JP4969589B2 - ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 - Google Patents

ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4969589B2
JP4969589B2 JP2008556650A JP2008556650A JP4969589B2 JP 4969589 B2 JP4969589 B2 JP 4969589B2 JP 2008556650 A JP2008556650 A JP 2008556650A JP 2008556650 A JP2008556650 A JP 2008556650A JP 4969589 B2 JP4969589 B2 JP 4969589B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
peltier element
sintering
bonding
contact surface
production process
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008556650A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009528684A (ja
Inventor
ユルゲン シュルツ―ハーデル,
Original Assignee
クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102006011743A external-priority patent/DE102006011743A1/de
Application filed by クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー filed Critical クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー
Publication of JP2009528684A publication Critical patent/JP2009528684A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4969589B2 publication Critical patent/JP4969589B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/81Structural details of the junction
    • H10N10/817Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

この発明は請求項1の前文に記載のプロセスと、請求項22の前文に記載のペルチェ素子に関する。
今まで在来のプロセスに従うペルチェ素子の生成は複雑である。更にこれらのペルチェ素子は最適の熱特性を持たない。
所謂銅直接ボンディング(DCB技術)プロセスを用いて、具体的には金属被膜を形成しその表面上に金属又は反応性ガス、好ましくは酸素の化合物層又は被膜(溶融層)を有する金属フォイル又は銅フォイル、又は金属板又は銅板を用いて、セラミック例えば酸化アルミニウムセラミック層上にプリント回路、端子などを生成するのに必要な金属被膜の生産は周知である。例えば米国特許3744120又はドイツ特許2319854に記載のこのプロセスでは、この層又はこの被膜(溶融層)がこの金属(例えば銅)の融点より低い融点の共晶を形成することによりフォイルをセラミック上に置くか、又は層の全てを加熱して実質的に金属又は銅を溶融層又は酸化物層領域だけ溶融して互いに接合できる。
このDCBプロセスは次いで例えば以下のプロセス段階を有する。
−均一層の酸化銅が生ずるように銅フォイルの酸化
−銅フォイルをセラミック層上に配置
−この組み合わせを、おおよそ1025乃至1083℃の間、例えばおおよそ1071℃のプロセス温度に加熱
−室温に冷却
更に金属被膜を形成する金属層又は金属フォイル、特に又銅層又は銅フォイルを各セラミック材料に接合する所活性ハンダプロセス(ドイツ特許2213115、EP−A153618)は周知である。又特に金属セラミック基板を約800乃至1000℃間の温度での生成に用いるこのプロセスでは、金属フォイル、例えば銅フォイルとセラミック基板、例えば窒化アルミニウムセラミック間の結合が、銅、銀及び/又は金のような主成分以外に又活性金属を含む硬ろうを用いて生成する。例えばハフニウム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、セリウムグループの少なくとも1つの元素であるこの活性金属が、化学反応によりこのハンダとセラミック間に結合部を形成する一方、このハンダと金属間の結合は金属硬ろう結合部である。
この発明の目的はペルチェ素子生成の簡単化が可能なプロセスを考案することである。この目的を達成するために、請求項1に記載のプロセスを考案する。ペルチェ素子が請求項22の主題である。
この発明では少なくとも一つ端末面上のペルチェ要素の少なくとも一部分と基板接触面との結合が、直接及び好ましくはこの発明の一つの一般的実施形態に従い少なくとも一つの焼結層を通じて、又は各ペルチェ要素が例えば焼結により生成する場合には、この要素は基板接触面に焼結するこの発明の更なる一般的実施形態に従い焼結ボンディングにより生ずる。両者の場合関連ペルチェ要素と接触面の結合は、例えば接触面を形成する金属領域(金属層又は銅層)上に、直接又は金属領域と各ペルチェ要素間に少なくとも一つの中間層を用いて焼結又は焼結ボンディングにより生ずる。
この発明の利点の一つはペルチェ素子生成が非常に簡単化される一方、他方では又少なくとも直接結合部、又は結合層として焼結層を有する結合部上のペルチェ要素と基板間遷移部の熱伝導率が大きく増加することにより、各ペルチェ素子の熱物性を熱作用が非常に改良されることにある。
この発明の成果は従属請求の範囲の主題である。この発明は実施形態の図を用いて以下に詳細に記述する。
図1は簡単化描写したペルチェ素子を示し、在来型の二つの平板型セラミック基板2からなり、その対向面側にそれぞれ複数の接触面3を形成する構造化金属被膜を備える。
幾つかのペルチェ要素4がペルチェ素子の外側端子5と6に関して電気的に直列に位置するように、接触面3の間に幾つかのペルチェチップ又はペルチェ要素4が存在する。この目的のために、ペルチェ素子の当業者には基本的に周知なように、二つの端末面を有するペルチェ要素4が、それぞれ図1の上側のセラミック基板上と図1の下側のセラミック基板上の一接触面3と結合するだけでなく、互いに隣接するペルチェ要素4が又各セラミック基板2上の接触面3を通して互いに結合する。
図1は簡単化のために全部で4つのペルチェ要素4の一横列だけを示す。しかし実際には図1図面平面に垂直なこのペルチェ素子は、又幾つかの横列と縦列の複数ペルチェ要素4を有し、次いでペルチェ要素4の全ては端子5と6間で電気的に直列に配列し、その極性に関しては電流フローが端子5と6間のペルチェ要素全てを通るのが可能なように配向する。
図2は先行技術に従うペルチェ素子で常套なように、セラミック基板2とペルチェ要素4の一つの端末間の結合部を示す。接触面3を生ずるには先行技術では、先ずペースト印刷を用いて粉末状のモリブデン、マンガン及び/又はタングステン含有ペーストの構造化層を、その層が接触面3の配置に対応するように塗布し、還元性雰囲気下に1100℃を越える温度で焼く。この方法で生成し接触面3に従い構造化した層7は、次いで例えば化学プロセスでニッケルメッキする。いずれの場合も層7は、ペルチェ素子が作動する比較的大電流に対して十分な高伝導率、又は大きさが十分な断面を持たないので、軟ろう8を用いて銅板形状の金属領域9をニッケルメッキ層7にハンダ付け後、軟ろう8を用いて銅板をペルチェ要素4にハンダ付けする(ハンダ層10)。銅の各ペルチェ要素への拡散を防ぐために、ハンダ層と各銅板9間に追加のニッケル層11が必要である。セラミック基板2と実質的に銅板9により形成する各接触面間のこの周知の結合部と、この接触面とペルチェ要素間結合部の生成は複雑であるという事実以外に、この結合部は不満足な熱伝導率を有し、関連ペルチェ要素の働きが大きく低下する。
図3は他の周知バージョンでのセラミック基板2と各ペルチェ要素4間の結合部の構造を模式的に示し、周知のダイレクトボンディングプロセスによりセラミック基板2に直接塗布した構造化金属被膜により接触面3を形成する。接触面3を形成する金属被膜は、例えば一度に一つの銅フォイル又は銅合金フォイルにより形成後、各セラミック基板2に接合後、在来法を用いて、例えばマスキング−エッチング法を用いて各接触面3に構造化した。しかしこの周知バージョンでは、又ペルチェ要素4は、再度軟ろう層10によりニッケル層11を備えた接触面3に結合する。接触面3と各セラミック基板2間のDCB結合部は、関連ペルチェ素子の熱挙動を改良するが、軟ろう層10の不都合が継続する。
図4はこの発明で請求した接触面3とペルチェ要素4間の結合部を示し、本図で通常12と名付ける。この実施形態の接触面3は、構造化金属被膜の金属領域9、例えばDCBプロセスを用いてセラミック基板2に二次元的に接合した銅又は銅合金の構造化フォイルにより形成する。セラミック基板2は、例えば酸化アルミニウムセラミック(Al)、酸化ジルコニウム添加物を有する酸化アルミニウムセラミック(Al+ZrO)、窒化アルミニウムセラミック(AlN)、又は窒化ケイ素セラミック(Si)である。セラミック基板2の厚さは、例えば0.2乃至1.2mmの範囲である。接触面3を形成する金属被膜の厚さは、例えば0.1乃至1.0mmの範囲である。
接触面3は、例えば厚さが1乃至10ミクロン範囲のニッケル中間層13により各ペルチェ要素の端末面と結合する(ペルチェ要素4への銅の拡散を防止するために)。しかし基本的には中間層13は省略しても良い。結合部12の特異点は、結合部が軟ろうなどを用いずにペルチェ要素4と接触面3間に直接生成することにある。
図5は他の可能性として、ニッケル中間層13とペルチェ要素4との間に、厚さが0.01乃至1.5ミクロンの更に別の金中間層14が存在する点だけがその結合部12と異なる他の結合部12aを示す。
図6にニッケル中間層13とペルチェ要素4端末面との間に、金属焼結材料の焼結層15が存在する点で、その結合部12と異なる結合部12bを示し、焼結層によりペルチェ要素は各接触面3又はこの接触面の中間層13と電気的且つ熱的に結合する。焼結層15は厚さ10乃至20ミクロンの範囲を持つように作製する。金属焼結材料は、例えば銅、銀、銅と銀の合金がこの焼結層に適する。更に焼結材料は又他の成分、特に焼結性の増加、及び/又は焼結温度を低下する物を含有できる。例えばスズはこの一成分である。
焼結層15、従ってペルチェ要素4と接触面3間の結合部は、粉末焼結材料又はこの材料含有の分散液又はナノ分散液を接合する表面の一つに塗布後、焼結温度及び所定の焼結圧、例えば各ペルチェ要素を形成するペルチェ物質の融点より低い焼結温度に加熱して形成する(原文のまま)。
図7は別の可能な実施形態として、ニッケル中間層13と焼結層15との間に、金中間層14が存在する点だけが結合部12bと異なる結合部12cを示し、本実施形態では次いでニッケル層は層厚さが1乃至10ミクロン範囲であり、金層は厚さが0.01乃至15ミクロンの範囲である。
図8は他の実施形態として、焼結層15とペルチェ要素4との間に、例えば厚さが1乃至10ミクロンの別のニッケル中間層16が存在する点で結合部12cと異なる結合部12dを示す。
図9はニッケル中間層16と焼結層15との間に、例えば厚さが0.01乃至1.5ミクロンの範囲である金中間層17が存在する点で結合部12dと異なる結合部12eを示す。
図10はいずれの場合も金中間層14を省略した結合部12eに相当する結合部12fを示す。
図11はニッケル中間層13が省略され、その結果焼結層15が各接触面3又は接触面を形成する金属領域9に直接隣接する結合部を示す。
図12は金中間層17が省略された点で結合部12gと異なる結合部12hを示す。
図13は各接触面3が焼結層15によりペルチェ要素4に直接隣接する結合部12iを最後に示す。
図4―13の実施形態では接触面3と金属領域9のそれぞれは、DCBプロセスにより各セラミック基板2に塗布した構造化金属被膜7により形成されるが、図14に従うと接触面3と金属領域9を形成する金属被膜を活性ハンダ付け、即ち活性ハンダ層18により各セラミック基板に結合できる。次いで活性ハンダ層18は、硬ろうとして適した合金、例えば活性ハンダ成分、例えばチタン、ハフニウム、ジルコニウムを有する銅―銀合金を当業者には周知の形で含有する。次いで活性ハンダ層の厚さは、例えば1乃至20ミクロンの範囲である。活性ハンダ付けにより各セラミック基板2に結合した接触面3は、次いで同様に最も多様な結合部を経由して、例えば結合部12、12a−12iを経由して各ペルチェ要素に結合できる。
指定遷移部12、12a−12iを有するペルチェ素子1の生成は、より詳しくは例えば図15に従って生じ、適切な方法で生成したペルチェウエハを各ペルチェ要素4に分割後、各接触面3の関連結合部上に具体的には一度に一つのセラミック基板2接触面3全てで、同一電気方向又は同一磁極でペルチェ要素4が存在するように、各要素を結合部12又は12a−12iの内の一つによりセラミック基板2接触面3に取り付ける。図15に位置aと位置bで示しペルチェ要素4を前もって備えた二つのセラミック基板を、図15の位置cに従い一度に互いに重ねることによりペルチェ要素4は接触面3上で電気的に直列に配置される。ペルチェ要素4の自由端又は端末面に塗布したハンダ層19により、ペルチェ要素4は接触していなが、他のときには他の接触面のセラミック基板2上の一つの接触面3と一度は機械的電気的に暴露した各セラミック基板2上の端末面と結合する。ハンダ層15とペルチェ要素4間には少なくとも1つの中間層20、例えばニッケル層が存在する。ハンダ層15と各接触面3との間には少なくも一つの他の中間層21が、例えばニッケル層が存在する。
中間層20と他の中間層、例えば中間層13、16及び17のペルチェ要素4への塗布は、例えば適切なプロセス、例えば電気的及び/又は化学蒸着を用いてペルチェウエハを各ペルチェ要素4に切断後生ずる。中でも銀中間層では、中間層の材料含有の分散液、例えばナノ分散液又は相当ペーストの塗布、例えばスクリーン、印刷マスク又はテンプレートを用いる印刷でこれらの層が生成できる。
DCBプロセスを用いて銅フォイル形状の金属被膜を、各セラミック層側又は各セラミック基板2の少なくとも一表面側に塗布後、この塗膜を適切な技法で、例えばマスキング−エッチング法により接触面3とパッドを形成する各金属領域9に構造化するように、図4−13バージョンのセラミック基板を生成する。
各中間層、例えば中間層13と14の塗布は、例えば金属メッキ及び/又は化学蒸着により生ずる。中でも銀中間層では、中間層の材料含有の分散液、例えばナノ分散液又は相当ペーストの塗布、例えばスクリーン、印刷マスク又はテンプレートを用いる印刷でこれらの層を生成できる。
図14のバージョンでは、活性ハンダ付け又は活性ハンダ層18を用いて金属フォイル又は銅フォイル形状で接触面3を形成する金属被膜を塗布後、適切な手段(例えばマスキング−エッチング法)により接触面3を形成する各金属領域9に金属被膜の構造化が生じ、その際任意に一つ以上の中間層をこれら金属領域9に、金属メッキ又は化学蒸着、及び/又は粉末状(例えばナノ分散液)又はペーストの中間層用の金属含有分散液の塗布で、例えばスクリーン、印刷マスクを用いて又はテンプレートを用いて印刷し塗布する。
接合又は結合表面、又は中間層なしか、同様に中間層なしか、又は一つ以上の中間層を備えた接触面3に一つ以上の中間層を有する端末面とペルチェ要素4の接合は、焼結層15により図6−13のバージョンで生ずる。この目的のためには粉末形状の金属焼結材料が、例えば分散液又はナノ分散液として少なくとも一つの結合する表面に塗布する
次いで結合焼結層15が焼結温度と焼結圧下に生成する。
ここで焼結温度はペルチェ要素4材料の融点より低く、例えばこの融点より30乃至50℃低いが少なくとも120℃である。しかし基本的には予備焼結段階のこの焼結ボンディングは、先ず加圧すること無しに、具体的にはこの焼結材料に密閉気孔が形成するまで実施し、次いで焼結が焼結温度と、例えば増加焼結圧で生ずることができる。各焼結層の厚さが、例えば10乃至200ミクロンの範囲にあるように生成する。所謂スパークプラズマ焼結プロセスは、特に焼結ボンディング又は焼結層15生成に適し、その必要な焼結温度は焼結材料への電流フローにより生ずる。
図15と16に関しては、ペルチェ要素4はそれぞれ焼結層15により一つの端末面だけと接合するか、又はセラミック基板2の一つの接触面3と焼結結合で接合するが、対応接触面3との他の端末面の結合は、焼結層19、例えば軟ろう又は硬ろう層によるか、又は対応焼結結合(焼結ボンディング)により生ずると仮定した。このプロセスでの対応配置では、又勿論任意に中間層を用いて一つの焼結結合により各ペルチェ要素の二つの端末面を接触面3に結合できる。
図18はペルチェ要素4が前もって作られずに、例えばテンプレート又はマスクを用いて記載の方法でペルチェ要素4を備えたその接触面3のセラミック基板2にしか過ぎず、このプロセスではペルチェ要素4が熱と圧力の作用下に生成され、これを実施するときに同時に接触面3に焼結するプロセスを模式的に示す。従って各ペルチェ要素4の生成とこの要素の接触面3との接合が焼結と同段階に起こる。このプロセスでは複数の開口部23を有するマスク22を用い、各開口部はペルチェ要素4生成形状を形成する。各開口部23がペルチェ要素4と接触面3とが結合できる場所に配置されるように、マスク22は接触面3を生成する時に一つのセラミック基板2上に配置する。
開口部23はペルチェ要素生成に適した粉末混合物、例えば亜鉛とアンチモン混合物、鉛とテルル混合物、ビスマスとテルル混合物、銀、鉛、アンチモンとテルル混合物、又は鉛、テルルとセレン混合物で満たす。開口部23に適切に挿入し、例えば図示しないプレス工具部品であるプランジャー24を用いて、開口部23に導入した粉末混合物を焼結圧に暴露し、熱作用下に焼結して各ペルチェ要素4に成形し、更にペルチェ要素を各接触面3上に焼結し、焼結ボンディングにより接合する。次いでこのプロセスには所謂スパークプラズマ焼結が特に適切で、次いで必要な焼結温度を例えば各プランジャー24と接触面3に電流を流して生成する。
これらのプロセスで接触面3は、中間層無しの金属領域9又は銅層で形成するか、又は一つ以上の中間層を備える。このプロセスにより、例えば結合部12と12aが生成する。次いで各ペルチェ要素4の生成と焼結ボンディングが、端末面を有する各ペルチェ要素4がセラミック基板2接触面3上に備わり、この接触面から離れて立つように図15に従い生ずる。次いで図15の位置cに従い、それまでは自由端である各セラミック基板2のペルチェ要素端末は、ハンダ層19、例えば軟ろう層、又は硬ろう層、又は相応焼結結合部により更なるセラミック基板2接触面3と結合する。
特別なマスキング−充填法を用いる場合、生成し接触面3に結合するペルチェ素子の二つのセラミック基板の内の一つの接触面3上に焼結することによりペルチェ要素を形成し、ペルチェ要素冷却後の第二プロセス段階で、その暴露端末面を各ペルチェ素子の第二のセラミック基板2上の接触面3に、例えば軟ろう層、又は硬ろう層、又は焼結層により電気的機械的に結合することが又できる。
特に焼結ボンディング、即ち焼結層15(原文のまま)の結合部12b−12iを有する結合部に関しては、各セラミック基板2の表面側が追加の金属層25、例えば銅層を備えたペルチェ要素4から見て外向きになり、次いで中でもペルチェ要素4が交互のn型ドーピング材とp型ドーピング材からなり、図1のバージョンのようにn型ドープとp型ドープ部ではない他の実施形態の図18に示すような焼結プロセスでセラミック基板2の強度と信頼性を増すのは良い考えである。
この発明を種々の実施形態で上に説明した。多数の変形と修正がこの発明に内在する創意から逸脱すること無し可能なことは言うまでもない。
図1は、模式的側面図のペルチェ素子構造を示す。 図2は、先行技術に従いセラミック基板上に形成した接触面とペルチェ要素間の簡単化描写による多層遷移部を示す。 図3は、先行技術に従いセラミック基板上に形成した接触面とペルチェ要素間の簡単化描写による多層遷移部を示す。 図4は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図5は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図6は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図7は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図8は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図9は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図10は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図11は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図12は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図13は、この発明で請求するDCB法を用いてセラミック基板上に塗布した接触面とペルチェチップ間の異なる遷移部又は結合部を示す。 図14は活性化ハンダ付けプロセスを用いて生成したセラミック基板と接触面を形成する金属領域又は銅領域(銅パッド)間の結合部示す。 図15はペルチェ素子生成の異なる段階を示す。 図16は二つの接触面間に位置する拡大化ペルチェ要素(ペルチェチップ)を示す。 図17はペルチェ要素の生成と、共通焼結プロセスによる焼結でこの要素を各接触面に同時接合する簡単化描写のプロセスを示す。 図18はこの発明の他の可能な実施形態に従う図1と類似描写のペルチェ素子を示す。
符号の説明
1 ペルチェ素子
2 セラミック基板
3 接触面
4 ペルチェ要素又はチップ
5,6 ペルチェ素子の電気端子
5 金属被膜
8 軟ろう層
9 金属領域(金属パッド又は銅パッド)
10 軟ろう層
11 ニッケル層
12、12a―12i ペルチェ要素4と接触面3又は接触面3の金属パッド間の結合部
13 ニッケル中間層
14 銀及び/又は金中間層
15 焼結層
16 ニッケル層
17 銀及び/又は金中間層
18 活性ハンダ層
19 軟ろう層
20、21 ニッケル、銀又は金中間層
22 マスク
23 開口部
24 スタンピング工具の各プランジャー
25 金属層又は銅層

Claims (18)

  1. 少なくとも二つの基板(2)間に位置する幾つかのペルチェ要素(4)を有し、この基板(2)はその側面が電気絶縁材からなるペルチェ要素(4)に面し、基板(2)の側面は金属領域(9)で形成される接触面(3)に配置され、ペルチェ要素(4)の端末面は生成時に接触面(3)に結合され、
    ペルチェ要素(4)の端末面は少なくとも接触面(3)に焼結ボンディングにより結合される、ペルチェ素子(1)の生成プロセスであって、
    ペルチェ要素(4)の生成と焼結ボンディングは、複数の開口部(23)を有するマスク(22)を用いた共通の焼結プロセスにおいて行われ、
    以下のステップ、すなわち、
    マスク(22)の開口部(23)が基板(2)の接触面(3)上に位置するように、マスク(22)を基板(2)上に配置するステップと、
    ペルチェ要素(4)の生成に適した混合物を使用するステップと、
    マスク(22)の開口部(23)を混合物で満たすステップと、
    開口部(23)の混合物を焼結温度にさらすことにより、共通の焼結プロセスにおいて、ペルチェ要素(4)を形成するとともに接触面(3)に結合するステップ、を含み、
    ペルチェ要素(4)の生成に適した前記混合物は粉末であり、
    マスク(22)の開口部(23)内の前記粉末は、ペルチェ要素(4)を形成するとともに接触面(3)に結合する間、10バールよりも大きい焼結圧にさらされることを特徴とする、生成プロセス。
  2. 焼結又は焼結ボンディングが、10から300バールの範囲の焼結圧において行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
  3. 焼結又は焼結ボンディングが、スパークプラズマ焼結プロセスを用いて行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
  4. 一つの端末面を有するペルチェ要素(4)が、焼結ボンディングによって第一基板(2)の接触面(3)に結合され、そのときまでは自由な端末面において、各ペルチェ要素(4)が、他のプロセス段階で第二基板(2)の一つの接触面と結合される、請求項1に記載の生成プロセス。
  5. 他のプロセス段階における結合は、軟ろう付け又は硬ろう付けにより行われる、請求項4に記載の生成プロセス。
  6. 他のプロセス段階における結合は、焼結又は焼結ボンディングにより行われる、請求項4に記載の生成プロセス。
  7. 焼結又は焼結ボンディングが、ペルチェ要素(4)の材料の融点より低い焼結温度で行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
  8. 焼結又は焼結ボンディングが、100℃より高く、ペルチェ要素(4)の材料の融点より30から50℃低い焼結温度で行われる、請求項7に記載の生成プロセス。
  9. 焼結ボンディングが金属焼結材を用いて行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
  10. 焼結層(15)が10から200ミクロンの範囲の厚さを有するように焼結材が塗布される、請求項1に記載の生成プロセス。
  11. 銅、銀及び/又は銅−銀合金を金属焼結材として用いる、請求項1に記載の生成プロセス。
  12. 金属焼結材が添加物、特に焼結温度及び/又は焼結圧を低下する添加物を含む、請求項1に記載の生成プロセス。
  13. 焼結ボンディングが、接触面(3)を形成する金属領域(9)上に直接行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
  14. 焼結ボンディング前に、接触面(3)を形成する金属領域(9)は、少なくとも一つのニッケル及び/又は銀及び/又は金からなる中間層(13,14,16、17)を備える、請求項1に記載の生成プロセス。
  15. 中間層が、金属メッキ又は化学蒸着によって形成され、及び/又は、ペースト又は分散液を用いて、中間層を形成する材料の塗布で生ずる、請求項14に記載の生成プロセス。
  16. 基板がセラミック基板である、請求項1に記載の生成プロセス。
  17. 接触面(3)を形成する金属領域(9)が、金属フォイル又は銅フォイル形状で金属被膜を塗布構造化することで形成される、請求項1に記載の生成プロセス。
  18. 金属被膜を形成する金属フォイル又は銅フォイルの塗布が、直接ボンディング又は活性ハンダ付けプロセスで行われる、請求項17に記載の生成プロセス。
JP2008556650A 2006-03-01 2007-02-20 ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 Expired - Fee Related JP4969589B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006009821.8 2006-03-01
DE102006009821 2006-03-01
DE102006011743A DE102006011743A1 (de) 2006-03-13 2006-03-13 Verfahren zum Herstellen von Peltier-Modulen sowie Peltier-Modul
DE102006011743.3 2006-03-13
PCT/DE2007/000342 WO2007098736A2 (de) 2006-03-01 2007-02-20 Verfahren zum herstellen von peltier-modulen sowie peltier-modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009528684A JP2009528684A (ja) 2009-08-06
JP4969589B2 true JP4969589B2 (ja) 2012-07-04

Family

ID=38134763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008556650A Expired - Fee Related JP4969589B2 (ja) 2006-03-01 2007-02-20 ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8481842B2 (ja)
EP (1) EP1989741B1 (ja)
JP (1) JP4969589B2 (ja)
CN (1) CN103354271A (ja)
RU (1) RU2433506C2 (ja)
WO (1) WO2007098736A2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009046102A1 (de) 2009-10-28 2011-05-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Seebeckschenkelmoduls
DE102009046099A1 (de) 2009-10-28 2011-05-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Seebeckschenkelmoduls und korrespondierendes Seebeckschenkelmodul
US20120291454A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-22 Baker Hughes Incorporated Thermoelectric Devices Using Sintered Bonding
CN103703865B (zh) 2011-08-09 2016-09-14 法国圣戈班玻璃厂 电接触复合材料,制造电接触复合材料的方法
CN103311423B (zh) * 2012-02-17 2017-06-30 雅马哈株式会社 热电转换组件及热电转换组件的制造方法
DE102012205087A1 (de) * 2012-03-29 2013-10-02 Evonik Industries Ag Pulvermetallurgische Herstellung eines thermoelektrischen Bauelements
JP6522952B2 (ja) * 2014-05-21 2019-05-29 株式会社東芝 接合体およびその製造方法
US10636952B2 (en) * 2015-01-09 2020-04-28 Asahi Fr R&D Co., Ltd. Flexible peltier device and temperature regulation apparatus
JP6668645B2 (ja) * 2015-09-04 2020-03-18 ヤマハ株式会社 熱電変換モジュール及びその製造方法
PL3196951T4 (pl) 2016-01-21 2019-07-31 Evonik Degussa Gmbh Racjonalny sposób wytwarzania elementów termoelektrycznych za pomocą metalurgii proszkowej
JP2019220546A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 三菱マテリアル株式会社 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュールの製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3301714A (en) * 1963-07-30 1967-01-31 Cambridge Thermionic Corp Compliant thermoelectric assembly
US3707429A (en) * 1970-01-20 1972-12-26 North American Rockwell Thermoelectric element
JP3451107B2 (ja) * 1992-10-05 2003-09-29 株式会社エコ・トゥエンティーワン 電子冷却装置
EP0760530B1 (en) * 1994-05-16 1999-08-04 Citizen Watch Co. Ltd. Manufacture of thermoelectric power generation unit
DE19527867A1 (de) 1995-07-29 1997-01-30 Schulz Harder Juergen Metall-Substrat für elektrische und/oder elektronische Schaltkreise
JPH1074986A (ja) * 1996-06-27 1998-03-17 Natl Aerospace Lab 熱電変換素子、π型熱電変換素子対および熱電変換モジュールの各製造方法
JP3459328B2 (ja) * 1996-07-26 2003-10-20 日本政策投資銀行 熱電半導体およびその製造方法
EP0827215A3 (en) 1996-08-27 2000-09-20 Kubota Corporation Thermoelectric modules and thermoelectric elements
EP0874406A3 (en) * 1997-04-23 2000-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same
DE19733455B4 (de) * 1997-08-02 2012-03-29 Curamik Electronics Gmbh Wärmetauscheranordnung sowie Kühlsystem mit wenigstens einer derartigen Wärmetauscheranordnung
US6127619A (en) * 1998-06-08 2000-10-03 Ormet Corporation Process for producing high performance thermoelectric modules
JP3600486B2 (ja) 1999-08-24 2004-12-15 セイコーインスツル株式会社 熱電変換素子の製造方法
JP2002076451A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Eco Twenty One:Kk 熱電変換素子の製造方法及び熱電変換素子
US6759586B2 (en) * 2001-03-26 2004-07-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermoelectric module and heat exchanger
JP4883846B2 (ja) * 2001-06-11 2012-02-22 ユニチカ株式会社 高温用熱電変換モジュール
JP2003332644A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Komatsu Ltd 熱電モジュール製造方法および熱電モジュール製造用治具
JP2004031696A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Kyocera Corp 熱電モジュール及びその製造方法
JP2004273489A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Atsushi Suzuki 熱電変換モジュール及びその製造方法
JP4446064B2 (ja) 2004-07-07 2010-04-07 独立行政法人産業技術総合研究所 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
US7321157B2 (en) * 2004-07-23 2008-01-22 Gm Global Technology Operations, Inc. CoSb3-based thermoelectric device fabrication method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1989741A2 (de) 2008-11-12
US8481842B2 (en) 2013-07-09
JP2009528684A (ja) 2009-08-06
US20090272417A1 (en) 2009-11-05
WO2007098736A2 (de) 2007-09-07
EP1989741B1 (de) 2015-08-05
CN103354271A (zh) 2013-10-16
RU2008138883A (ru) 2010-04-10
WO2007098736A3 (de) 2008-07-03
RU2433506C2 (ru) 2011-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4969589B2 (ja) ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子
EP3352233B1 (en) Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device
US5111277A (en) Surface mount device with high thermal conductivity
JP2017501883A (ja) 金属セラミック基板を製造する方法
JP2010109132A (ja) 熱電モジュールを備えたパッケージおよびその製造方法
JP2007103949A (ja) パワー半導体素子とハウジングとを備えた装置及びその製造方法
US5188985A (en) Surface mount device with high thermal conductivity
JP5968046B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6904094B2 (ja) 絶縁回路基板の製造方法
JP5713526B2 (ja) 熱電変換モジュールならびに冷却装置、発電装置および温度調節装置
JP2019510367A (ja) 回路キャリアの製造方法、回路キャリア、半導体モジュールの製造方法、及び半導体モジュール
CN105702846A (zh) 热电转换模块及热电转换系统
JP3930410B2 (ja) 熱電素子モジュール及びその製造方法
JP6850988B2 (ja) 熱電変換モジュール
JP3840132B2 (ja) ペルチェ素子搭載用配線基板
CN101395730A (zh) 珀尔帖模块的制造工艺及珀尔帖模块
JP4637647B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP6819385B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004281930A (ja) 熱電変換素子の製造方法
KR20150114045A (ko) 인쇄회로기판 와이어 본딩방법 및 이에 의해 형성된 인쇄회로기판 와이어 본딩 구조
WO2022224946A1 (ja) 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
JP2004134703A (ja) 端子付き回路基板
TWI745572B (zh) 電子零件安裝模組
JP2007012706A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2005101415A (ja) セラミックス回路基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110719

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111019

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120313

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120403

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4969589

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees