JP2010044813A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録時の書き込み能力を維持し、垂直磁気記録層の垂直配向性向上と結晶粒径の均一化及び微細化を両立することができ、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に少なくとも、軟磁性裏打ち層２と配向制御層３１と磁気記録層５と保護層６とが下から順に設けられた垂直磁気記録媒体１０において、配向制御層３１が、中間層４と、中間層４よりも非磁性基板１側に配置されたシード層３とを含む２層以上の積層構造を有するものであり、シード層３が、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する２種類以上の元素を含み、基板面に対して垂直方向に面心立方（ｆｃｃ）（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有する磁気記録媒体１０とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気記録媒体、その製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関するものである。

近年、磁気ディスク装置、可撓性ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増している。また、近年、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られている。特にＭＲ（Magneto Resistive）ヘッド、およびＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）技術の導入以来、面記録密度の上昇は激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲ(Giant Magneto Resistive)ヘッド、ＴｕＭＲ(Tunneling Magneto Resistive)ヘッドなども導入され、磁気記録媒体の面記録密度は著しい増加を続けている。

そして、磁気記録媒体については、今後更なる磁気記録媒体の高記録密度化を達成するために、磁気記録層の高保磁力化と高い信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。

これまで広く用いられてきた長手磁気記録方式においては、線記録密度が高まるにつれて、磁化の遷移領域の隣接する記録磁区同士がお互いの磁化を弱め合おうとする自己減磁作用が支配的になる。このため、長手磁気記録方式においては、磁気記録層を薄くして自己減磁作用を避け、形状磁気異方性を高める必要がある。しかしながら、磁気記録層の膜厚を薄くしていくと、磁区を保つためのエネルギー障壁の大きさと熱エネルギーの大きさが同レベルに近づいてきて、記録された磁化量が温度の影響によって緩和される現象（熱揺らぎ現象）が無視できなくなり、これが線記録密度の限界を決めてしまうと言われている。
このような中、長手磁気記録方式の線記録密度改良に答える技術として、最近ではＡＦＣ（Ａｎｔｉ−Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）媒体が提案され、長手磁気記録で問題となる熱磁気緩和の問題を回避しようという努力がなされている。

また、今後一層の面記録密度の増加を実現するための有力な技術として、垂直磁気記録方式が注目されている。従来の長手磁気記録方式が媒体を面内方向へ磁化させるのに対し、垂直磁気記録方式では媒体面に垂直な方向に磁化させることを特徴とする。このことにより、垂直磁気記録方式では、長手磁気記録方式において高線記録密度を達成する妨げとなる自己減磁作用の影響を回避することができるため、より高密度記録に適していると考えられている。また、垂直磁気記録方式では、一定の磁性層膜厚を保つことができるため、長手磁気記録で問題となっている熱磁気緩和の影響も比較的少ないと考えられている。

一般に、垂直磁気記録方式を用いる垂直磁気記録媒体を製造する場合には、非磁性基板上に配向制御層、磁気記録層、保護層がこの順で成膜される。また、保護層の表面には潤滑層が塗布される場合もある。また、通常、裏打ち層とよばれる軟磁性膜が、配向制御層の下に設けられる。配向制御層としては、基板側からシード層、中間層の順に積層されたものがある。中間層は、磁気記録層の特性をより高める目的で形成される。また、シード層は中間層および磁気記録層の結晶配向を整えると同時に、磁性結晶の形状を制御する働きをすると言われている。

優れた特性を有する垂直磁気記録媒体を製造するためには、磁気記録層の結晶構造が重要である。すなわち、垂直磁気記録媒体においては、多くの場合、磁気記録層の結晶構造は六方最密（ｈｃｐ）構造をとるが、六方最密（ｈｃｐ）（００２）結晶面が基板面に対して平行であること、換言するならば、結晶ｃ軸［００２］軸が垂直な方向にできるだけ乱れなく配列していることが重要である。
しかしながら、垂直磁気記録媒体は、比較的厚い磁気記録層を使用できるという利点がある反面、媒体全体の積層薄膜の総膜厚が現行の長手磁気記録媒体に比べて大きくなりがちであり、そのために媒体積層の過程において結晶構造を乱す要因を内包しやすいという欠点があった。

従来、磁気記録層の結晶をできるだけ乱れなく配向させるため、垂直磁気記録媒体の中間層として、磁気記録層と同様にｈｃｐ構造をとるＲｕが用いられてきた。Ｒｕの（００２）結晶面上には、磁気記録層の結晶がエピタキシャル成長するため、結晶配向の良い磁気記録媒体が得られる（例えば、特許文献１参照。）。

また、中間層の下に位置するシード層には、中間層の結晶配向を向上させることが要求される。そのため、従来、シード層として、面心立方（ｆｃｃ）構造をとるシード層が用いられてきた（例えば、特許文献２参照。）。この場合、ｆｃｃ構造の（１１１）結晶面配向上に、中間層のｈｃｐ構造の（００２）結晶面が優先配向するため、裏打ち層上に中間層となるＲｕを直接成膜するよりも、同じ配向性を得るためのトータルの膜厚を低減することができる。

また、特許文献３には、裏打ち層直上の第１中間層としてｈｃｐ構造のＴｉ、Ａｕ−５０Ｃｕを、第２中間層としてｆｃｃ構造を有するＡｇ−４０Ｃｕを、第３中間層としてＲｕを用いることが記載されている。
また、特許文献４には、配向制御膜として、Ｃ１１ｂ構造をとる組成材料を用いることが記載されており、Ｃ１１ｂ構造をとる配向制御膜として、少なくともＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒの１種または２種以上を含む材料が記載されている。
特開２００１−６１５８号公報 特開２００２−１０９７２０号公報 特開２００５−１９０５１７号公報 特開２００４−４６９９０号公報

しかしながら、従来のシード層は、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を得るには不十分であり、軟磁性裏打ち層と磁気記録層との間の膜厚を低減させることによる記録時の書き込み能力を維持しつつ、磁気記録層における結晶配向性の向上と結晶粒径の均一化および微細化を実現し、なおかつ、安易に製造が可能な垂直磁気記録媒体が要望されていた。

例えば、特許文献２に記載の技術のように、シード層としてｈｃｐ構造有する材料を用いた場合、磁気記録層の結晶配向性を向上させるために、シード層の膜厚をある程度（１０ｎｍ以上）厚くする必要がある。しかし、シード層が非磁性材料である場合、シード層の膜厚を増大させると、磁気記録層と軟磁性裏打ち層との距離が広がるため、記録時の記録ヘッドからの磁束の引き込みが弱まり、書き込み能力が低減する。

これに対し、シード層としてｆｃｃ構造を有する材料を用いた場合、５ｎｍ程度の膜厚でも、ある程度、磁気記録層の結晶配向性を向上させることができる。しかし、シード層としてｆｃｃ構造を有する材料を用いた場合、磁気記録層の結晶配向性が向上すると同時にシード層の結晶粒径が増大するという不都合が生じる。通常、シード層の１つの結晶上には、中間層の１つの結晶と磁気記録層結晶の１つの結晶とが順に成長するので、シード層の結晶粒径の増大は、磁気記録層の結晶粒径の増大を意味する。磁気記録層の結晶粒径が増大すると、記録ビット遷移境界線が滑らかな直線状にならず、記録密度の向上に支障をきたす。このように、ｆｃｃ結晶構造を有するシード層を用いた場合、磁気記録層の結晶配向性の向上と、磁気記録層の結晶粒径の均一化および微細化との両立は困難である。
しかし、今後の更なる面記録密度の向上のためには、磁気記録層の高い結晶ｃ軸配向性と、磁気記録層の結晶粒径の均一化および微細化は不可欠である。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、記録時の書き込み能力を維持し、垂直磁気記録層の垂直配向性向上と結晶粒径の均一化及び微細化を両立することができ、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明の磁気記録媒体を備え、高記録密度特性に優れた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
（１） 非磁性基板上に少なくとも、軟磁性裏打ち層と配向制御層と磁気記録層と保護層とが下から順に設けられた垂直磁気記録媒体において、前記配向制御層が、中間層と、前記中間層よりも前記非磁性基板側に配置されたシード層とを含む２層以上の積層構造を有するものであり、前記シード層が、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する２種類以上の元素を含み、基板面に対して垂直方向に面心立方（ｆｃｃ）（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有することを特徴とする磁気記録媒体。

（２） 前記面心立方構造を有する２種類以上の元素が、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｒｈ，ＰｂおよびＣｏからなる群から選ばれる２種類以上の元素を主成分とする合金からなることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３） 前記シード層の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４） 前記裏打ち層が、軟磁性のアモルファス構造であることを特徴とする（１）乃至（３）に記載の磁気記録媒体。

（５） 前記中間層が、Ｒｕ、Ｒｅまたはその合金からなる六方最密（ｈｃｐ）構造を有する合金層を含むものであることを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６） 前記中間層が、ｆｃｃ構造を有する元素から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、体心立方（ｂｃｃ）構造を有する元素から選ばれる元素を含む合金からなり、（１１１）結晶面配向する結晶構造と、面心立方（ｆｃｃ）構造と体心立方（ｂｃｃ）構造の混合による層状不整格子（積層欠陥）を併せもつ合金層を含むことを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に磁気記録媒体。
（７） 前記中間層が、ｆｃｃ構造を有する元素から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、六方最密（ｈｃｐ）構造を有する元素から選ばれる元素を含む合金材料からなり、（１１１）結晶面配向する結晶構造と、ｆｃｃ構造と六方最密（ｈｃｐ）構造の混合による層状不整格子（積層欠陥）を併せもつ合金層を含むことを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。

（８） 前記磁気記録層が、強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界とから形成されるグラニュラ構造を有するものであり、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による結晶粒の粒径解析において平均粒径が７．５ｎｍ以下であるグラニュラ層を含むことを特徴とする（１）乃至（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（９） 前記シード層が、ＡｇとＣｕを含む合金からなり、Ａｇが３０〜８０ａｔ％、Ｃｕが２０〜７０ａｔ％の範囲で含まれることを特徴とする（１）乃至（８）に記載の磁気記録媒体。
（１０） 前記シード層が、ＡｇとＡｕを含む合金からなり、Ａｇが２０〜７０ａｔ％、Ａｕが３０〜８０ａｔ％の範囲で含まれることを特徴とする（１）乃至（８）に記載の磁気記録媒体。
（１１） 前記シード層が、ＡｕとＣｕを含む合金からなり、Ａｕが３０〜８０ａｔ％、Ｃｕが２０〜７０ａｔ％の範囲で含まれることを特徴とする（１）乃至（８）に記載の磁気記録媒体。

（１２） 非磁性基板上に少なくとも、軟磁性裏打ち層と配向制御層と磁気記録層と保護層とが下から順に設けられ、前記配向制御層が、中間層と、前記中間層よりも前記非磁性基板側に配置されたシード層とを含む２層以上の積層構造を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記シード層を形成する工程が、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する２種類以上の元素を含む合金からなり、該合金が基板面に対して垂直方向に面心立方（ｆｃｃ）（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有するシード層を形成する工程であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１３） 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、前記磁気記録媒体が、（１）乃至（１１）の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。

本発明の磁気記録媒体は、配向制御層が、中間層と、前記中間層よりも前記非磁性基板側に配置されたシード層とを含む２層以上の積層構造を有するものであり、前記シード層が、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する２種類以上の元素を含み、基板面に対して垂直方向に面心立方（ｆｃｃ）（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有するものであるので、シード層が、均一かつ微細な結晶粒径を有するものとなるとともに、膜厚を薄くしたとしても優れた結晶配向性が得られるものとなる。
したがって、本発明の磁気記録媒体においてシード層上に配置された中間層および磁気記録層は、シード層によって配向が制御されて、均一かつ微細な結晶粒径を有し、なおかつ優れた結晶配向性を有するものとなる。

その結果、本発明の磁気記録媒体によれば、磁気記録層の結晶配向性を向上させることができる。具体的には、例えば、磁気記録層の結晶構造がｈｃｐ構造である場合、結晶ｃ軸が基板面に対して角度分散の小さい状態で乱れなく垂直配向したものとなる。また、磁気記録層の結晶粒径が均一で微細なものとなるため、記録ビット遷移境界線がスムーズな直線状になり、高記録密度特性に優れたものとなる。しかも、本発明の磁気記録媒体によれば、配向制御層の厚みを薄くしても中間層および磁気記録層の結晶配向性が優れたものとなるので、配向制御層の厚みを薄くして軟磁性裏打ち層と磁気記録層との間の膜厚を抑制することができる。したがって、記録ヘッドによって記録磁界を印加したときに、記録ヘッドからの磁束が磁気記録層に効率よく引き込まれるものとなり、記録時の記録ヘッドの書き込み能力を向上させることができる。

以下、本発明を、図面を参照して具体的に説明する。
「磁気記録媒体」
図１は、本発明の磁気記録媒体の一例である垂直磁気記録媒体を示した縦断面図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に少なくとも、軟磁性裏打ち層２と配向制御層３１と磁気記録層５と保護層６とが下から順に設けられたものである。

非磁性基板１としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、アモルファスガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、サファイア、石英、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。中でもＡｌ合金基板や結晶化ガラス、アモルファスガラス等のガラス製基板を用いることが好ましい。ガラス基板の場合、ミラーポリッシュ基板や、表面粗さＲａが１（Å）未満の低Ｒａ基板などが好ましく用いられる。また、非磁性基板１には、軽度であれば、テクスチャが入っていても構わない。また、非磁性基板１として用いられる基板サイズは用途などに応じて適宜決定することができ、特に限定されない。

次に、非磁性基板１上に設けられる各層について説明する。
軟磁性裏打ち層２は、磁気記録媒体１０に信号を記録する際に、記録ヘッドからの記録磁界を導き、磁気記録層５に対して記録磁界の垂直成分を効率よく印加する働きをするものである。
軟磁性裏打ち層２の材料としては、軟磁気特性を有する材料であればよく、例えば、ＦｅＣｏ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、ＣｏＴａＺｒ系合金などを使用することができる。また、軟磁性裏打ち層２は、単層の軟磁性層からなるものであってもよいが、２層の軟磁性層の間にＲｕなどからなる極薄い非磁性薄膜をはさみ込んでなるＡＦＣ(Anti-Ferromagnetic Coupling)構造とされていてもよい。

また、軟磁性裏打ち層２は、軟磁性のアモルファス構造を有することが好ましい。軟磁性裏打ち層２を軟磁性のアモルファス構造とすることで、磁気記録媒体１０の表面粗さＲａを低く抑えることができるので、ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、さらなる高記録密度化が可能となる。
また、軟磁性裏打ち層２の総膜厚は、１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度とされ、記録再生特性とＯＷ(Over-Write)特性とのバランスにより適宜決定される。

図１に示す垂直磁気記録媒体１０においては、軟磁性裏打ち層２の上に、直上の膜である磁気記録層５の配向性を制御する配向制御層３１が設けられている。配向制御層３１は、中間層４と、中間層４とよりも非磁性基板１側に配置されたシード層３とを含む２層以上の積層構造を有するものである。

シード層３は、シード層３上に配置された中間層４と、中間層４に配置された磁気記録層５の結晶配向を制御するとともに、中間層４および磁気記録層５の結晶粒径を制御するためのものである。シード層３は、単層であってもよいし２層以上積層されたものであってもよい。

図１に示す垂直磁気記録媒体１０においては、シード層３の少なくとも１層（本実施形態においては１層）が、ｆｃｃ構造を有する２種類以上の元素を含み、基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有するものとされている。このようなシード層３では、シード層がｆｃｃ構造のみを有する材料からなる場合と比較して、軟磁性裏打ち層２の上に微細な結晶粒を形成することが可能となり、さらに膜厚を厚くしても微細な結晶粒径を維持することが可能となる。
ここで、基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有する合金とは、インプレーン（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ：表面面方向）Ｘ線回折において、基板面に対して垂直方向のｆｃｃ（１１１）面結晶配向に相当するｆｃｃ（２２０）面からの回折ピークだけでなく、ｆｃｃ（２２０）面からの回折ピークの低角側に、もうひとつの回折ピークが現れる合金であることを意味している。

通常、六方最密（ｈｃｐ）構造である合金では、インプレーンＸ線回折において六方最密（ｈｃｐ）（１１０）面に対応する回折ピークと、ｈｃｐ（１００）面に対応するピークとが現れる。ここで、シード層３を構成する合金におけるｆｃｃ（２２０）面からの回折ピークを六方最密（ｈｃｐ）（１１０）面に対応する回折ピークと仮定し、低角側のもうひとつの回折ピークをｈｃｐ（１００）面に対応するピークと仮定する。このような仮定を用いると、シード層３を構成する合金が、ｆｃｃ（２２０）面からの回折ピーク（ｈｃｐ（１１０）面の回折ピーク）と、低角側のもうひとつの回折ピーク（ｈｃｐ（１００）面の回折ピーク）とを有するものである場合、シード層３がｈｃｐ（００２）面結晶配向（言い換えると基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向）している六方最密（ｈｃｐ）構造であると見做すことできる。

すなわち、擬似六方晶構造を有する合金とは、インプレーンＸ線回折において、回析角度は異なっていても六方最密（ｈｃｐ）構造の場合におけるｈｃｐ（１１０）面からの回折ピークとｈｃｐ（１００）面からのピークに対応する２つのピークが現れるものであって、バルク状態での状態図においてｈｃｐ構造をとらないものであることを意味している。

シード層３を構成する合金としては、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｒｈ，ＰｂおよびＣｏからなる群から選ばれる２種類以上の元素を主成分とするものであることが好ましく、ＡｇとＣｕを含む合金や、ＡｇとＡｕを含む合金、ＡｕとＣｕを含む合金からなるものであることがより好ましい。
シード層３が、ＡｇとＣｕを含む合金からなるものである場合、Ａｇが３０〜８０ａｔ％、Ｃｕが２０〜７０ａｔ％の範囲で含まれることが好ましい。
また、シード層３が、ＡｇとＡｕを含む合金からなるものである場合、Ａｇが２０〜７０ａｔ％、Ａｕが３０〜８０ａｔ％の範囲で含まれることが好ましい。
また、シード層３が、ＡｕとＣｕを含む合金からなるものである場合、Ａｕが３０〜８０ａｔ％、Ｃｕが２０〜７０ａｔ％の範囲で含まれることが好ましい。

シード層３の膜厚は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下にすることが好ましく、３ｎｍ以上６ｎｍ以下にすることがより好ましい。シード層３の膜厚が上記範囲を超えると、磁気記録媒体１０に情報を記録する際に、記録ヘッドと軟磁性裏打ち層２との距離が離れすぎて、信号の書き込み能力が十分に得られない場合がある。また、シード層３の膜厚が上記範囲未満であると、シード層３の結晶配向性が悪化して磁気記録層５の結晶配向性が十分に得られない場合がある。シード層３の膜厚が上記範囲内であると、シード層３が基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有するものとなり、中間層４や磁気記録層５の結晶配向を容易に制御することができ、尚且つ、中間層４および磁気記録層５の結晶粒径を均一で微細なものとすることができる。

中間層４は、中間層４上に接して配置された磁気記録層５の結晶配向を制御するとともに、磁気記録層５の結晶粒径を制御するためのものである。磁気記録層５の結晶配向性は、中間層４の結晶配向性によりほぼ決定される。本実施形態においては、中間層４を構成する結晶粒同士の合体が抑制されているので、中間層４を構成する１個の結晶粒上に磁気記録層５の１個の結晶粒がエピタキシャル成長されている。
中間層４は、単層であってもよいし２層以上積層されたものであってもよい。図１に示す垂直磁気記録媒体１０においては、中間層４として、基板側に設けられた第１中間層４１と、第１中間層４１上に設けられ、磁気記録層５に接する第２中間層４２の２層からなる中間層４が設けられている。中間層４を第１中間層４１と第２中間層４２の２層からなるものとすることで、中間層４としてシード層３側と磁気記録層５側にそれぞれ適したものを配置することができる。

第１中間層４１は、Ｒｕ、Ｒｅまたはその合金からなるｈｃｐ構造を有する合金層からなるものであることが好ましい。
また、第１中間層４１は、ｆｃｃ構造を有する元素から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、体心立方（ｂｃｃ）構造を有する元素から選ばれる元素を含む合金からなり、（１１１）結晶面配向する結晶構造と、ｆｃｃ構造とｂｃｃ構造の混合による層状不整格子（積層欠陥）を併せもつ合金層からなるものであってもよい。このような合金層としては、例えば、Ｐｔ（ｆｃｃ）：Ｗ（ｂｃｃ）＝５０：５０や、Ａｕ（ｆｃｃ）：Ｍｏ（ｂｃｃ）＝６０：４０などからなるものが挙げられる。
さらに、第１中間層４１は、ｆｃｃ構造を有する元素から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、ｈｃｐ構造を有する元素群から選ばれる元素を含む合金材料からなり、（１１１）結晶面配向する結晶構造と、ｆｃｃ構造とｈｃｐ構造の混合による層状不整格子（積層欠陥）を併せもつ合金層からなるものであってもよい。このような合金層としては、例えば、Ｉｒ（ｆｃｃ）：Ｒｅ（ｈｃｐ）＝５０：５０などからなるものが挙げられる。
第１中間層４１が上記のいずれかの合金層からなるものである場合、優れた結晶配向性を有するとともに微細な結晶粒を有する第１中間層４１となり好ましい。

また、結晶配向性を向上させるとともに結晶粒同士の合体を抑制するために、第１中間層４１の膜厚は１ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とされる。

第２中間層４２は、Ｒｕまたはその合金からなり、ｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造をとる材料からなるものであることが好ましい。また、第２中間層４２は、結晶粒の周りが酸化物や窒化物の粒界で囲まれた材料からなるものであることが好ましい。この場合、結晶粒同士の合体が抑制されるとともに、粒界幅の太いものとなるので、結晶粒の微細化されたものとなり、好ましい。

磁気記録層５は文字通り、実際に信号の記録がなされる磁性層であり、磁気記録層５の結晶構造および磁気的性質によって、最終的な磁気記録媒体１０の記録再生特性が決定される。磁気記録層５は、磁化容易軸（結晶ｃ軸）が基板面に対し主に垂直に配向されたものである。垂直磁気記録媒体においては多くの場合、磁気記録層５の結晶構造はｈｃｐ構造をとるが、その（００２）結晶面が基板面に対して平行であること、換言するならば結晶ｃ軸［００２］軸が垂直な方向にできるだけ乱れなく配列していることが重要である。

磁気記録層５における結晶ｃ軸［００２］軸の配列を評価する方法としては、ロッキングカーブの半値幅を用いることができる。ロッキングカーブの半値幅を得るには、まず、Ｘ線回折装置を用いて、基板上に成膜した膜の基板面に対して平行な結晶面を分析する。例えば、基板上に成膜した膜が、前述の磁気記録層５のようなｈｃｐ構造を有する膜である場合、その結晶面に対応する回折ピークが観測される。例えば、磁気記録層５としてＣｏ系合金を用いた垂直磁気記録媒体の場合、ｈｃｐ構造のｃ軸［００２］方向が基板面に垂直になるように配向するので、ｈｃｐ（００２）結晶面に対応するピークが観測される。次に、このｈｃｐ（００２）結晶面を回折するブラッグ角を維持したまま、Ｘ線回折装置の光学系を基板面に対してスイングさせる。このとき、光学系を傾けた角度に対してｈｃｐ（００２）結晶面の回折強度をプロットすると、ひとつの回折ピークを描くことができる。これをロッキングカーブと呼んでいる。

ｈｃｐ（００２）結晶面が基板面に対して極めてよく平行にそろっていると、鋭い形状のロッキングカーブが得られる。逆にｈｃｐ（００２）結晶面の向きが広く分散していると、ブロードなカーブが得られる。よって、このロッキングカーブの半値幅Δθ５０は、磁気記録層の結晶配向の良否の指標として用いることができる。すなわち、ロッキングカーブの半値幅Δθ５０の値が小さい程、磁気記録層の結晶ｃ軸［００２］軸が基板面に対して垂直に揃って配向していると判断することができる。
本発明においては、シード層３および中間層４によって磁気記録層５の結晶配向が制御されるので、ロッキングカーブの半値幅Δθ５０の小さい磁気記録層が容易に得られる。

磁気記録層５の材料としては、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ−Ｙ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−ＺｒＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＣｏＣｒＰｔ−Ｔａ_２Ｏ_５、 ＣｏＣｒＰｔ−Ｂ_２Ｏ_３、ＣｏＣｒＰｔ−ＷＯ_２、ＣｏＣｒＰｔ−ＷＯ_３などのＣｏ系合金薄膜などが挙げられる。
また、磁気記録層５は、単層であってもよいし２層以上積層されたものであってもよく、強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界とから形成されるグラニュラ構造を有するものであって、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による結晶粒の粒径解析において平均粒径が７．５ｎｍ以下であるグラニュラ層を含むものであることが好ましい。特に、磁気記録層５が、強磁性のＣｏ結晶粒の周りを酸化物で取り囲んでなるグラニュラ構造を有するものである場合、Ｃｏ結晶粒同士の磁気的相互作用が弱まり、磁気記録層５のノイズを減少させることができるため好ましい。
また、グラニュラ層の平均粒径は小さい程好ましく、グラニュラ層の平均粒径が７．５ｎｍ以下である場合、記録ビット遷移境界線がスムーズな直線状になり、より一層優れた高記録密度特性が得られるものとなる。

保護層６は、ヘッドと媒体との接触によるダメージから媒体を保護するためのものでる。保護層６としては、カーボン膜、ＳｉＯ_２膜などが用いられるが、保護性能に優れることからカーボン膜を用いることが好ましい。保護層６の膜厚は、１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とされ、２ｎｍ〜６ｎｍ程度とすることが好ましく、２ｎｍ〜４ｎｍとすることがより好ましい。

また、保護層６上には、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物などからなる潤滑層が設けられていてもよい。

なお、本発明の磁気記録媒体は、優れた高記録密度特性が得られるものであるので、今後のさらなる記録密度の向上が期待される媒体、例えば、ＥＣＣ(Exchange Coupled Composite)媒体や、ディスクリートトラックメディア、パターンメディアのような新しい垂直記録媒体においても適用可能である。

「磁気記録媒体の製造方法」
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例として、図１に示す垂直磁気記録媒体の製造方法を説明する。
図１に示す垂直磁気記録媒体を製造するには、まず、非磁性基板１の洗浄・乾燥を行う。非磁性基板１の洗浄・乾燥を行うことにより、非磁性基板１上に形成される各層の密着性を十分に確保することができる。ここでの洗浄方法としては、水洗浄や、エッチング（逆スパッタ）による洗浄などの方法が挙げられる。

次に、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２と配向制御層３１（中間層４およびシード層３）と磁気記録層５の各層を下から順に成膜して形成する。通常、軟磁性裏打ち層２と配向制御層３１と磁気記録層５の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法またはＲＦスパッタリング法を用いて形成されるが、ＲＦバイアス、ＤＣバイアス、パルスＤＣ、パルスＤＣバイアスなどを用いるスパッタリング法を用いてもよい。また、スパッタリング法において用いられるスパッタガスとしては、Ｋｒガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２Ｏガス、Ｈ_２ガス、Ｎ_２ガスなどが挙げられる。
なお、シード層３を、スパッタリング法を用いて形成する場合には、結晶配向性に優れたものとするために、スパッタガスの圧力を０.４〜０．８Ｐａの範囲内とすることが好ましい。

スパッタガスの圧力は各層ごとに最適になるように適宜決定されるが、一般に０．１〜３０Ｐａ程度の範囲とされる。
具体的には、例えば、磁気記録層５の結晶配向性に最も影響を与える中間層４では、結晶配向性を向上させるために、中間層４を形成する初期段階である第１中間層４２の成膜時のスパッタガスの圧力を１Ｐａ以下に低くすることが好ましい。

しかし、スパッタガスの圧力を低くしたまま中間層の成長を続けると、膜成長の途中で結晶粒同士の合体が起こる。合体した結晶粒上に磁気記録層５の結晶がエピタキシャル成長されると、磁気記録層５の１個の結晶が、結晶粒径が合体した中間層４の結晶粒径程度まで大きくなってしまう。
このため、中間層４の第２中間層４２においては、成膜時のスパッタガスの圧力を１．５Ｐａ以上と高くすることが好ましい。第２中間層４２の成膜時のスパッタガスの圧力を１．５Ｐａ以上とすることで、結晶粒間に空隙を生じさせることができ、結晶粒同士の合体を抑制することができる。
このように、第１中間層４２のスパッタガスの圧力を１Ｐａ以下、第２中間層４２のスパッタガスの圧力を１．５Ｐａ以上とすることで、配向制御性に優れた中間層４を形成することができる。

また、保護層６の形成には、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、マグネトロンプラズマＣＶＤ法などが用いられる。また、保護層６上には、潤滑剤が塗布されることにより、必要に応じて潤滑層が形成される。
以上のようにして、図１に示す磁気記録媒体１０が得られる。

「磁気記録再生装置」
次に、本発明の磁気記録再生装置の実施形態について説明する。
図２は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。図２に示す磁気記録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、この磁気ヘッド１２を磁気記録媒体１０に対して相対運動させるヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えて構成されている。

記録再生信号処理系１４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を生成し、この記録信号を磁気ヘッド１２に入力するとともに、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデ−タを生成し、このデータを外部に出力するものである。

本発明の磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド１２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＡＭＲ素子の他、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子、トンネル効果を利用したＴｕＭＲ素子などを有する高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。

図２に示す磁気記録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体１０を備えたものであり、磁気記録媒体１０の磁気記録層が高度に略垂直配向されているとともに、磁気記録層の磁性粒子の粒径が均一且つ微細であることにより、高密度記録領域においても良好な記録再生特性を得ることができる。また、磁気記録媒体１０の磁気記録媒体のシード層の膜厚を比較的薄く設定することができるので、記録ヘッドからの記録磁界を効率よく磁気記録層に印加することができ、情報の書き込みを確実に行うことができる。

（実験例）
ガラス基板上にスパッタリング法により、Ａｇ（Ａｇ：１００ａｔ％）、Ｃｕ（Ａｇ：０ａｔ％）、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：３０ａｔ％）、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：５０ａｔ％）、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：７０ａｔ％）からなる金属層をそれぞれ形成し、インプレーン（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ：表面面方向）Ｘ線回折を行った。その結果を図３に示す。

図３は、Ａｇ−Ｃｕ合金のインプレーンＸ線回折プロファイルを示したグラフである。図３に示すように、Ａｇ（Ａｇ：１００ａｔ％）、Ｃｕ（Ａｇ：０ａｔ％）のプロファイルは、ｆｃｃ（２２０）面からのピークのみ観測されている。これに対して、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：３０ａｔ％）、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：５０ａｔ％）、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：７０ａｔ％）のプロファイルにおいては、高角側のｆｃｃ（２２０）面からのピークの低角側に、もうひとつピークが観測されている。このことから、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：３０〜７０ａｔ％）は、基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向している擬似六方晶構造を有するものであることが確認できた。

また、図４は、バルク状態でのＡｇ−Ｃｕ合金の状態図である。図３に示される基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向（ｈｃｐ（００２）的な配向）している合金であるＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：３０〜７０ａｔ％）においては、図４に示すように、六方最密（ｈｃｐ）構造の相は存在しない。したがって、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：３０〜７０ａｔ％）は擬似六方晶構造を有するものであることがわかった。

（実施例１〜９、比較例１〜３）
ＨＤ用ガラス基板を、スパッタリング装置の真空チャンバにセットし、真空チャンバ内を１．０×１０^−５Ｐａ以下に真空排気した。
次に、真空チャンバ内をＡｒ雰囲気とし、ガラス基板上に、ガス圧０．６Ｐａでスパッタリング法により、Ｃｏ１０Ｔａ５Ｚｒからなる膜厚５０ｎｍの軟磁性裏打ち層を成膜した。

次に、Ａｒ雰囲気中、ガス圧０．６Ｐａでスパッタリング法により、軟磁性裏打ち層の上に、表１に示す組成および膜厚のシード層を成膜した。
このようにして得られたシード層のインプレーン（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ：表面面方向）Ｘ線回折を行ない、シード層の構造を調べた。その結果を表１に示す。

続いて、Ａｒ雰囲気中、ガス圧０．６Ｐａでスパッタリング法により、シード層上に、Ｒｕからなる膜厚５ｎｍの第１中間層を成膜した。その後、Ａｒ雰囲気中ガス圧５Ｐａでスパッタリング法により、第１中間層上に、Ｒｕからなる膜厚１５ｎｍの第２中間層を成膜した。

次に、Ａｒ雰囲気中、ガス圧５Ｐａでスパッタリング法により、第２中間層上に、９０(Ｃｏ１０Ｃｒ２０Ｐｔ)−１０(ＳｉＯ_２)からなる膜厚１２ｎｍの磁気記録層を成膜した。続いて、磁気記録層上に、カーボン膜からなる膜厚４ｎｍの保護層を成膜し、保護層上にテトラオールからなる潤滑剤を塗布して潤滑層を形成し、垂直磁気記録媒体とした。
なお、実施例１〜９、比較例１〜３の合金組成式において、各元素の前に付した全角数字は、合金中に含まれる各元素の割合（ａｔ％）を示し、数字が付されていない元素の割合は他の元素の割合の残部であるものとする。

このようにして得られた実施例１〜９、比較例１〜３の垂直磁気記録媒体について、以下に示すようにして記録再生特性、静磁気特性、磁気記録層の結晶配向性および平均結晶粒径を評価した。その結果を、表１に示す。
「記録再生特性」
各磁気記録媒体について、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザ１６３２及びスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用い、ＳＮＲを測定することによって評価した。
「静磁気特性」
各磁気記録媒体について、Ｋｅｒｒ測定装置を用い、保磁力Ｈｃを測定することによって評価した。
「結晶配向性」
各磁気記録層について、Ｘ線回折装置を用いてロッキングカーブを観測し、その半値幅Δθ５０を計測することによって評価した。
「平均結晶粒径」
各磁気記録層を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察し、観察された磁気記録層の平面画像について、グラニュラ構造の合金結晶粒の粒径解析を行うことによって求めた。

表１に示すように、実施例１〜９の垂直磁気記録媒体のシード層は、全て擬似六方晶構造であった。これに対し、比較例１〜３の垂直磁気記録媒体のシード層は、全てｆｃｃ構造であった。
また、表１に示すように、実施例１〜９の垂直磁気記録媒体は、比較例１〜３の垂直磁気記録媒体に比べて、磁気記録層の結晶配向性が優れ（Δθ５０が小さく）、磁気記録層の平均結晶粒径が小さく、記録再生特性の評価であるＳＮＲが高いことが確認できた。

また、実施例１〜９の垂直磁気記録媒体は、比較例１〜３の垂直磁気記録媒体に比べて、保磁力Ｈｃが低くなっている。一般に、保磁力Ｈｃが低くなる原因としては、磁気記録層の結晶粒径が微細化されたことにより熱揺らぎの影響を受け易くなったことと、結晶配向性が悪化して磁気異方性が低下したこととが考えられるが、実施例１〜９の垂直磁気記録媒体では、比較例１〜３の垂直磁気記録媒体に比べて、結晶配向性が優れている。このため、実施例１〜９において保磁力が低くなっているのは、熱揺らぎの影響を受け易くなったためであることが分かる。

（実施例１０〜１８、比較例４〜１８）
実施例１と同様にしてガラス基板上に軟磁性裏打ち層を成膜し、表２に示す組成および膜厚としたこと以外は、実施例１と同様にしてシード層を成膜した。
このようにして得られたシード層のインプレーン（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ：表面面方向）Ｘ線回折を行ない、シード層の構造を調べた。その結果を表２に示す。

続いて、Ａｒ雰囲気中、ガス圧０．６Ｐａでスパッタリング法により、シード層上に、Ｒｕからなる膜厚８ｎｍの第１中間層を成膜した。その後、Ａｒ雰囲気中ガス圧１０Ｐａでスパッタリング法により、第１中間層上に、Ｒｕからなる膜厚８ｎｍの第２中間層を成膜した。

次に、Ａｒ雰囲気中、ガス圧１０Ｐａでスパッタリング法により、第２中間層上に、９０(Ｃｏ１０Ｃｒ１５Ｐｔ)−１０(ＳｉＯ_２)からなる膜厚１０ｎｍの磁気記録層を成膜した。その後、実施例１と同様にして磁気記録層上に、保護層を形成し、潤滑剤を塗布して垂直磁気記録媒体とした。
なお、実施例１０〜１８、比較例４〜１８の合金組成式において、各元素の前に付した全角数字は、合金中に含まれる各元素の割合（ａｔ％）を示し、数字が付されていない元素の割合は他の元素の割合の残部であるものとする。

このようにして得られた実施例１０〜１８、比較例４〜１８の垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして記録再生特性、静磁気特性、磁気記録層の結晶配向性および平均結晶粒径を評価した。その結果を、表２に示す。

表２に示すように、実施例１０〜１８の垂直磁気記録媒体のシード層は、全て擬似六方晶構造であった。これに対し、比較例４〜１８の垂直磁気記録媒体のシード層は全てｆｃｃ構造であり、比較例１９および比較例２０の垂直磁気記録媒体のシード層はランダム構造であった。

また、表２に示すように、シード層が基板面に対して垂直方向にｆｃｃ（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有する実施例１０〜１８の垂直磁気記録媒体は、膜厚を厚くしても結晶粒径がほぼ変化していない。また、実施例１０〜１８の垂直磁気記録媒体は、膜厚が４ｎｍと薄い場合であっても、比較例４〜１８の垂直磁気記録媒体と比較して磁気記録層の結晶配向性が優れ（Δθ５０が小さく）、磁気記録層の平均結晶粒径が小さく、ＳＮＲが高いことが確認できた。
これに対し、シード層がｆｃｃ構造である比較例４〜１５、シード層がｈｃｐ構造である比較例１６〜１８の垂直磁気記録媒体では、膜厚を厚くすることによって、磁気記録層の結晶配向性が向上（Δθ５０が小さく）しているが、結晶粒径の増大も顕著になっており、ＳＮＲが低下している。

また、比較例１９および比較例２０は、結晶粒径は実施例１０〜１８と同等に小さいが、第１中間層および第２中間層を構成するＲｕの結晶配向性が非常に悪く、保磁力（静磁気特性）およびＳＮＲが低い値を示している。これは、シード層を構成するＡｇ５０Ｃｕが４（ｎｍ）程度の膜厚である場合には擬似六方晶として振舞うが、１（ｎｍ）〜２（ｎｍ）程度の薄い膜厚である場合にはｆｃｃ（１１１）の結晶配向ではなくランダムな配向となり擬似六方晶として振舞うことができないためである。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一例である垂直磁気記録媒体を示した縦断面図である。 図２は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。 図３は、Ａｇ−Ｃｕ合金のインプレーン（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ：表面面方向）Ｘ線回折プロファイルを示したグラフである。 図４は、バルク状態でのＡｇ−Ｃｕ合金の状態図である。

符号の説明

１・・・・・非磁性基板、２・・・・・軟磁性裏打ち層、３・・・・・シード層、４・・・・・中間層、５・・・・・磁気記録層、６・・・・・保護層、１０・・・・・磁気記録媒体、１１・・・・・媒体駆動部、１２・・・・・磁気ヘッド、１３・・・・・ヘッド駆動部、１４・・・・・記録再生信号系、３１・・・・・配向制御層、４１・・・・・第１中間層、４２・・・・・第２中間層。

Claims (13)

1. 非磁性基板上に少なくとも、軟磁性裏打ち層と配向制御層と磁気記録層と保護層とが下から順に設けられた垂直磁気記録媒体において、
   前記配向制御層が、中間層と、前記中間層よりも前記非磁性基板側に配置されたシード層とを含む２層以上の積層構造を有するものであり、
   前記シード層が、面心立方構造を有する２種類以上の元素を含み、基板面に対して垂直方向に面心立方（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記面心立方構造を有する２種類以上の元素が、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｒｈ，ＰｂおよびＣｏからなる群から選ばれる２種類以上の元素であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記シード層の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記裏打ち層が、軟磁性のアモルファス構造であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の磁気記録媒体。
5. 前記中間層が、Ｒｕ、Ｒｅまたはその合金からなる六方最密構造を有する合金層を含むものであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
6. 前記中間層が、ｆｃｃ構造を有する元素から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、体心立方構造を有する元素から選ばれる元素を含む合金からなり、（１１１）結晶面配向する結晶構造と、面心立方構造と体心立方構造の混合による層状不整格子を併せもつ合金層を含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
7. 前記中間層が、ｆｃｃ構造を有する元素から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、六方最密構造を有する元素から選ばれる元素を含む合金材料からなり、（１１１）結晶面配向する結晶構造と、ｆｃｃ構造と六方最密構造の混合による層状不整格子を併せもつ合金層を含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
8. 前記磁気記録層が、強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界とから形成されるグラニュラ構造を有するものであり、透過型電子顕微鏡による結晶粒の粒径解析において平均粒径が７．５ｎｍ以下であるグラニュラ層を含むことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
9. 前記シード層が、ＡｇとＣｕを含む合金からなり、Ａｇが３０〜８０ａｔ％、Ｃｕが２０〜７０ａｔ％の範囲で含まれることを特徴とする請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体。
10. 前記シード層が、ＡｇとＡｕを含む合金からなり、Ａｇが２０〜７０ａｔ％、Ａｕが３０〜８０ａｔ％の範囲で含まれることを特徴とする請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体。
11. 前記シード層が、ＡｕとＣｕを含む合金からなり、Ａｕが３０〜８０ａｔ％、Ｃｕが２０〜７０ａｔ％の範囲で含まれることを特徴とする請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体。
12. 非磁性基板上に少なくとも、軟磁性裏打ち層と配向制御層と磁気記録層と保護層とが下から順に設けられ、前記配向制御層が、中間層と、前記中間層よりも前記非磁性基板側に配置されたシード層とを含む２層以上の積層構造を有する磁気記録媒体の製造方法において、
    前記シード層を形成する工程が、面心立方構造を有する２種類以上の元素を含み、基板面に対して垂直方向に面心立方（１１１）面結晶配向すると共に擬似六方晶構造を有するシード層を形成する工程であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
13. 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、
    前記磁気記録媒体が、請求項１乃至１１の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。

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