JP2010004023A - 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体調製用キット - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 274
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 147
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 147
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 146
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 56
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 93
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 claims description 52
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 19
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 7
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 6
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 6
- PLUHAVSIMCXBEX-UHFFFAOYSA-N azane;dodecyl benzenesulfonate Chemical compound N.CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 PLUHAVSIMCXBEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 5
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HSJXWMZKBLUOLQ-UHFFFAOYSA-M potassium;2-dodecylbenzenesulfonate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O HSJXWMZKBLUOLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 28
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 25
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 25
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 15
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- -1 aluminum alkoxide Chemical class 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000004554 glutamine Nutrition 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 3
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011242 organic-inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000366 colloid method Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P diazanium;cerium(3+);pentanitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- RHDUVDHGVHBHCL-UHFFFAOYSA-N niobium tantalum Chemical compound [Nb].[Ta] RHDUVDHGVHBHCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229940096992 potassium oleate Drugs 0.000 description 1
- MLICVSDCCDDWMD-KVVVOXFISA-M potassium;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [K+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O MLICVSDCCDDWMD-KVVVOXFISA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
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- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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Abstract
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)アミノ酸と、(B)砥粒と、(C)界面活性剤と、(D)酸化剤と、(E)アンモニアと、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記アミノ酸の含有量(WA)と前記酸化剤の含有量(WD)との比率(WA/WD)は、1.5〜6.0であり、かつ、前記アンモニアの含有量(WE)と前記酸化剤の含有量(WD)との比率(WE/WD)は、0.05〜0.6であることを特徴とする。
【選択図】なし
Description
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)アミノ酸と、(B)砥粒と、(C)界面活性剤と、(D)酸化剤と、(E)アンモニアと、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記アミノ酸の含有量(WA)と前記酸化剤の含有量(WD)との比率(WA/WD)は、1.5〜6.0であり、かつ、前記アンモニアの含有量(WE)と前記酸化剤の含有量(WD)との比率(WE/WD)は、0.05〜0.6である。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、アミノ酸を含有する。アミノ酸は、銅イオンと配位結合を形成しやすい性質があり、被研磨面たる銅膜の表面と配位結合を形成する。これにより、銅膜の表面荒れを抑制し高い平坦性を維持しつつ、銅および銅イオンとの親和性を高めることができるため研磨速度を促進させることができる。また、アミノ酸は、銅膜の研磨によりスラリー中へ溶出した銅イオンと容易に配位することができ銅の析出を防ぐことができる。その結果、銅膜上のスクラッチなどの研磨欠陥の発生を抑制することができる。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、砥粒を含有する。砥粒は、銅膜を機械的に研磨する効果を有する。砥粒として、無機粒子および有機無機複合粒子が挙げられる。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、界面活性剤を含有する。界面活性剤を含有することにより、バルク研磨工程において銅膜表面を保護しつつ、上記砥粒の分散安定性を高めることができる。これにより、銅膜の平坦性を保持しながら研磨することが可能となり、銅膜の表面荒れやスクラッチを抑制することができる。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、酸化剤を含有する。酸化剤を含有することにより、銅膜の表面を酸化し研磨液成分との錯化反応を促すことにより、脆弱な改質層を銅膜の表面に作り出し、銅膜を研磨しやすくする効果がある。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、アンモニアを含有する。アンモニアは、銅膜とキレートを形成することで研磨速度を向上させる効果がある。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)アミノ酸、(D)酸化剤、および(E)アンモニアの含有量を緻密に規定することにより、従来には見られなかったほどの銅膜に対する高速研磨を実現することができる。さらに、この含有量規定により、銅膜を高速研磨するにも拘わらず平坦化特性に優れ、表面荒れやスクラッチをほとんど発生させないようにすることができる。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、必要に応じて、下記の(a)ないし(c)成分を添加することができる。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のpHは、特に制限されないが、好ましくは7〜11、より好ましくは8〜10である。pHが7未満であると、銅膜に対する高速研磨を実現できないことがある。一方、pHが11を超えると、銅膜上の表面荒れやスクラッチの抑制効果に劣ることがある。pH調整剤としては、例えば、水酸化カリウム、エチレンジアミン、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)などの塩基性塩が挙げられる。
本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、主として半導体装置の配線を形成する銅膜を化学機械研磨するための研磨材として使用することができる。具体的には、銅(または銅合金)ダマシン配線を形成する際の研磨材として使用することができる。化学機械研磨によって銅(または銅合金)ダマシン配線を形成する工程は、主として銅(または銅合金)膜の除去を行う第1研磨工程と、主として銅(または銅合金)の下部に形成された導電性バリアメタル膜を除去する第2研磨工程と、からなるが、上記化学機械研磨用水系分散体は第1研磨工程に用いると効果的である。
本実施の形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を用いて詳細に説明する。図1(A)ないし図1(C)は、本実施の形態に係る化学機械研磨方法の一具体例を模式的に示す断面図である。
図1(A)に、被処理体100を示す。図1(A)に示すように、被処理体100は、基体10を有する。基体10は、少なくとも(図示しない)半導体基板を有する。基体10は、例えば、シリコン基板とその上に形成された酸化シリコン膜から構成されていてもよい。さらに、基体10の半導体基板には、トランジスタ等の機能デバイスが形成されていてもよい。
Glass)と呼ばれる絶縁膜、ホウ素リンシリケート膜(BPSG膜)、SiON(Silicon oxynitride)と呼ばれる絶縁膜、Siliconnitride、低誘電率の絶縁膜等が挙げられる。
第1研磨工程は、化学機械研磨用水系分散体を用いて被処理体100の銅膜20を研磨する工程である。上述したように第1研磨工程は、堆積させた銅膜をバリアメタル膜が露出する直前まで高速で研磨する工程(バルク研磨工程)と、バルク研磨工程において残留した銅膜をバリアメタル膜が露出するまで研磨する工程(ファイン研磨工程)と、に分けて実施することができる。本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、平坦性を維持しながら銅膜を高速で研磨することができるため、バルク研磨工程に用いると効果的である。
上記化学機械研磨用水系分散体は、調製後にそのまま研磨用組成物として使用できる状態で供給することができる。あるいは、上記化学機械研磨用水系分散体の各成分を高濃度で含有する研磨用組成物(すなわち濃縮された研磨用組成物)を準備しておき、使用時にこの濃縮された研磨用組成物を希釈して、所望の化学機械研磨用水系分散体を得てもよい。
本実施の形態に係る第1のキットは、(A)アミノ酸、(B)砥粒、(C)界面活性剤、(E)アンモニアおよび水を含有する第1の組成物と、(D)酸化剤および水を含有する第2の組成物と、からなり、これらの組成物を混合して上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットである。
本実施の形態に係る第2のキットは、(A)アミノ酸、(E)アンモニアおよび水を含有する第3の組成物と、(B)砥粒、(C)界面活性剤および水を含有する第4の組成物と、からなり、これらの組成物を混合して上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットである。また、(D)酸化剤は、上記第3の組成物および第4の組成物のいずれか一方または双方に含まれる。さらに、上記第4の組成物は、(E)アンモニアを含有することができる。
本実施の形態に係る第3のキットは、(A)アミノ酸、(E)アンモニアおよび水を含有する第5の組成物と、(B)砥粒、(C)界面活性剤および水を含有する第6の組成物と、(D)酸化剤および水を含有する第7の組成物と、からなり、これらの組成物を混合して上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットである。第6の組成物には、さらに(E)アンモニアを添加することができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
4.1.1 コロイダルシリカ粒子を含む水分散体の調製
濃度25質量%のアンモニア水70質量部、イオン交換水40質量部、エタノール170質量部およびテトラエトキシシラン20質量部を、フラスコに仕込み、回転速度180rpmで撹拌しながら60℃に昇温した。温度を60℃に維持しながら撹拌した後、室温まで冷却して、コロイダルシリカ粒子のアルコール分散体を得た。
ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル社製、商品名「アエロジル#90」、平均一次粒子径20nm)2kgをイオン交換水6.7kg中に超音波分散機を用いて分散させた。これを孔径5μmのフィルターで濾過することにより、ヒュームドシリカ粒子を23質量%含有する水分散体「F1」を得た。この水分散体中に含まれるヒュームドシリカの平均二次粒子径は、220nmであった。
4.2.1 化学機械研磨用水系分散体Aの調製
化学機械研磨用水系分散体の全質量を100質量%とした場合に、グリシンを3.9質量%、アラニンを0.1質量%、コロイダルシリカ水分散体C1を固形分として0.5質量%、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムを0.3質量%、アンモニアを1.0質量%、全構成成分の量が100質量%となるようにイオン交換水を加えて1時間撹拌した後、孔径5μmのフィルターでろ過し、KOHでpHを9.7に調整し、過酸化水素に換算して1.75質量%に相当する量の30質量%過酸化水素水を順次入れ、表1に記載の化学機械研磨用水系分散体Aを得た。なお、表1に記載されている各成分の含有量の単位は質量%であり、表記載成分以外の成分は水である。また、表中に記載の「DBS−A」はドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムを表す。
アミノ酸の種類およびその他の添加成分を表1〜表3に示すものに変更したこと以外は、化学機械研磨用水系分散体Aの調製方法と同様にして分散体B〜Sを調製した。なお、表中に記載の「DBS−K」はドデシルベンゼンスルホン酸カリウムを表す。
4.3.1 銅膜の研磨速度評価
化学機械研磨装置(アプライド・マテリアルズ社製、型式「Mirra」)に多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ロデール・ニッタ社製、品番「IC1000」)を装着し、化学機械研磨用水系分散体A〜Sのいずれか1種を供給しつつ、下記の各種研磨速度測定用基板につき、下記の研磨条件にて30秒間研磨処理を行い、下記の手法によって研磨速度を算出した。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚15,000オングストロームの銅膜が設けられたもの。
・ヘッド回転数:100rpm
・プラテン回転数:100rpm
・ヘッド荷重:3.5psi
・化学機械研磨用水系分散体の供給速度:200mL/分
この場合における化学機械研磨用水系分散体の供給速度とは、全供給液の供給量の合計を単位時間当たりで割り付けた値をいう。
銅膜は、電気伝導式膜厚測定器(ケーエルエー・テンコール社製、形式「オムニマップRS75」)を用いて、研磨処理前後の膜厚を測定し、研磨されて減少した膜厚と研磨時間とから研磨速度を算出した。この結果を表1〜表3に示す。
上記「4.3.1 銅膜の研磨速度評価」における研磨速度測定基板、および研磨条件を同様に用いて、化学機械研磨を行い、下記のようにして銅膜の表面粗さおよび銅膜のスクラッチを評価した。
非接触3次元光学プロファイラー(Zygo社製、型式「NewView5032」)にて、銅膜表面の粗さを測定した。この結果を表1〜表3に示す。表面粗さは、10nm以下であることが好ましく、この場合には表中の評価の欄に「○」と表記している。さらに、表面粗さが5nm以下である場合が特に好ましく、この場合には表中の評価の欄に「◎」と表記している。また、表面粗さが10nmを超える場合には、実デバイスへの適用が不可であるとして、表中の評価の欄に「×」と表記している。
光学顕微鏡(オリンパス社製、型番「MX−50」)にて、暗視野観察を行い評価した。この結果を表1〜表3に示す。表中の評価の欄では、視野中にスクラッチが全く観察されなかった場合を「○」とし、やや観察された場合を「△」、多数観察された場合を「×」と記載した。
実施例1〜6の化学機械研磨用水系分散体を用いた場合には、いずれも銅膜に対する研磨速度が15,000オングストローム/分以上と十分に高かった。実施例2または実施例4の化学機械研磨用水系分散体を用いた場合には、銅膜に対する研磨速度が20,000オングストローム/分以上となり特に優れていた。また、実施例1〜6のいずれの化学機械研磨用水系分散体を用いた場合においても、銅膜の表面粗さは10nm以下に抑制され、銅膜上にスクラッチの発生は認められなかった。
Claims (12)
- (A)アミノ酸と、
(B)砥粒と、
(C)界面活性剤と、
(D)酸化剤と、
(E)アンモニアと、
を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、
前記アミノ酸の含有量(WA)と前記酸化剤の含有量(WD)との比率(WA/WD)は、1.5〜6.0であり、かつ、
前記アンモニアの含有量(WE)と前記酸化剤の含有量(WD)との比率(WE/WD)は、0.05〜0.6である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1において、
前記アミノ酸は、グリシン、アラニン、およびグルタミンから選択される少なくとも1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1または請求項2において、
前記砥粒は、コロイダルシリカまたはヒュームドシリカである、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記界面活性剤は、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムから選択される少なくとも1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項において、
前記酸化剤は、過酸化水素である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項において、
pHは、7〜11である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するための第1の組成物および第2の組成物から構成されるキットであって、
前記第1の組成物は、(A)アミノ酸と、(B)砥粒と、(C)界面活性剤と、(E)アンモニアと、を含有し、
前記第2の組成物は、(D)酸化剤を含有する、化学機械研磨用水系分散体調製用キット。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するための第3の組成物および第4の組成物から構成されるキットであって、
前記第3の組成物は、(A)アミノ酸と、(E)アンモニアと、を含有し、
前記第4の組成物は、(B)砥粒と、(C)界面活性剤と、を含有し、
前記第3の組成物および前記第4の組成物から選択される少なくとも一方は、(D)酸化剤を含有する、化学機械研磨用水系分散体調製用キット。 - 請求項8において、
さらに、前記第4の組成物は、(E)アンモニアを含有する、化学機械研磨用水系分散体調製用キット。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するための第5の組成物、第6の組成物および第7の組成物から構成されるキットであって、
前記第5の組成物は、(A)アミノ酸と、(E)アンモニアと、を含有し、
前記第6の組成物は、(B)砥粒と、(C)界面活性剤と、を含有し、
前記第7の組成物は、(D)酸化剤を含有する、化学機械研磨用水系分散体調製用キット。 - 請求項10において、
さらに、前記第6の組成物は、(E)アンモニアを含有する、化学機械研磨用水系分散体調製用キット。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、バリアメタル膜上に形成された銅膜を研磨する、化学機械研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009115188A JP5472585B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-12 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008133972 | 2008-05-22 | ||
JP2008133972 | 2008-05-22 | ||
JP2009115188A JP5472585B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-12 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010004023A true JP2010004023A (ja) | 2010-01-07 |
JP5472585B2 JP5472585B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=40934837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009115188A Active JP5472585B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-12 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8262435B2 (ja) |
EP (1) | EP2123726A1 (ja) |
JP (1) | JP5472585B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20100817 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |