JP2010016154A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010016154A JP2010016154A JP2008174351A JP2008174351A JP2010016154A JP 2010016154 A JP2010016154 A JP 2010016154A JP 2008174351 A JP2008174351 A JP 2008174351A JP 2008174351 A JP2008174351 A JP 2008174351A JP 2010016154 A JP2010016154 A JP 2010016154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity region
- region
- well
- type
- impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 26
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明にかかる半導体装置100は、第1導電型の半導体基板10と、半導体基板10に設けられた、第2導電型のウェル20と、ウェル20に設けられた、第1導電型の第1不純物領域30と、第1不純物領域30の周囲に設けられ、少なくとも一部がウェル20に設けられた、第2導電型の第2不純物領域40と、を有し、ウェル20は、第2不純物領域40よりも不純物濃度が小さく、かつ、半導体基板10の厚み方向に第1不純物領域30および第2不純物領域40よりも深く形成され、第1不純物領域30は、LDMOS106のボディ領域またはオフセットドレインMOS108のドリフト領域を構成する。
【選択図】図1
Description
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた、第2導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられた、第1導電型の第1不純物領域と、
前記第1不純物領域の周囲に設けられ、少なくとも一部が前記ウェルに設けられた、第2導電型の第2不純物領域と、
を有し、
前記ウェルは、前記第2不純物領域よりも不純物濃度が小さく、かつ、前記半導体基板の厚み方向に前記第1不純物領域および前記第2不純物領域よりも深く形成され、
前記第1不純物領域は、LDMOSのボディ領域またはオフセットドレインMOSのドリフト領域を構成する。
前記第2不純物領域の外周は、前記ウェルの外周よりも外側に存在することができる。
前記ウェルは、ドライブイン拡散法によって形成され、
前記第1不純物領域および前記第2不純物領域は、高エネルギーイオン注入法によって形成されたレトログレイドウェルであることができる。
前記半導体基板に前記ウェルが複数形成され、
複数の前記ウェルを区画するように、第1導電型の第3不純物領域が形成され、
前記第1不純物領域と前記第3不純物領域との間に、前記第2不純物領域が形成されることができる。
Claims (4)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた、第2導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられた、第1導電型の第1不純物領域と、
前記第1不純物領域の周囲に設けられ、少なくとも一部が前記ウェルに設けられた、第2導電型の第2不純物領域と、
を有し、
前記ウェルは、前記第2不純物領域よりも不純物濃度が小さく、かつ、前記半導体基板の厚み方向に前記第1不純物領域および前記第2不純物領域よりも深く形成され、
前記第1不純物領域は、LDMOSのボディ領域またはオフセットドレインMOSのドリフト領域を構成する、半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2不純物領域の外周の少なくとも一部は、前記ウェルの外周よりも外側に存在する、半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記ウェルは、ドライブイン拡散法によって形成され、
前記第1不純物領域および前記第2不純物領域は、高エネルギーイオン注入法によって形成されたレトログレイドウェルである、半導体装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかにおいて、
前記半導体基板に前記ウェルが複数形成され、
複数の前記ウェルを区画するように、第1導電型の第3不純物領域が形成され、
前記第1不純物領域と前記第3不純物領域との間に、前記第2不純物領域が形成された、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174351A JP5311003B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174351A JP5311003B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016154A true JP2010016154A (ja) | 2010-01-21 |
JP5311003B2 JP5311003B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=41701995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008174351A Active JP5311003B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5311003B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012172742A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
CN103035733A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-10 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 高压mos晶体管结构及其制造方法 |
US20130163858A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Component recognizing apparatus and component recognizing method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06334136A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002110970A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2004200359A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006210532A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007088334A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-07-03 JP JP2008174351A patent/JP5311003B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06334136A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002110970A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2004200359A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006210532A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007088334A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012172742A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US20130163858A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Component recognizing apparatus and component recognizing method |
US9008440B2 (en) * | 2011-12-21 | 2015-04-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Component recognizing apparatus and component recognizing method |
CN103035733A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-10 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 高压mos晶体管结构及其制造方法 |
CN103035733B (zh) * | 2012-12-26 | 2016-10-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 高压mos晶体管结构及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5311003B2 (ja) | 2013-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4587003B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6713453B2 (ja) | カスケードされたリサーフ注入及び二重バッファを備えるldmosデバイスのための方法及び装置 | |
TWI438898B (zh) | 自我對準之互補雙擴散金氧半導體 | |
KR100361602B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5492610B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100790257B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
US9263570B2 (en) | Semiconductor device including a high breakdown voltage DMOS and method of manufacturing the same | |
JPH0897411A (ja) | 横型高耐圧トレンチmosfetおよびその製造方法 | |
KR101531882B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP4971595B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010021176A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2008084995A (ja) | 高耐圧トレンチmosトランジスタ及びその製造方法 | |
US7579651B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4308096B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4584222B2 (ja) | 高耐圧トランジスタの製造方法 | |
JP2005136150A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6762458B2 (en) | High voltage transistor and method for fabricating the same | |
US7705399B2 (en) | Semiconductor device with field insulation film formed therein | |
US7514332B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2005101334A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007294759A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20110078621A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP5311003B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100847827B1 (ko) | 고전압 트랜지스터의 제조 방법 | |
JP4952042B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5311003 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |