JP2010034524A - ウェーハの微小割れを検出する方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検査方法は、第1の軸に略沿ってウェーハの第1の表面から出る光を受けて、そこから第1の表面の第1の画像を得ることを含み、ウェーハは内部に形成された割れを有し、第1の画像は割れの少なくとも1つの部分を含む。検査方法は、第2の軸に略沿ってウェーハの第1の表面から出る光を受け、そこから第1の表面の第2の画像を得ることも含み、第2の画像は、割れの少なくとも1つの第2の部分を含み、第1の表面は平面に対して略平行に延び、平面上の第1の軸の正投影は、平面上の第2の軸の正投影に略直交する。検査方法は、第1および第2の画像の割れの少なくとも1つの第1の部分および割れの少なくとも1つの第2の部分のそれぞれから、第3の画像を構築することをさらに含む。より具体的には、第3の画像は、ウェーハ内の割れを検査するために略処理可能である。
【選択図】図3
Description
wi=tw×sinθ
12 コンピュータ
14 ラインスキャン撮像装置
16 ソーラウェーハ
18 赤外線光源
20 微小割れ
22 画像解像度
100 装置
102 コンピュータ
104 第1の撮像装置
106 第2の撮像装置
107 第1の方向
108、110 光源
109 第2の方向
112 搬送システム
114 ソーラウェーハ
116 第1の部分
118 第2の部分
500、800 微小割れ
600 第1のビュー
602 第2のビュー
604 第3のビュー
700 第1の画像
702 第2の画像
704 第1のプロセス
706 第2のプロセス
708 第3のプロセス
710 処理済み最終画像
712 第4のプロセス
900ミラー
Claims (24)
- ウェーハは内部に形成された割れを有し、第1の画像は前記割れの少なくとも1つの部分を含み、そこから第1の表面の前記第1の画像を得るため、第1の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けることと、
第2の画像は前記割れの少なくとも1つの第2の部分を含み、前記第1の表面は平面に対して略平行に延び、前記平面上の前記第1の軸の正投影は、前記平面上の第2の軸の正投影に略直交し、そこから前記第1の表面の前記第2の画像を得るため、前記第2の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けることと、
前記第1および第2の画像のそれぞれの前記割れの前記少なくとも1つの第1の部分および前記割れの前記少なくとも1つの第2の部分から、第3の画像を構築することと、を含み、
前記第3の画像は前記ウェーハの前記割れを検査するように実質的に処理可能である、検査方法。 - 光を前記第1の軸に略沿って前記ウェーハの第2の表面に向けて、それにより、前記ウェーハの前記第1の表面から前記第1の軸に沿って出る前記光を得ることと、光を前記第2の軸に略沿って前記ウェーハの第2の表面に向けて、それにより、前記ウェーハの前記第1の表面から前記第2の軸に沿って出る光を得ることとをさらに含み、前記第1の表面は前記第2の表面に略外側に向けて対向する、請求項1に記載の検査方法。
- 光を前記第1の表面に対して略鋭角で前記ウェーハの前記第1の表面に向けることをさらに含む、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第1の画像および前記第2の画像から第3の画像を構築することには、前記第1の画像および前記第2の画像を重ね合わせて前記第3の画像を得ることが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第1の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けて、そこから前記第1の表面の前記第1の画像を得ることには、前記ウェーハの前記第2の表面から前記第2の表面に対して鋭角で光を受けることが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記ウェーハの前記第1の表面から受けた光を前記平面上の前記第1の軸の前記正投影に沿って向けるための光学ユニットを設けることをさらに含む、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第2の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けて、そこから前記第1の表面の前記第2の画像を得ることには、前記第1の表面に対して略直角で前記ウェーハの前記第1の表面からの光を受けることが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第1の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けて、そこから前記第1の表面の前記第1の画像を得ることには、前記平面上の前記第1の軸の前記正投影に沿って前記ウェーハを搬送することが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第2の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けて、そこから前記第1の表面の前記第2の画像を得ることには、前記平面上の前記第2の軸の前記正投影に沿って前記ウェーハを搬送することが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第2の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けて、そこから前記第1の表面の前記第2の画像を得ることには、少なくとも前記第1および第2の画像を回転させて、前記第1の画像を前記第2の画像に空間的に見当合わせをすることが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第2の軸に略沿って前記ウェーハの前記第1の表面から出る光を受けて、そこから前記第1の表面の前記第2の画像を得ることには、前記第1の画像と前記第2の画像との視点およびスカラー差を補正することが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第1および第2の画像から第3の画像を構築することには、算術関数によって前記第1および第2の画像を組み合わせることが含まれる、請求項1に記載の検査方法。
- 前記算術関数によって前記第1および第2の画像を組み合わせることには、最小関数によって前記第3の画像を得ることが含まれる、請求項12に記載の検査方法。
- 光を内部に形成された割れを有するウェーハの第1の表面に向けるように配置される光組立体と、
前記ウェーハの第2の表面から第1の軸に略沿って出る光を受けるように配置される第1の撮像装置であって、前記光から、前記割れの少なくとも1つの第1の部分を含む第1の画像を取得可能であり、前記第2の表面は、平面に対して略平行し、前記第1の表面に対して外側に向かって略対向する、第1の撮像装置と、
前記ウェーハの前記第2の表面から第2の軸に略沿って出る光を受けるように配置される第2の撮像装置であって、前記光から、前記割れの少なくとも1つの第2の部分を含む第2の画像を取得可能であり、前記第1および第2の撮像装置は、前記平面上の前記第1の軸の正投影を前記平面上の前記第2の軸の正投影に略直交するように配置するように相互に構成され、コンピュータにデータ結合可能であり、それにより、前記第1および第2の画像の取得を可能にする、第2の撮像装置と
を備え、
第3の画像が、前記コンピュータにより前記第1および第2の画像から構築可能であり、続けて前記ウェーハの前記割れを検査するために処理可能である、検査装置。 - 前記光は、前記ウェーハの前記第1の表面に向けられ、前記ウェーハの前記第2の表面に対して略鋭角で前記ウェーハの前記第2の表面から受けられる、請求項14に記載の検査装置。
- 前記ウェーハの前記第2の表面から受けた光を前記平面上の前記第1の軸の前記正投影に略平行な方向に沿って向けるための光学ユニットをさらに備える、請求項14に記載の検査装置。
- 前記ウェーハの前記第2の表面からの前記光は、前記第1および第2の撮像装置のうちの少なくとも一方によって前記第2の表面に対して略直角に受けられる、請求項14に記載の検査装置。
- 前記平面上の前記第1の軸の前記正投影に略平行な第1の方向に前記ウェーハを搬送するための第1の部分を有する搬送システムをさらに備える、請求項14に記載の検査装置。
- 前記搬送システムは、前記平面上の前記第2の軸の前記正投影に略平行な第2の方向に前記ウェーハを搬送するための第2の部分を有する、請求項18に記載の検査装置。
- 前記コンピュータは、前記第1および第2の画像のうちの少なくとも一方を回転させて、前記第1の画像を前記第2の画像に空間的に見当合わせをする、請求項14に記載の検査装置。
- 前記コンピュータは、前記第1の画像と前記第2の画像との視点およびスカラー差を補正する、請求項14に記載の検査装置。
- 前記コンピュータは、算術関数によって前記第1および第2の画像を構築する、請求項14に記載の検査装置。
- 前記第1および第2の画像は最小関数によって構築される、請求項22に記載の検査装置。
- 前記光組立体は、第1の光源および第2の光源のうちの少なくとも一方を備える、請求項14に記載の検査装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SG200805811-7 | 2008-07-28 | ||
| SG200805811-7A SG158782A1 (en) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | Method and system for detecting micro-cracks in wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010034524A true JP2010034524A (ja) | 2010-02-12 |
| JP5500414B2 JP5500414B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=41610587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009139963A Active JP5500414B2 (ja) | 2008-07-28 | 2009-06-11 | ウェーハの微小割れを検出する検査方法および検査装置 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9651502B2 (ja) |
| EP (1) | EP2316127B8 (ja) |
| JP (1) | JP5500414B2 (ja) |
| KR (1) | KR101584386B1 (ja) |
| CN (1) | CN102105972B (ja) |
| HU (1) | HUE042046T2 (ja) |
| MY (1) | MY153553A (ja) |
| SG (1) | SG158782A1 (ja) |
| TW (1) | TWI476399B (ja) |
| WO (1) | WO2010014041A1 (ja) |
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- 2009-05-14 CN CN2009801294423A patent/CN102105972B/zh active Active
- 2009-05-14 KR KR1020107025770A patent/KR101584386B1/ko active Active
- 2009-05-14 HU HUE09803217 patent/HUE042046T2/hu unknown
- 2009-05-14 WO PCT/SG2009/000173 patent/WO2010014041A1/en not_active Ceased
- 2009-05-14 MY MYPI2010006299A patent/MY153553A/en unknown
- 2009-05-14 EP EP09803217.0A patent/EP2316127B8/en active Active
- 2009-05-14 US US12/681,717 patent/US9651502B2/en active Active
- 2009-05-22 TW TW098117189A patent/TWI476399B/zh active
- 2009-06-11 JP JP2009139963A patent/JP5500414B2/ja active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004271269A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Topcon Corp | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
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| JP2018137309A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2316127B8 (en) | 2018-10-31 |
| CN102105972B (zh) | 2012-10-03 |
| WO2010014041A1 (en) | 2010-02-04 |
| HUE042046T2 (hu) | 2019-10-28 |
| KR101584386B1 (ko) | 2016-01-13 |
| US20100220186A1 (en) | 2010-09-02 |
| MY153553A (en) | 2015-02-27 |
| EP2316127B1 (en) | 2018-08-29 |
| CN102105972A (zh) | 2011-06-22 |
| US9651502B2 (en) | 2017-05-16 |
| EP2316127A1 (en) | 2011-05-04 |
| SG158782A1 (en) | 2010-02-26 |
| TW201005283A (en) | 2010-02-01 |
| KR20110058742A (ko) | 2011-06-01 |
| JP5500414B2 (ja) | 2014-05-21 |
| TWI476399B (zh) | 2015-03-11 |
| EP2316127A4 (en) | 2013-12-04 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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