JP2009531865A - スピントランスファートルクによる磁化反転を利用したオンプラグ磁気トンネル接合素子 - Google Patents
スピントランスファートルクによる磁化反転を利用したオンプラグ磁気トンネル接合素子 Download PDFInfo
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Abstract
磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合(MJT)を有し、かつスピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用して動作するように構成される素子に関連する方法及び素子構造である。オンプラグMTJ構造及び形成方法が記載される。
Description
本出願は、スピントランスファートルク効果を利用した磁気トンネル接合素子に関するものである。
種々の多層構造磁性材料は、「自由」層として構成される少なくとも一つの強磁性層を含み、「自由」層の磁化方向は外部磁界またはスピン偏極した制御電流によって変化させることができる。磁気メモリデバイスは、このような多層構造を使用して構成することができ、多層構造では、情報は自由層の磁化方向によって記憶される。
このような多層構造の一例が磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合(magnetoresistive tunnel junction:MJT)であり、このトンネル接合は少なくとも3つの層:すなわち2つの強磁性層、及び2つの強磁性層の間のバリア層としての一つの非磁性絶縁体薄膜層を含む。中間バリア層の絶縁体材料は導電性を示さないので、2つの強磁性層の間のバリアとして機能する。絶縁体の厚さが十分に薄い、例えば数ナノメートル以下である場合、2つの強磁性層の電子が絶縁体薄膜層を、2つの強磁性層にバリア層を横切ってバイアス電圧が印加された状態で発生するトンネル効果に起因して「突き抜ける」ことができる。MTJ構造を流れる電流に対する抵抗は、2つの強磁性層の磁化の相対的な向きによって変わる。2つの強磁性層の磁化が互いに平行である場合、MTJ構造における抵抗は最小値RPになる。2つの強磁性層の磁化が互いに反対である、または反平行である場合、MTJにおける抵抗は最大値RAPになる。この現象の大きさは普通、(RAP−RP)/RPとして定義されるトンネル磁気抵抗(tunneling magnetoresistance:TMR)によって特徴付けることができる。
TMR(トンネル磁気抵抗)効果におけるMJTを流れる電流に対する抵抗と2つの強磁性層の間の相対磁化方向との関係を不揮発性磁気メモリデバイスに使用して、情報をMTJ(磁気抵抗トンネル接合)の磁化状態として記録することができる。TMR効果を利用する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス、及び他の磁気メモリデバイスは、例えば種々の用途において電子RAMデバイスに替わるデバイスとなる、または電子RAMデバイスに匹敵するデバイスとなることができる。このような磁気メモリデバイスでは、一方の強磁性層が固定された磁化方向を有するように構成され、そして他方の強磁性層が「自由」層であり、この自由層の磁化方向は、固定された方向に対して平行になるように、または反対になるように変化させることができる。情報は、MTJのバリアの2つの側での2つの強磁性層の相対的な磁化方向によって記憶される。例えば、2値ビット「1」及び「0」は、MTJの2つの強磁性層の磁化が平行に配列する状態、及び反平行に配列する状態として記録することができる。MTJへのビット記録またはビット書き込みは、自由層の磁化方向を切り替えることにより、例えば電流を、交差する方向にストライプ状に配置される書き込みラインに供給することにより生成される書き込み磁界によって、電流がMTJを流れてスピントランスファートルクが生じることによって、または他の手段によって行なうことができる。
スピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転では、自由層の磁化を変化させるために必要な電流は非常に小さくすることができ(例えば、或るMTJでは0.5mA以下)、かつ磁界のスイッチングに使用される電流よりもずっと小さくすることができる。従って、MTJセルにおけるスピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用してセルの消費電力を大幅に減らすことができる。更に、自由層の磁化を反転させるために十分大きな磁界を生成する電流を流す導体配線を無くすことができる。これにより、スピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用するMTJセルを、スイッチング磁界を利用する構成のMTJセルよりも小さくすることができる。従って、スピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用するMTJセルは、スイッチング磁界を利用する構成のMTJセルよりも高い面積密度でチップに形成することができ、高密度メモリデバイス及び高密度メモリ用途に適用することができる。
本出願では、磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合(MJT)、及びスピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用して動作するように構成されるMTJセルを有する素子に関連する技術について記載する。オンプラグMTJ構造及び形成方法について記載する。
一の実施形態では、素子は、基板と;基板の上に形成され、かつ基板にほぼ直交するように垂直方向に延びる導電ビアと;導電ビアの上に形成される金属プラグと;金属プラグを埋め込み、かつ金属プラグの上面を露出させる誘電体材料と;そして金属プラグの上面に形成される磁気トンネル接合(MTJ)セルと、を含むものとして記載される。
別の実施形態では、素子は、基板と、そして基板の上に形成される磁気トンネル接合(MTJ)セルと、を含むものとして記載される。MTJセルは、第1方向と、第1方向とはほぼ反対の第2方向との間で変化することができる磁化方向を有する強磁性自由層と、第1方向にほぼ沿って固定される磁化方向を有する強磁性固定層と、そして強磁性自由層と強磁性固定層との間に形成されて、強磁性自由層と強磁性固定層との間での電子のトンネリングを可能にする絶縁バリア層と、を含む。磁気トンネル接合セルは、第1方向に沿って細長く形成される。この素子は更に、基板の上に形成され、かつMTJセルと空間的に重なる部分を有するように位置する導体ラインであって、前記部分がMTJセルの第1方向に平行であり、かつMTJセルを流れる電流を供給するように電気的に接続される構成の導体ラインと、そして導体ラインからMTJセルに流れる電流を制御して、MTJセルの強磁性自由層の磁化方向を、スピントランスファートルクを利用して変化させる制御回路と、を備える。
本出願では更に、MTJセル素子を形成する方法について記載する。本方法では、誘電体層を基板の上に形成し;次に、連続する金属構造を、誘電体層に埋め込まれる少なくとも一つの金属プラグと、そして誘電体層の上面に位置し、かつ上面を覆う金属層と、を含むように形成し;連続する金属構造の金属層を部分的に除去して、金属層の残留金属層を誘電体層の上面に位置し、かつ上面を覆うように誘電体層を露出させることなく残し;磁気トンネル接合(MTJ)層を残留金属層の上に形成し;そしてMTJ層をパターニングして、少なくとも一つのMTJセルを残留金属層の上に形成する。
本出願では更に、MTJセル素子を形成する別の方法について記載する。本方法では、誘電体層を基板の上に形成し;次に、誘電体層に埋め込まれる少なくとも一つの金属プラグを形成し;誘電体層、及び誘電体層に埋め込まれる金属プラグを研磨して、金属プラグの上面を露出させる研磨済み表面を形成し;導電性バッファ層を研磨済み表面に形成して、誘電体層及び金属プラグを被覆し;磁気トンネル接合(MTJ)層を導電性バッファ層の上に形成し;そしてMTJ層をパターニングして、少なくとも一つのMTJセルを導電性バッファ層の上に、かつ金属プラグの上に形成する。
これらの実施形態、及び他の実施形態、これらの実施形態の変更例及び変形例について更に詳細に、添付の図、詳細な記述、及び請求項において説明する。
図1は、Si(シリコン)基板のような適切な材料から成る基板101の上に形成されるMTJ100の一例を示している。MTJ100は、基板101の真上にじかに形成される一つ以上のシード層102の上に構成される。シード層102の上には、反強磁性(AFM)層113がまず形成され、次に第1強磁性層111がAFM層113の上に形成される。ポストアニール処理を施した後、強磁性層111は固定した磁化方向を持つピンド層となる。実際の形態では、この固定した磁化方向は基板101(すなわち、基板表面)に平行に設定することができる。第1強磁性層111の上には、金属酸化膜層のような薄い絶縁バリア層130が設けられる。第2強磁性層112はバリア層130の上にじかに形成される。更に、少なくとも一つのキャップ層114を第2強磁性層112の上に形成して、MTJを外部環境に露出することがないように絶縁することによりMTJを保護する。
強磁性層112の磁化方向は固定されず、そしてピンド層111の固定磁化方向に平行に、または反平行のいずれかになるように自由に変化させることができる。このような理由により、強磁性層112は自由層(FL)であり、そして磁化容易軸をピンド層111の固定磁化方向にほぼ沿って、更に磁化困難軸を磁化容易軸にほぼ直交する方向に有する。強磁性層112の磁化の制御は、スイッチング磁界を利用する構成における外部書き込み磁界により、またはスピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用する構成のMTJを垂直に流れる書き込み電流により行なうことができる。磁界を磁界動作範囲で印加することによって、または印加電流を接合に電流動作範囲で流すことによって、自由層112の磁化方向を、ピンド層111の固定磁化方向にほぼ平行に、またはほぼ反平行にすることができる。多くの磁場系ではエネルギーが競合する影響が現われ、この現象によって、各強磁性層における磁区またはナノ磁石の完全な平行配向または反平行配向が阻止される。MTJでは、自由層112内のナノ磁石のエネルギー状態に対する影響が支配的になることによって、ナノ磁石が平行配向または反平行配向を示すようになるので、ほぼ平行に配向する状態、またはほぼ反平行に配向する状態が形成される。実際の素子では、各セルは楕円形とすることができ、そして各セルを細長くすることにより、形状異方性をMTJセルの磁気記録層に持たせて、特定の磁化方向を磁化容易軸として空間的に選択し、MTJセルの磁化の摂動、例えば熱擾乱に対するMTJセルの安定性を高めることができる。
スイッチング磁界を利用する構成で動作し、かつ書き込み磁界を各MTJセルに印加してMTJセルへの書き込みを行なうMTJ素子では、各MTJセルは、電流を流す2つの個別の互いに直交する導体ラインの交差点に、または交差点近傍に配置することができる。書き込み磁界は、電流が2つの交差導体ラインのそれぞれに流れることによって生じる2つの磁界が重畳的に作用することによって合成される。2つの個別の交差導体ラインを使用するこの構成によって、MTJセルを選択し、そしてアドレス指定してデータを書き込む選択機構が実現し、この場合、各導体ラインからの磁界は、当該磁界だけでは、MTJセルの自由層の磁化方向を変化させるためには不十分な強度になるように制御され、かつこの磁界だけでは、ラインからの磁界が印加されている状態のいかなるMTJセルも半選択状態にしかならない。MTJセルを全選択状態にしてMTJセルの磁化を反転させるために、両方の交差導体ラインによる磁界を、選択されたMTJセルに同時に印加して、自由層の磁化を反転させる必要がある。或る実施形態では、2つの導体ラインは、一方のラインがMTJセルの下方に位置し、そして他方のラインがMTJセルの上方に位置するように構成することができる。両方の導体ラインをMTJセルの一方の側に配置することもできる。2つの導体ラインはワードライン(WL)及びビットライン(BL)と表記される場合がある。書き込みワードラインまたはデジットラインのような他の表記をワードラインに使用することもできる。書き込みスイッチング磁界を生成するこれらの2つの交差導体ラインが設けられ、かつ2つの交差導体ラインの一方が普通、下地基板とMTJセル層との間に配置されるので、各MTJは普通、電流がMTJを流れるための導電経路を形成する金属プラグの直ぐ上には位置しないが、金属プラグから空間的にずれ、かつ金属プラグに「インセル(in−cell:セル内)」局部相互接続導体を介して、「オフプラグ(off−plug)」構成において電気的に接続される。
図2は、MTJセル群が「オフプラグ(off−plug)」構成で配置された状態の単位セルアレイの一つの例示としてのレイアウトを示し、スイッチング磁界を利用する構成のMTJ素子のワードライン及びビットラインを示している。各単位セルは一つのMTJセルと、そしてMTJセルに接続される他の回路要素と、を含むので、MTJセルよりも大きくなっている。各MTJセルは磁化容易軸をx方向に沿って有し、そしてビットライン及びワードラインはそれぞれy方向及びx方向に走る。この構造では、ビットラインに流れる電流によって生成される磁界は、左手側の2つのMTJセルの矢印ラインで示すように、MTJセルのx方向の磁化容易軸に沿っている。ビットラインはMTJセルの上方に位置する。書き込みワードラインは、MTJセルと基板との間に形成され、かつ該当する金属プラグから横方向にずれる。各MTJセルの帯状下部電極(bottom electrode:BE)は、「BE」の記号が付された矩形ボックスで表わされる。各単位セルのサイズは、各セル内の、MTJセル、金属プラグ、下部電極、ビット及びワードラインを含む種々の要素の空間配置、及び製造工程において使用されるテクノロジーノードによって決まる。所定のテクノロジーノードを生産ラインに用いる場合、各パターンのサイズは、生産ラインに用いられるテクノロジーノードの限界寸法Fに等しい、または限界寸法Fよりも大きく、そして2つの隣接するパターンは少なくとも限界寸法Fで分離される。従って、一つのMTJセル当たり一つのトランジスタが配設されるセル構造(1T/1MTJ)は、図2の例では、約30〜35F2の最小単位セル面積を有する。特に、図2の「オフプラグ」構造では、分離されるMTJセルと、他の隣接要素を有する金属プラグとの間隔を更に広げる必要があるので、各単位セルの最小寸法が大きくなる。
図3は、MTJセルの自由層の磁化容易軸及び磁化困難軸(easy axis:EA,hard axis:HA)のそれぞれに沿ったデータ書き込み磁界と、MTJセルの磁化反転を起こす領域と磁化反転を起こさない領域との関係を示している。磁化反転を起こす領域と磁化反転を起こさない領域との境界線は普通、自由層の磁化困難軸及び磁化容易軸の4つの象限において対称なアストロイド曲線となる。印加磁界がアストロイド曲線の外側に位置する場合、自由層は不安定であり、かつ自由層の磁化は、ワードライン及びビットラインを流れる電流によって2つの磁界が印加される結果として発生する磁界によって反転することができる。印加磁界がアストロイド曲線の内側に位置する場合、自由層の面内保磁力が支配的になり、そして自由層の磁化方向は、磁界によって変化することがない。磁化方向を磁化容易軸に沿って変化させるために必要な磁化閾値は、磁化困難軸の方向の磁界を自由層に印加することにより低くすることができる。ワードライン及びビットラインに流れる書き込み電流を制御することにより、磁化反転が、両方の電流がMTJセルを同時に流れ、かつ印加磁界H(EA)及びH(HA)の和がアストロイド曲線の外側に位置するときにしか起こらないようにする。
スイッチング磁界を利用する構成の種々のMRAM素子構造では、2つの直交導体ラインの内のビットラインのような一方の導体ラインを使用することにより、2方向のスイッチング磁界を供給してMTJセルの磁化を反転し、ワードラインのような他方の導体ラインを使用して一方向の一定の電流を、磁化反転を起こすために供給し、ワードライン及びビットラインからの2つの磁界の合成磁界が図3のアストロイド曲線の反転閾値を超えるようになる。ビットラインは、MTJメモリセルの長手方向軸または磁化容易軸に直交する方向に走るように設けることにより、磁界を磁化容易軸に沿って生成することができる。一方の導体ラインが細長いMTJセルの長軸に直交する構成のこのレイアウトでは、各単位セルに対応するCMOSレイアウト設計の平面積(footprint)が必要になるので、不必要に大きな面積が使用される。更に、上に議論したように、スイッチング磁界を利用する構成の多くのMTJ素子における「オフプラグ(off−plug)」構造によって、各単位セルの最小サイズが更に大きくなる。
図2に示すスイッチング磁界を利用する構成のMTJ素子では、ビットラインは、MTJセルの長手方向軸に直交する方向に走るように設け、そしてビットラインを使用して主磁界を生成することにより、自由層の磁化を反転させて書き込みを行なう。各パターンの寸法、または2つのパターンの間の間隔は、少なくとも、製造工程において使用されるテクノロジーノードの限界寸法Fとする必要がある。直交する両方のワードライン及びビットラインを書き込みを行なうために設け、そしてオフプラグ構造を各単位セルに使用することにより、単位セルサイズを下限値に設定することができる。各単位セルが1つのトランジスタと1つのMTJセルから成る(1T/1MTJ)構造では、単位セルの最小面積は、図2に示す例に関して、約30〜35F2と推定される。90nmテクノロジーノードの場合、例えば各単位セルは約2.4x105nm2〜2.8x105nm2の大きさである。この単位セルは非常に大きいので、大きいサイズ及び高いコストに起因してメモリチップの用途を制限してしまう。
スピントランスファーによる磁化反転を利用してビットの情報をセルに記録するMTJセルアレイを有するMTJ素子では、上述の2つの直交導体ラインを各MTJセルに設けてビットを書き込むという必要がない。単一の導体ラインをMTJセルに電気的に接続して、MTJセルのトンネル接合を流れる書き込み電流を供給することにより、自由層を、2つの直交導体ラインによって生成される外部磁界を用いることなく磁化反転させることができる。スピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転は、強磁性常伝導金属多重層のスピン依存電子輸送特性により生じる。スピン偏極電流が磁性多重層構造を、これらの層に直交する方向に流れると、強磁性層に流れ込む電子のスピン角運動量が、強磁性層と常伝導金属層との間の界面の近傍の強磁性層の磁気モーメントへと受け渡される相互作用が生じる。この相互作用を通して、電子群から、これらの電子の角運動量の一部が強磁性層へと移行する。その結果、スピン偏極電流によって強磁性層の磁化方向を、電流密度が或るMTJセルにおいて十分に大きい、例えば約106〜108A/cm2である場合に反転させることができる。
従って、MTJセルアレイにおいてスピントランスファーによる磁化反転を利用してビットの情報をセルに記録する構成のMTJ素子によって、スイッチング磁界を利用する構成の素子の各MTJセルにおける2つの直交導体ラインを無くし、かつ電流をMTJに流すための導電経路の一部としての下地金属プラグからMTJを空間的に分離する必要を無くすことができる。更に、磁化反転はMTJの外部磁界ではなくMTJを流れる書き込み電流によって起こるので、書き込み電流を供給する導体ラインの方向はいずれの向きとすることもでき、そしてMTJセルのサイズを、磁化反転動作に影響を与えることなく最小にするようにして選択することができる。スピントランスファーによる磁化反転を利用するMTJ素子の種々の例によって、スピントランスファーによる磁化反転を利用するMTJ素子のこれらの態様、及び他の態様を分析することができ、そしてオンプラグMTJ構造(on−plug MTJ design)を実現することができ、オンプラグMTJ構造では、各MTJセルを該当する金属プラグの上に配置して、各単位セルのサイズを最小にするので、セル密度が高くなる。オンプラグ構造によって単位セル構造が簡単になり、そしてオフプラグ構造を利用し、かつスイッチング磁界を利用する構成の種々のMTJ素子のMTJセルと金属プラグとの間の局部相互接続導体を無くすことができる。従って、各単位セルの最小サイズを所定のテクノロジーノードに関して小さくすることができるので、オフプラグ構造を利用し、かつスイッチング磁界を利用する構成の種々のMTJ素子において可能になる単位セル密度よりも高い単位セル密度を達成することができる。
スピントランスファーによる磁化反転を利用するこのようなオンプラグMTJ素子では、単一の導体ライン、例えばビットラインは、各MTJセルを磁化反転させるための書き込み電流を流すために十分であり、かつ設計者の希望に従って、MTJセルの長軸に対してどの方向にも走るように設けることができる。一の実施形態では、各セルに対応する単一のビットラインは、MTJセルの長軸に平行な方向に走るように設けることにより、オンプラグ構造における各単位セルのサイズを更に小さくすることができる。
図4は、単位セル群がアレイ状に配置される構成のオンプラグMTJ素子の一つのレイアウト例を示し、この場合、各単位セルのMTJセルは基板上の金属ビアプラグの真上に形成される。導電ビア、例えば金属ビアは基板の上に形成され、そして基板にほぼ直交して垂直に延びることにより、層間誘電体材料によって分離される2つの異なる金属層を電気的に接続する。金属プラグは導電ビアの上に形成され、そしてMTJセルは金属プラグの真上に、かつ金属プラグと電気的に直接コンタクトするように形成される。金属バッファ層は、MTJセルの下部と金属プラグの上部との間に形成することができる。この構造によって、各単位セルの金属プラグとMTJセルとの間隔を無くし、更にMTJセルを金属プラグに接続する相互接続導体を無くすことができる。金属ラインはMTJセルの上に、かつ一連のMTJセルとコンタクトするように、MTJセル群のビットラインとして形成されて、書き込み電流を各MTJセルに供給する。各単位セルに対応するゲート電極のような他の回路要素も示される。各MTJセルの横方向寸法は、この特定例における下地金属プラグの寸法よりも小さく示され、そして他の実施形態における下地金属プラグの寸法以下の寸法とすることができる。導電金属ビア及び層間誘電体(interlayer dielectric:ILD)層は、4層構造として一例として示され、この例では、第1金属層は、各MTJセル回路に対応するソース導体ライン(SL)及び他の導体となる。各金属プラグの上には、MTJセルが金属プラグと直接コンタクトするように形成される。次に、第2金属層をMTJ層の上に形成して、MTJアレイのビットラインとする。この例では、各ソース導体ラインは、ビットラインに直交するものとして示される。他の実施形態では、ソース導体ラインはビットラインに平行になるようにすることができる。
図5は、スピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用するオンプラグMTJセルを有する単位セル群がアレイ状に配置される構成の素子の一部分を示し、この場合、ビットラインは、MTJセルの長軸に平行に走るように設けることにより、単位セルの下方のCMOSレイアウトと良好に整合するようになり、そして単位セルサイズを小さくするように作用する。特に、各単位セルでは、金属プラグ及びMTJセルは、単に互いから横方向に分離されるというのではなく、重なり合うことにより各単位セルの平面積を小さくしている。この例では、単位セル領域上のビットラインは、材料及び処理を含むパラメータが最適化される場合には、オンプラグMTJセルに関して約12F2の面積になる。図2のオフプラグを用い、かつスイッチング磁界を利用する構成のMTJ構造における30〜35F2の単位セルサイズと比較すると、チップ空間を大幅に小さくすることができる。特に、各MTJセルの平面積は下地金属プラグの平面積よりも、特定の製造プロセスによる制約から或るマージンだけ、例えば図5に示す製造工程において使用されるテクノロジーノードの限界寸法Fの約2分の1だけ小さい。本出願の後の方の節において記載されるように、異なる製造プロセスを使用して、MTJセルと金属プラグとの間の平面積の大きさのこの差を無くして、金属プラグの平面積をMTJセルの平面積と等しくする、またはMTJセルの平面積よりも更に小さくすることにより、図5のオンプラグ構造の単位セル面積を8F2〜6F2に更に小さくすることができる。
図6では、ビットラインに対するMTJセルの2つの異なる相対的な向きを使用する単位セル群のレイアウトを比較しており、このレイアウトでは、オンプラグ構造を、スピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用する構成に使用する。MTJセルの長軸がビットラインに沿って向いている場合、単位セルサイズは、MTJセルの長軸がビットラインと直交する別の構造と比較すると小さくなる。
オンプラグMTJ構造を利用する上述のMTJ素子及び他のMTJ素子を形成するに当たって、一つの技術的問題は、ほぼ平坦な表面を、異なる材料が平坦表面に平行に互いに対して亀裂が入った状態の領域の上に形成することである。このような状況の一例が、金属プラグのような少なくとも一つの埋め込み金属領域を有する層間誘電体(ILD)層を覆う平坦表面である。このような平坦表面の形成工程では、ILD層及び埋め込み金属プラグがまず形成される。次に、ILD層及び埋め込み金属プラグを、化学的機械研磨(CMP)のような研磨処理によって同時に研磨して、平坦表面を形成する。次に、各研磨済み金属プラグの上に、MTJを形成する。
種々の形成プロセスを使用して、本出願において記載されるオンプラグMTJ素子を形成することができる。図7は、該当する金属プラグの上に位置するMTJセルを形成する形成プロセスの一例を示している。基板をまず処理して、トランジスタ用のCMOS領域及びMTJ素子用の他のCMOS回路要素を形成する。次に、金属ビア構造、ソース導体ライン(SL)を形成するためにパターニングされた第1金属層(M1)、ワードライン、及び他の導電構造、更には第1金属層の上方の更に別の金属ビア構造を形成する。次に、最上位ILD層をパターニングして、最上位ILD層に埋め込まれる金属プラグを設ける。次に、最上位ILD層及び金属プラグを、例えば化学的機械研磨(CMP)によって平坦化して、金属プラグを露出させる平坦表面を形成する。平坦化した表面の上に、導電性バッファ層を堆積させて、金属プラグの露出上面及び最上位ILD層の上面を含む平坦表面を被覆する。MTJ層を導電性バッファ層の上に形成する。MTJ層及びバッファ層をパターニングして個々のMTJセルを形成した後、第3金属層を形成し、そしてパターニングしてビットラインを形成する。MTJの下の導電性バッファ層は、タングステン、NiFeCr,Cr,TiW,TiN,Cuなどを含む種々の材料により形成することができる。導電性バッファ層の膜厚は100オングストローム〜5000オングストロームとすることができる。導電性バッファ層の研磨は、微小なスラリー粒子を使用し、標準的なCMP処理よりも低いラッピング速度で、かつ低い材料除去速度で行なうことができる。
上述のプロセスでは、金属プラグ及びILD層を同時に同じCMP処理で平坦化する。しかしながら、金属プラグの金属材料、及びILD材料の誘電体材料は異なるので、金属プラグ及びILD材料が除去される量は異なる。この差によって、金属プラグとILD材料との間の境界に隙間が発生するので、各境界で平坦にならない上部表面が形成される。図8は、隙間が金属プラグとILD材料との間の境界に形成された状態の平坦化表面を示している。
金属プラグの境界におけるこのような隙間が、オンプラグMTJセルを金属プラグの上に形成するために問題となり得る。図7の形成プロセスでは、研磨された金属プラグ及びILD層の上に形成される導電性バッファ層は、研磨された金属プラグ及びILD層の上面の表面形状に忠実に沿った形状になるので、研磨された金属プラグ及びILD層の下地境界の隙間を覆うバンプを形成することができる。MTJ層が導電性バッファ層の上に形成される場合、MTJ層は平坦ではなく、導電性バッファ層に設けられるバンプの形状に忠実に沿って形成される。
MTJは、複数の接合層の厚さの横方向の空間的なバラツキが、これらの層に沿って生じると必ず影響を受け、そしてTMR、層間結合磁界、及びMTJ破壊電圧のようなMTJセルの特性及び性能がこのような横方向の空間的なバラツキによって大幅に劣化する。このような理由により、オンプラグMTJを極めて平坦な表面に位置させ、そしてMTJを金属プラグとILD材料との間の境界から離れるように配置して、MTJセルに対する境界の下地隙間の影響が、MTJ膜の性能に大きく影響することがないようにすることが望ましい。
MTJ層が形成される表面は、表面平坦性及び表面平滑性によって特徴付けることができる。オンプラグMTJ構造の或る実施形態では、各金属プラグの上面は、表面平滑性に関する或る閾値を満たす必要がある。例えば、各金属プラグの上面は、或る素子構造では、表面粗さの二乗平均平方根(RMS)を3オングストローム未満にする必要がある。更に、平滑性に対する要求とは別に、各金属プラグの上面は、表面平坦性に関する或る閾値を満たす必要がある。例えば、上面は、最小のディッシング(凹凸形状)または最小の反りが200オングストローム未満、好適には100オングストローム未満となるように形成する必要がある。図7に示すプロセスでは、このプロセスが正常に行なわれない場合には、隙間が金属プラグとILD材料との間に形成される可能性があり、この隙間によって、不所望の形状バラツキがMTJ層に生じ、そしてTMR(トンネル磁気抵抗素子)における素子動作不良、抵抗短絡、及び信頼性上の問題のように、素子性能が許容できなくなる。
従って、図7の形成プロセスを実施するに当たって、金属プラグの横方向寸法または平面積を意図的にMTJセルよりも大きくなるように設計して、各最終MTJセルが各単位セルの該当する下地金属プラグの中心の近傍に位置し、かつILD層材料との金属プラグの境界から十分に離れるようにすることができる。図7の形成プロセスの設計ルールは、サイズばらつき、及びフォトリソグラフィ工程における重ね合わせ誤差を吸収して、各オンプラグMTJと、下地金属プラグのエッジとの間隔マージンが確実に十分に大きくなるように作成することができる。設計における境界に関する条件によれば、MTJセルサイズは、周りのILD材料と境界を接する金属プラグの境界線の内側に収まるように設定されて、MTJが隙間の上に、または隙間に十分近い位置に形成される現象を回避するようにしている。図4のオンプラグMTJは、大きい金属プラグ及び小さいMTJを使用して図7の形成プロセスにおける隙間の問題を軽減する例である。
これまでの記述内容を確認するために、オンプラグMTJ素子を形成する別の形成プロセスについて以下に説明するが、このプロセスでは、MTJセル、または形状の影響を受け易い他の構造が平坦化表面の上に形成される構成の平坦化表面を形成するために2つの異なる材料を平坦化するという処理を回避する。この別の形成プロセスによって、図7のプロセスにおいて発生する隙間の原因をほぼ無くすことができるので、平滑な表面を、隙間を生じることなく形成して、MTJを形成することができる。従って、金属プラグの横方向寸法を図7のプロセスにおけるMTJセルよりも大きくする必要はなく、更にコンパクトな単位セルを形成することができる。
この別のプロセスの一の実施形態では、金属配線プロセスを施して、ILD層に埋め込まれる金属プラグと、そして埋め込み金属プラグに一体的に接続される金属層と、をILD層の上に設けて、金属プラグ及びILD層の両方を被覆する。次に、金属層を、例えばCMPにより薄膜化して、薄い研磨済みの薄い金属層をILD層及び下地の接続先金属プラグの上に形成する。この薄膜化プロセスは、ILD層を露出させることなく施して、同じ金属材料がCMP処理中にラッピングされるようにする。その結果、金属プラグ及びILD材料の上の研磨済みの薄い金属層は平滑であり、かつ当該金属層には、金属及びILD材料を同時に研磨することにより生じる隙間は全く発生しない。次に、MTJ層を、研磨済みの薄い金属層の全体の上に堆積させる。次に、ILD及び金属プラグの上のMTJ層及び下地金属層をパターニングして、金属プラグの真上にそれぞれ位置する個別のMTJセルを形成する。ビットライン及び他の構造も形成される。
図9は、ILD層、及びILD層に埋め込まれる金属プラグの上の金属層の一部分をCMP研磨除去する上述の別の形成プロセスの一例を示している。この形成プロセスによって、MTJセルが金属プラグの上に形成される構成の表面を形成するために2つの異なる材料、すなわち金属プラグ、及び当該プラグを取り囲むILD材料に対する研磨処理を無くすことができる。従って、隙間は、プロセスにおいて金属プラグとILD材料との間の境界には形成されない。その結果、このプロセスによって設計ルールの作成が容易になり、かつレイアウトにおける金属プラグのサイズを小さくすることができる。実際、各金属プラグの横方向寸法は、各MTJと等しくする、または各MTJよりも小さくすることができるので、MTJセルサイズを図7の形成プロセスの場合よりも更に小さくすることができる。
図10は、図9の形成プロセスを利用するオンプラグMTJセルアレイの一例を示し、この場合、ビットラインはMTJセルの長軸に平行に走るように設けられる。MTJセル構造は図5のMTJセル構造と同じである。しかしながら、新規の設計ルールが図9のプロセスの下で適用されることにより、各セルに使用される面積が小さくなる。図5の単位セルの面積は約12F2であるが、図10の単位セル構造の面積は更に小さくなって約6F2となり、2分の1だけ小さくなる。
図11は、メモリセルアレイ1110を有し、かつ磁性体をスピン偏極した電流によって磁化するスピン注入磁化反転MRAM素子1100の一例を示し、この場合、各単位セル1110のMTJセル1101は絶縁/書き込みトランジスタ1120及びビットライン1130に接続される。この構成によって、図2に示すスイッチング磁界を利用する構成のMTJ素子におけるような、ビットライン1130に直交し、かつビットライン1130と連携動作してスイッチング磁界を生成する書き込みワードラインを無くすことができる。スピントランスファーによる磁化反転は、ビットライン1130によって供給され、かつトランジスタ1120によって制御され、更にMTJセル1101の磁性層を通過するDC電流がスピン偏極し、そしてスピン偏極電流が作るスピン注入トルクがMTJセル1101の自由層の磁化に回転力を与えるときに起こる。スピンの持つ十分に大きいトルクを自由層に与えると、自由層の磁化を2つの反対方向の間で切り替えることができるので、MTJセル1101を、DC電流の向きによって変わる平行状態と反平行状態との間で切り替えることができる。絶縁/書き込みトランジスタ1120は、MTJセル1101を通過して流れるDC電流の方向及び大きさを制御する。この制御は、トランジスタ1120のゲート、ソース、及びドレインに現われる相対的な電圧を用いて行なうことができる。MTJセル1101は、本出願において記載されるオンプラグセル構造を含む種々の構成で実現することができる。動作状態では、トランジスタ1120は書き込み電流及び読み出し電流の両方を供給し、書き込み電流でデータを、MTJセル1101の自由層の磁化状態を変化させることにより書き込み、そして読み出し電流でデータを、MTJセル1101の自由層の磁化状態を変化させることなく読み出す。トランジスタ1120はCMOSトランジスタとすることができ、CMOSトランジスタの拡散領域及びゲートチャネルは基板に形成され、この基板の上にMTJセルが形成される。この回路構造は、本出願において記載されるスピントランスファートルク効果を利用するオンプラグMTJ素子に使用することができる。一例として、図11の回路構造を実現するために、図9のMTJセルの下に形成される金属ビア及び金属プラグを使用して、トランジスタ1120をMTJ1101に電気的に接続することができる。幾つかの例及び実施形態についてのみ記載されている。この技術分野の当業者であれば、変更、変形、及び機能向上を記載の例に加え得ることが容易に理解できるであろう。
Claims (20)
- 基板と、
基板の上に形成され、かつ基板にほぼ直交するように垂直方向に延びる導電ビアと、
導電ビアの上に形成される金属プラグと、
金属プラグを埋め込み、かつ金属プラグの上面を露出させる誘電体材料と、
金属プラグの上面に形成される磁気トンネル接合(MTJ)セルと、
を備える素子。 - 更に、金属バッファ層をMTJセルと金属プラグの上面との間に備える、請求項1記載の素子。
- MTJセルは細長く、そして素子は更に:
基板の上に形成され、かつMTJセルと空間的に重なる部分を有するように位置する導体ラインを備え、導体ラインは、MTJセルを流れ、かつ金属プラグ及び導電ビアを通過する電流を供給するように電気的に接続される、請求項1記載の素子。 - 導体ラインの内、MTJセルと空間的に重なる部分は、MTJセルの細長い方向に平行である、請求項3記載の素子。
- MTJセルは、金属プラグの平面積よりも小さい平面積を有し、そして金属プラグの上面の中心の近傍に位置し、更に金属プラグのエッジから離れて位置する、請求項1記載の素子。
- MTJセルは、金属プラグの平面積よりも大きい平面積を有する、請求項1記載の素子。
- MTJセルは、金属プラグの平面積とほぼ等しい平面積を有する、請求項1記載の素子。
- 更に:
基板の上に形成され、かつMTJセルを流れ、そして金属プラグ及び導電ビアを通過する電流を供給するようにMTJセルに電気的に接続される導体ラインを備える、請求項1記載の素子。 - 更に:
導体ラインからMTJセルに流れる電流を制御して、MTJセルの強磁性自由層の磁化方向を、スピントランスファートルク効果を利用して変化させる制御回路を備える、請求項8記載の素子。 - MTJセルは:
第1方向と、第1方向とはほぼ反対の第2方向との間で変化することができる磁化方向を有する強磁性自由層と、
第1方向にほぼ沿って固定される磁化方向を有する強磁性固定層と、
強磁性自由層と強磁性固定層との間に形成される絶縁バリア層と、を含み、絶縁バリア層によって、電子が強磁性自由層と強磁性固定層との間でトンネリングを起こすようになる、請求項1記載の素子。 - 基板と、
基板の上に形成され、かつ第1方向と、第1方向とはほぼ反対の第2方向との間で変化することができる磁化方向を有する強磁性自由層と、第1方向にほぼ沿って固定される磁化方向を有する強磁性固定層と、そして強磁性自由層と強磁性固定層との間に形成されて、強磁性自由層と強磁性固定層との間での電子のトンネリングを可能にする絶縁バリア層と、を含む磁気トンネル接合(MTJ)セルであって、磁気トンネル接合セルが第1方向に沿って細長く形成される構成の磁気トンネル接合(MTJ)セルと、
基板の上に形成され、かつMTJセルと空間的に重なる部分を有するように位置する導体ラインであって、前記部分がMTJセルの第1方向に平行であり、かつMTJセルを流れる電流を供給するように電気的に接続される構成の導体ラインと、
導体ラインからMTJセルに流れる電流を制御して、MTJセルの強磁性自由層の磁化方向を、スピントランスファートルク効果を利用して変化させる制御回路と、
を備える素子。 - 更に:
基板の上に形成され、かつ基板にほぼ直交するように垂直方向に延びる導電ビアと、
導電ビアの上に形成される金属プラグと、
金属プラグを埋め込み、かつ金属プラグの上面を露出させる誘電体材料と、
金属プラグの上面に形成される磁気トンネル接合(MTJ)セルと、を備え、
MTJセルは金属プラグの上面に形成される、
請求項11記載の素子。 - 更に、基板の上に形成される金属プラグを備え、MTJセルは金属プラグの上に形成され、かつ金属プラグに接続される、請求項11記載の素子。
- 金属プラグはMTJセルの平面積よりも小さい平面積を有する、請求項13記載の素子。
- 誘電体層を基板の上に形成し、
次に、連続する金属構造を、誘電体層に埋め込まれる少なくとも一つの金属プラグと、そして誘電体層の上面に位置し、かつ上面を覆う金属層と、を含むように形成し、
連続する金属構造の金属層を部分的に除去して、金属層の残留部分を誘電体層の上面に位置し、かつ上面を覆うように、誘電体層を露出させることなく残し、
磁気トンネル接合(MTJ)層を残留金属層の上に形成し、そして
MTJ層をパターニングして、少なくとも一つのMTJセルを残留金属層の上に形成する、
方法。 - MTJセルは金属プラグの真上に位置し、そして残留金属層を、MTJセルの平面積に一致するようにパターニングする、請求項15記載の方法。
方法。 - 更に:
MTJ層及び残留金属層のパターニングを制御して、MTJセル、及びMTJセル下の残留金属層の平面積が、金属プラグの平面積よりも小さくなるようにする、請求項16記載の方法。 - 更に、連続する金属構造の金属層を部分的に除去する処理を制御して、表面の反りの二乗平均平方根(RMS)値を200オングストローム未満に、かつ表面粗さの二乗平均平方根値を3オングストローム未満に維持する、請求項15記載の方法。
- 誘電体層を基板の上に形成し、
次に、誘電体層に埋め込まれる少なくとも一つの金属プラグを形成し、
誘電体層、及び誘電体層に埋め込まれる金属プラグを研磨して、金属プラグの上面を露出させる研磨済み表面を形成し、
導電性バッファ層を研磨済み表面に形成して、誘電体層及び金属プラグを被覆し、
磁気トンネル接合(MTJ)層を導電性バッファ層の上に形成し、
MTJ層をパターニングして、少なくとも一つのMTJセルを導電性バッファ層の上に、かつ金属プラグの上に形成する、
方法。 - 更に:
MTJセルのパターニングを制御して、MTJセルの平面積が、金属プラグの平面積よりも小さくなるようにし、そしてMTJセルを金属プラグの上面の中心の近傍に、かつ金属プラグのエッジから離れるように配置する、請求項19記載の方法。
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