JP2009530801A - 回路基板の製造方法とコンポーネントを有する回路基板 - Google Patents

回路基板の製造方法とコンポーネントを有する回路基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2009530801A
JP2009530801A JP2008558841A JP2008558841A JP2009530801A JP 2009530801 A JP2009530801 A JP 2009530801A JP 2008558841 A JP2008558841 A JP 2008558841A JP 2008558841 A JP2008558841 A JP 2008558841A JP 2009530801 A JP2009530801 A JP 2009530801A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
manufacturing
component
conductor pattern
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008558841A
Other languages
English (en)
Inventor
トゥオミネン リスト
パーム ペッテリ
イイホラ アンティ
Original Assignee
インベラ エレクトロニクス オサケユキチュア
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by インベラ エレクトロニクス オサケユキチュア filed Critical インベラ エレクトロニクス オサケユキチュア
Publication of JP2009530801A publication Critical patent/JP2009530801A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M53/00—Fuel-injection apparatus characterised by having heating, cooling or thermally-insulating means
    • F02M53/02—Fuel-injection apparatus characterised by having heating, cooling or thermally-insulating means with fuel-heating means, e.g. for vaporising
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M53/00—Fuel-injection apparatus characterised by having heating, cooling or thermally-insulating means
    • F02M53/04—Injectors with heating, cooling, or thermally-insulating means
    • F02M53/06—Injectors with heating, cooling, or thermally-insulating means with fuel-heating means, e.g. for vaporising
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M55/00—Fuel-injection apparatus characterised by their fuel conduits or their venting means; Arrangements of conduits between fuel tank and pump F02M37/00
    • F02M55/02—Conduits between injection pumps and injectors, e.g. conduits between pump and common-rail or conduits between common-rail and injectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M55/00—Fuel-injection apparatus characterised by their fuel conduits or their venting means; Arrangements of conduits between fuel tank and pump F02M37/00
    • F02M55/02—Conduits between injection pumps and injectors, e.g. conduits between pump and common-rail or conduits between common-rail and injectors
    • F02M55/025—Common rails
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M69/00—Low-pressure fuel-injection apparatus ; Apparatus with both continuous and intermittent injection; Apparatus injecting different types of fuel
    • F02M69/46—Details, component parts or accessories not provided for in, or of interest apart from, the apparatus covered by groups F02M69/02 - F02M69/44
    • F02M69/462—Arrangement of fuel conduits, e.g. with valves for maintaining pressure in the pipes after the engine being shut-down
    • F02M69/465—Arrangement of fuel conduits, e.g. with valves for maintaining pressure in the pipes after the engine being shut-down of fuel rails
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/0156—Temporary polymeric carrier or foil, e.g. for processing or transferring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1461—Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors
    • H05K2203/1469—Circuit made after mounting or encapsulation of the components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

コンポーネントを有する回路基板の製造方法とコンポーネントを含む回路基板を提供する。本発明は、回路基板の絶縁体層と絶縁体層の内部に配置されるコンポーネントとを含む中間製品の第1製造に基づいている。このようにして、コンポーネント接触端子が中間製品の表面に面する。この後、中間製品を回路基板製造ラインへ移送する。そこで、適切な数の導電体パターン層と必要な絶縁体層を中間製品の片面もしくは両面に製造する。このようにして、第1の導電体パターン層を製造したときに、コンポーネントの接触素子による電気端子が形成される。

Description

本発明はコンポーネント回路基板の製造方法、及びコンポーネントを有する回路基板に関する。
例えば、多層回路基板やその他類似の電子モジュールを製造する場合に、コンポーネントを有する層を製造する。本発明は、特に電子モジュールの中に製造された導電体構造を用いるために外部若しくはお互いの回路と電気的に接続される１つ以上のコンポーネントを有する層の製造方法に関する。
米国特許出願2005/0001331号公報では、ある回路基板構造が開示されている。この回路基板構造では、初めに絶縁体層と導電体を備えた回路基板が製造され、その後、フリップチップ接続方法を用いて、半導体コンポーネントが回路基板の表面の導電体パターンに接続される。この接続は、半導体コンポーネントの表面における接触バンプの活用によって成される。米国公報におけるこの方法では、コンポーネントの接続の後、パターン加工された導電体層が回路基板の上部に積層され、その結果、導電体パターン層が表面に積層される。
米国特許6,038,133号公報及び米国特許6,489,685号公報と米国特許出願2002/0117743号公報では、導電体パターンが取り外し可能な膜の表面に形成され、フリップチップ接続方法を用いて半導体コンポーネントを導電体パターンに接続する。この後、このコンポーネントを絶縁体層によって包囲して、取り外し可能な膜を取り除く。
上述の米国特許6,038,133号公報と米国特許出願2002/0117743号広報は、ある方法も開示している。その方法では、フリップチップ方法をコンポーネントに用いて、コンポーネントが導電パターンではなく、統合された導電体膜に接続される。プロセスの後のステージにて、この導電体膜から導電体パターンが形成される。類似の方法が、例えば、米国特許5,042,145号公報，WO 2004/077902，WO 2004/077903，WO 2005/020651によって開示されている。
上で言及した方法の類型に加え、コンポーネントを有する回路基板構造を製造する手段である、その他多くの方法が知られている。WO 2004/089048に開示されているように、例えば、初めにコンポーネントを絶縁体層の内部に配置するとともに、その後に導電体層へ電気的に接続する。WO 2004/089048の方法では、コンポーネントが導電体層の表面の上に取り付けられ、その後、導電体層の表面の上に形成され若しくは取り付けられた絶縁体にコンポーネントが接着される。コンポーネントを接着後にビア孔を形成することにより、これを介してコンポーネントと導電体層との電気的接触が形成される。この後、コンポーネントが接着される表面の上に導電体層から導電体パターンが形成される。当該公報によって記載される方法を用いて、埋め込まれてパッケージングされていないコンポーネントを有する機械的に丈夫な電子モジュールを製造することが可能である。この方法の利点は、コンポーネントへの接点が金属成長によって作ることができるという点である。これによって、接点の電子特性が優れている。
しかし、WO 2004/089048にて開示された方法は、従来の回路基板製造プロセスとは異なり、大量生産へ導入するには、多くの場合に、新しい製造ラインを構築することを必要とするか、あるいは少なくとも従来の製造ラインへの変更を必要とする。
本発明は、WO 2004/089048にて開示された方法を改善することを意図し、従来の回路基板製造プロセスにより簡単に継続して開発することができるようにする。
本発明は、第１に中間製品の製造に基づく。この中間製品は、回路基板の絶縁体層とコンポーネントを含む。そして、このコンポーネントは、絶縁体層の内部に配置して取り付けられる。このようにして、コンポーネントの接触素子は中間製品の表面上（あるいは中間製品の少なくとも近傍に）露出する。この後、中間製品は、回路基板製造ラインに移送される。この製造ラインでは、適切な数の導電体パターン層と必要な絶縁体層が、中間製品の片面もしくは両面に作成される。このようにして、第１の導電体パターン層の製造にて、導電体が、コンポーネントの接触素子による電気接点を形成する。
同時に、本発明に従えば、WO 2004/089048にて記載された製品の製造に置き換わる方法も創作される。
より詳しくは、本発明に従えば、中間製品を製造するための第１の方法は、請求項１の特定部に記載される事項によって特徴付けられる。
本発明に従えば、中間製品を製造するための第２の方法は、請求項２の特定部に記載される事項によって特徴付けられる。
本発明に従えば、中間製品から回路基板を製造する方法は、請求項７によって規定される。そして、分離された中間製品を全く用いない方法が、請求項８によって規定される。
さらに、請求項１０は、配送パッケージの中の中間製品を規定する。
本発明を用いることによって、考慮に値する利益が得られる。
本発明の活用によって、WO 2004/089048にて開示された方法を、従来の回路基板の製造プロセスに接続して、より簡単に活用することが出来る。
本発明の活用によって、WO 2004/089048にて記載された製品を製造するための代替方法も提示される。
以下、実施例と添付した図面を参照しながら、本発明を検討する。
本実施例に従う方法では、支持膜１２から製造を開始し（図１）、この支持膜１２は例えば裸の金属層としてよい。支持膜１２のための１つの好ましい製造材料は銅（Ｃｕ）である。例えば、支持膜１２はまた、アルミニウム（Ａｌ）、鉄、あるいは、高分子化合物のような導電体としてもよい。支持膜１２はコーティングされた金属膜であること、いくつかの材料若しくは層を含むそれ以外の層でもあってもよい。
絶縁体層１（図示せず）である第１の面の支持膜１２から製造を始めることも可能である。この場合、第１の表面は、コンポーネント（これは絶縁体層1に埋め込まれる）が付けられる側の表面である。そして、コンポーネントを埋め込むための穴または窪みを、絶縁体層1に作成する。絶縁体層１と支持膜１２とがお互いに取り付けられる前、または、取り付けられた後に、窪みを作成しもよい。いくつかの機械的方法が回路基板産業では知られている。例えば、圧搾あるいはレーザ穿孔は、窪みを作るために用いられる。支持膜１２の中に配列した開口あるいはその他の配列したマーキングを作るためにも類似の方法が用いられる。
図に示された実施例では、コンポーネント６は接着剤の補助を用いて支持膜１２の表面に取り付ける。接着するために、支持膜１２の接着面の上あるいはコンポーネントの接着面またはその両方の接着面に接着剤５の層を薄く伸ばす。この後、コンポーネント６を例えば、配列したマーキングの補助によってコンポーネント６のために所定の位置に配列する。
別の実施例では、接着剤を必要とせず、それ自身が十分に接着性を有する支持膜１２を用いる。この場合、コンポーネント６を支持膜１２に対して直接に圧着する。このようにして、接着剤を用いる実施例での接続で説明したものに類似の方法で、十分に正しい位置にコンポーネントを接着することができる。支持膜１２は、例えば粘着テープのような表面、あるいは高分子化合物の成分、あるいは少なくとも表面の一部が可塑性をもつ類似の材料とすることができる。
接着剤５あるいは接着性の利用が必要ではない実装がこの方法で可能である。この場合、例えば、真空を用いてコンポーネント６を正しい位置に接着する。絶縁体層１にコンポーネント６が十分に接着するまで、真空若しくは類似の一時的接着を維持することができる。さらにもう１つの実施例は、適切な機械的接着を活用してコンポーネント６を接続することである。
真空を用いた１つの実施例は真空テーブルである。この真空テーブルの表面は支持膜１２として、あるいは実際に支持膜１２に置き換わる支持表面としても作用する。この場合、支持表面（即ち真空テーブル）にコンポーネント６を、真空を用いて取り付ける。そして、コンポーネント６周辺のテーブル表面上に絶縁体を作成する。この後、絶縁体層１とコンポーネント６とで形成される中間製品が真空テーブルの表面から離昇させる。言い換えると、支持表面が取り除かれ、即ち、支持表面に向かって面している接触素子７が引き剥がされる。支持表面を用いるとき、例えば射出成形によって、絶縁体を作ることもできる。
取り付けるコンポーネント６としては、例えば、メモリーチップ、プロセッサ、エーシック（ＡＳＩＣ）のような集積回路とすることができる。あるいは、取り付けるコンポーネントは、例えば、ＭＥＭＳ、ＬＥＤ、あるいは受動素子でもよい。取り付けるコンポーネントはパッケージ化されることもパッケージ化されないこともあり得る。接触素子７は接触領域、接触バンプ、あるいはその類似物で構成される。コンポーネントの接触領域の表面上で、接触バンプよりも薄い導電被膜が存在してもよい。したがって、コンポーネントの接触素子７の外側表面（これを本明細書では接触素子の自由接触表面と称する）は、コンポーネントの外側表面の高さ、コンポーネントの表面における窪みの底、あるいはコンポーネントの表面から突出した表面であり得る。明快さのために、接続エレメント７が有する第１の表面についてさらに説明する。第１の表面はコンポーネントの半導体若しくは内部導電体に（自由接触表面と称し、反対に位置する接触表面と同様に）電気的接触する。そして、第１の表面はコンポーネントの内部電気機能が共同で作動するように外部電気回路と繋ぐことを目的とする。
ここで云う、コンポーネント６の取り付け面とは、支持膜１２に面するコンポーネント６の表面のことを云う。コンポーネント６の取り付け面は接触素子７を備え、この手段によりコンポーネントへの電気的端子が作り出される。例えば、接触素子は、コンポーネント６の表面の平坦領域、接触領域、あるいはより一般にコンポーネント６の表面から突き出た接触バンプのような接触突起とすることができる。一般に、コンポーネント６には少なくとも２つの接触素子が存在する。複雑な超小型回路では、非常に多くの接触素子が存在し得る。コンポーネント６は、取り付け面以外にも、例えば取り付け面の反対の面（後ろ面）、あるいはこれらの間の側面にも接触素子を備えることができる。
一般的に、支持膜１２とコンポーネント６との間の残された空間を接着剤が完全に満たすように取り付け面上に接着剤を十分に塗り広げることが好ましい。そして、均一化された接着剤層は、取り付け面の方向にあるコンポーネントを保護することになる。
ここで云う接着剤とは、コンポーネントを支持膜へ取り付けることができる材料を云う。接着剤の１つ目の性質として、液体形状あるいは表面の形状に適合する形状（例えば膜の形状）で支持膜及び／若しくはコンポーネントの表面に接着剤が塗り広げられるということがある。接着剤の２つ目の性質として、塗り広げられた後に、接着剤は硬化し、あるいは少なくとも部分的に硬化することがある。このようにして、コンポーネントがある他の方法で構造に取り付けられるのと少なくとも同じくらい長い間、（支持膜との相対的関係で）正しい位置に、接着剤によってコンポーネントを固定することが可能である。接着剤の３つ目の性質として、接着力があげられる。即ち、糊付けられている表面を接着することができる。
ここで云う糊付けとは、接着剤を活用してコンポーネントと支持膜とをお互いに取り付けることを云う。つまり、糊付けにおいて、接着剤はコンポーネントと支持膜との間での橋渡しを行い、そして、支持膜との相対的に適切な位置にコンポーネントが配置される。このとき、接着剤はコンポーネントと支持膜とに接触し、少なくとも部分的にコンポーネントと支持膜との間を満たす。この後、接着剤は（その少なくとも部分的に）硬化し、あるいは、接着剤は（その少なくとも部分的に）アクティブに硬化し、接着剤を用いてコンポーネントが支持膜に取り付けられるようになる。いくつかの実施例では、コンポーネントの接触素子は、支持層と接触するよう糊付けされる接着材層間を貫通して（または部分的に支持層の中へ押し進んで）もよい。
実施例で用いる接着剤は、例えば、充填剤入りのあるいは無充填剤の熱硬化性エポキシ樹脂である。接着剤は、支持層とコンポーネントとを十分に接着することができるように選定される。１つの好ましい接着剤の特性は、適切な熱膨張係数であり、接着剤の熱膨張係数はプロセスを通じて取り囲まれる材料の熱膨張係数から大きくかけ離れないようにする。選択する接着剤は短い硬化時間を有することが好ましく、多くとも数秒であることが望ましい。接着剤が正しい位置にコンポーネントを固定することができるように、この時間内に接着剤は少なくとも部分的に硬化させる。最終的な硬化はより長く時間を取れることは明らかであり、実際、最終的な硬化は後のプロセスステージと関連して実行するように計画することもできる。接着剤は、例えば、１００−２６５℃の数回にわたる加熱などの温度にも耐えられるようにする。同様に、例えば、化学的あるいは機械的なストレスなどの製造工程のストレスにも耐えられるべきである。接着剤の電気伝導度は、絶縁体の電気伝導度と同じオーダーであることが好ましい。
好ましい絶縁層１は、例えば集積回路などの電子モジュールの基材として選択する。絶縁層１は、適切な高分子化合物あるいは高分子化合物を含有する材料から製造することができる。絶縁体層１の製造材料は、例えば、液体でありあるいは（プレプレグのような）硬化する以前の形態であり得る。例えば、ＦＲ４若しくはＦＲ５タイプのシートのようなガラス繊維強化エポキシ樹脂シートが、絶縁体層１の製造に用いることができる。絶縁体層１の製造に用いることができる材料のその他の例はＰＩ（ポリイミド）、アラミド、ポリテトラフルオロエチレン、テフロン（登録商標）などがある。熱硬化性プラスチックの代わりに、或いはこれに加えて、例えば適切なＬＣＰ（液晶ポリマー）材料などの熱可塑性物質を絶縁体層1の製造に利用することもできる。
支持膜１２に貼り付けられたコンポーネント６の大きさと共通の場所とにしたがって選択される窪み若しくはビア孔（図２）は、適切な方法を用いて絶縁体層１の中に作られる。支持膜１２との相対的な絶縁体層１の配列がさほど重要ではない場合、窪み若しくはビア孔はコンポーネント６よりも少しだけ大きくなるように製造されることもできる。このプロセスがコンポーネント６のためにビア孔が作られている絶縁体層１を用いる場合、穴が作られない分離された絶縁体層１（図２における最上層）の追加によって所定の利点が達成される。そのような絶縁材層１は穴を開けられた絶縁体層の上に位置し、コンポーネントのために製造されたビア孔を覆うことができる。
この後、１つの絶縁体層１を用いた絶縁体層１を用いた実施例といくつかの絶縁体層１を用いた実施例とのいずれにおいても、本質的に均一な絶縁体層１が形成された場合、絶縁体が硬化する。同時に、支持膜１２に対応する膜を絶縁体層１の異なる表面の上にも積層することが可能である。その場合、機械的なストレスの観点からは均衡の取れた中間製品が得られるだろう。
当該方法のこのステージにおいて、中間製品が得られ、従来からの回路基板層の成長のための別の製造ラインへ移送する。中間製品は、回路基板製造の続きのために別々の工場に配送される配送パッケージの中に詰め込むことができる。このような配送パッケージ１１（図１１Ｃ）は、一般的にプラスチック及び／若しくは紙製品及び／若しくは箱を含む包装材の中にひとまとめにした中間製品としてのいくつかの基板を備える。このようにして、中間製品は損傷なく要望の距離を移動することができる。この移送距離は、例えば、同じ工業地域内の別の工場、あるいは、ある国若しくは大陸から別の国若しくは大陸でさえあり得る。
中間製品の重要な性質は、コンポーネント６が少なくとも本質的に絶縁体の内部に存在することである。コンポーネント６が絶縁体の中に少なくとも本質的に入っている入れ物の２つの重要な例は以下のとおりである。
コンポーネント６が全体的に絶縁体の中に入っている。この場合、コンポーネント６の取り付け面、後面、及び側面に絶縁体が存在する。
コンポーネント６が絶縁体によって取り囲まれている。この場合、コンポーネント６の側面に絶縁体が存在する。しかし、コンポーネントの取り付け面には、本質的な絶縁体がない。また、コンポーネントの後面は、一般的に絶縁体で覆われている。しかし、コンポーネントの後面が絶縁体から実質的に離れていることも可能である。
中間製品のもう１つの重要な性質は、コンポーネント６の自由接触表面が中間製品の外面の高さに本質的に近いという事実である。もし、中間製品が、簡単取り除けるあるいは取り除くことを意図した保護膜（例えば、支持膜１２）を備えるならば、少なくとも保護膜が取り除かれたあとに、コンポーネント６の自由接触表面が、中間製品の外面の高さに本質的に近くにすべきである。この関連において、本質的に近いとは、自由接触表面の高さが中間製品の外面の高さから、最大で４０マイクロメートル異なることを意味し、好ましくは最大で２０マイクロメートル異なることを意味する。より要求の厳しいアプリケーションでは、このインデントが、接触表面の高さが中間製品の外面の高さから最大５マイクロメートルとなる。この誤差の方向は、中間製品の表面から外側若しくは内側であり得る。即ち、好ましい実施例では、自由接触表面の高さは、中間製品の表面の高さから、＋５〜−５マイクロメートルの間である。
コンポーネント、あるいは少なくとも自由接触表面が中間製品の表面の高さに近い場合、もし必要ならば、接触表面は適切な方法を用いて容易にクリーニングすることができる。これは、優れた電気接触を作るための迅速さを作り出します。クリーニングという用語は、可能な絶縁体及び／若しくは不純物を取り除くことを参照する。参照しうる可能なクリーニング方法は、化学的クリーニング、プラズマクリーニング、ＵＶクリーニング、そしてレーザークリーニングなどが挙げられる。もちろんその他適切な方法を用いることもできる。
中間製品の３つ目の重要な性質は、コンポーネントが、少なくとも１つの最終製品モジュールの延長に対して、互いの相対的の正確に位置していることである。最終製品モジュールという用語は、最終製品である電子デバイスの一部となる中間製品の一部を参照する。
したがって、中間製品は、製造工程の後のステージで最終製品の部分を形成する互いに分離されたいくつかの最終製品モジュールを含んでいる。最終製品モジュールは、一般的に１から２５個の最終製品モジュールの備える配送ブランクの中の中間製品内でグループ化され得る。言い換えると、完成品パネルは例えば１〜２０の配送ブランクを備える。コンポーネントの正確な共通配列は、配送ブランク内でにおいても実装されることが好ましい。完成品パネルの延長における優れた配列正確性が達成されることが目的である。
回路基板の製造を継続すると、支持膜１２（そして必要ならば絶縁体層１に対向する面上の類似の膜）は取り除かれ、コンポーネント６の接触素子７が露出する（図４）。このステージは、中間製品になる前に実行することも可能である。この場合、中間製品の中に、支持膜１２の材料が実質的に残っていない。したがって、接触素子７が露出していることが好ましい。これによって、表面上の導電体を成長させる或いは追加することによって電気的接続が形成することができる。付け加えて、この方法は１つの製造ラインで実行することもできることを注意する。この場合、中間製品は当該ラインから別の製造ラインへ配送されることはない。
絶縁体が十分に硬化された後、ビア孔のために必要な穴（図示せず）がブランクの中で製造される。絶縁体層１の対向する面での導電体構造の間の電気的接続は、当該のビア孔を介して後に形成すことができる。上述の中間製品のステージの前もしくは後に穴の形成を成される。
中間製品が得られるステージに係わりなく（あるいは製造が同じラインでそのまま継続しているかに係わりなく）、導電体パターン層４を絶縁体層１の表面の上に作ることができる。これによって、選択した接触素子７に電気的接続を形成することが可能になる。類似の方法と類似のステージとで、絶縁体層の対向する面上にも導電体パターン層が製造できる。
いくつかの異なった方法で導電体パターン層の製造を実行できる。第１の実施例に従えば、導電体膜の上で成長する増加方法を用いて、導電体層が製造されている。この場合、導電体膜は正しい形状に直接的に成長される。第２の実施例に従えば、導電体パターン層を、例えば導電体ペーストから、プリンティング法を用いて製造する。第３の実施例に従えば、一体化された導電体層を中間製品の表面の上に作成し、ここから導電体層の材料の領域を取り除くことによって、導電体パターンを作成する。この領域を除去するために、例えばフォトリソグラフィ法あるいはレーザ除去法を用いることができる。第４の実施例では、導電体パターン層を、一般的に導電金属及び／若しくはカーボン粒子を含んだ、導電体インク（即ち金属インク）を用いた印刷或いは出力によって製造する。第４の実施例では、導電体パターン層を、導電体ポリマーを用いて印刷或いは出力することによって製造する。利用する出力技術は、例えば、適切な選択的注入技術（インクジェット技術など）あるいは書き足しであり得る。電気導電体をトレース或いは製造するその他の方法を用いて、導電体パターン層を製造することもできる。
導電体パターンの製造の前に、導電体層の接着性を向上するために絶縁体層１の表面を処理することができる。この処理は、例えば図４と図５とに示されるステージの間に、絶縁体層１の表面の処理によって実行できる。このようにして、絶縁体層１の表面上の導電体層のシード金属の接着性を向上することができる。向上した接着性のおかげで、より狭い導電体構造をモジュールの中に作成することができ、より密度の高い導電体ネットワークが達成できる。表面処理は、例えば化学的、プラズマ、ＵＶ放射、あるいはレーザなどによって実行できる。
しかしながら一般に、図４に示される中間製品の表面上の導電パターンを製造する必要はない。この代わりに、コンポーネント６に必要な電気的端子を作り出すことが可能な補助部材を用いるならば、いかなる方法でこのステージから継続することも可能である。１つの代替手段は、中間製品がお互いに相対的に配列したときに、中間製品の表面へ別の中間製品を取り付けて圧着することである。この場合、接着構体は、優れた電気端子を確実にする補助部材を用いて、必要ならば中間製品の一方若しくは両方に含まれるコンポーネントの自由接触表面に作成済みであり得る。中間製品の表面に接触する作成済み導電体構造のみを押圧することも可能である。ワイヤボンディングあるいはその他既知の方法による中間製品から継続することも可能である。
図に示される実施例では、絶縁体層１の両表面の金属（図５）の薄いシード層２を成長させる手続をとる。例えば、シード層２は、化学的に成長する銅であり得る。絶縁体層１にビア孔のための穴が作成されている場合、穴の内側表面の上にもシード層２が成長するだろう。この後、レジスト層３（一般的にはフォトレジスト層）をシード層２の表面に薄く塗ることによって製造を継続する。より正確な実施例では、より短い波長の電磁放射の利用に基づいたフォトグラフィ技術、あるいは例えば電子ビームリソグラフィ技術を用いることが可能である。フォトレジストの場合、レジスト層３はパターンマスクを介して露光し、この後空白部が現像される。現像の後、露光したレジスト層３は導電体パターンマスクを形取る所望のパターニングが成されるだろう（図６）。別のリソグラフィ技術を用いても同様な結果を達成することができる。
図の例では、導電体（一般には銅）をフォトレジスト３が取り除かれた領域で電解成長させることによって製造を継続する。よって、所望の導電体パターン４（図７）はシード層２の表面の上で形成される。導電体パターン４の厚さは、例えば、２０マイクロメートルであり得る。また、導電体パターンの線幅は２０マイクロメートル以下となり得る。よって、この方法は小さく正確な導電体パターンを作成することに利用することができる。
この方法は以下のように変形することができる。第２の金属（例えばスズ）の層が導電体パターン４の表面、あるいはシード層２と導電体パターン４との間の接合部に製造される。この層はエッチングストッパーとして利用することができる。
導電体パターン４の製造の後、レジスト層３を取り除くことができる。さらに、例えばエッチングによって、シード層２も取り除く（図８）。この後、回路基板製品はすでに完成しているかもしれない。しかし、互いの導電体パターンと接続した回路基板（ビア孔と同様）の表面の導電体パターン層と付加的な代替の絶縁層と作成することによってより通常の製造は継続される。
図９の例では、モジュールの外部接触素子のみならず、図８に示されるブランクの表面の上に絶縁層１０を作成することによって製造を継続する。外部接触素子は、それらの表面に作成された接触ボールのみならず、導電体パターンの上部に作成された基点８を含む。
上述の方法と考え得るその変形例も図１０の中に例示される。図１０に従えば：
ステージ１０１では、コンポーネントを支持膜に取り付ける。接着剤を活用して上述の方法を用いてこれを実行することもでき、あるいは適切な接着力を有する支持膜を用いることによって接着剤を用いずに実行することもできる。
ステージ１０２では、絶縁体層を製造する。例えば、上述のようにこれを実行することができる。
ステージ１０３では、支持膜を取り除くのに適切な方法が利用される。例えば、化学的方法または機械的方法、あるいは機械的方法と化学方法を組み合わせることによって、この除去を実行することができる。もし必要なら、方法の追加的ステージで、コンポーネントの接触素子を露出するために実行する。
ステージ１０４では、導電体パターンを作成し、コンポーネントの取り付けるための電気端子を形成する。例えば、上述の方法あるいはその他の適切な導電体パターン製造方法によって、この製造を実行できる。もし、必要であれば、このステージの開始時に、この方法の追加的ステージを実行して、コンポーネントの接触素子を露出するか、又は接触素子の表面をクリーニングすることができる。
オプションのステージ１０５では、回路基板のさらなるプロセスが行われる。例えば、追加的層の製造、端子部の製造及び／若しくは保護が行われる。
図１９から読み取れるように、ステージ１０２とステージ１０３との間（中間製品Ａ）で、あるいはステージ１０３とステージ１０４との間（中間製品Ｂ）で中間製品を取得することが最も適している。ステージ１０３（中間製品Ａ）あるいはステージ１０４（中間製品Ｂ）別の製造ラインあるいは別の工場でプロセスが同様に継続する。
図１１Ａ、図１１Ｂ、及び図１１Ｃは、製造ラインの分割のアイデアを説明する図である。
図１１Ａは、代替案を示す図である。この案では、製造方法が１つの生産プラントの中に統合された製造ラインを用いて完全に実装されている。この場合、中間製品はこのプロセスからは実質的には得られない。しかし、回路基板あるいは電子モジュールが本質的に完成するまで製造が継続する。この解決法は、例えば完全に新しい製造プラントあるいは製造ラインを構築することが望まれる状況、あるいは高度に発達した電子モジュールの製造によく適している。
図１１Ｂは、２つの分離した製造ラインが同じ生産プラントで用いられる状況を示す図である。第１のラインでは、ステージ１０１−１０２あるいはステージ１０１−１０３が実行され、第２のラインでは、プロセスがそれぞれステージ１０３あるいはステージ１０４に続く。この実装形式は、生産プラントでの十分なパフォーマンスが回路基板製造ラインにあり、埋め込まれたアクティブコンポーネントを有する高度に発達した電子モジュールに対する生産プラントの生産能力を拡大することを望む場合に検討することが非常によい。この場合、中間製品Ａ若しくはＢ（ステージ１０１−１０２またはステージ１０１−１０３）が製造され、更なるプロセスのための回路基板製造ラインに移送する手段によって、新しい製造ラインを生産プラント内に構築することができる。この場合、配送パッケージの中に中間製品を詰める必要がないことが多い。
図１１Ｃは、分離された２つの生産プラントにて実行するように分割された方法のステージの状況を説明するための図である。第１の生産プラントでは、中間製品Ａ若しくはＢ（ステージ１０１−１０２またはステージ１０１−１０３）が製造され、更なるプロセスのための回路基板製造ラインに移送される。この実装形式は、例えば高パフォーマンスの回路基板製造ラインを有する生産プラントにて高度に発達した電子モジュールを、コンポーネント組み立てラインのための追加的投資をせずに、生産したい場合に競合してしまう。この場合、中間製品Ａ若しくはＢを、中間製品を製造して配送パッケージの中に梱包する別の生産プラントに発注することができる。高パフォーマンスの回路基板製造ラインを有する生産プラントにおいてさえ、この方法で、例えば米国特許出願2004/089048号公報に記載の製品を製造することが可能である。
図に示される実施例では、コンポーネント６の接触素子７がコンポーネントの表面の高さから外側に突出している。しかしながら、これまでの記載からすでに明らかなように、接触素子７の自由接触表面がコンポーネントの対応する表面（すなわち取り付け表面）の高さと本質的に等しいコンポーネント６を用いる方法も可能である。この場合、コンポーネント６を支持膜１２に対して押し付けることが好ましい。接着剤５と相対的に硬い支持膜１２とを用いる場合、コンポーネント６と支持膜１２との間に接着剤が実質的に残らないように押し付け（pressing）を実行することが好ましい。接着剤を用いない取り付けの実施では、当然コンポーネント６は支持膜１２に対して自然に押し付けを行う。表面に直接的に導電体パターンを構成するのに十分な表面処理保護層を有するコンポーネント６はこのような方法に特に好ましい。
上記の実施例は、本発明が利用されうるいくつかの可能なプロセスを記述している。しかしながら、本発明は上記の第１及び第２の実施例に限定されるものではない。特許請求の範囲とその均等な置換におけるその他の異なるプロセス及びその最終製品が本発明に含まれる。また、本発明は実施例で描写された構成及び方法のみに限定されるものでもない。当業者には、上記の実施例とは大きく異なる電子モジュール及び回路基板の非常に多くの異なる種類に本発明の様々な応用を用いることができることが明らかである。よって、図のコンポーネント及び回路は、製造プロセス図解する意図のためだけに示されたものである。よって、本発明に従う基本的アイデアから逸脱しない限り、上記の実施例のプロセスに多くの変更を加えることができる。例えば、様々なステージで記述された製造方法、またはプロセスステージの共通シーケンスに変更をすることができる。
言及可能な１つの変形例は、例えば１−２０マイクロメートルの厚みの絶縁体薄膜を支持膜１２に付け加えることが可能であることである。このような絶縁体膜を用いて、コンポーネントの付近への導電体（例えば銅など）の取り付けを改良できる。なぜならば、導電体の接着剤は、例えばシリコンで出来ているコンポーネントの実際の表面の上では十分には優れたものではないからである。また、絶縁体膜は、例えば温度変化の影響による、コンポーネントと導電体パターンとの間に引き起こる変形を抑えることに役に立つことが出来る。
回路基板を製造するための初期材料として用いる支持膜を示す図である。 支持膜の上部にコンポーネントが取り付けられた中間ステージを示す図である。 図２に示されたステージの後の中間ステージを示す図である。 支持膜を除去した図３の状態を示す図である。 シード層を製造した後の図４の状態を示す図である。 表面にレジスト層のパターンが作成された後の図５の状態を示す図である。 レジスト層の開口部に導電体パターンが作成された後の図６の状態を示す図である。 レジスト層とシード層を除去した後の図７の状態を示す図である。 最終製品の１つの可能性を示す。 本発明の１つの可能な実施例を示すプロセス図である。 製造プラントと製造ラインの間の製造の分割を示す図である。

Claims (5)

  1. 絶縁体層と、前記絶縁体層の少なくとも実質的な内部に設置される少なくとも１つのコンポーネントとを備える中間製品から回路基板を製造する方法であって、
    前記中間製品は、少なくとも１つのコンポーネントが支持膜によって覆われる接触素子を備えるか、あるいは前記絶縁体層の表面の高さで露出しており、
    前記中間製品の前記支持膜を除去するとともに、前記支持膜に向かって面している接触素子を露出するか、あるいは接触素子が露出している中間製品を用意するのか、のいずれかを実行するステップと、
    必要ならば、電気接点の作成のために接触素子の表面をクリーニングするステップと、
    前記コンポーネントの接触素子と導電体層の導電体を電気的に接続するように、前記絶縁体の表面の上に前記導電体層を製造するステップと、
    を含む製造方法において、
    前記導電体パターン層を成長方法によって正しい形状の前記導電体パターン層に直接的に成長させることにより製造することを特徴とする製造方法。
  2. 請求項１に記載の製造方法において、
    正しい形状に直接的に成長させる前記導電体パターン層の製造方法は、
    前記絶縁体層の表面で金属の薄いシード層を成長させるステップと、
    前記シード層の表面の上にレジスト層を薄く塗るステップと、
    導電体パターンマスクを形取るように前記レジスト層をパターニングするステップと、
    レジストが除去された領域に、導電体を電気的に成長させるステップと、
    前記レジスト層を除去するステップと、
    前記シード層を除去するステップと、
    を含むことを特徴とする製造方法。
  3. 少なくとも１つの導電体パターン層と、絶縁体層の少なくとも実質的な内部に配置され、前記導電体パターン層と電気的に接続する、少なくとも１つのコンポーネントを備えた回路基板を製造する方法であって、
    支持膜もしくは支持表面を用意するステップと、
    前記支持膜もしくは支持表面へ少なくとも１つのコンポーネントを取り付けるステップと、
    前記支持膜もしくは支持表面の上に、前記取り付けられたコンポーネントを囲むように、前記絶縁体層を製造するステップと、
    前記支持膜もしくは支持表面を除去しで、前記コンポーネントの接触端子を露出させるステップと、
    導電体パターン層の導電材料が前記コンポーネントの接続素子と電気的に接続するように、前記導電体パターン層を前記絶縁体層の表面に製造するステップと、
    を含む製造方法において、
    成長方法によって正しい形状の前記導電体パターン層に直接的に成長させることにより前記導電体パターン層を製造することを特徴とする製造方法。
  4. 請求項３に記載の製造方法において、
    正しい形状に直接的に成長させる前記導電体パターン層の製造方法は、
    前記絶縁体層の表面で金属の薄いシード層を成長させるステップと、
    前記シード層の表面の上にレジスト層を薄く塗るステップと、
    導電体パターンマスクを形取るように前記レジスト層をパターニングするステップと、
    レジストが除去された領域に、導電体を電気的に成長させるステップと、
    前記レジスト層を除去するステップと、
    前記シード層を除去するステップと、
    を含むことを特徴とする製造方法。
  5. 請求項１〜５の何れか１項に記載の製造方法において、
    前記導電体パターン層を製造するときに、前記絶縁体層の反対面に、もう１つの導電体パターン層を製造し、その後、選択された数の絶縁体層と導電体パターン層とを交互に作成することによって製造を継続することを特徴とする製造方法。
JP2008558841A 2006-03-17 2007-03-15 回路基板の製造方法とコンポーネントを有する回路基板 Pending JP2009530801A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20060256A FI20060256L (fi) 2006-03-17 2006-03-17 Piirilevyn valmistaminen ja komponentin sisältävä piirilevy
PCT/FI2007/050141 WO2007107630A1 (en) 2006-03-17 2007-03-15 Manufacture of a circuit board and circuit board containing a component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009530801A true JP2009530801A (ja) 2009-08-27

Family

ID=36191882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008558841A Pending JP2009530801A (ja) 2006-03-17 2007-03-15 回路基板の製造方法とコンポーネントを有する回路基板

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8984746B2 (ja)
EP (1) EP1997360A1 (ja)
JP (1) JP2009530801A (ja)
KR (1) KR20080106977A (ja)
CN (1) CN101449632A (ja)
FI (1) FI20060256L (ja)
WO (1) WO2007107630A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011119628A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 電子部品内装型プリント基板及びその製造方法
JP2014116640A (ja) * 2014-02-20 2014-06-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2016524546A (ja) * 2013-05-10 2016-08-18 株式会社村田製作所 微小電気機械デバイスおよび製造方法
WO2018096830A1 (ja) * 2016-11-28 2018-05-31 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
WO2018105233A1 (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2259666A4 (en) * 2008-03-27 2011-09-07 Ibiden Co Ltd PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING INTEGRATED ELECTRONIC COMPONENTS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US8124449B2 (en) 2008-12-02 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip and metal foils
US8261435B2 (en) 2008-12-29 2012-09-11 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
FI122216B (fi) 2009-01-05 2011-10-14 Imbera Electronics Oy Rigid-flex moduuli
TWI456715B (zh) * 2009-06-19 2014-10-11 Advanced Semiconductor Eng 晶片封裝結構及其製造方法
US8933467B2 (en) * 2009-08-13 2015-01-13 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (LED) and application specific integrated circuits (ASIC)
US8084780B2 (en) * 2009-08-13 2011-12-27 Semileds Optoelectronics Co. Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC)
US9214456B2 (en) 2009-08-13 2015-12-15 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) system having lighting device and wireless control system
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
US8320134B2 (en) * 2010-02-05 2012-11-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component substrate and manufacturing methods thereof
KR101104210B1 (ko) * 2010-03-05 2012-01-10 삼성전기주식회사 전자소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
KR101085733B1 (ko) 2010-05-28 2011-11-21 삼성전기주식회사 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US8216918B2 (en) 2010-07-23 2012-07-10 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a packaged semiconductor device
US8735735B2 (en) 2010-07-23 2014-05-27 Ge Embedded Electronics Oy Electronic module with embedded jumper conductor
KR20120026855A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 삼성전기주식회사 임베디드 볼 그리드 어레이 기판 및 그 제조 방법
US8941222B2 (en) 2010-11-11 2015-01-27 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Wafer level semiconductor package and manufacturing methods thereof
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
US8487426B2 (en) 2011-03-15 2013-07-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with embedded die and manufacturing methods thereof
GB2524791B (en) * 2014-04-02 2018-10-03 At & S Austria Tech & Systemtechnik Ag Placement of component in circuit board intermediate product by flowable adhesive layer on carrier substrate
CN107046766A (zh) * 2017-03-06 2017-08-15 范雷达 柔性印制薄膜电路及系统
JP7143019B2 (ja) * 2018-06-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154686B2 (ja) * 2018-06-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7175560B2 (ja) * 2018-09-06 2022-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154698B2 (ja) * 2018-09-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171134B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7199786B2 (ja) * 2018-11-06 2023-01-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7503886B2 (ja) * 2018-11-06 2024-06-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7251898B2 (ja) * 2018-12-06 2023-04-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7246825B2 (ja) * 2018-12-06 2023-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7229636B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7224719B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282453B2 (ja) * 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282452B2 (ja) * 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277019B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282455B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020174100A (ja) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7313767B2 (ja) * 2019-04-10 2023-07-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005125298A2 (en) * 2004-06-15 2005-12-29 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing an electronics module comprising a component electrically connected to a conductor- pattern layer

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2728693A (en) * 1953-08-24 1955-12-27 Motorola Inc Method of forming electrical conductor upon an insulating base
US3791858A (en) * 1971-12-13 1974-02-12 Ibm Method of forming multi-layer circuit panels
FR2509566A1 (fr) 1981-07-09 1983-01-14 Ruin Jean Pierre Dispositif pour le transport de circuits imprimes
US4606787A (en) * 1982-03-04 1986-08-19 Etd Technology, Inc. Method and apparatus for manufacturing multi layer printed circuit boards
BE1002529A6 (nl) 1988-09-27 1991-03-12 Bell Telephone Mfg Methode om een elektronische component te monteren en geheugen kaart waarin deze wordt toegepast.
US4894115A (en) 1989-02-14 1990-01-16 General Electric Company Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials
JPH0744320B2 (ja) 1989-10-20 1995-05-15 松下電器産業株式会社 樹脂回路基板及びその製造方法
US5355102A (en) 1990-04-05 1994-10-11 General Electric Company HDI impedance matched microwave circuit assembly
JP3094481B2 (ja) 1991-03-13 2000-10-03 松下電器産業株式会社 電子回路装置とその製造方法
US5353498A (en) 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
US6038133A (en) 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
FI990862A (fi) 1999-04-16 2000-10-17 Jorma Kalevi Kivilahti Uusi elektroniikan juotteeton valmistusmenetelmä
US6271469B1 (en) 1999-11-12 2001-08-07 Intel Corporation Direct build-up layer on an encapsulated die package
FR2809533A1 (fr) 2000-07-03 2001-11-30 Commissariat Energie Atomique Microsysteme monolithique a mosaique de composants
TW511405B (en) 2000-12-27 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device built-in module and manufacturing method thereof
TW511415B (en) 2001-01-19 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component built-in module and its manufacturing method
US6512182B2 (en) * 2001-03-12 2003-01-28 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring circuit board and method for producing same
FI20030293A (fi) 2003-02-26 2004-08-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
FI119583B (fi) 2003-02-26 2008-12-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
FI115601B (fi) 2003-04-01 2005-05-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
TWI255538B (en) 2003-06-09 2006-05-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package having conductive bumps on chip and method for fabricating the same
US7141884B2 (en) 2003-07-03 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with a built-in semiconductor and method for producing the same
DE10334576B4 (de) * 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
FI20031201A (fi) 2003-08-26 2005-02-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
JP4541753B2 (ja) 2004-05-10 2010-09-08 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005125298A2 (en) * 2004-06-15 2005-12-29 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing an electronics module comprising a component electrically connected to a conductor- pattern layer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011119628A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 電子部品内装型プリント基板及びその製造方法
JP2016524546A (ja) * 2013-05-10 2016-08-18 株式会社村田製作所 微小電気機械デバイスおよび製造方法
US9663352B2 (en) 2013-05-10 2017-05-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Microelectromechanical device and a method of manufacturing
JP2014116640A (ja) * 2014-02-20 2014-06-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2018096830A1 (ja) * 2016-11-28 2018-05-31 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
WO2018105233A1 (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
JPWO2018105233A1 (ja) * 2016-12-07 2019-07-11 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
US11004759B2 (en) 2016-12-07 2021-05-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101449632A (zh) 2009-06-03
KR20080106977A (ko) 2008-12-09
US10085347B2 (en) 2018-09-25
US20090133251A1 (en) 2009-05-28
FI20060256L (fi) 2006-03-20
EP1997360A1 (en) 2008-12-03
US20150289379A1 (en) 2015-10-08
WO2007107630A1 (en) 2007-09-27
US8984746B2 (en) 2015-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009530801A (ja) 回路基板の製造方法とコンポーネントを有する回路基板
US8216884B2 (en) Production methods of electronic devices
US6701614B2 (en) Method for making a build-up package of a semiconductor
KR100687976B1 (ko) 전자 모듈 및 그의 제조 방법
JP5064210B2 (ja) 電子モジュール及びその製造方法
KR101101603B1 (ko) 전자 모듈 제조 방법
FI119714B (fi) Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
US4709468A (en) Method for producing an integrated circuit product having a polyimide film interconnection structure
JP5065586B2 (ja) 半導体装置の製造方法
FI122128B (fi) Menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
JP4510020B2 (ja) 電子モジュールの製造方法
US6838762B2 (en) Water-level package with bump ring
KR20040073606A (ko) 베이스에 부품을 삽입하고 콘택을 형성하는 방법
KR20100081282A (ko) 리지드-플렉스 모듈 및 제조 방법
KR100557516B1 (ko) 반도체용 칩 사이즈 패키지형 패키지의 제조 방법
JP3870704B2 (ja) 半導体装置
JP2006511085A (ja) 電子デバイス及びその製造方法
US7332430B2 (en) Method for improving the mechanical properties of BOC module arrangements
KR100878408B1 (ko) 웨이퍼 레벨 디바이스 패키징 방법
KR100963201B1 (ko) 칩 내장형 기판 및 그의 제조 방법
US20030201544A1 (en) Flip chip package
EP1369919A1 (en) Flip chip package
JP2002270711A (ja) 半導体装置用配線基板およびその製造方法
US20120261816A1 (en) Device package substrate and method of manufacturing the same
JP2000216183A (ja) 接着剤層付きの突起状電極付き配線材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120214

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120703