JP2009522775A - 誘電体として特殊なポリビニリデンフルオライドコポリマーおよびターポリマーを備える高い放電速度と高効率を有する高電気エネルギー密度ポリマーコンデンサ - Google Patents

誘電体として特殊なポリビニリデンフルオライドコポリマーおよびターポリマーを備える高い放電速度と高効率を有する高電気エネルギー密度ポリマーコンデンサ Download PDF

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Abstract

誘電電荷またはエネルギー貯蔵層を有する改良された電荷またはエネルギー貯蔵デバイスは、(i)P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、P(VDF−CDFE)、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)から選ばれるコポリマーまたはターポリマー、あるいは、(ii)PVDFホモポリマーと、P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、およびP(VDF−CDFE)から選ばれるコポリマーとのポリマー混合物、あるいは、(iii)PVDFホモポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物、あるいは、(iv)P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、およびP(VDF−CDFE)から選ばれるコポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物のいずれかを含む。
【選択図】図4

Description

本発明は、高い放電速度と高効率を有する高電気エネルギー密度ポリマーコンデンサ一般に関する。より詳しくは、一群の特殊なPVDFをベースとするコポリマーおよびターポリマーを備える高エネルギー密度ポリマーコンデンサに関する。
過去10年の間、ハイブリッド電気自動車および除細動器のようなコンパクトでより信頼性の高い動力源および電子システムに対する商業上および消費者の要望が、大いに高まっている。その結果、高電気エネルギー密度と高出力密度を有するコンデンサの技術開発は、重要な実用技術になりつつある。
さて、典型的な平行平板コンデンサでは、静電容量Cは下記式(1)で与えられる。
Figure 2009522775
ここで、式(1)において、Kは誘電定数(比誘電率)、Aはコンデンサの面積、tはコンデンサの厚さ、そして、εは定数(真空誘電率、8.85×10−12F/m)をそれぞれ表す。
また、線形誘電体では、電気エネルギー密度は、下記式(2)に従って変化する。
Figure 2009522775
ここで、Eはコンデンサ内部の電場を表す。
一方、非線形誘電体では、電気エネルギー密度は、下記式(3)で表される関係から導くことができる。
Figure 2009522775
ここで、Dは電束密度である。
さて、セラミックベースの誘電体は、通常、非常に高い誘電定数(例えば、>1000)を示すにも関わらず、セラミックコンデンサ内部での比較的低い絶縁破壊電場(<50MV/m)と突発的な故障のために、低い電気エネルギー密度(<1J/cm)しか得られない。一方、従来のポリマーは、低い誘電定数(<5)にも関わらず、極めて高い絶縁破壊電場(>500MV/m)のため、比較的高いエネルギー密度が生じる。このため、例えば、二軸配向されたポリプロピレン(BOPP)では、たとえ誘電定数が2.2(K=2.2)であっても、高い絶縁破壊電場(〜650MV/m)のために、最大で4J/cm以上もの電気エネルギー密度が得られる。
PVDFをベースとするポリマーには、異なる分子構造があり、極性と非極性構造間での可逆変化によって、大きな分極変化が生じるので、高エネルギー密度に達する可能性がある(式(3)参照)。しかしながら、従来技術では、この分極変化を制御する手段が示されていないので、この種のポリマーに許容される最大エネルギー密度(>20J/cm)が得られなかった。
従って、本発明は、少なくとも10J/cmの電気エネルギー密度が得られ、さらにエネルギー密度が30J/cmに達する可能性があるPVDFをベースとするコポリマーおよびターポリマーを含む、新たな種類の変性PVDFポリマーを提供する。さらに、このようなポリマーコンデンサは、高速(0.001秒以内で)かつ高効率(85%以上の貯蔵電気エネルギーを負荷に対して放電可能)で充放電されうる。このような高い放電速度と高効率を有する高エネルギー密度ポリマーコンデンサは、除細動器、ハイブリッド電気自動車、および電気兵器で使用される広範の動力電子機器および電力システムに恩恵をもたらす。
本発明は、電荷またはエネルギー貯蔵層としての有機膜を有する改良された電荷またはエネルギー貯蔵デバイスを提供する。電荷またはエネルギー貯蔵層は、
(i)P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP),P(VDF−CDFE)、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーまたはターポリマー、あるいは、
(ii)PVDFホモポリマーと、P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、およびP(VDF−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーとのポリマー混合物、あるいは、
(iii)PVDFホモポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物、あるいは、
(iv)P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、およびP(VDF−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物のいずれかからなる誘導体層を備えて改良されたことを特徴とする。
また、本発明者らは、高い絶縁破壊電場と、改良された(適合された)誘電定数、非極性相の相安定性、および非極性相と極性相間の大きな分極変化とを兼ね備える特殊な一群のポリマーコンデンサ材料によって、高い放電速度(0.001秒以内)と高効率を伴う高電気エネルギー密度が得られることを発見した。
このようなコポリマーおよびターポリマーコンデンサは、電荷、電気エネルギーおよび電力を高効率で貯蔵、制御、操作可能なため、ハイブリッド電気自動車および除細動器を含む広い範囲の動力電子機器で使用することができる。
本発明の更なる目的、特徴、および利点は、以下の図面と詳細な説明を参照することにより、理解できる。
本発明は、電荷および/または電子エネルギーを貯蔵および/または、制御および/または、操作するための誘電体層としてのポリマー膜を有するコンデンサのようなデバイスを提供するものである。
前記ポリマー薄膜は、P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、P(VDF−CDFE)、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、P(VDF−TFE−CDFE)から選ばれるコポリマーまたはターポリマーであってもよい。
ただし、CTFEはクロロトリフルオロエチレンを、CFEはクロロフルオロエチレンを、HFPはヘキサフルオロプロピレンを、CDFEはクロロジフルオロエチレンを、TrFEはトリフルオロエチレンを、TFEはテトラフルオロエチレンを、それぞれ表す。
前記コポリマーおよび前記ターポリマー中のCTFE、CFE、HFP、またはCDFEのmol%は、0mol%から10mol%の範囲にある。
前記ターポリマー中のTrFEまたはTFEのmol%は、0mol%から15mol%の範囲にある。
また、PVDFホモポリマーと、P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)およびP(VDF−CDFE)からなる群から選ばれたコポリマーとの混合物を備え、あるいは、PVDFホモポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TRFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P−(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるターポリマーとの混合物を備えてもよい。また、例えば、PVDFホモポリマーあるいはコポリマーのいずれかとターポリマーとの混合物も含まれる。前記コポリマーは、以下のP(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)およびP(VDF−CDFE)の中からひとつが選ばれる。
さらに、P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)およびP(VDF−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物を備えてもよい。前記ターポリマーは、以下のP(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)およびP(VDF−TFE−CDFE)から選ばれる。
CTFEまたはCFEまたはHFPまたはCDFEを材料とするコポリマーあるいはターポリマーとPVDFホモポリマーの混合物におけるコポリマーの組成は、0mol%乃至10mol%の間にあり、TrFEまたはTFEを材料とするターポリマーのmol%は、20mol%乃至40mol%の間にあり、CTFEまたはCFEまたはHFPまたはCDFEは、3乃至10mol%の間にある。
コポリマー、ターポリマーおよびPVDFホモポリマー混合物またはコポリマーおよびターポリマー膜は、一軸方向に初期長さに対して0〜8倍の延伸率で延伸する。
コポリマー、ターポリマーおよびPVDFホモポリマー混合物またはコポリマーおよびターポリマー膜は、二軸方向に初期長さに対して0〜5倍の延伸率で延伸する。
このようなコポリマーおよびターポリマー膜の貯蔵電気エネルギー密度は、450MV/m以上の電場において、少なくとも約10J/cm、好ましくは、450MV/m以上の電場において、約12〜約30J/cm、より好ましくは、450MV/m以上の電場において、約12〜約22J/cmであることが望ましい。
1キロオーム抵抗負荷に対して、ポリマー薄膜コンデンサ(〜0.1μF)の放電時間(貯蔵エネルギーの90%の放出)は、1ms未満になる。
貯蔵エネルギー密度(式(3)を用いて、図3および図6から直接的に導かれる)に対する放電エネルギー密度の割合で定義される放電効率は、1msの放電時間に対して、85%以上になる。
前記ポリマーは、前記ポリマー膜の一軸方向の延伸が5倍以上に達した後に、または、50℃以上で400MV/m以上の電場を印加した後に、安定な非極性相となる。
本発明者らは、高い絶縁破壊電場と改良された(適合された)誘電定数および非極性相の相安定性を兼ね備える特殊な種類のポリマーコンデンサ材料によって、高放電効率と高い放電速度を有する高電気エネルギー密度が得られることを分子構造についての考察および誘電定数/電気分極/飽和電場関係から見出した。
さて、例えば、ポリ(ビニリデンフルオライド/トリフルオロエチレン)(P(VDF−TrFE))をベースとしたターポリマーおよび高エネルギー電子を放射するP(VDF−TrFE)コポリマーのような最近開発されたリラクサ強誘電性ポリマーでは、室温で50以上もの誘電定数が得られる。その結果、350MV/mの電場では、10J/cmの電気エネルギー密度が得られる(図1参照)。
一方、非線形な誘電挙動のため、前記リラクサ強誘電性ポリマーは、(電界振幅に伴う有効誘電定数の減少によって示されるように)分極飽和を示す。この分極飽和によって、電子エネルギー密度が10J/cmを超えて増加することを制限する。
PVDFをベースとしたポリマーでは、異なる分子構造があり、式(3)で示唆されるような高エネルギー密度に達する可能性に従って、極性構造と非極性構造間での可逆変化が大きな分極変化をもたらす。しかしながら、従来技術では、この種のポリマーに許容される最大エネルギー密度を得るために、この分極変化を制御する手段が示されていなかった。
そこで、本発明は、新たな種類の変性PVDFポリマーを提供する。このPVDFポリマーは、少なくとも10J/cmのエネルギー密度が得られ、30J/cmのエネルギー密度に達する可能性があるPVDFをベースとしたコポリマーおよびターポリマーを含む。
このような高エネルギー密度のポリマーコンデンサ材料は、ハイブリッド電気自動車および除細動器の分野で利用されるような広い範囲の動力電子機器および電力システムに恩恵をもたらす。
さて、あらゆる誘電体材料には分極飽和が存在する。すなわち、より高い電場を印加しても、分極レベルを更に増加させることはできない(図2参照)。PVDFをベースとしたポリマーにとって、達しうる最高の分極値は約0.1C/mであり、絶縁破壊電場は600MV/m以上になりうる。図2によれば、分極飽和が500MV/mで起こると、エネルギー密度は25J/cmに達する。また図2によれば、分極飽和が600MV/mで起こると、エネルギー密度は30J/cmにまで達する。
このような誘電体材料であっても、その誘電定数は20であり、リラクサ強誘電性ポリマー(K>50)よりも低い。これを考慮すれば、PVDFをベースとしたポリマーで、より高いエネルギー密度を得るには、誘電定数は20近傍とするのが好ましいことがわかる。
PVDFホモポリマーでは、室温での誘電定数は12に達することができ、500MV/m以上の絶縁破壊電場が見られる。これは、〜15J/cmの電気エネルギー密度を達成する可能性を示している。もし、PVDFポリマーが、高電場を印加した後に非極性相(α相)を維持できれば、その材料は、高エネルギー密度のコンデンサにとって魅力的なものとなるであろう。しかしながら、多数の従来研究では、PVDFポリマーのα相は、高電場(〜500MV/m)において、徐々にβ相に相変化することを示している。
延伸性のPVDF膜もまた、α相からβ相に相変化する。β相では、残留分極のために、ポリマーのエネルギー密度がかなり低くなる。さらに、強誘電相が存在するために、誘電損が大きくなる。このため、PVDFホモポリマーは、高エネルギーコンデンサのための理想的な誘電体材料ではない。
図3(a)、図3(b)および図4に、印加電場Eに対するPVDFの放電エネルギー密度を示す。エネルギー密度が10J/cm以上に達し得るにも関わらず、分極スイッチング過程でも、α相からβ相への相変化(比較的大きな分極ヒステリシス)を伴うことを図は示している。相変化は、種々の電気および電子システムを長期間実用的で信頼性の高い使い方をしようとすれば、望ましくなく、かつ、都合が良くない。
一方、少量の別のモノマーをPVDFポリマーに導入して、鎖空間を拡げてポリマー中の双極子の調和を崩すと、例え、機械的に延伸された場合でも、α相は保護されて安定する。また、極めて高い電場(>500MV/m)を印加した後でも、前記ポリマーは、非極性相に戻ることができるが、その非極性相はPVDFホモポリマーと明確に区別できるほど相違がある。
この考察によれば、クロロトリフルオロエチレン(CTFE)、クロロフルオロエチレン(CFE)およびヘキサフルオロプロピレン(HFP)のような嵩高いコモノマーおよびその他の同様なモノマーを有する少量のPVDFコポリマーは、高い電気エネルギー密度を得る可能性があることが解る。
さらに、P(VDF−CTFE)、P(VDF−HFP)およびP(VDF−CFE)のようなコポリマーを延伸することによって、分極レベルが増加され、その結果、より高いエネルギー密度が得られるようにすれば、ポリマー鎖の向きは印加電場に対して垂直に整列することになる。
図3(c)および図5に示すように、一軸方向に延伸するP(VDF−CTFE)85/15wt%コポリマーは、絶縁破壊電場が570MV/m以上に達し、17J/cmのエネルギー密度を得ることができる。低電場でのこの延伸コポリマーの誘電定数は約15である。
図6に、一軸方向に延伸するP(VDF−HFP)90/10wt%コポリマーについてのエネルギー密度データを示す。絶縁破壊電場が525MV/mであると、ほぼ12J/cmのエネルギー密度が得られる。また、これらの膜を一軸あるいは二軸方向のいずれかに延伸すると、絶縁破壊電場を増加できることが見て取れる。
また、図5および図6のデータによれば、最も高い電場であっても、これらのポリマーの分極が飽和しないことは明らかである。換言すれば、これらのポリマーの分極飽和は0.09C/m以上である。例えば、図3で、分極を0.1C/m、電場を650MV/mとして外挿すると、24J/cmの電気エネルギー密度が得られる。一方で、0.1C/mの分極飽和では、650MV/mよりも低い500MV/mまたは550MV/mの電場に到達するので、誘電定数も増加しうる。その結果、より小さいエネルギー密度が得られる(〜20J/cm)。
P(VDF−CTFE)コポリマーおよびその他の同様なコポリマー(第2のモノマーは、大きさに関してVDFよりも嵩高くして鎖空間を広げ、TGTG’コンホメーションをとることが好ましい)に、これらポリマーの誘電定数を増大するために少量のTrFEを導入することができる。このTrFEのmol%は、10mol%以下とすることができる。さらに、P(VDF−CTFE)またはこれと同様なコポリマーと、P(VDF−TrFE−CFE)(CFEは、クロロフルオロエチレン)というリラクサ強誘電性ターポリマーおよびこれと同様なターポリマーとのポリマー混合物も、より高いエネルギー密度に達する。
図7には、負荷100キロオームでのP(VDF−CTFE)85/15wt%コポリマーの放電データを示す。図から見て取れるように、極めて短時間(0.1ms未満)に、貯蔵エネルギーを放出できる。このことは、この種の高エネルギー密度コンデンサが、10KHzを超える高い周波数で動作できることを示している。
種々のPVDFをベースとしたコポリマーが、市場で入手可能である。例えば、P(VDF−CTFE)およびP(VDF−HFP)は、Solvay社、Arkema社および3M社から購入できる。また、市場で入手できないその他のコポリマーは、縣濁重合法を用いて合成できる。
従って、P(VDF−CFE)、P(VDF−CDFE)、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、P(VDF−TFE−CDFE)は、酸素活性起爆剤を用いた縣濁重合プロセスにより合成できる。
ポリマー混合物は複数の方法、つまり、溶液ブレンド法、メルト法、押出法あるいは二種のポリマーを混合して混合物を得る都合の良い方法のいずれかによっても合成できる。
このように、第1段階で、混合に用いる各ポリマーは合成されるか、または市場で購入される。
溶液法では、適切な重量比を有するポリマーが、メチルエチルケトンのような溶媒または二種のポリマーを溶解できる適切な溶媒に溶解される。次に、溶液をガラス板の上面に注ぎ、溶媒が蒸発すると、ポリマー膜が形成される。また、これに代えて、テープキャスティング法を使用することもできる。
メルト法では、均質な溶融物を得るために、適切なwt%比の二種のポリマーを、両ポリマーの溶融温度近傍あるいは溶融温度以上で加熱し、その後、前記溶融物を、加圧下で圧縮してポリマー膜を得る。
押出法では、適切なwt%比の二種のポリマーが、押出機に供給され、処理されてポリマー膜が形成される。
本発明は、好適な実施例を特に取り上げて説明された。前述した説明と例は、発明の例証にすぎないと解釈すべきである。したがって、種々の代替手段および変形が、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、当業者によって考案されうる。したがって、本発明は、添付の請求の範囲内のあらゆる代替手段、変形およびバリエーションを包含することを意図している。
本発明に係るP(VDF−TrFE−CFE)62/29/9mol%ターポリマーの放電エネルギー密度を、印加電場の関数として表したグラフである。 飽和電場と電気エネルギー密度との関係を概略的に示したグラフである。図2に示された場合では、たとえ図中の”1”のポリマーが図中の”2”よりも高い誘電定数を有していても、図中の”1”のより低い飽和電場により、より低いエネルギー密度を示すことになる。 延伸していないPVDFについて、ソーヤータワー回路を用いて10Hzの条件で測定した充放電曲線を示したグラフである。 一軸方向に延伸したPVDFについて、ソーヤータワー回路を用いて10Hzの条件で測定した充放電曲線を示したグラフである。 一軸方向に円心したCTFEを15wt%含有したP(VDF−CTFE)について、ソーヤータワー回路を用いて10Hzの条件で測定した充放電曲線を示したグラフである。 延伸していないPVDFおよび一軸方向に延伸したPVDFホモポリマーの放電エネルギー密度を、電場の関数で表したグラフである。 延伸していないP(VDF−CTFE)および一軸方向に延伸したCTFEを15wt%含むP(VDF−CTFE)を電場の関数で表したグラフである。 一軸方向に延伸したP(VDF−HFP)90/10wt%についての充放電データを示したグラフである。 異なる印加電場レベルでの対応する放電エネルギー密度を表したグラフである。 抵抗負荷100キロオームに対する電場347MV/mでのP(VDF−CTFE)85/15wt%の放電データを示したグラフである。なお、コポリマーの静電容量は0.5nFである。

Claims (18)

  1. ポリマー膜を誘電体層として備える電荷および/または電気エネルギーを貯蔵、および/または制御、および/または操作するデバイスであって、
    (i)P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、P(VDF−CDFE)、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーまたはターポリマー、あるいは、
    (ii)PVDFホモポリマーと、P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、およびP(VDF−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーとのポリマー混合物、あるいは、
    (iii)PVDFホモポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物、あるいは、
    (iv)P(VDF−CTFE)、P(VDF−CFE)、P(VDF−HFP)、およびP(VDF−CDFE)からなる群から選ばれるコポリマーと、P(VDF−TrFE−CTFE)、P(VDF−TrFE−CFE)、P(VDF−TrFE−HFP)、P(VDF−TrFE−CDFE)、P(VDF−TFE−CTFE)、P(VDF−TFE−CFE)、P(VDF−TFE−HFP)、およびP(VDF−TFE−CDFE)からなる群から選ばれるターポリマーとのポリマー混合物のいずれかからなる誘電体層を備えて改良されたデバイス。
  2. コポリマーおよびターポリマー中のCTFE、またはCFE、またはHFP、またはCDFEのmol%が、0乃至約10mol%の範囲にある
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  3. ターポリマー中のTrFEまたはTFEのmol%が、0乃至約15mol%の範囲にある
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  4. CTFEまたはCFEまたはHFPまたはCDFEを材料とするコポリマーあるいはターポリマーとPVDFホモポリマーとの混合物におけるコポリマーの組成は、0mol%乃至約10mol%の間にあり、TrFEまたはTFEを材料とするターポリマーのmol%は20mol%乃至40mol%の間にあり、CTFEまたはCFEまたはHFPまたはCDFEは3乃至10mol%の間にある
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  5. コポリマー、ターポリマーおよびPVDFホモポリマーの混合物またはコポリマー膜およびターポリマー膜が、一軸方向に初期長さの0乃至8倍の延伸率で延伸する
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  6. コポリマー、ターポリマーおよびPVDFホモポリマーの混合物またはコポリマー膜およびターポリマー膜が、二軸方向に初期長さの0乃至5倍の延伸率で延伸する
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  7. 450MV/m以上の電場において、コポリマーおよびターポリマー膜の貯蔵電気エネルギー密度が、少なくとも約10J/cmである
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  8. 450MV/m以上の電場において、コポリマーおよびターポリマー膜の貯蔵電気エネルギー密度が、約10乃至約30J/cmである
    ことを特徴とする請求項7に記載のデバイス。
  9. 450MV/m以上の電場において、コポリマーおよびターポリマー膜の貯蔵電気エネルギー密度が、約10乃至約20J/cmである
    ことを特徴とする請求項8に記載のデバイス。
  10. 電荷やエネルギーを貯蔵する誘電体層が、ポリマー薄膜コンデンサである
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  11. 1kHzの負荷に対して、前記ポリマー薄膜コンデンサ(〜0.1μF)の貯蔵エネルギーを90%放出するのにかかる放電時間が、1ms未満である
    ことを特徴とする請求項10に記載のデバイス。
  12. 前記デバイスは、85%以上の放電効率を示す
    ことを特徴とする請求項10に記載のデバイス。
  13. 前記ポリマーは、少なくとも約10J/cm乃至約30J/cmのエネルギー密度を生じさせる
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  14. 前記ポリマーは、500MV/m以上の絶縁破壊電場で、0.08C/m以上の分極値を示す
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  15. 前記デバイスは、多層のポリマー誘電体層を備える
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  16. 前記デバイスは、コンデンサである
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  17. 前記デバイスは、電界効果トランジスタ(FET)である
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  18. 少なくとも2つの層から構成される多層構造の電荷またはエネルギー貯蔵層であって、それぞれの層は、ポリマー、コポリマー、ターポリマーおよびそれらの組み合わせからなる群から独立に選ばれる
    ことを特徴とする多層構造の電荷またはエネルギー貯蔵層。
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