JP4969589B2 - ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 - Google Patents
ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4969589B2 JP4969589B2 JP2008556650A JP2008556650A JP4969589B2 JP 4969589 B2 JP4969589 B2 JP 4969589B2 JP 2008556650 A JP2008556650 A JP 2008556650A JP 2008556650 A JP2008556650 A JP 2008556650A JP 4969589 B2 JP4969589 B2 JP 4969589B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peltier element
- sintering
- bonding
- contact surface
- production process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000746 purification Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 42
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 claims description 3
- YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N copper silver Chemical compound [Cu].[Ag].[Ag] YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 25
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
−均一層の酸化銅が生ずるように銅フォイルの酸化
−銅フォイルをセラミック層上に配置
−この組み合わせを、おおよそ1025乃至1083℃の間、例えばおおよそ1071℃のプロセス温度に加熱
−室温に冷却
更に金属被膜を形成する金属層又は金属フォイル、特に又銅層又は銅フォイルを各セラミック材料に接合する所活性ハンダプロセス(ドイツ特許2213115、EP−A153618)は周知である。又特に金属セラミック基板を約800乃至1000℃間の温度での生成に用いるこのプロセスでは、金属フォイル、例えば銅フォイルとセラミック基板、例えば窒化アルミニウムセラミック間の結合が、銅、銀及び/又は金のような主成分以外に又活性金属を含む硬ろうを用いて生成する。例えばハフニウム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、セリウムグループの少なくとも1つの元素であるこの活性金属が、化学反応によりこのハンダとセラミック間に結合部を形成する一方、このハンダと金属間の結合は金属硬ろう結合部である。
焼結層15、従ってペルチェ要素4と接触面3間の結合部は、粉末焼結材料又はこの材料含有の分散液又はナノ分散液を接合する表面の一つに塗布後、焼結温度及び所定の焼結圧、例えば各ペルチェ要素を形成するペルチェ物質の融点より低い焼結温度に加熱して形成する(原文のまま)。
次いで結合焼結層15が焼結温度と焼結圧下に生成する。
特に焼結ボンディング、即ち焼結層15(原文のまま)の結合部12b−12iを有する結合部に関しては、各セラミック基板2の表面側が追加の金属層25、例えば銅層を備えたペルチェ要素4から見て外向きになり、次いで中でもペルチェ要素4が交互のn型ドーピング材とp型ドーピング材からなり、図1のバージョンのようにn型ドープとp型ドープ部ではない他の実施形態の図18に示すような焼結プロセスでセラミック基板2の強度と信頼性を増すのは良い考えである。
この発明を種々の実施形態で上に説明した。多数の変形と修正がこの発明に内在する創意から逸脱すること無し可能なことは言うまでもない。
2 セラミック基板
3 接触面
4 ペルチェ要素又はチップ
5,6 ペルチェ素子の電気端子
5 金属被膜
8 軟ろう層
9 金属領域(金属パッド又は銅パッド)
10 軟ろう層
11 ニッケル層
12、12a―12i ペルチェ要素4と接触面3又は接触面3の金属パッド間の結合部
13 ニッケル中間層
14 銀及び/又は金中間層
15 焼結層
16 ニッケル層
17 銀及び/又は金中間層
18 活性ハンダ層
19 軟ろう層
20、21 ニッケル、銀又は金中間層
22 マスク
23 開口部
24 スタンピング工具の各プランジャー
25 金属層又は銅層
Claims (18)
- 少なくとも二つの基板(2)間に位置する幾つかのペルチェ要素(4)を有し、この基板(2)はその側面が電気絶縁材からなるペルチェ要素(4)に面し、基板(2)の側面は金属領域(9)で形成される接触面(3)に配置され、ペルチェ要素(4)の端末面は生成時に接触面(3)に結合され、
ペルチェ要素(4)の端末面は少なくとも接触面(3)に焼結ボンディングにより結合される、ペルチェ素子(1)の生成プロセスであって、
ペルチェ要素(4)の生成と焼結ボンディングは、複数の開口部(23)を有するマスク(22)を用いた共通の焼結プロセスにおいて行われ、
以下のステップ、すなわち、
マスク(22)の開口部(23)が基板(2)の接触面(3)上に位置するように、マスク(22)を基板(2)上に配置するステップと、
ペルチェ要素(4)の生成に適した混合物を使用するステップと、
マスク(22)の開口部(23)を混合物で満たすステップと、
開口部(23)の混合物を焼結温度にさらすことにより、共通の焼結プロセスにおいて、ペルチェ要素(4)を形成するとともに接触面(3)に結合するステップ、を含み、
ペルチェ要素(4)の生成に適した前記混合物は粉末であり、
マスク(22)の開口部(23)内の前記粉末は、ペルチェ要素(4)を形成するとともに接触面(3)に結合する間、10バールよりも大きい焼結圧にさらされることを特徴とする、生成プロセス。 - 焼結又は焼結ボンディングが、10から300バールの範囲の焼結圧において行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
- 焼結又は焼結ボンディングが、スパークプラズマ焼結プロセスを用いて行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
- 一つの端末面を有するペルチェ要素(4)が、焼結ボンディングによって第一基板(2)の接触面(3)に結合され、そのときまでは自由な端末面において、各ペルチェ要素(4)が、他のプロセス段階で第二基板(2)の一つの接触面と結合される、請求項1に記載の生成プロセス。
- 他のプロセス段階における結合は、軟ろう付け又は硬ろう付けにより行われる、請求項4に記載の生成プロセス。
- 他のプロセス段階における結合は、焼結又は焼結ボンディングにより行われる、請求項4に記載の生成プロセス。
- 焼結又は焼結ボンディングが、ペルチェ要素(4)の材料の融点より低い焼結温度で行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
- 焼結又は焼結ボンディングが、100℃より高く、ペルチェ要素(4)の材料の融点より30から50℃低い焼結温度で行われる、請求項7に記載の生成プロセス。
- 焼結ボンディングが金属焼結材を用いて行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
- 焼結層(15)が10から200ミクロンの範囲の厚さを有するように焼結材が塗布される、請求項1に記載の生成プロセス。
- 銅、銀及び/又は銅−銀合金を金属焼結材として用いる、請求項1に記載の生成プロセス。
- 金属焼結材が添加物、特に焼結温度及び/又は焼結圧を低下する添加物を含む、請求項1に記載の生成プロセス。
- 焼結ボンディングが、接触面(3)を形成する金属領域(9)上に直接行われる、請求項1に記載の生成プロセス。
- 焼結ボンディング前に、接触面(3)を形成する金属領域(9)は、少なくとも一つのニッケル及び/又は銀及び/又は金からなる中間層(13,14,16、17)を備える、請求項1に記載の生成プロセス。
- 中間層が、金属メッキ又は化学蒸着によって形成され、及び/又は、ペースト又は分散液を用いて、中間層を形成する材料の塗布で生ずる、請求項14に記載の生成プロセス。
- 基板がセラミック基板である、請求項1に記載の生成プロセス。
- 接触面(3)を形成する金属領域(9)が、金属フォイル又は銅フォイル形状で金属被膜を塗布構造化することで形成される、請求項1に記載の生成プロセス。
- 金属被膜を形成する金属フォイル又は銅フォイルの塗布が、直接ボンディング又は活性ハンダ付けプロセスで行われる、請求項17に記載の生成プロセス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006009821.8 | 2006-03-01 | ||
DE102006009821 | 2006-03-01 | ||
DE102006011743.3 | 2006-03-13 | ||
DE102006011743A DE102006011743A1 (de) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | Verfahren zum Herstellen von Peltier-Modulen sowie Peltier-Modul |
PCT/DE2007/000342 WO2007098736A2 (de) | 2006-03-01 | 2007-02-20 | Verfahren zum herstellen von peltier-modulen sowie peltier-modul |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009528684A JP2009528684A (ja) | 2009-08-06 |
JP4969589B2 true JP4969589B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=38134763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556650A Expired - Fee Related JP4969589B2 (ja) | 2006-03-01 | 2007-02-20 | ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8481842B2 (ja) |
EP (1) | EP1989741B1 (ja) |
JP (1) | JP4969589B2 (ja) |
CN (1) | CN103354271A (ja) |
RU (1) | RU2433506C2 (ja) |
WO (1) | WO2007098736A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009046099A1 (de) | 2009-10-28 | 2011-05-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Seebeckschenkelmoduls und korrespondierendes Seebeckschenkelmodul |
DE102009046102A1 (de) | 2009-10-28 | 2011-05-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Seebeckschenkelmoduls |
US20120291454A1 (en) * | 2011-05-20 | 2012-11-22 | Baker Hughes Incorporated | Thermoelectric Devices Using Sintered Bonding |
BR112014001043B1 (pt) | 2011-08-09 | 2021-05-25 | Saint-Gobain Glass France | compósitos de contato elétrico, estrutura elétrica e métodos para produzir um compósito de contato elétrico |
CN103311423B (zh) * | 2012-02-17 | 2017-06-30 | 雅马哈株式会社 | 热电转换组件及热电转换组件的制造方法 |
DE102012205087A1 (de) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Evonik Industries Ag | Pulvermetallurgische Herstellung eines thermoelektrischen Bauelements |
JP6522952B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2019-05-29 | 株式会社東芝 | 接合体およびその製造方法 |
US10636952B2 (en) * | 2015-01-09 | 2020-04-28 | Asahi Fr R&D Co., Ltd. | Flexible peltier device and temperature regulation apparatus |
JP6668645B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2020-03-18 | ヤマハ株式会社 | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
PL3196951T3 (pl) | 2016-01-21 | 2019-07-31 | Evonik Degussa Gmbh | Racjonalny sposób wytwarzania elementów termoelektrycznych za pomocą metalurgii proszkowej |
JP2019220546A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3301714A (en) * | 1963-07-30 | 1967-01-31 | Cambridge Thermionic Corp | Compliant thermoelectric assembly |
US3707429A (en) * | 1970-01-20 | 1972-12-26 | North American Rockwell | Thermoelectric element |
JP3451107B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2003-09-29 | 株式会社エコ・トゥエンティーワン | 電子冷却装置 |
EP0760530B1 (en) * | 1994-05-16 | 1999-08-04 | Citizen Watch Co. Ltd. | Manufacture of thermoelectric power generation unit |
DE19527867A1 (de) | 1995-07-29 | 1997-01-30 | Schulz Harder Juergen | Metall-Substrat für elektrische und/oder elektronische Schaltkreise |
JPH1074986A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-03-17 | Natl Aerospace Lab | 熱電変換素子、π型熱電変換素子対および熱電変換モジュールの各製造方法 |
JP3459328B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2003-10-20 | 日本政策投資銀行 | 熱電半導体およびその製造方法 |
EP0827215A3 (en) * | 1996-08-27 | 2000-09-20 | Kubota Corporation | Thermoelectric modules and thermoelectric elements |
EP0874406A3 (en) | 1997-04-23 | 2000-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
DE19733455B4 (de) * | 1997-08-02 | 2012-03-29 | Curamik Electronics Gmbh | Wärmetauscheranordnung sowie Kühlsystem mit wenigstens einer derartigen Wärmetauscheranordnung |
US6127619A (en) * | 1998-06-08 | 2000-10-03 | Ormet Corporation | Process for producing high performance thermoelectric modules |
JP3600486B2 (ja) * | 1999-08-24 | 2004-12-15 | セイコーインスツル株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
JP2002076451A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Eco Twenty One:Kk | 熱電変換素子の製造方法及び熱電変換素子 |
US6759586B2 (en) * | 2001-03-26 | 2004-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermoelectric module and heat exchanger |
JP4883846B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2012-02-22 | ユニチカ株式会社 | 高温用熱電変換モジュール |
JP2003332644A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Komatsu Ltd | 熱電モジュール製造方法および熱電モジュール製造用治具 |
JP2004031696A (ja) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
JP2004273489A (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Atsushi Suzuki | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
JP4446064B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-04-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
US7321157B2 (en) | 2004-07-23 | 2008-01-22 | Gm Global Technology Operations, Inc. | CoSb3-based thermoelectric device fabrication method |
-
2007
- 2007-02-20 CN CN2013102837069A patent/CN103354271A/zh active Pending
- 2007-02-20 RU RU2008138883/28A patent/RU2433506C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-02-20 US US12/224,362 patent/US8481842B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-20 JP JP2008556650A patent/JP4969589B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-20 EP EP07721954.1A patent/EP1989741B1/de not_active Not-in-force
- 2007-02-20 WO PCT/DE2007/000342 patent/WO2007098736A2/de active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103354271A (zh) | 2013-10-16 |
WO2007098736A3 (de) | 2008-07-03 |
US8481842B2 (en) | 2013-07-09 |
EP1989741A2 (de) | 2008-11-12 |
US20090272417A1 (en) | 2009-11-05 |
EP1989741B1 (de) | 2015-08-05 |
WO2007098736A2 (de) | 2007-09-07 |
RU2008138883A (ru) | 2010-04-10 |
JP2009528684A (ja) | 2009-08-06 |
RU2433506C2 (ru) | 2011-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4969589B2 (ja) | ペルチェ素子精製プロセスとペルチェ素子 | |
EP3352233B1 (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device | |
US5111277A (en) | Surface mount device with high thermal conductivity | |
JP2017501883A (ja) | 金属セラミック基板を製造する方法 | |
JP2010109132A (ja) | 熱電モジュールを備えたパッケージおよびその製造方法 | |
JP2007103949A (ja) | パワー半導体素子とハウジングとを備えた装置及びその製造方法 | |
US5188985A (en) | Surface mount device with high thermal conductivity | |
JP5968046B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6904094B2 (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
JP5713526B2 (ja) | 熱電変換モジュールならびに冷却装置、発電装置および温度調節装置 | |
JP2019510367A (ja) | 回路キャリアの製造方法、回路キャリア、半導体モジュールの製造方法、及び半導体モジュール | |
CN105702846A (zh) | 热电转换模块及热电转换系统 | |
JP3930410B2 (ja) | 熱電素子モジュール及びその製造方法 | |
JP6850988B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP3840132B2 (ja) | ペルチェ素子搭載用配線基板 | |
CN101395730A (zh) | 珀尔帖模块的制造工艺及珀尔帖模块 | |
JP4637647B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP6819385B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004281930A (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
KR20150114045A (ko) | 인쇄회로기판 와이어 본딩방법 및 이에 의해 형성된 인쇄회로기판 와이어 본딩 구조 | |
WO2022224946A1 (ja) | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 | |
JP2004134703A (ja) | 端子付き回路基板 | |
JP2007012706A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2005101415A (ja) | セラミックス回路基板およびその製造方法 | |
JP2004259770A (ja) | 熱電交換モジュール用セラミック基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111019 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120403 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4969589 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |