JP2014128842A - Mems素子を有する半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MEMS素子を有する半導体パッケージ1は、MEMS素子10が一体に形成される支持基板11と、その支持基板11上に接着されMEMS素子10の上方を覆う中空のキャップ4とを備え、キャップ4は、LSIチップにより構成されている。また、キャップ4は、バルク層41の上に絶縁層を介して配線部を有する積層構造体により形成されており、バルク層41の底面に凹部41aが形成され、その凹部41aによって支持基板11との間に空間部14が形成された構成とされる。
【選択図】 図1
Description
また、特許文献1では、MEMS素子を有する加速度センサと信号処理チップや磁気センサ等が1つの基板上に搭載された半導体パッケージが開示されている。このように1つの基板上に複数のセンサを配置してパッケージ化する構成は、複数のセンサを別々の半導体パッケージで構成する場合に比べるとスペース効率が高まるという利点がある。
また、本発明のMEMS素子を有する半導体パッケージにおいて、前記キャップは、バルク層の上に絶縁層を介して配線部を有する積層構造体により形成されており、前記バルク層の底面に凹部が形成され、該凹部によって前記支持基板との間に空間部が形成された構成とされる。
さらに、本発明のMEMS素子を有する半導体パッケージは、前記キャップに磁気センサを備える。
温度環境の変化によりキャップ又は支持基板に熱伸縮による変形が生じたり、MEMS素子の変形やその他の外力による応力が生じたりしても、これら部材間を接着する接着剤に緩衝機能を持たせることで、隣接する各部材にそれぞれの変形の影響が加わることを緩和することができる。したがって、キャップ又は支持基板に設けられた素子の特性を劣化させることがなく、安定した検出を行うことができる。
図1及び図2は、第1実施形態の半導体パッケージ1の概略図である。この半導体パッケージ1は、MEMS素子を有する加速度センサ2と、磁気センサ3とを備えたパッケージである。
支持基板11は、単結晶珪素(Si)からなるバルク層、二酸化珪素(SiO2)などからなる絶縁層、アルミニウム(Al)などからなる配線部などで構成される積層構造体である。MEMS素子10は、その支持基板11に形成された開口11aの周囲の支持部11bに一端が接続される板ばね状の4本の梁部12と、その梁部12の他端に接続されるとともに開口11a内に配置され、支持基板11に対して浮遊して設けられる変位部13とを備える。
このキャップ4には、図2及び図4(b)に示すように、その下層に配置されるバルク層41に凹部41aが形成されており、凹部41aにより支持基板11との間に空間部14が形成される。凹部41aは、エッチング加工等により形成することができる。
そして、その凹部41aの形成面とは反対側の上層表面には、積層回路部42が設けられている。この積層回路部42には、図1に示すように、巨大磁気抵抗素子(GMR素子)や磁気トンネル効果素子(TMR素子)などの磁気センサ素子が組み込まれており、磁気センサ3が構成されている。
例えば、本実施形態のように、単結晶珪素(Si)により形成されるキャップ4及び支持基板11の間に緩衝機能を有する接着剤5としては、例えばエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等のはんだよりも軟質の樹脂系接着剤を採用することができる。
そして、図示しないが、この接着状態の支持基板11とキャップ4の上方を一体に被覆するように、エポキシ樹脂等の封止樹脂が設けられる。MEMS素子10は、キャップ4により覆われているので、中空状態で封止される。また、封止樹脂に代えて、プラスチック成形パッケージキャップにより支持基板11とキャップ4とを包み込む構成としてもよい。
しかし、キャップ4と支持基板11とは、これら部材間の緩衝機能を有する接着剤5により接着されていることから、隣接する各部材にそれぞれの変形の影響が加わることを緩和することができる。したがって、キャップ4又は支持基板11に設けられたセンサ等の特性を劣化させることがなく安定した検出を行うことができることから、信頼性を向上させることができる。
例えば、上記実施形態では、MEMS素子を有する半導体パッケージとして加速度センサ2が搭載された半導体パッケージ1を用いて説明したが、本発明の半導体パッケージには、MEMS素子を有する振動ジャイロスコープなどのセンサや、MEMS素子を駆動部とするアクチュエータが搭載されたものも含まれる。
Claims (4)
- MEMS素子が一体に形成される支持基板と、該支持基板上に接着され前記MEMS素子の上方を覆う中空のキャップとを備える半導体パッケージであって、前記キャップは、LSIチップにより構成されていることを特徴とするMEMS素子を有する半導体パッケージ。
- 前記キャップは、バルク層の上に絶縁層を介して配線部を有する積層構造体により形成されており、前記バルク層の底面に凹部が形成され、該凹部によって前記支持基板との間に空間部が形成された構成とされることを特徴とする請求項1記載のMEMS素子を有する半導体パッケージ。
- 前記キャップに磁気センサを備えることを特徴とする請求項1又は2記載のMEMS素子を有する半導体パッケージ。
- 前記キャップと前記支持基板とは、これら部材間の緩衝機能を有する接着剤により接着されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のMEMS素子を有する半導体パッケージ。
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2012
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