JP2009536465A5 - - Google Patents
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Description
様々な図面において同一の符号は同様な要素を示す。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
アセンブリを形成する方法であって、
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することと、
該焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することと
を含む、方法。
(項目2)
上記結合することは、樹脂を、上記焼成された圧電材料のブロックまたは上記基板の1つに塗布することと、該焼成された圧電材料のブロックと該基板とを、これらの間に該樹脂を用いて互いに結合させることとを含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
上記ブロックを化学機械的に研磨することの前に、該ブロックの厚さの一部を研削することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目4)
上記ブロックを化学機械的に研磨することは、約10〜20Åの範囲の表面粗さを有する表面を生成する、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、上記方法は、
酸化物層を、該研磨された表面上に形成することと、
該酸化物層を活性化して、活性化された酸化物層を形成することと、
シリコンまたはシリコン酸化物層の表面を活性化して、活性化されたデバイス表面を形成することと、
該活性化された酸化物層を、該活性化されたデバイス表面と接触させることと
をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
上記酸化物層を活性化することの前に、該酸化物層を研磨することをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目7)
上記活性化された酸化物層を、上記活性化されたデバイス表面と接触させることの後に、該活性化された酸化物層と、該活性化されたデバイス表面とを加熱することをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目8)
上記加熱することは、約200℃に加熱することを含む、項目7に記載の方法。
(項目9)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、上記方法は、
電極層を該研磨された表面に塗布することと、
該電極層をデバイス表面に結合することと
をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
上記電極層をデバイス表面に結合することは樹脂結合材を用いることを含む、項目9に記載の方法。
(項目11)
上記焼成された圧電材料から上記基板を除去して、露出された圧電材料を形成することと、
該露出された圧電材料を化学機械的に研磨することと
をさらに含む、項目9に記載の方法。
(項目12)
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することは、該焼成された圧電材料のブロックをデバイス基板上に結合することを含む、項目1に記載の方法。
(項目13)
上記デバイス基板は、上記焼成された圧電材料のブロックに隣接するが、該焼成された圧電材料のブロックに対して開かれていないチャンバを含む、項目12に記載の方法。
(項目14)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の少なくとも4ミクロンを研磨して除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の約4〜10ミクロンの範囲を研磨して除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目16)
アセンブリを形成する方法であって、
酸化物層を圧電材料上に形成することと、
該酸化物層を研磨することと、
該酸化物層を研磨することの後に該酸化物層をプラズマで活性化することと、
該プラズマで活性化することの後に該酸化物層を本体に接触させることと
を含み、該本体はシリコンまたはシリコン酸化物を含む、方法。
(項目17)
上記酸化物層および上記本体を加熱することをさらに含む、項目16に記載の方法。
(項目18)
チャンバを内部に有する本体であって、シリコンから形成された本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整合されたアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は20Å未満の表面粗さを有し、該アクチュエータは、樹脂を用いて該本体に結合されている、流体排出デバイス。
(項目19)
上記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、項目18に記載のデバイス。
(項目20)
上記アクチュエータは約20ミクロン未満の厚さを有する、項目18に記載のデバイス。
(項目21)
上記アクチュエータは5ミクロンよりも大きい厚さを有する、項目18に記載のデバイス。
(項目22)
上記圧電材料は複数の層を含まない、項目18に記載のデバイス。
(項目23)
上記圧電材料は7.5g/cm 3 以上の密度を有する、項目18に記載のデバイス。
(項目24)
上記圧電材料は約8g/cm 3 の密度を有する、項目18に記載のデバイス。
(項目25)
上記圧電材料は、約200以上であり得るd31係数を有する、項目18に記載のデバイス。
(項目26)
チャンバを内部に有する本体であって、該本体はシリコンから形成され、シリコンまたはシリコン酸化物の上層を有する本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整合されたアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は20Å未満の表面粗さを有し、酸化物の層は該圧電材料上に存在し、該酸化物の層は該本体の上層に融着されている、流体排出デバイス。
(項目27)
上記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、項目26に記載のデバイス。
(項目28)
上記アクチュエータは約20ミクロン未満の厚さを有する、項目26に記載のデバイス。
(項目29)
上記アクチュエータは5ミクロンよりも大きい厚さを有する、項目26に記載のデバイス。
(項目30)
上記圧電材料は複数の層を含まない、項目26に記載のデバイス。
(項目31)
上記圧電材料は7.5g/cm 3 以上の密度を有する、項目26に記載のデバイス。
(項目32)
上記圧電材料は約8g/cm 3 の密度を有する、項目26に記載のデバイス。
(項目33)
上記圧電材料は、約200以上であり得るd31係数を有する、項目26に記載のデバイス。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
アセンブリを形成する方法であって、
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することと、
該焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することと
を含む、方法。
(項目2)
上記結合することは、樹脂を、上記焼成された圧電材料のブロックまたは上記基板の1つに塗布することと、該焼成された圧電材料のブロックと該基板とを、これらの間に該樹脂を用いて互いに結合させることとを含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
上記ブロックを化学機械的に研磨することの前に、該ブロックの厚さの一部を研削することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目4)
上記ブロックを化学機械的に研磨することは、約10〜20Åの範囲の表面粗さを有する表面を生成する、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、上記方法は、
酸化物層を、該研磨された表面上に形成することと、
該酸化物層を活性化して、活性化された酸化物層を形成することと、
シリコンまたはシリコン酸化物層の表面を活性化して、活性化されたデバイス表面を形成することと、
該活性化された酸化物層を、該活性化されたデバイス表面と接触させることと
をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
上記酸化物層を活性化することの前に、該酸化物層を研磨することをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目7)
上記活性化された酸化物層を、上記活性化されたデバイス表面と接触させることの後に、該活性化された酸化物層と、該活性化されたデバイス表面とを加熱することをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目8)
上記加熱することは、約200℃に加熱することを含む、項目7に記載の方法。
(項目9)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、上記方法は、
電極層を該研磨された表面に塗布することと、
該電極層をデバイス表面に結合することと
をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
上記電極層をデバイス表面に結合することは樹脂結合材を用いることを含む、項目9に記載の方法。
(項目11)
上記焼成された圧電材料から上記基板を除去して、露出された圧電材料を形成することと、
該露出された圧電材料を化学機械的に研磨することと
をさらに含む、項目9に記載の方法。
(項目12)
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することは、該焼成された圧電材料のブロックをデバイス基板上に結合することを含む、項目1に記載の方法。
(項目13)
上記デバイス基板は、上記焼成された圧電材料のブロックに隣接するが、該焼成された圧電材料のブロックに対して開かれていないチャンバを含む、項目12に記載の方法。
(項目14)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の少なくとも4ミクロンを研磨して除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の約4〜10ミクロンの範囲を研磨して除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目16)
アセンブリを形成する方法であって、
酸化物層を圧電材料上に形成することと、
該酸化物層を研磨することと、
該酸化物層を研磨することの後に該酸化物層をプラズマで活性化することと、
該プラズマで活性化することの後に該酸化物層を本体に接触させることと
を含み、該本体はシリコンまたはシリコン酸化物を含む、方法。
(項目17)
上記酸化物層および上記本体を加熱することをさらに含む、項目16に記載の方法。
(項目18)
チャンバを内部に有する本体であって、シリコンから形成された本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整合されたアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は20Å未満の表面粗さを有し、該アクチュエータは、樹脂を用いて該本体に結合されている、流体排出デバイス。
(項目19)
上記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、項目18に記載のデバイス。
(項目20)
上記アクチュエータは約20ミクロン未満の厚さを有する、項目18に記載のデバイス。
(項目21)
上記アクチュエータは5ミクロンよりも大きい厚さを有する、項目18に記載のデバイス。
(項目22)
上記圧電材料は複数の層を含まない、項目18に記載のデバイス。
(項目23)
上記圧電材料は7.5g/cm 3 以上の密度を有する、項目18に記載のデバイス。
(項目24)
上記圧電材料は約8g/cm 3 の密度を有する、項目18に記載のデバイス。
(項目25)
上記圧電材料は、約200以上であり得るd31係数を有する、項目18に記載のデバイス。
(項目26)
チャンバを内部に有する本体であって、該本体はシリコンから形成され、シリコンまたはシリコン酸化物の上層を有する本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整合されたアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は20Å未満の表面粗さを有し、酸化物の層は該圧電材料上に存在し、該酸化物の層は該本体の上層に融着されている、流体排出デバイス。
(項目27)
上記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、項目26に記載のデバイス。
(項目28)
上記アクチュエータは約20ミクロン未満の厚さを有する、項目26に記載のデバイス。
(項目29)
上記アクチュエータは5ミクロンよりも大きい厚さを有する、項目26に記載のデバイス。
(項目30)
上記圧電材料は複数の層を含まない、項目26に記載のデバイス。
(項目31)
上記圧電材料は7.5g/cm 3 以上の密度を有する、項目26に記載のデバイス。
(項目32)
上記圧電材料は約8g/cm 3 の密度を有する、項目26に記載のデバイス。
(項目33)
上記圧電材料は、約200以上であり得るd31係数を有する、項目26に記載のデバイス。
Claims (33)
- アセンブリを形成する方法であって、
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することと、
該焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することと
を含む、方法。 - 前記結合することは、樹脂を、前記焼成された圧電材料のブロックまたは前記基板の1つに塗布することと、該焼成された圧電材料のブロックと該基板とを、これらの間に該樹脂を用いて互いに結合させることとを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ブロックを化学機械的に研磨することの前に、該ブロックの厚さの一部を研削することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ブロックを化学機械的に研磨することは、約10〜20Åの範囲の表面粗さを有する表面を生成する、請求項1に記載の方法。
- 前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、前記方法は、
酸化物層を、該研磨された表面上に形成することと、
該酸化物層を活性化して、活性化された酸化物層を形成することと、
シリコンまたはシリコン酸化物層の表面を活性化して、活性化されたデバイス表面を形成することと、
該活性化された酸化物層を、該活性化されたデバイス表面と接触させることと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記酸化物層を活性化することの前に、該酸化物層を研磨することをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記活性化された酸化物層を、前記活性化されたデバイス表面と接触させることの後に、該活性化された酸化物層と、該活性化されたデバイス表面とを加熱することをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記加熱することは、約200℃に加熱することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、前記方法は、
電極層を該研磨された表面に塗布することと、
該電極層をデバイス表面に結合することと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記電極層をデバイス表面に結合することは樹脂結合材を用いることを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記焼成された圧電材料から前記基板を除去して、露出された圧電材料を形成することと、
該露出された圧電材料を化学機械的に研磨することと
をさらに含む、請求項9に記載の方法。 - 焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することは、該焼成された圧電材料のブロックをデバイス基板上に結合することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記デバイス基板は、前記焼成された圧電材料のブロックに隣接するが、該焼成された圧電材料のブロックに対して開かれていないチャンバを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の少なくとも4ミクロンを研磨して除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の約4〜10ミクロンの範囲を研磨して除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- アセンブリを形成する方法であって、
酸化物層を圧電材料上に形成することと、
該酸化物層を研磨することと、
該酸化物層を研磨することの後に該酸化物層をプラズマで活性化することと、
該プラズマで活性化することの後に該酸化物層を本体に接触させることと
を含み、該本体はシリコンまたはシリコン酸化物を含む、方法。 - 前記酸化物層および前記本体を加熱することをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- チャンバを内部に有する本体であって、シリコンから形成された本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整列したアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は20Å未満の表面粗さを有し、実質的に表面に損傷を有さず、該アクチュエータは、樹脂を用いて該本体に結合されている、流体排出デバイス。 - 前記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、請求項18に記載のデバイス。
- 前記アクチュエータは約20ミクロン未満の厚さを有する、請求項18に記載のデバイス。
- 前記アクチュエータは5ミクロンよりも大きい厚さを有する、請求項18に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は複数の層を含まない、請求項18に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は7.5g/cm3以上の密度を有する、請求項18に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は約8g/cm3の密度を有する、請求項18に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は、約200以上であり得るd31係数を有する、請求項18に記載のデバイス。
- チャンバを内部に有する本体であって、該本体はシリコンから形成され、シリコンまたはシリコン酸化物の上層を有する本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整列したアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は20Å未満の表面粗さを有し、該圧電材料は、実質的に表面に損傷を有さず、酸化物の層は該圧電材料上に存在し、該酸化物の層は該本体の上層に融着されている、流体排出デバイス。 - 前記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、請求項26に記載のデバイス。
- 前記アクチュエータは約20ミクロン未満の厚さを有する、請求項26に記載のデバイス。
- 前記アクチュエータは5ミクロンよりも大きい厚さを有する、請求項26に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は複数の層を含まない、請求項26に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は7.5g/cm3以上の密度を有する、請求項26に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は約8g/cm3の密度を有する、請求項26に記載のデバイス。
- 前記圧電材料は、約200以上であり得るd31係数を有する、請求項26に記載のデバイス。
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