JP2010015661A - 回路付サスペンション基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板１１、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層し、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４とは別途、光導波路１９を形成するとともに、発光素子２０を、光導波路１９と光学的に接続するように設置することにより、回路付サスペンション基板１を得る。この回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッドが実装されたヘッドスライダ２７を搭載し、これらをハードディスクドライブに搭載させて、光アシスト法により、ハードディスク２６に情報を記録する。
【選択図】図３

Description

本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、光アシスト法が採用されるハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。

近年、ハードディスクなどに対する磁気記録方式として、情報の記録時において、ハードディスクを光照射により加熱して、その保磁力を低下させた状態で、磁気ヘッドによって記録することにより、情報を小さな記録磁界で高密度に記録できる光アシスト法（光アシスト磁気記録方式）が知られている。
例えば、光アシスト法を採用する光アシスト磁気記録装置では、ヘッドスライダの側面に、磁気再生素子および磁気記録素子（磁気ヘッド）と光導波路と光源とを形成することにより、磁気記録再生素子を設け、このヘッドスライダをサスペンションに支持させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０００−１９５００２号公報

しかし、ヘッドスライダは、小型化の要求に対応すべく、比較的小さく形成されており、しかも、磁気ヘッドが設けられているため、それ以外の部品を設置することは、スペース的に困難である。そのため、光アシスト法に用いられる光導波路および光源を、磁気ヘッドと一緒にヘッドスライダに設けようとすると、レイアウト上の制限を受け、製造に手間がかかり、製造コストが増大するという不具合がある。

本発明の目的は、光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、光導波路とを備え、前記光導波路は、前記金属支持基板の上に、前記ベース絶縁層、前記導体パターンおよび前記カバー絶縁層とは別途設けられていることを特徴としている。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路の上面が、前記カバー絶縁層の上面より低いことが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、前記アンダークラッド層は、前記金属支持基板の上面に直接積層されていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、前記アンダークラッド層は、前記金属支持基板の上面に接着剤層を介して積層されていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、さらに、発光素子を備えており、その発光素子が前記光導波路と光学的に接続されていることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、さらに、ヘッドスライダを搭載するための搭載部を備え、前記光導波路が、前記導体パターンが延びる方向に沿って配置されており、前記発光素子が、前記金属支持基板の長手方向一方側に配置され、前記搭載部が、前記金属支持基板の長手方向他方側に配置されていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを形成する工程と、光導波路を、前記金属支持基板の上に、前記ベース絶縁層、前記導体パターンおよび前記カバー絶縁層とは別途設ける工程とを備えることを特徴としている。

本発明の回路付サスペンション基板では、光アシスト法に用いられる光導波路が、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層とは別途設けられているので、かかる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。そのため、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。

また、光導波路が、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層とは別途設けられているので、回路付サスペンション基板の薄型化を図ることができる。そのため、かかる回路付サスペンション基板をＥブロックに実装するときに、Ｅブロックとの接触を有効に防止して、光導波路の損傷や断線を有効に防止することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、光アシスト法に用いられる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持って金属支持基板の上に形成することができる。そのため、設計上の自由を確保することができる。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における長手方向に直交する方向（以下、幅方向という。）に沿う断面図であって、光導波路が金属支持基板の上面に直接積層される形態の断面図を示す。なお、図１および図２において、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、導体パターン１３および光導波路１９の相対配置を明確に示すために、省略している。

図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド（図示しない）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドとハードディスク２６（図５参照）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、ハードディスク２６との間に微小な間隔を保持しながら支持するための金属支持基板１１に、外部回路基板（例えば、リード・ライト基板など）２と磁気ヘッドとを接続するための導体パターン１３が一体的に形成されている。

この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される配線部３と、配線部３の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部４とを一体的に備えている。
配線部３は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
ジンバル部４は、配線部３の先端から連続して形成され、配線部３に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。また、ジンバル部４には、平面視において先側に向かって開く略Ｕ字状のスリット部５が形成されている。また、ジンバル部４は、スリット部５に幅方向において挟まれるタング部６と、スリット部５の幅方向両外側およびタング部６の先端側に配置されるアウトリガー部８とを一体的に備えている。

タング部６は、平面視略矩形状に形成されており、搭載部９を備えている。
搭載部９は、ヘッドスライダ２７（図５参照）を搭載するための領域（図１の破線の領域）であって、平面視において、タング部６のほぼ全体にわたって配置されており、平面視略矩形状に形成されている。また、搭載部９は、端子形成部１０と、台座４０とを備えている。

端子形成部１０は、後述する磁気ヘッド側接続端子部１７が形成される、幅方向に沿って延びる平面視略形状をなす領域であって、搭載部９の先端側に配置されている。また、端子形成部１０には、開口部７が形成されている。
開口部７は、金属支持基板１１を厚み方向に貫通するように平面視略矩形状に形成されており、端子形成部１０における幅方向中央に形成されている。また、開口部７は、平面視において、搭載部９の先端縁（端子形成部１０の後端縁）を跨ぐように、端子形成部１０の先端部とアウトリガー部８の幅方向中央の後端部とにわたって形成されている。

台座４０は、ヘッドスライダ２７（図５参照）を支持するために設けられており、端子形成部１０の後側に配置され、具体的には、搭載部９の長手方向中央（途中）および後端部にわたって配置されている。台座４０は、幅方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
また、台座４０は、台座ベース絶縁層４１と、台座ベース絶縁層４１の上に形成される台座導体層４２とを備えている。

台座ベース絶縁層４１は、搭載部９における金属支持基板１１の表面において、台座４０の外形形状に対応して形成されている。
台座導体層４２は、台座ベース絶縁層４１の表面において、平面視において、台座ベース絶縁層４１よりやや小さい相似形状に形成されている。
導体パターン１３は、外部側接続端子部１６と、磁気ヘッド側接続端子部１７と、これら外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７を接続するための信号配線１５とを、一体的に連続して備えている。

各信号配線１５は、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って複数（４本）設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
複数の信号配線１５は、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄから形成されており、これら第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって、順次配置されている。

より具体的には、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、配線部３において、互いに並行して延びるように形成されている。ジンバル部４において、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂ（第１の１対の配線１５ｅ）は、幅方向一方側のアウトリガー部８に沿うように配置され、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄ（第２の１対の配線１５ｆ）は、幅方向他方側のアウトリガー部８に沿うように配置されている。第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄ（第１の１対の配線１５ｅおよび第２の１対の配線１５ｆ）は、先端側のアウトリガー部８に至った後、幅方向内側に延び、さらに後側に折り返されて、磁気ヘッド側接続端子部１７の先端部に至るように配置されている。

また、配線部３において、第１の１対の配線１５ｅと第２の１対の配線１５ｆとは、互いに間隔を隔てて、配線部３の幅方向両端部にそれぞれ配置されている。
なお、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂ（第１の１対の配線１５ｅ）は、配線部３において後述する発光素子２０を幅方向内側に迂回するように、発光素子２と幅方向内側に間隔を隔てて配置されている。

外部側接続端子部１６は、配線部３の後端部に配置され、各配線１５の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。また、この外部側接続端子部１６は、幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、外部側接続端子部１６は、外部側接続端子部１６に接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１外部側接続端子部１６ａ、第２外部側接続端子部１６ｂ、第３外部側接続端子部１６ｃおよび第４外部側接続端子部１６ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この外部側接続端子部１６には、破線で示す外部回路基板２の図示しない端子部が接続される。

磁気ヘッド側接続端子部１７は、ジンバル部４に配置され、より具体的には、タング部６の端子形成部１０に配置されている。磁気ヘッド側接続端子部１７は、各信号配線１５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
より具体的には、磁気ヘッド側接続端子部１７は、端子形成部１０の後端縁（搭載部９の先端縁）に沿うように、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されている。また、磁気ヘッド側接続端子部１７は、これに接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応する、第１磁気ヘッド側接続端子部１７ａ、第２磁気ヘッド側接続端子部１７ｂ、第３磁気ヘッド側接続端子部１７ｃおよび第４磁気ヘッド側接続端子部１７ｄから形成されている。また、第２磁気ヘッド側接続端子部１７ｂ、第１磁気ヘッド側接続端子部１７ａ、第４磁気ヘッド側接続端子部１７ｄおよび第３磁気ヘッド側接続端子部１７ｃは、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この磁気ヘッド側接続端子部１７には、図示しない磁気ヘッドの端子部が接続される。

そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持基板１１と、金属支持基板１１の上に形成されるベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成される導体パターン１３と、ベース絶縁層１２の上に導体パターン１３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
金属支持基板１１は、図１および図３に示すように、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。

ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の上面において、金属支持基板１１の周端縁が露出するように、配線部３およびジンバル部４における導体パターン１３が形成される位置に対応するように形成されている。
より具体的には、ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１より長手方向がやや短くなる平帯状に形成されている。また、ベース絶縁層１２は、幅方向に互いに間隔を隔てて対向配置される２つのベース絶縁層から形成されている。

詳しくは、ベース絶縁層１２は、第１の１対の配線１５ｅが形成される位置に対応して設けられる第１のベース絶縁層１２ａと、第２の１対の配線１５ｆが形成される位置に対応して設けられる第２のベース絶縁層１２ｂとを有している。第１のベース絶縁層１２ａは、配線部３およびアウトリガー部８において、幅方向一端部に形成され、第２のベース絶縁層１２ｂは、第１のベース絶縁層１２ａと幅方向他方側に間隔を隔てて配置され、配線部３の幅方向他端部に形成されている。

さらに、ベース絶縁層１２（第１のベース絶縁層１２ａ）は、金属支持基板１１の上において、後述する光導波路１９が形成される領域が確保されるように配置されている。
なお、ベース絶縁層１２は、後述する供給配線３０および供給端子部３１が形成される位置に対応するように形成されている。
導体パターン１３は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置されており、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層１２に含まれるように配置されている。つまり、第１の１対の配線１５ｅは、第１のベース絶縁層１２ａに含まれ、第２の１対の配線１５ｆは、第２のベース絶縁層１２ｂに含まれている。また、導体パターン１３は、ベース絶縁層１２の上面において、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７と、信号配線１５とを、一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。

カバー絶縁層１４は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、ベース絶縁層１２の上面において、信号配線１５が形成される位置に対応するように配置されている。また、ベース絶縁層１２は、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７が露出し、信号配線１５を被覆するように形成されている。また、カバー絶縁層１４は、第１の１対の配線１５ｅおよび第２の１対の配線１５ｆに対応する２つのカバー絶縁層を有している。

具体的には、カバー絶縁層１４は、第１のベース絶縁層１２ａの上に第１の１対の配線１５ｅを被覆するように形成される第１のカバー絶縁層１４ａと、第２のベース絶縁層１２ｂの上に第２の１対の配線１５ｆを被覆するように形成される第２のカバー絶縁層１４ｂとを有している。また、カバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａおよび第２のカバー絶縁層１４ｂ）は、その周端縁が、ベース絶縁層１２（第１のベース絶縁層１２ａおよび第２のベース絶縁層１２ｂ）の周端縁と平面視において略同一位置となるように、（それぞれ）形成されている。

詳しくは、配線部３および幅方向一方側（先端部を除く）のアウトリガー部８におけるカバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａ）の幅方向一側面は、第１配線１５ａと幅方向一側、つまり、第１配線１５ａに対する第２配線１５ｂの反対側に、平面視において間隔を隔てて形成されている。また、先端部におけるアウトリガー部８のカバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａまたは第２のカバー絶縁層１４ｂ）の先端面は、第１配線１５ａと、それに対する第２配線１５ｂの反対側（後側。または、第４配線１５ｄと、それに対する第３配線１５ｃの反対側。）に、平面視において間隔を隔てて形成されている。さらにまた、幅方向途中（幅方向一端部と幅方向中央との間の部分。但し、先端部を除く。）のアウトリガー部８におけるカバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａ）の幅方向他側面（内側面）は、第１配線１５ａと、それに対する第２配線１５ｂの反対側（内側）に、平面視において間隔を隔てて形成されている。

つまり、カバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａ）の一側面（第１配線１５ａと幅方向に対向配置される第１のカバー絶縁層１４ａの一側面）は、第１配線１５ａと間隔を隔てて対向配置されている。
また、配線部３および幅方向他方側（先端部を除く）のアウトリガー部８におけるカバー絶縁層１４（第２のカバー絶縁層１４ｂ）の幅方向他側面は、第４配線１５ｄと幅方向他側、つまり、第４配線１５ｄに対する第３配線１５ｃの反対側に、平面視において間隔を隔てて形成されている。さらにまた、幅方向途中（幅方向他端部と幅方向中央との間の部分。但し、先端部を除く。）のアウトリガー部８におけるカバー絶縁層１４（第２のカバー絶縁層１４ｂ）の幅方向一側面（内側面）は、第４配線１５ｄと、それに対する第３配線１５ｃの反対側（内側）に、平面視において間隔を隔てて形成されている。

つまり、カバー絶縁層１４（第２のカバー絶縁層１４ｂ）の他側面（第４配線１５ｄと幅方向に対向配置されるカバー絶縁層１４の他側面）は、第４配線１５ｄと間隔を隔てて対向配置されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、光アシスト法に用いられる光アシスト部１８を備えている。

光アシスト部１８は、金属支持基板１１の上において、上記したベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４とは別途独立して設けられている。光アシスト部１８は、光導波路（第１導波路）１９と、発光素子２０とを備えている。
光導波路１９は、図１および図３に示すように、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、金属支持基板１１の上面において、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４とは別途独立して設けられている。つまり、光導波路１９は、導体パターン１３が延びる方向に沿って延び、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４と間隔を隔てて配置されている。

また、光導波路１９は、第１配線１５ａと並行して延びるように形成されている。詳しくは、光導波路１９は、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａの一方側、つまり、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａに対する、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂの反対側に、間隔を隔てて配置されている。

より具体的には、光導波路１９は、配線部３および幅方向一方側のアウトリガー部８において、ベース絶縁層１２（第１のベース絶縁層１２ａ）およびカバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａ）の幅方向一側面（第１配線１５ａの幅方向一側と対向配置される第１のベース絶縁層１２ａおよび第２のカバー絶縁層１４ａの幅方向一側面）と、幅方向一側に間隔を隔てて配置されている。また、光導波路１９は、先端部のアウトリガー部８において、ベース絶縁層１２（第１のベース絶縁層１２ａ）およびカバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａ）の先端面と、先側に間隔を隔てて配置されている。

さらに、光導波路１９は、幅方向途中のアウトリガー部８において、ベース絶縁層１２（第１のベース絶縁層１２ａ）およびカバー絶縁層１４（第１のカバー絶縁層１４ａ）の幅方向他側面（内側面）と、幅方向他側（内側）に間隔を隔てて配置されている。
すなわち、光導波路１９は、第１配線１５ａ（と第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａの一側面と）と並行して延び、先端側のアウトリガー部８で後側に折り返した後、ジンバル部４の幅方向中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。

さらにまた、光導波路１９は、発光素子２０および後述する第２光導波路３４（図５参照）と光学的に接続される。より具体的には、光導波路１９は、その後端が、発光素子２０と接続されるとともに、その先端が、開口部７に臨み、かつ、ヘッドスライダ２７の搭載時に、ヘッドスライダ２７の第２光導波路３４と光学的に接続される。
発光素子２０は、光導波路１９に光を入射させるための光源であって、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、高エネルギーの光を出射する光源である。この発光素子２０は、金属支持基板１１の後端側に配置されており、より具体的には、配線部３の後端側であって、外部側接続端子部１６と先側に間隔を隔てて配置されており、信号配線１５（第１配線１５ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、この発光素子２０は、金属支持基板１１の上に形成されている。

また、この発光素子２０には、発光素子２０に電気エネルギーを供給するための供給配線３０が接続されており、この供給配線３０には、外部回路基板２の図示しない端子部と接続されるための供給端子部３１が接続されている。なお、供給配線３０は、発光素子２０の後端側において、信号配線１５（第１配線１５ａ）に沿って延び、供給端子部３１は、外部側接続端子部１６（第１外部側接続端子部１６ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、供給配線３０および供給端子部３１は、ともにベース絶縁層１２の上に形成されており、供給配線３０は、カバー絶縁層１４に被覆され、供給端子部３１は、カバー絶縁層１４から露出している。

この光アシスト部１８では、発光素子２０において、外部回路基板２から供給端子部３１および供給配線３０を介して供給される電気エネルギーが光エネルギーに変換され、その光が光導波路１９に出射される。出射された光は、光導波路１９を通過して、次に述べる端面２１において、反射されて、ヘッドスライダ２７の第２光導波路３４（図５参照）に入射される。

また、光導波路１９は、図５に示すように、その先端部の端面２１が、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）αで交差するように形成されている。これにより、光導波路１９は、その端面２１が傾斜角αを有するミラー面となるように形成されるので、光導波路１９に入射した光は、端面２１によって所定の角度で光路変換されて、光路変換された光が第２光導波路３４の入口（後述）に向けて照射される。このような傾斜角αは、特に限定されず、例えば、３５〜５５°、好ましくは、４０〜５０°であり、より具体的には、４５°である。

そして、図３に示すように、この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９は、金属支持基板１１の上面に直接設けられている。
このような光導波路１９は、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２２の上に形成されるコア層２３と、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成されるオーバークラッド層２４とを備えている。

なお、光導波路１９は、図１および図５に示すように、開口部７に臨む部分（端面２１を含む部分）が金属支持基板１１の開口部７から露出している。
アンダークラッド層２２は、図３に示すように、金属支持基板１１の上面に直接積層されている。
オーバークラッド層２４は、その幅方向両外側端縁が、アンダークラッド層２２の幅方向両外側端縁と平面視において同一位置となるように形成されている。

図４は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。
次いで、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４を参照して、説明する。

まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板１１の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。

ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層するには、まず、ベース絶縁層１２を、金属支持基板１１の上面に形成する。また、ベース絶縁層１２は、台座ベース絶縁層４１（図１参照）と同時に形成する。
ベース絶縁層１２および台座ベース絶縁層４１は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。

ベース絶縁層１２および台座ベース絶縁層４１を形成するには、例えば、金属支持基板１１の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるベース絶縁層１２および台座ベース絶縁層４１の厚みは、例えば、２〜４０μｍ、好ましくは、３〜２０μｍである。

次いで、導体パターン１３を上記したパターンで形成する。また、導体パターン１３は、台座導体層４２（図１参照）と同時に形成する。
導体パターン１３および台座導体層４２を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられる。
導体パターン１３および台座導体層４２を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。

これにより形成される導体パターン１３および台座導体層４２の厚みは、例えば、２〜３５μｍ、好ましくは、３〜２０μｍである。また、各信号配線１５の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各信号配線１５間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各外部側接続端子部１６および各磁気ヘッド側接続端子部１７の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各外部側接続端子部１６間の間隔および各磁気ヘッド側接続端子部１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。

カバー絶縁層１４を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン１３およびベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるカバー絶縁層１４の厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、３〜２０μｍである。

これにより、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層することができる。
なお、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４の厚みＴ２、つまり、金属支持基板１１の上面からカバー絶縁層１４までの厚みＴ２は、例えば、７〜１００μｍ、好ましくは、１０〜５０μｍである。

また、同時に、台座ベース絶縁層４１および台座導体層４２を備える台座４０を形成することができる。なお、上記した導体パターン１３の形成と同時に、供給配線３０および供給端子部３１を上記と同様の方法により、同時に形成する。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、光導波路１９を、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４とは別途設ける。

すなわち、この方法では、光導波路１９を、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４と別途独立して、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４から露出する金属支持基板１１の上面に、光導波路１９を、直接形成する。
具体的には、光導波路１９を、金属支持基板１１の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層する。

アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層するには、まず、アンダークラッド層２２を、金属支持基板１１の上面に形成する。
アンダークラッド層２２を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂（脂環式エポキシ樹脂など）、アクリル樹脂、または、フルオレン誘導体樹脂、さらには、フルオレン誘導体樹脂と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂、これら樹脂と脂環式エーテル化合物（例えば、オキセタン化合物など）との混合樹脂が用いられる。これら樹脂は、好ましくは、感光剤を配合して、感光性樹脂として用いられる。好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。また、感光剤としては、例えば、公知のオニウム塩などが用いられ、より具体的には、４，４-ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートなどが用いられる。

アンダークラッド層２２を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを金属支持基板１１の上面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。

このようにして形成されるアンダークラッド層２２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．５５である。また、アンダークラッド層２２の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、２〜１５μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
次いで、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上面に形成する。

コア層２３を形成する材料としては、アンダークラッド層２２の樹脂材料よりも、屈折率が高くなる樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、上記と同様の樹脂が用いられ、好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）とオキセタン化合物との混合樹脂が用いられる。
コア層２３を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２を含む金属支持基板１１の上面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。

このようにして形成されるコア層２３の屈折率は、アンダークラッド層２２の屈折率より高く設定されており、例えば、１．５５〜１．６５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１５μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
次いで、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上面に、コア層２３を被覆するように形成する。

オーバークラッド層２４を形成する材料としては、上記したアンダークラッド層２２と同様の樹脂材料が用いられる。
オーバークラッド層２４を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、コア層２３およびアンダークラッド層２２を含む金属支持基板１１の上面に、塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。

このようにして形成されるオーバークラッド層２４の屈折率は、コア層２３の屈折率より低く設定されており、例えば、アンダークラッド層２２の屈折率と同様に設定されている。また、オーバークラッド層２４のコア層２３の上面からの厚みは、例えば、１〜２５μｍ、好ましくは、２〜１５μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。

このようにして、金属支持基板１１の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層することにより、これらを備える光導波路１９を、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４とは別途設けることができる。
また、光導波路１９の厚みＴ１は、例えば、上記したベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４の合計厚み（具体的には、金属支持基板１１の上面からカバー絶縁層１４の上面までの厚み）より薄い。

つまり、光導波路１９の上面が、カバー絶縁層１４の上面より低い。
詳しくは、金属支持基板１１の上面から光導波路１９（オーバークラッド層２４）の上面までの厚みＴ１が、金属支持基板１１の上面からカバー絶縁層１４の上面までの厚みＴ２より、薄い。
具体的に、光導波路１９の厚みＴ１は、例えば、３〜８０μｍ、好ましくは、６〜４０μｍである。

また、回路付サスペンション基板１における光導波路１９が形成される領域の厚み（金属支持基板１１および光導波路１９の合計の厚み）は、例えば、８０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下、通常、１８μｍ以上である。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成する。

開口部７を形成するには、例えば、ドリルなどの穿孔、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチングなどにより、形成する。好ましくは、エッチングにより、形成する。
この開口部７は、光導波路１９の先端部と厚み方向において重なるように、より具体的には、幅方向においては、光導波路１９の先端部が開口部７の中央に配置され、長手方向においては、光導波路１９の先端部が開口部７の先側半分に配置されるように形成されている。

このようにして形成される開口部７は、幅が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍであり、長さ（長手方向長さ）が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、光導波路１９の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。

レーザ加工では、図４（ｅ）の破線で示すように、開口部７を通過するレーザ光を、長手方向と所定の角度で交差するように、開口部７側（厚み方向下側）から、光導波路１９に照射することにより、光導波路１９を一度に切削する。
これにより、光導波路１９を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削することができる。

その後、配線部３の後端側において、光導波路１９の後端と光学的に接続され、供給配線３０の先端と電気的に接続されるように、発光素子２０を、金属支持基板１１の上面に、直接あるいは公知の接着剤層を介して設置する。これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１では、図１および図２の破線で示すように、配線部３において、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が、外部回路基板２の図示しない端子部と接続される。また、この外部回路基板２には、磁気ヘッドおよび発光素子２０を制御するためのＩＣ３２が実装されており、このＩＣ３２が、ＩＣ配線３３を介して、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が接続される端子部と電気的に接続されている。

また、回路付サスペンション基板１には、図１および図５に示すように、ジンバル部４の搭載部９にヘッドスライダ２７が搭載される。具体的には、台座４０（台座導体層４２）の上面に、ヘッドスライダ２７が載置される。
ヘッドスライダ２７は、スライダ本体２９と、その先端部に設けられる第２光導波路３４および近接場光発生部材３５とを、一体的に備えている。

第２光導波路３４は、光導波路１９の端面２１から出射される光を近接場光発生部材３５に入射させるために設けられている。第２光導波路３４は、回路付サスペンション基板１の厚み方向（回路付サスペンション基板１の光導波路１９の端面２１がハードディスク２６と対向する方向）に沿うように形成されており、下端（入口）が光導波路１９の端面２１と厚み方向に間隔を隔てて対向配置され、上端（出口）が、次に説明する近接場光発生部材３５と接続されている。

近接場光発生部材３５は、第２光導波路３４の上端から出射された光（伝搬光）から近接場光を発生させ、この近接場光をハードディスク２６の表面に照射して、ハードディスク２６の表面の微小な領域を加熱するために設けられている。近接場光発生部材３５は、ハードディスク２６の表面と厚み方向において微小な間隔を隔てて対向配置されている。
このような近接場光発生部材３５は、金属散乱体や開口などからなり、例えば、特開２００７−２８０５７２号公報、特開２００７−０５２９１８号公報、特開２００７−２０７３４９号公報、特開２００８−１３０１０６号公報などに記載される、公知の近接場光発生装置が用いられる。

また、ヘッドスライダ２７には、図示しない磁気ヘッドが実装されている。磁気ヘッドの実装によって、磁気ヘッドの図示しない端子部が、磁気ヘッド側接続端子部１７と電気的に接続される。
そして、このような磁気ヘッド、ヘッドスライダ２７、回路付サスペンション基板１および外部回路基板２が搭載されるハードディスクドライブでは、光アシスト法を採用することができる。

このハードディスクドライブでは、例えば、ハードディスク２６が、近接場光発生部材３５および磁気ヘッドに対して、相対的に走行している。そして、発光素子２０から出射された光が、光導波路１９を通過して、その端面２１において、光路が上方に変換され、その後、第２光導波路３４に導入されて、近接場光発生部材３５によって発生した近接場光が、近接場光発生部材３５の上側に対向するハードディスク２６の表面に照射される。そして、近接場光発生部材３５からの近接場光の照射により、ハードディスク２６の表面が加熱され、この状態で、磁気ヘッドからの磁界の照射により、ハードディスク２６に情報が記録される。そうすると、ハードディスク２６の保磁力が低下されているので、このハードディスク２６に情報を、小さな磁界の照射によって、高密度で記録することができる。

そして、この回路付サスペンション基板１では、光アシスト法に用いられる光導波路１９が、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４とは別途設けられている。そのため、光アシスト法に用いられる光導波路１９を、回路付サスペンション基板１より小さく形成されるヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。

とりわけ、光導波路１９が、ヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕のある金属支持基板１１の上面に設けられているので、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
また、光導波路１９が、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４とは別途設けられているので、回路付サスペンション基板１、とりわけ、回路付サスペンション基板１における光導波路１９が形成される領域の薄型化を図ることができる。具体的には、光導波路１９の上面を、カバー絶縁層１４の上面より低くすることができる。

そのため、かかる回路付サスペンション基板１をＥブロック（図示せず）に実装するときに、光導波路１９がカバー絶縁層１４によって保護（ガード）されるため、光導波路１９とＥブロックとの接触を有効に防止して、光導波路１９の損傷や断線を有効に防止することができる。
また、この回路付サスペンション基板１は、発光素子２０を備えており、その発光素子２０が光導波路１９と光学的に接続されているので、金属支持基板１１の上面に、発光素子２０と光導波路１９とを一緒に設けることができる。そのため、光学的な接続信頼性を向上させて、光アシスト法を確実に実施することができる。

また、この回路付サスペンション基板１は、搭載部９を備えているので、ヘッドスライダ２７を確実に搭載することができる。
また、この回路付サスペンション基板１は、発光素子２０が、回路付サスペンション基板１の後端側、すなわち、配線部３の後端側に配置され、搭載部９が、回路付サスペンション基板１の先端側、すなわち、ジンバル部４のタング部６に配置されている。そのため、発光素子２０およびヘッドスライダ２７のレイアウトの設計上の自由を確実に確保することができる。

なお、上記した説明では、光導波路１９を、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４と間隔を隔てて設けたが、例えば、図示しないが、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４と隣接して設けることもできる。すなわち、この場合には、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の一側面と、光導波路１９の他側面とが接触される。
また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１に、１本の光導波路１９を設けたが、その本数は特に限定されず、例えば、図示しないが、回路付サスペンション基板１の用途および目的に応じて、複数本の光導波路１９を設けることもできる。

また、上記した図４（ｂ）および図４（ｃ）に示す、回路付サスペンション基板１の製造方法では、まず、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を形成し、その後、光導波路１９を形成したが、それらの形成順序は特に限定されず、例えば、図示しないが、まず、図４（ｃ）が参照されるように、光導波路１９を、金属支持基板１１の上面に形成し、その後、図４（ｂ）が参照されるように、光導波路１９から露出する金属支持基板１１の上面に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を形成することもできる。

また、上記の説明では、コア層２３を被覆するように、オーバークラッド層２４を設けたが、例えば、図示しないが、オーバークラッド層２４を設けず、コア層２３を露出、すなわち、空気に曝させて、いわゆるエアクラッドとすることもできる。好ましくは、コア層２３の外的要因による損傷防止の観点から、オーバークラッド層２４を設ける。
さらに、アンダークラッド層２２やオーバークラッド層２４に代えて、金属薄層からなる光反射層を設けることもできる。

図６は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路が金属支持基板の上面に接着剤層を介して積層される形態の断面図、図７は、図６に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

上記した説明では、光導波路１９を、金属支持基板１１の上面に直接設けたが、例えば、金属支持基板１１の上面に接着剤層２５を介して設けることもできる。
図６において、接着剤層２５は、厚み方向において、金属支持基板１１とアンダークラッド層２２との間に介在されている。すなわち、接着剤層２５は、金属支持基板１１の上面とアンダークラッド層２２の下面とに接触している。

また、接着剤層２５は、その平面視形状が、光導波路１９の平面視形状と略同一に形成されている。つまり、接着剤層２５の周端縁が、光導波路１９（アンダークラッド層２２）の周端縁（幅方向両端縁および長手方向両端縁）と平面視において略同一位置となるように形成されている。
この回路付サスペンション基板１を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意して、次いで、図７（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。

また、図７（ｃ）に示すように、別途、光導波路１９を用意する。
光導波路１９を用意するには、図示しないポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートなどの離型シートに、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層する。その後、光導波路１９を離型シートから引き剥がす。
アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層するには、まず、アンダークラッド層２２を、離型シートの上に形成する。アンダークラッド層２２を形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）調製して、そのワニスを離型シートの上面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。

次いで、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上に形成する。コア層２３を形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２を含む離型シートの上面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。
次いで、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成する。オーバークラッド層２４を形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を調製して、そのワニスを、コア層２３およびアンダークラッド層２２を含む離型シートの上面に、塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。

このようにして、離型シートの上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層することにより、これらを備える光導波路１９を用意することができる。
次いで、この方法では、図７（ｃ）の矢印および図７（ｄ）に示すように、光導波路１９を、金属支持基板１１の上に、接着剤層２５を介して接着する。具体的には、アンダークラッド層２２を、接着剤層２５を介して、金属支持基板１１に接着する。

光導波路１９を、金属支持基板１１の上に接着剤層２５を介して接着するには、図７（ｃ）に示すように、まず、アンダークラッド層２２の下面（表面）に接着剤層２５を積層（貼着）する。接着剤層２５を形成する接着剤としては、特に限定されず、例えば、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤などが用いられる。
接着剤層２５の厚みは、光導波路１９の上面がカバー絶縁層１４の上面より低くなるように、設定される。具体的には、接着剤層２５の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。

次いで、図７（ｄ）に示すように、接着剤層２５を金属支持基板１１の上面に接触させる。
これにより、アンダークラッド層２２を、接着剤層２５を介して金属支持基板１１に接着でき、すなわち、光導波路１９を、金属支持基板１１の上面に接着剤層２５を介して接着することができる。

このように、光導波路１９を、金属支持基板１１の上面に接着剤層２５を介して積層することにより、光導波路１９を簡便に金属支持基板１１の上に設置することができる。そのため、製造コストの低減を図ることができる。
なお、上記した図７（ｃ）に示す回路付サスペンション基板１の製造方法では、接着剤層２５を、まず、アンダークラッド層２２の下面に積層したが、例えば、図示しないが、接着剤層２５を、まず、金属支持基板１１の上面に積層し、次いで、接着剤層２５を用いてアンダークラッド層２２を金属支持基板１１の上に接着することもできる。

また、上記した説明では、光導波路１９を、接着剤層２５を介して接着したが、例えば、図示しないが、アンダークラッド層２２が、接着力を有している場合には、接着剤層２５を設けなくてもよい。すなわち、アンダークラッド層２２が接着剤層を兼ねている。
この場合には、アンダークラッド層２２を形成する材料としては、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられ、また、コア層２３およびオーバークラッド層２４を形成する材料としては、これらとアンダークラッド層２２との密着性の観点から、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。

そして、アンダークラッド層２２を金属支持基板１１の上面に接着するには、図７（ｃ）および図７（ｄ）が参照されるように、例えば、アンダークラッド層２２を、金属支持基板１１の上面に熱圧着させる。
図８は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路が第１のベース絶縁層および第１のカバー絶縁層と、第２のベース絶縁層および第２のカバー絶縁層との間に設けられる形態を示す。

上記した説明では、光導波路１９を、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａの一方側に設けたが、光導波路１９の配置は、金属支持基板１１の上面において、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４が形成されている部分以外の領域であれば、特に限定されない。例えば、図８に示すように、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａと、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂと、の間に設けることもできる。

図８において、光導波路１９は、配線部３において、平面視で、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａと、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂとの間の、幅方向略中央（途中）に形成されている。つまり、光導波路１９は、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａと、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂと、それぞれ、間隔を隔てて形成されている。

このように光導波路１９を、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａと、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂとの間に設けることにより、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａの一方側に、スペース的に余裕のない場合にも、光導波路１９をこれらの間に設けることができる。
そのため、光導波路１９の設計の自由度をより一層向上させることができる。

また、図示しないが、光導波路１９を、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂの他方側、つまり、第２のベース絶縁層１２ｂおよび第２のカバー絶縁層１４ｂの、第１のベース絶縁層１２ａおよび第１のカバー絶縁層１４ａに対する反対側に設けることもできる。
また、上記した説明では、ベース絶縁層１２を２つのベース絶縁層から形成し、カバー絶縁層１４を２つのカバー絶縁層として形成したが、例えば、図９に示すように、ベース絶縁層１２を、厚み方向に投影したときに、４つの配線１５をまとめて含むように、連続する１つのベース絶縁層として形成することもでき、カバー絶縁層１４を、４つの配線１５をまとめて被覆するように、連続する１つのカバー絶縁層として形成することもできる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。
実施例１（光導波路が金属支持基板の上面に直接積層される形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。
次いで、ポリイミド樹脂からなる、ベース絶縁層および台座ベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで同時に形成した。つまり、幅方向に互いに間隔を隔てて対向配置される第１のベース絶縁層と第２のベース絶縁層とを有するベース絶縁層を形成した。ベース絶縁層および台座ベース絶縁層の厚みは１５μｍであった。

次いで、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと、台座導体層と、供給配線および供給端子部とを、同時に形成した。つまり、第１の１対の配線を、第１のベース絶縁層の上に形成し、第２の１対の配線を、第２のベース絶縁層の上に形成した。これらの厚みは、１２μｍであった。
次いで、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、上記したパターンで形成した。つまり、第１のカバー絶縁層を、第１のベース絶縁層の上に第１の１対の配線を被覆するように形成し、第２のカバー絶縁層を、第２のベース絶縁層の上に第２の１対の配線を被覆するに形成した。カバー絶縁層の厚みは８μｍであった。これにより、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次積層した（図４（ｂ）参照）。なお、ベース絶縁層およびカバー絶縁層は、次の工程で形成される光導波路が形成される領域が確保されるように配置した。

なお、金属支持基板の上面からカバー絶縁層の上面までの厚み（Ｔ２）は３５μｍであった。
次いで、金属支持基板の上に、光導波路を形成した。光導波路を形成するには、まず、アンダークラッド層を形成した。
アンダークラッド層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３５重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液２重量部、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（希釈剤、脂環式エポキシ、セロキサイド２０２１Ｐ、ダイセル化学社製）４０重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、金属支持基板の上面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、金属支持基板の上面に、アンダークラッド層を形成した。

このアンダークラッド層（硬化後のアンダークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４０であった。また、アンダークラッド層の厚みは１０μｍ、幅は３０μｍであった。
次いで、コア層をアンダークラッド層の上面に形成した。
コア層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）７０重量部、１，１，１−トリス｛４−［２−（３−オキセタニル）］ブトキシフェニル｝エタン（オキセタン化合物）３０重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部、乳酸エチル（希釈剤）３０重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、アンダークラッド層を含む金属支持基板の上面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を形成した。

このコア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５９４であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。
次いで、オーバークラッド層を、アンダークラッド層の上面に、コア層を被覆するように形成した。
オーバークラッド層を上記したパターンで形成するには、まず、上記したアンダークラッド層を形成するためのワニスと同様のワニスを調製し、次いで、このワニスを、コア層およびアンダークラッド層を含む金属支持基板の上面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように、オーバークラッド層を形成した。

このオーバークラッド層（硬化後のオーバークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４０であった。また、オーバークラッド層のコア層の上面からの厚みは１０μｍ、幅は３０μｍであった。
これにより、光導波路を、ベース絶縁層およびカバー絶縁層と間隔を隔てて、金属支持基板の上面に直接形成した（図４（ｃ）参照）。詳しくは、光導波路を、第１のベース絶縁層および第２のカバー絶縁層の一方側に、これらと間隔を隔てて形成した。

なお、光導波路の厚み（金属支持基板の上面からオーバークラッド層の上面までの厚み）（Ｔ１）は、２５μｍであった。すなわち、光導波路の上面は、カバー絶縁層の上面より低くなっていた。
次いで、端子形成部における金属支持基板に、ウエットエッチングによって、平面視矩形状の開口部を形成した（図４（ｄ）参照）。この開口部の幅は１００μｍ、長さは１００μｍであった。

次いで、光導波路を、開口部側からレーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように、一度に切削した（図４（ｅ）参照）。この切削により形成された端面の傾斜角は４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、光導波路の後端と光学的に接続され、供給配線の先端と電気的に接続されるように、発光素子を、金属支持基板の上面に設置した（図１および図２参照）。

実施例２（光導波路が金属支持基板の上面に接着剤層を介して積層される形態）
実施例１において、光導波路を、別途用意し、次いで、光導波路を、金属支持基板の上面に、接着剤層を介して接着した以外は、実施例１と同様に、回路付サスペンション基板を製造した（図６および図７参照）。
すなわち、光導波路を用意する工程では、ＰＥＴシートに、アンダークラッド層、コア層およびオーバークラッド層を順次積層した（図７（ｃ）参照）。

具体的には、まず、実施例１と同様のアンダークラッド層のワニスを、ＰＥＴシートの上面に塗布し、実施例１と同様に処理して、ＰＥＴシートの上面に、アンダークラッド層を形成した。
次いで、実施例１と同様のコア層のワニスを、アンダークラッド層を含むＰＥＴシートの上面に塗布し、実施例１と同様に処理して、アンダークラッド層の上に、コア層を形成した。

次いで、実施例１と同様のオーバークラッド層のワニスを、コア層およびアンダークラッド層を含むＰＥＴシートの上面に塗布し、実施例１と同様に処理して、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように、オーバークラッド層を形成した。
その後、光導波路を離型シートから引き剥がし、次いで、アンダークラッド層の下面に、エポキシ系接着剤から形成される厚さ８μｍの接着剤層を積層した。

そして、アンダークラッド層を、金属支持基板の上面に、接着剤層を介して接着した（図７（ｄ）参照）。
なお、光導波路の厚みと接着剤層の厚みとの合計、つまり、金属支持基板の上面からオーバークラッド層の上面までの厚み（Ｔ１）は、３３μｍであった。

本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路が金属支持基板の上面に直接積層される形態の断面図を示す。 図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を、金属支持基板の上に順次積層する工程、（ｃ）は、光導波路を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｄ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、光導波路を切削する工程を示す。 ヘッドスライダ、磁気ヘッドおよび図１に示す回路付サスペンション基板が搭載されたハードディスクドライブが、光アシスト法を採用して、ハードディスクに情報を記録する状態の説明図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路が金属支持基板の上面に接着剤層を介して積層される形態の断面図を示す。 図６に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を、金属支持基板の上に順次積層する工程、（ｃ）は、光導波路を用意し、アンダークラッド層の下面に接着剤層を積層する工程、（ｄ）は、アンダークラッド層を、金属支持基板の上面に接着剤層を介して接着する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路が第１のベース絶縁層および第１のカバー絶縁層と、第２のベース絶縁層および第２のカバー絶縁層との間に設けられる形態を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、ベース絶縁層およびカバー絶縁層がそれぞれ連続する１つのベース絶縁層およびカバー絶縁層として形成される形態の断面図を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
９ 搭載部
１１ 金属支持基板
１２ ベース絶縁層
１３ 導体パターン
１４ カバー絶縁層
１９ 光導波路
２０ 発光素子
２２ アンダークラッド層
２３ コア層
２４ オーバークラッド層
２５ 接着剤層

Claims (7)

1. 金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、光導波路とを備え、
   前記光導波路は、前記金属支持基板の上に、前記ベース絶縁層、前記導体パターンおよび前記カバー絶縁層とは別途設けられていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
2. 前記光導波路の上面が、前記カバー絶縁層の上面より低いことを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
3. 前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、
   前記アンダークラッド層は、前記金属支持基板の上面に直接積層されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
4. 前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、
   前記アンダークラッド層は、前記金属支持基板の上面に接着剤層を介して積層されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
5. さらに、発光素子を備えており、
   その発光素子が前記光導波路と光学的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
6. さらに、ヘッドスライダを搭載するための搭載部を備え、
   前記光導波路が、前記導体パターンが延びる方向に沿って配置されており、
   前記発光素子が、前記金属支持基板の長手方向一方側に配置され、
   前記搭載部が、前記金属支持基板の長手方向他方側に配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
7. 金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを形成する工程と、
   光導波路を、前記金属支持基板の上に、前記ベース絶縁層、前記導体パターンおよび前記カバー絶縁層とは別途設ける工程と
   を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。

Images