JP2009534853A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 式Ｉのアセン−チオフェン共重合体を備える電子機器であって、
   

   

   （式中、
   Ａｃは、２〜５の縮合ベンゼン環を有するアセンの基であり、Ａｃは、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、又はその組み合わせから選択される置換基で置換されていてもよく、
   Ｒ^ａはそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、又はヒドロキシアルキルから独立して選択され、
   Ｑは、式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、又はＶの二価基であり、
   

   

   Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、又はアルケニルから独立して選択され、
   ｎは、４以上の整数である、電子機器。
2. 電子機器を作製する方法であって、式Ｉのアセン−チオフェン共重合体を備える共重合体層を提供する工程を含み、
   

   

   （式中、
   Ａｃは、２から５の縮合ベンゼン環を有するアセンの基であり、Ａｃは、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、又はその組み合わせから選択される置換基で置換されていてもよく、
   Ｒ^ａはそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、又はヒドロキシアルキルから独立して選択され、
   Ｑは、式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、又はＶの二価基であり、
   

   

   Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、又はアルケニルから独立して選択され、
   ｎは、４以上の整数である、方法。