JP2009532889A - 電気部品 - Google Patents
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Abstract
本発明は、セラミック基板(1)と、該セラミック基板(1)と電気的にかつ機械的に接続されている圧電トランス(3)とを備える電気部品に関する。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
米国特許出願公開公報 2001/0028206 A1では、本体内部に内部電極が備えられた圧電トランスが知られている。
1つの達成すべき課題は、低い損失を示す圧電トランスを有する電気部品を明示することである。
本発明の実施形態は、接触面を有するセラミック基板と、前記基板の接触面の少なくともいくつかと電気的に接続され、少なくとも一部分は前記セラミック基板上に配置されている圧電トランスとを有する電気部品を明示する。
以下では、明示された部品の有利な実施形態が記載される。
圧電トランスは、1つの本体を備える。トランス本体は、入力部分と、出力部分と、これらの部分の間に配置された絶縁領域とを備え、1つの有利な実施形態では、この領域は、セラミック基板の領域により形成される。
圧電トランスの絶縁領域として有利に備えられるその領域は、セラミック基板の他の領域よりも薄い構造を有する。このようにして、全体の高さが特に小さな部品を形成することができる。
部品は、圧電トランスと接触するための電気供給線を備え、これらの線は少なくとも部分的にセラミック基板内で有利に統合されている。電気供給線は、基板表面を垂直に走る少なくとも1つの電気的接続を備える。
部品は、電気的に圧電トランスと接続され、セラミック基板内で少なくとも部分的に統合されている少なくとも1つの電気回路を備えうる。この回路は、特に信号やデータ処理に適している。
部品は、電気的に圧電トランスと接続され、セラミック基板上に配置された少なくとも1つの電気部品から構成されうる。この部品は、チップとして有利に構成されている。この部品は、少なくとも1つのコンデンサ、少なくとも1つのインダクタ、または信号やデータ処理に適したチップから構成されうる。
セラミック基板は、トランス部の少なくとも1つを保持するための少なくとも1つの凹部を有しうる。各トランス部は、そのような凹部において皿穴が開けられた状態(countersunk)でありうる。セラミック基板は、圧電トランスの少なくとも一部を少なくとも部分的に収容しうる。
圧電トランスは、その表面に少なくとも1つのノード領域を有する本体を備えてもよく、そのノードは本体内で誘起された音波として現れる。本体は、ノード領域内でセラミック基板と有利に接続されており、他の領域内ではこの基板から離れて配置されている。
ノード領域は、1つの線に沿って本体のベース表面(base surface)上に広がり、波の伝搬方向と垂直に走っている。ノード領域は、トランス本体の幅方向に有利に広がっている。基本モード、すなわち音波の第1高調波におけるトランスの動作では、唯1つのノード領域が、本体のほぼ中央部に現れる。第2高調波におけるトランスの動作では、2つのノード領域が、端面から約4分の1波長分離れて配置された本体の中央部に現れる。
トランス部の電気接点は、セラミック基板の接触面と金属線により接続されうる。トランス部の電気接点とセラミック基板の電気接点はまた互いに反対方向に位置し、はんだ接続により互いに接続されうる。
部品はまたキャリア基板(carrier substrate)を備え、キャリア基板の上にセラミック基板が圧電トランスとともに取り付けられ、キャリア基板内またはキャリア基板上で実現される電気回路とセラミック基板とを接続するための電気供給線はキャリア基板内で統合される。
1つの実施形態では、本体はそのベース表面の領域内でセラミック基板と接触し、本体のベース表面の少なくとも90パーセントは機械的にセラミック基板から分離されている。
少なくとも2つの結合領域が存在しえ、それらは互いに離れて位置し、その中ではトランス本体はセラミック基板と堅く接続されている。それらはノード領域内にノード線に沿って有利に配置されている。ノード線として、1つの線が指定され、そこでは本体のたわみ振幅は0である。有利には、各ノード領域において2つの結合領域が存在する。
特に、第1次高調波における動作では、互いに離れて位置し、セラミック基板上に取り付けられ、本体に接触する少なくとも2つの接触領域を、ノード領域内に配置された2つの結合領域の隣に配置することは有利なことである。接触領域は、振動減衰特性を有利に有している。
接触領域は、波の伝搬方向に沿って、例えば本体の長手軸に沿って、有利に配置されている。結合領域は、波の伝搬方向及び本体の長手軸に対し垂直方向に延びる線に沿って有利に配置されている。
以下に、有利な実施形態が実際どおりの尺度ではない略図を参照して説明される。
図1は、セラミック基板1と圧電トランス3を有する電気部品12を示し、電気部品12は、セラミック基板1の領域2内に配置されている。圧電トランス3は、電極41,42を有する第1部分4と、電極51,52を有する第2部分とを備える。
電圧が第1部分4の電極41,42に加えられると、周期的な信号、すなわち音波による機械的な応力が発生し、第2部分5へ伝えられる。トランスの出力電圧は、第2部分5の電極51,52で引き出されうる。各トランス部分の電極の間の分極方向は、矢印Pで特徴付けられる。
トランス3は、電気部品や回路に電流や電圧を供給する電源部の有利な部品であり、有利に基板1上に配置されるか、または有利にこの基板内に統合される。
トランス本体は、セラミック含有材料から有利に作られる。電極41,42,51,53は、図1の実施形態において基板1の主表面と平行に配置される。しかし、それら電極は図2A、図2Bにおいて表される実施形態のように、これらの主表面と垂直にも広がりうる。トランス本体内に配置される内部電極の図1で見られない配置は、各電極41,42,51,53と接続されうる。内部電極は、有利には基板1の主表面と平行に配向されているため、音波は垂直方向に誘起される。内部電極の接続の順序は、以下に説明される。
接触面43,44,53,54は、セラミック基板1の上側に配置され、接触面56は下側に配置される。第1部分4の第1電極41は、ボンディングワイヤ45により接触面43と接続されている。基板と対向する第1部分4の第2電極42は、基板1の上側に配置された供給線46により接触面44と接続されている。供給線は、接触面44と、電極42にはんだ付けされた基板1の接触面とを接続する。
第2部分5の第1電極51は、ボンディングワイヤ55により接触面56と接続されている。接触面56は、ビアコンタクト(via contact)57により接触面53と電気的に接続されている。基板と対向する第2部分5の第2電極52は、部分的に露出し部分的に基板1内に埋め込まれている供給線58とビアコンタクト59により、接触面54と接続されている。この供給線は、接触面54と、電極52にはんだ付けされた基板1の接触面とを接続する。
接触面43,44,53,54は図1に示された部品の外部電極として備えられる。それら全ては、基板1の主表面の1つと接触している。しかし、部品の外部電極を、基板の両主表面、すなわち上側と下側の両方に配置することもまた可能である。
接触面43,44と接触面53,54は、基板1の主表面の反対側で、かつできるだけ互いに離れた位置に有利に配置される。第1部分と第2部分とに接続された接触面間の大きな距離は、明示された部品の破壊強度を増加させる。全ての接触面43,44と53,54を基板1の同じ主表面に配置することも可能である。
第1部分4の接触面43,44と第2部分の接触面53,54との間にトランス3を配置することは、特に有利であり、トランス部の良い電磁デカプリングがこれにより可能となる。ここで、もし、ボンディングワイヤ45,55が様々なトランス部と接触するために基板1の異なる主表面と向き合って外側へ導かれているならば有利である。しかし、基板の接触面、供給線、及びボンディングワイヤの配置は、原則として任意でありうる。例えば、ボンディングワイヤ45が接触する接触面43は、第1部分の第1電極41と接触するための外部電極として備えられた別の接触面と、例えば供給線を介して、電気的に接続されることができる。
基板1はトランス領域2を有し、これはトランス部4,5と機械的に結合されている。トランス領域2には、図1の第2部分5におけるトランス部を保持するための凹部11がある。基板の領域2において、他のトランス部を保持するために別の凹部が備えられ得る。
トランス領域2は、副領域30を有し、これはトランス3の一要素である。従って、基板1とトランス3は互いに統合し、分離することができないため、信号伝達のためのトランスの電気的機能は実現される。基板の他の領域は電気回路の統合のため、または電気部品のためのキャリアとして備えられ得る。
トランス領域2とは異なる基板領域は、副領域30よりも有利に厚い。先に述べた基板領域の境界で厚さ方向のジャンプに起因して、これらの領域の音響インピーダンスは互いに異なる。従って、薄いトランス領域2で誘起される音波は、残りのもっと厚い領域への境界で反射する。従って、トランス領域2におけるほとんどの部分での音波の機械的エネルギーの広がりを抑えることが可能である。
基板1の副領域30は、他の基板領域よりも厚さが薄く、第1部分4と第2部分5との間に配置されたトランス3の絶縁領域として備えられている。この領域は、トランス部4,5の間の機械的な接続を作り出す。この領域は原則として任意の薄さでありうる。薄い絶縁領域は、厚い絶縁領域を有するトランスと比較して圧電トランスの能率を増加させる。そのため、副領域30内の基板1の厚さが、例えば外部キャリアへ取り付けるためまたは追加の電気部品のためのキャリアとして備えられる基板領域内の基板1の厚さよりも著しく小さいために、基板の厚い壁の残り部分とトランス3の機械的な結合は比較的小さく、トランス3は基板の厚い領域から基本的に機械的に分離している。
図1に示す圧電トランス3において、音響振動が垂直方向に、すなわちセラミック基板1の主表面と垂直方向に、誘起される。対照的に、図2A、図2Bに示す圧電トランス3においては、音響振動は長手方向、すなわちセラミック基板1の主表面と平行に誘起される。
図2A、図2Bにおいて、別の部品の様々な断面A−AとB−Bが、セラミック基板1とこの基板に取り付けられた圧電トランス3と共に示されている。トランス本体は、トランス部4,5の間に配置された絶縁領域10を備える。本体は、ブロック形状であり、長方形断面を有するセラミック板として有利に構成されている。図2A、図2Bに見られるトランス3は、長手方向の音響基本モードの第2高調波において有利に動作し、トランス内の本体の長手方向と一致する波の伝搬方向には、2つのノード領域6,7がある。基板1とトランス本体との間の電気的及び機械的結合は、有利にこれらの領域内で基本的に限定されるが、これは、音響損失が基板1とトランス3との間の機械的結合により特別に低いままである理由である。トランス3の電極表面41,42,51,52は、これらの領域を過ぎて延びている。
この実施形態では、基板1の領域2内に、トランス本体全部を保持する凹部11がある。音波は本体の長手方向に伝搬する。定常波の最小値ひいては本体の最小のたわみは、ノード領域6,7で起こる。そのため、トランス本体のベース表面と基板1との間の機械的な結合は基本的にノード領域6,7に限定される。この機械的結合は、どちらも比較的小さい表面積を有する2つの接触領域8,9内で有利に実現される。図2Bでは、トランス本体の大きな中央領域がセラミック基板1から機械的に分離していることがわかる。この結合は、本体の角か端の領域にのみ限定される。結合領域の表面は、トランス本体のベース表面の10パーセント未満に有利に等しい。
接触領域8,9は、凹部11の側壁の段によりそれぞれ形成される。接触領域8,9は、代替的に凹部11内に配置された突起として構成されることができ、各トランス部分で2つの突起、すなわち、全部で4つの突起が有利に備えられている。そのような突起の高さは、凹部11の最大の深さよりも有利に小さい。
入力部分4の電極41,42は、トランス本体の反対側表面上に配置されている。出力部分5の電極51,52もまたこれらの側の表面上に配置されているが、入力部分4の電極41,42からは少し離れている。
外部電極として備えられている接触面43,44は、供給線46と46’を介して入力部分4の電極41,42と導電的に接続されている。外部電極として備えられた接触面53,54は、供給線58と58’を介して出力部分5の電極51,52と導電的に接続されている。各電極41,42,51,52は、割り当てられた供給線46,58,46’,58’に有利にはんだ付けされている。
各電極41,42,51,52は、トランス本体内に配置され、図2A及び図2Bでは示されない内部電極の配置と有利に接続されている。互いに導電的に接続されている内部電極の各配置は、電極41,42,51,52のうちの1つにのみ有利に接続され、他の電極から電気的に絶縁されている。内部電極は、それらが接続されているトランス部の特定の電極と垂直な方向に有利に配置されている。内部電極は、各トランス部の第1及び第2の電極と接続され、交互構成で有利に配置されている。すなわち、それらは互いに連結している。
図3では、キャリア板の形状をしたキャリア13とともに1つの部品がしめされている。そのキャリア板はプリント回路基板や別のセラミック基板であり得る。この部品は、図1で説明される部品のように基本的に構成されている電気部品12を備える。図1とは対照的に、トランス3の出力部5は、凹部11に皿穴が開けられていないが、代わりに下向きで凹部の外に突起がある。
キャリア13には、部品12を保持するための開口部14または凹部がある。この開口部または凹部の反対側表面の少なくとも2つそれぞれが、有利には1つの段15,16を有し、部品12の基板1のための接触面として形成されている。段15,16の高さは、トランス3の出力部5が開口部14内に完全に皿穴が開けられ、キャリア13から突出しないように選ばれている。セラミック基板1の上側表面は、キャリア13の上側表面と同じ高さに配置されるが、もっと低くまたは高く位置することもある。
キャリア13の上面は接触面61,62,63,64である。ボンディングワイヤにより、キャリア13の接触面61はセラミック基板1の接触面44と接続され、接触面62は接触面43と接続され、接触面63は接触面53と接続され、接触面64は接触面54と接続されている。ボンディングワイヤの代わりに、電気供給線が別の方法として考えられ得る。
開口部14の外側のキャリア13の領域では、別の電気部品が備え付けられ、電気的にトランス3と接続され、このトランスにより有利に電圧を供給されている。キャリア13内では、別の回路もまた統合され、電気的にトランス3と接続され、このトランスにより有利に電圧を供給されている。
図4では、第2高調波で動作するトランス3の結合領域の配置例が示されている。トランス本体は、互いに離れて位置する4つの結合領域101,102,103,104内でセラミック基板1と堅く接続されている。2つの結合領域101,102は、第1ノード領域6内で互いに少し離れて配置され、他の2つの結合領域103,104は、第2ノード領域7内で互いに少し離れて配置されている。
図5では、第1高調波で動作する圧電トランスの結合領域の配置例が示されている。トランス本体は、互いに離れて位置する2つの結合領域101,102内でセラミック基板1と堅く接続している。加えて、互いに離れて位置し、セラミック基板1上に備え付けられ、本体と接触している2つの接触領域201,202がある。接触領域201,202は、波の伝搬方向及びトランス本体の長手軸Lに沿って配置されている。接触領域は、例えば比較的堅いゴムから作られる。
結合領域と接触領域の位置は、図4と図5に示された例と異なりうる。接触領域は原則としてベース表面の終端領域に配置されうる。
明示された部品は、示された要素の幾何学的な形状に関して、及びセラミック基板とトランス本体の間の機械的な結合の型に関してもまた、図1から図3で示された例に限られない。トランスは、原則として任意の構造を有しうる。
1 セラミック基板
2 圧電トランスが配置されたセラミック基板の領域
3 圧電トランス
30 基板1の厚さが小さい領域
4 トランスの第1部分
41,42 第1部分の電極
43,44 セラミック基板の接触面
45 ボンディングワイヤ
46,46’ 供給線
5 トランスの第2部分
51,52 第2部分の電極
53,54,56 セラミック基板の接触面
55 ボンディングワイヤ
57,59 ビアコンタクト
58,58’ 供給線
6,7 ノード領域
61,62 キャリア13の接触面
63,64 キャリア13の接触面
8,9 接触領域
10 絶縁領域
11 凹部
12 圧電トランスとセラミック基板を備える電気部品
13 キャリア
14 開口部
P 分極
2 圧電トランスが配置されたセラミック基板の領域
3 圧電トランス
30 基板1の厚さが小さい領域
4 トランスの第1部分
41,42 第1部分の電極
43,44 セラミック基板の接触面
45 ボンディングワイヤ
46,46’ 供給線
5 トランスの第2部分
51,52 第2部分の電極
53,54,56 セラミック基板の接触面
55 ボンディングワイヤ
57,59 ビアコンタクト
58,58’ 供給線
6,7 ノード領域
61,62 キャリア13の接触面
63,64 キャリア13の接触面
8,9 接触領域
10 絶縁領域
11 凹部
12 圧電トランスとセラミック基板を備える電気部品
13 キャリア
14 開口部
P 分極
Claims (14)
- セラミック基板(1)と、
前記セラミック基板(1)と電気的に、かつ機械的に接続された圧電トランス(3)と、
を備えることを特徴とする電気部品。 - 前記圧電トランス(3)は、入力部分(4)と、出力部分(5)と、該入力部分と該出力部分との間に配置された絶縁領域(10,30)とを備え、
前記絶縁領域(10,30)は、前記セラミック基板(1)の1つの領域(30)により形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気部品。 - 前記絶縁領域(30)は、前記セラミック基板(1)の他の領域よりも薄い構造を有する、
ことを特徴とする請求項2に記載の電気部品。 - 前記圧電トランス(3)と接触するための電気供給線(57,58,59)をさらに備え、前記電気供給線は、前記セラミック基板(1)内で少なくとも部分的に統合されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - 前記電気供給線(57,58,59)は少なくとも1つのビアコンタクト(57,59)を備える、
ことを特徴とする請求項4に記載の電気部品。 - 電気的に前記圧電トランス(3)と接続され、前記セラミック基板(1)内で少なくとも部分的に統合された少なくとも1つの電気回路をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - 電気的に前記圧電トランス(3)と接続され、前記セラミック基板(1)上に配置された少なくとも1つの電気回路をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - 前記セラミック基板(1)は、前記圧電トランスの少なくとも1つの部分(4,5)を保持するための少なくとも1つの凹部(11)を備える、
ことを特徴とする請求項2乃至7のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - 前記セラミック基板(1)は、前記圧電トランスの少なくとも1つの部分(4,5)を少なくとも部分的に収容している、
ことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - 前記圧電トランス(3)は、1または2以上のノード領域(6,7)をその表面に有し、音波のノードが該1または2以上のノード領域内に現れる1つの本体を備え、
前記本体は、前記1または2以上のノード領域(6,7)内でのみ前記セラミック基板(1)と堅く接続され、他の領域内では前記セラミック基板(1)と離れて位置する、
ことを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - キャリア基板(13)をさらに備え、前記セラミック基板(1)は、前記圧電トランス(3)とともに前記キャリア基板上に取り付けられており、
前記セラミック基板(1)と、前記キャリア基板内または前記キャリア基板上に形成された電気回路とを接続するために、前記キャリア基板(13)内で統合された電気供給線をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の電気部品。 - 前記本体は、互いに離れて位置する少なくとも2つの結合領域(101,102,103,104)で前記セラミック基板(1)と堅く接続されている、
ことを特徴とする請求項10に記載の電気部品。 - 前記少なくとも2つの結合領域(101,102,103,104)は、前記1または2以上のノード領域(6,7)内に配置されていること、
を特徴とする請求項12に記載の電気部品。 - 互いに離れて位置し、前記セラミック基板(1)上に取り付けられ、前記本体と接触する少なくとも2つの接触領域(201,202)をさらに備え、
前記接触領域(201,202)は、振動減衰特性を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至13のうちいずれか1項の記載の電気部品。
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