methods for Starting Up a Bandgap Reference Circuit |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013048995; H. Banba et al.: 'A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1-V Operation' IEEE Journal of Solid-State Circuits Vol.34, No.5, 199905, 670-674, IEEE * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140084287A (ko) * | 2011-11-01 | 2014-07-04 | 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크 | 저전압, 저전력 밴드갭 회로 |
JP2014533397A (ja) * | 2011-11-01 | 2014-12-11 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. | 低電圧低電力バンドギャップ回路 |
KR101627946B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2016-06-13 | 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크 | 저전압, 저전력 밴드갭 회로 |
JP2022125299A (ja) * | 2018-05-24 | 2022-08-26 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の起動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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