JP2009516365A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009516365A5
JP2009516365A5 JP2008539432A JP2008539432A JP2009516365A5 JP 2009516365 A5 JP2009516365 A5 JP 2009516365A5 JP 2008539432 A JP2008539432 A JP 2008539432A JP 2008539432 A JP2008539432 A JP 2008539432A JP 2009516365 A5 JP2009516365 A5 JP 2009516365A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
cover
region
wafer
annular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008539432A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009516365A (ja
JP5243962B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102005053722A external-priority patent/DE102005053722B4/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2009516365A publication Critical patent/JP2009516365A/ja
Publication of JP2009516365A5 publication Critical patent/JP2009516365A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5243962B2 publication Critical patent/JP5243962B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2008539432A 2005-11-10 2006-11-08 カバーウエハー又は構造要素−カバー、ウエハー構造部分又はマイクロ技術に使用可能な構造要素、及び対応するウエハー−部分又は構造要素−部分をはんだ付けする方法 Active JP5243962B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005053722.7 2005-11-10
DE102005053722A DE102005053722B4 (de) 2005-11-10 2005-11-10 Deckelwafer, in der Mikrosystemtechnik einsetzbares Bauelement mit einem solchen Wafer sowie Lötverfahren zum Verbinden entsprechender Bauelement-Teile
PCT/EP2006/068252 WO2007054524A1 (de) 2005-11-10 2006-11-08 Deckelwafer bzw. bauelement-deckel, waferbauteil bzw. in der mikrosystemtechnik einsetzbares bauelement sowie lötverfahren zum verbinden entsprechender wafer- bzw. bauelement-teile

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009516365A JP2009516365A (ja) 2009-04-16
JP2009516365A5 true JP2009516365A5 (enExample) 2013-04-25
JP5243962B2 JP5243962B2 (ja) 2013-07-24

Family

ID=37877074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008539432A Active JP5243962B2 (ja) 2005-11-10 2006-11-08 カバーウエハー又は構造要素−カバー、ウエハー構造部分又はマイクロ技術に使用可能な構造要素、及び対応するウエハー−部分又は構造要素−部分をはんだ付けする方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8039950B2 (enExample)
EP (1) EP1945563B1 (enExample)
JP (1) JP5243962B2 (enExample)
KR (1) KR101416773B1 (enExample)
DE (1) DE102005053722B4 (enExample)
WO (1) WO2007054524A1 (enExample)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005053722B4 (de) 2005-11-10 2007-08-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Deckelwafer, in der Mikrosystemtechnik einsetzbares Bauelement mit einem solchen Wafer sowie Lötverfahren zum Verbinden entsprechender Bauelement-Teile
JP4915677B2 (ja) * 2008-05-27 2012-04-11 パナソニック株式会社 センサ装置の製造方法
US7846815B2 (en) * 2009-03-30 2010-12-07 Freescale Semiconductor, Inc. Eutectic flow containment in a semiconductor fabrication process
EP2264765A1 (en) 2009-06-19 2010-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Housing for an infrared radiation micro device and method for fabricating such housing
JP2012064673A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Daishinku Corp 電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージの製造方法
FR2967302B1 (fr) * 2010-11-09 2012-12-21 Commissariat Energie Atomique Structure d'encapsulation d'un micro-dispositif comportant un matériau getter
JP5614724B2 (ja) 2011-01-31 2014-10-29 日立金属株式会社 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP5610156B2 (ja) * 2011-01-31 2014-10-22 日立金属株式会社 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP2014128842A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Yamaha Corp Mems素子を有する半導体パッケージ
US9764946B2 (en) * 2013-10-24 2017-09-19 Analog Devices, Inc. MEMs device with outgassing shield
FR3014240B1 (fr) 2013-11-29 2017-05-05 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un substrat comportant un materiau getter dispose sur des parois d'un ou plusieurs trous borgnes formes dans le substrat
KR20170119155A (ko) * 2016-04-18 2017-10-26 주식회사 스탠딩에그 벌크 실리콘 멤스의 제조 방법
KR20200032361A (ko) * 2018-09-18 2020-03-26 삼성전기주식회사 Mems 디바이스
FI131434B1 (en) * 2020-01-24 2025-04-22 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Wafer level package for device
CN114211148B (zh) * 2021-12-17 2023-07-25 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 高真空状态下微电子封装自动对位平行封焊机构
KR102731140B1 (ko) * 2022-04-01 2024-11-18 한국기술교육대학교 산학협력단 미세 구조물 제조 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19537814B4 (de) * 1995-10-11 2009-11-19 Robert Bosch Gmbh Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors
DE19711283A1 (de) * 1997-03-18 1998-10-29 Siemens Ag Hermetisch dichtes optisches Sendemodul
JP3702612B2 (ja) * 1997-10-07 2005-10-05 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US6778041B2 (en) * 1998-06-02 2004-08-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Millimeter wave module and radio apparatus
US6062461A (en) * 1998-06-03 2000-05-16 Delphi Technologies, Inc. Process for bonding micromachined wafers using solder
ATE340761T1 (de) * 1999-12-15 2006-10-15 Asulab Sa Hermetische in-situ-gehäusungsmethode von mikrosystemen
DE10005555A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-16 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
TW560018B (en) * 2001-10-30 2003-11-01 Asia Pacific Microsystems Inc A wafer level packaged structure and method for manufacturing the same
EP1753023A3 (en) * 2002-04-11 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an electronic device in a cavity with a cover
JP2004202604A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Aisin Seiki Co Ltd パッケージ構造および製造方法
US6953990B2 (en) * 2003-09-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Wafer-level packaging of optoelectronic devices
JP2007516602A (ja) * 2003-09-26 2007-06-21 テッセラ,インコーポレイテッド 流動可能な伝導媒体を含むキャップ付きチップの製造構造および方法
JP4980718B2 (ja) * 2003-11-12 2012-07-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子デバイス用の封入アセンブリ
US7211881B2 (en) * 2004-03-24 2007-05-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Structure for containing desiccant
DE102005053722B4 (de) 2005-11-10 2007-08-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Deckelwafer, in der Mikrosystemtechnik einsetzbares Bauelement mit einem solchen Wafer sowie Lötverfahren zum Verbinden entsprechender Bauelement-Teile

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009516365A5 (enExample)
CN105659377B (zh) 接合体的制造方法及功率模块用基板的制造方法
JP5243962B2 (ja) カバーウエハー又は構造要素−カバー、ウエハー構造部分又はマイクロ技術に使用可能な構造要素、及び対応するウエハー−部分又は構造要素−部分をはんだ付けする方法
JP4969589B2 (ja) ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子
TWI300619B (en) Electronic device
JP5659663B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2017537792A (ja) 多重層粒子を有している過渡液相組成物
JP2013038330A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5968046B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2020520807A (ja) 拡散はんだ付けのための無鉛はんだ膜及びその製造のための方法
JP6443568B2 (ja) 接合材、それを用いた接合方法及び接合構造
JP5708961B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2012081167A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20180043282A (ko) 간격을 가진 나노로드 및 공정 합금을 이용한 저온 용접
JP2008258353A5 (enExample)
JP6673635B2 (ja) 接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法、及び、接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク
JP6733706B2 (ja) 熱電変換モジュール
KR20180052449A (ko) 세라믹 기판 및 그 제조 방법
WO2013129229A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2024146454A (ja) 接合体
JP2018085421A (ja) 半導体装置
JPH0760836B2 (ja) ろう付け材料
JP2014168009A (ja) ワイヤ接合体の製造方法
JP5604995B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002190490A (ja) バンプを有する電子部品