JP2009517541A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009517541A5 JP2009517541A5 JP2008541731A JP2008541731A JP2009517541A5 JP 2009517541 A5 JP2009517541 A5 JP 2009517541A5 JP 2008541731 A JP2008541731 A JP 2008541731A JP 2008541731 A JP2008541731 A JP 2008541731A JP 2009517541 A5 JP2009517541 A5 JP 2009517541A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- floor
- process chamber
- inlet part
- gas inlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000000284 resting Effects 0.000 claims 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N Arsine Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLGZELKXQMTEMM-UHFFFAOYSA-N hydride Chemical compound [H-] KLGZELKXQMTEMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Description
よって、先ず、ガス入口部品の端部が、皿状の凹部内に突出するとともに、ガス屈曲面の端部が、床と同じ高さとなるように設けられる。皿状の凹部は、プロセスチャンバの床に取り付けられ、特に、回転駆動されるサセプタホルダーに取り付けられる。ガス入口部品の端部は、この皿状の凹部内に突出している。例えばアルシン、ホスフィン又はアンモニアである水素化物のためのガス出口開口は、このガス入口部品の端部の直上まで延びている。このガス出口開口は、回転対称である。回転対称なガス屈曲面が、このガス出口開口の背面にある。ガス屈曲面の端部の経路は、床面に対して同じ高さに導入されている。ガス入口部品は反応装置ハウジングに対して配置固定されているが、サセプタホルダーはガス入口部品に対して回転するので、ガス入口部品は、この凹部の壁に対して接触しない。一方、動きのためにスリットが設けられており、これにより、ガス入口部品の平坦な端面と、凹部の底面との間に小さな間隙が存在する。さらに円周状の間隙が、皿の壁と、ガス入口部品の端部との間にも存在する。この間隙は、寸法的に非常に小さいため、ガス流に対して重大な干渉を及ぼすことはない。ガス屈曲面は、ガス流の方向に沿って丸みを有している。ガスは、垂直方向に延在する流路から屈曲領域に入り、この屈曲領域において渦を生じないように水平方向に曲げられる。流速の低減が生じるように、流路の有効断面積が拡大されている。それにもかかわらず、全体の流れは、層流である。
プロセスチャンバの床と同じ高さの壁をもつこの第1のガス出口開口の上側に、例えば有機金属化合物である第2のプロセスガスのための少なくとも1つの第2のガス出口開口がある。この第2のガス出口開口は、第2の流路に連通している。
ガス出口部品は、好適にはステンレス鋼で形成され、液体冷却される。このために、ガス出口部品は、冷却液体流路を備えた中央領域をゆうしてもよい。この冷却液体流路は、ガス入口部品の端部内にまっすぐ延びている。ガス入口部品の端部は、プロセスチャンバの床の凹部内に位置している。
プロセスチャンバの床と同じ高さの壁をもつこの第1のガス出口開口の上側に、例えば有機金属化合物である第2のプロセスガスのための少なくとも1つの第2のガス出口開口がある。この第2のガス出口開口は、第2の流路に連通している。
ガス出口部品は、好適にはステンレス鋼で形成され、液体冷却される。このために、ガス出口部品は、冷却液体流路を備えた中央領域をゆうしてもよい。この冷却液体流路は、ガス入口部品の端部内にまっすぐ延びている。ガス入口部品の端部は、プロセスチャンバの床の凹部内に位置している。
中央部品19の外面は、その端部領域において軸方向から曲がっている。これは、中央部品19の直径の連続的な増加を伴っており、それは、ガス入口部品3の端部においてはガス入口部品3の直径にまで到達している。この外郭を有する結果、断面図に示すように、ガス屈曲面6が形成され、このガス屈曲面は、ガス流を垂直方向から水平方向へと変化させる。ガス屈曲面6は、流路4の内壁を起点として滑らかに延びており、折れ部や段部はない。そして、ガス屈曲面の端部6’は、水平方向に延び、プロセスチャンバ1の床8’と同じ高さである。
Claims (1)
- ガス入口部品(3)の流路(4)を通り水平方向に延びるプロセスチャンバ(1)内に導入されるプロセスガスにより基板上に少なくとも1つの層を堆積する装置であって、前記流路(4)は垂直方向に延在しかつ前記ガス入口部品(3)は反応装置ハウジングに配置固定され、前記プロセスガスは回転対称な前記プロセスチャンバ(1)の中心に突出するガス入口部品(1)の一部であるガス出口開口から流出し、前記プロセスチャンバ(1)の床(8')の上を径方向外側に向かって流れ、前記床(8')は水平方向に延在しかつ前記プロセスチャンバ(1)の中心周りに回転し、かつ前記基板は前記床(8')上に載置されている、前記装置において、
前記ガス入口部品(3)の端部(3')が、プロセスチャンバ(1)の床(8')の上面に位置する皿状の凹部(23)内に突出し、前記ガス入口部品(3)の外壁と中央部品(19)との間をプロセスガスの流路(4)とし、かつ、前記中央部品(19)の端部領域において軸方向から曲がったガス屈曲面(6)を有し、前記ガス屈曲面(6)の端部(6')と前記プロセスチャンバ(1)の床(8')とは同じ高さであることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005056320.1 | 2005-11-25 | ||
DE102005056320A DE102005056320A1 (de) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan |
PCT/EP2006/068716 WO2007060161A1 (de) | 2005-11-25 | 2006-11-21 | Cvd-reaktor mit einem gaseinlassorgan |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009517541A JP2009517541A (ja) | 2009-04-30 |
JP2009517541A5 true JP2009517541A5 (ja) | 2012-09-20 |
JP5148501B2 JP5148501B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=37681372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008541731A Active JP5148501B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-21 | ガス入口部品を有するcvd反応装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8152924B2 (ja) |
EP (1) | EP1954853B1 (ja) |
JP (1) | JP5148501B2 (ja) |
KR (1) | KR101354106B1 (ja) |
AT (1) | ATE531833T1 (ja) |
DE (1) | DE102005056320A1 (ja) |
TW (1) | TWI414624B (ja) |
WO (1) | WO2007060161A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009049020A2 (en) | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Valence Process Equipment, Inc. | Chemical vapor deposition reactor |
DE102008055582A1 (de) | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Aixtron Ag | MOCVD-Reaktor mit zylindrischem Gaseinlassorgan |
JP5324347B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2013-10-23 | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 | 気相成長装置 |
DE102009043960A1 (de) | 2009-09-08 | 2011-03-10 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor |
JP5409413B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-02-05 | 日本パイオニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体の気相成長装置 |
DE202011103798U1 (de) * | 2011-07-28 | 2012-10-29 | Michael Harro Liese | Schnellverschluss für Reaktoren und Konvertoren |
DE102011053498A1 (de) | 2011-09-12 | 2013-03-14 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Verformung eines Substrates |
DE102011055061A1 (de) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | Aixtron Se | CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
DE102011056538A1 (de) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Aixtron Se | Verfahren zum Entfernen unerwünschter Rückstände aus einem MOCVD-Reaktor sowie zugehörige Vorrichtung |
TWI565825B (zh) * | 2012-06-07 | 2017-01-11 | 索泰克公司 | 沉積系統之氣體注入組件及相關使用方法 |
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
WO2014103728A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | 成膜装置 |
US20160194753A1 (en) * | 2012-12-27 | 2016-07-07 | Showa Denko K.K. | SiC-FILM FORMATION DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SiC FILM |
US9399228B2 (en) * | 2013-02-06 | 2016-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber |
KR102376429B1 (ko) | 2013-12-18 | 2022-03-17 | 램 리써치 코포레이션 | 균일성 베플들을 포함하는 반도체 기판 프로세싱 장치 |
KR102372893B1 (ko) * | 2014-12-04 | 2022-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치 |
DE102015101343A1 (de) | 2015-01-29 | 2016-08-18 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit dreidimensional strukturierter Prozesskammerdecke |
US9758868B1 (en) | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
TWI624561B (zh) * | 2016-08-12 | 2018-05-21 | 漢民科技股份有限公司 | 用於半導體製程之氣體噴射器及成膜裝置 |
TWI649446B (zh) * | 2017-03-15 | 2019-02-01 | 漢民科技股份有限公司 | 應用於半導體設備之可拆卸式噴氣裝置 |
TWI633585B (zh) * | 2017-03-31 | 2018-08-21 | 漢民科技股份有限公司 | 用於半導體製程之氣體噴射器與頂板之組合及成膜裝置 |
KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
DE102019131794A1 (de) * | 2019-11-25 | 2021-05-27 | Aixtron Se | Wandgekühltes Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
DE102021103245A1 (de) * | 2021-02-11 | 2022-08-11 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit einem in einer Vorlaufzone ansteigenden Prozesskammerboden |
WO2023140824A2 (en) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi | A reactor |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1913676A1 (de) * | 1969-03-18 | 1970-09-24 | Siemens Ag | Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas |
US3783822A (en) * | 1972-05-10 | 1974-01-08 | J Wollam | Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase |
JPS5046273A (ja) * | 1973-08-30 | 1975-04-24 | ||
JPS51140889A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-04 | Hitachi Ltd | A vapor phase growth apparatus |
US4421786A (en) * | 1981-01-23 | 1983-12-20 | Western Electric Co. | Chemical vapor deposition reactor for silicon epitaxial processes |
JPS6119119A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JPS62131523A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Cvd薄膜形成装置 |
US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
US5244694A (en) | 1987-06-24 | 1993-09-14 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Apparatus for improving the reactant gas flow in a reaction chamber |
US5221556A (en) | 1987-06-24 | 1993-06-22 | Epsilon Technology, Inc. | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems |
JPH06310438A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置 |
JP3414475B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2003-06-09 | スタンレー電気株式会社 | 結晶成長装置 |
JP3042335B2 (ja) * | 1994-10-25 | 2000-05-15 | 信越半導体株式会社 | 気相成長方法及びその装置 |
US6093252A (en) | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
JPH09246192A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
US6232196B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-05-15 | Asm America, Inc. | Method of depositing silicon with high step coverage |
JP4726369B2 (ja) * | 1999-06-19 | 2011-07-20 | エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 | 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法 |
WO2001046498A2 (en) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Aixtron Ag | Chemical vapor deposition reactor and process chamber for said reactor |
DE10064944A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-11 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
EP1322801B1 (de) * | 2000-09-22 | 2010-01-06 | Aixtron Ag | Cvd-verfahren und gaseinlassorgan zur durchführung des verfahrens |
DE10064941A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-11 | Aixtron Ag | Gaseinlassorgan |
DE10057134A1 (de) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE10064942A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-04 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten |
US6915964B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-07-12 | Innovative Technology, Inc. | System and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation |
DE10133914A1 (de) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Aixtron Ag | Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem Boden und Schichtabscheideverfahren in einer derartigen Prozesskammer |
US6849306B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-02-01 | Konica Corporation | Plasma treatment method at atmospheric pressure |
DE10153463A1 (de) | 2001-10-30 | 2003-05-15 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten |
DE10247921A1 (de) * | 2002-10-10 | 2004-04-22 | Aixtron Ag | Hydrid VPE Reaktor |
JP2004200225A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
JP2005072314A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP4542860B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2010-09-15 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
JP4542859B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2010-09-15 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
JP4598568B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-12-15 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
-
2005
- 2005-11-25 DE DE102005056320A patent/DE102005056320A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-11-11 US US12/094,972 patent/US8152924B2/en active Active
- 2006-11-21 KR KR1020087015426A patent/KR101354106B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-21 JP JP2008541731A patent/JP5148501B2/ja active Active
- 2006-11-21 WO PCT/EP2006/068716 patent/WO2007060161A1/de active Application Filing
- 2006-11-21 EP EP06830064A patent/EP1954853B1/de active Active
- 2006-11-21 AT AT06830064T patent/ATE531833T1/de active
- 2006-11-24 TW TW095143509A patent/TWI414624B/zh active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009517541A5 (ja) | ||
JP5148501B2 (ja) | ガス入口部品を有するcvd反応装置 | |
CN105143507B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
CN105164308B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
TWI836110B (zh) | 溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法 | |
TWI722871B (zh) | 用於基板處理腔室之蓋及蓋組件套組 | |
JP5728341B2 (ja) | 排気トラップ | |
US20120263875A1 (en) | Method and Apparatus For Depositing A Material Layer Originating From Process Gas On A Substrate Wafer | |
CN101802254A (zh) | 化学气相沉积反应器 | |
KR20090026810A (ko) | 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 워크피스를 처리하는데 사용되는 장치용 배리어 구조물 및 노즐장치 | |
JP2014515561A5 (ja) | ||
CN1563483A (zh) | 用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头 | |
CN101688307A (zh) | 用于涂覆布置在感受器上的基片的装置 | |
TWI557265B (zh) | 在沉積室中用於調節氣流之設備、沉積室、以及均勻沉積材料於基板上之方法 | |
TWM579649U (zh) | 噴淋頭及併入噴淋頭的處理室 | |
TWI661079B (zh) | 成膜裝置 | |
JP4953555B2 (ja) | ウエハ処理に使用される装置 | |
JP5921754B2 (ja) | 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置 | |
KR100991978B1 (ko) | 화학 기상 증착 리액터 | |
TW202046428A (zh) | 具有導流器的氣體注射器 | |
JP5596804B2 (ja) | 高流量真空バブラー容器のためのスプラッシュガード | |
JP2009170869A (ja) | エピタキシ成長のためのウェーハ用サセプタ | |
JP2012156510A (ja) | 熱処理炉およびそのライナー | |
JP6888159B2 (ja) | チャンバ内部の流れを拡散させることによる低い粒子数及びより良好なウエハ品質のための効果的で新しい設計 | |
WO2018012267A1 (ja) | 流路構造及び処理装置 |