JP2010010435A - 光半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p型InP基板10上に、ダミー層14、p型Al(Ga)InAs下光閉込層16、AlGaInAs多重量子井戸活性層18、n型Al(Ga)InAs上光閉込層20を有する半導体積層構造24を形成する。半導体積層構造24をウェットエッチングしてメサ構造28を形成する。メサ構造28のダミー層14以外の層に対してダミー層14を選択的にウェットエッチングしてメサ構造28の側面に凹部30を形成する。Alを含む下光閉込層16、多重量子井戸活性層18及び上光閉込層20の表面に形成されたAl酸化膜をエッチング除去する。メサ構造28の両側をp型InP埋込層32、n型InP電流ブロック層34、p型InP電流ブロック層36及びn型InP埋込層38(埋込層)で埋め込む。
【選択図】図3
Description
本発明の実施の形態1に係る光半導体素子の製造方法について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態2に係る光半導体素子の製造方法について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態3に係る光半導体素子の製造方法について図面を参照しながら説明する。
12 p型InPクラッド層(Alを含まない半導体層)
14 ダミー層
16 p型Al(Ga)InAs下光閉込層(Alを含む半導体層)
18 AlGaInAs多重量子井戸活性層(Alを含む半導体層)
18a AlGaInAsウェル層
18b AlGaInAsバリア層
20 n型Al(Ga)InAs上光閉込層(Alを含む半導体層)
22 n型InPクラッド層(Alを含まない半導体層)
24 半導体積層構造
28 メサ構造
30 凹部
32 p型InP埋込層(埋込層)
34 n型InP電流ブロック層(埋込層)
36 p型InP電流ブロック層(埋込層)
38 n型InP埋込層(埋込層)
Claims (6)
- 半導体基板上に、Alを含む半導体層を有する半導体積層構造を形成する工程と、
前記半導体積層構造をエッチングしてメサ構造を形成する工程と、
前記Alを含む半導体層の一部又は前記Alを含む半導体層に隣接する層をエッチングして前記メサ構造の側面に凹部を形成する工程と、
前記凹部を形成した後に、前記Alを含む半導体層の表面に形成されたAl酸化膜をエッチング除去する工程と、
前記Al酸化膜をエッチング除去した後に、前記メサ構造の両側を埋込層で埋め込む工程とを備えることを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 前記Alを含む半導体層の上又は下にダミー層を形成し、
前記メサ構造の前記ダミー層以外の層に対して前記ダミー層を選択的にエッチングして前記凹部を形成することを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記Alを含む半導体層として、ウェル層とバリア層を交互に積層した多重量子井戸活性層を形成し、
前記ウェル層と前記バリア層の一方を他方に対して選択的にエッチングして前記凹部を形成することを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記Alを含む半導体層の上下にAlを含まない半導体層を形成し、
前記Alを含まない半導体層を前記Alを含む半導体層に対して選択的にエッチングして前記凹部を形成することを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記Al酸化膜のエッチング除去においてハロゲン系の反応ガスを用いることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記凹部の深さを5nm〜30nmとすることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の光半導体素子の製造方法。
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