JP2009513788A - シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマー - Google Patents
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Abstract
【選択図】なし
Description
TiO2含有ポリオルガノシリケート溶液が、米国特許第5,100,503号の実施例1に記載されているように調製された。1週間のエージング後、材料が濁った。わずかな部分が、2.7μmフィルタを通して濾過された。この材料は、非常に濾過しにくかったが、濾過物は透明であった。未濾過材料および2.7ミクロン濾過材料の両方のサンプルが、SiおよびTi分析に付された。表3に示されているようにTi相のほぼ75%が、2.7μmフィルタによって除去され、このことは、ゲル様粒子を含有する2相系が形成されたことを示している。酸化チタン相が、より高い波長において吸収性相であるので、より高い(例えば238nm)波長における吸光度は、この材料から形成されたフィルムにおいて低いと予想された。
本発明は、その好ましい実施形態にしたがって記載されているが、これは、本開示の精神および範囲内で修正することができる。本出願はしたがって、本明細書に開示された一般原則を用いて、本発明のあらゆる変形例、用途、または適応をカバーすることが意図されている。さらには本出願は、本発明が属し、かつ特許請求の範囲の制限内にある、公知または慣例的な実施の範囲内に入る、本開示からのこのような逸脱をカバーすることが意図されている。
Claims (24)
- シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーの生成方法であって、(a)オルガノ−チタネートとシルセスキオキサンポリマーとを組み合わせる工程であって、(i)非プロトン性溶媒中のオルガノ−チタネートの溶液を、非プロトン性溶媒中のシルセスキオキサンポリマーの溶液へ添加して、中間体、すなわち式(RO)4Ti(式中、Rは、1〜20炭素を有し、かつ場合により1またはそれ以上のヘテロ原子を含有するアルキル、アリール、またはアルカリール基である)を有するオルガノ−チタネートを形成し、このシルセスキオキサンポリマーが、1モルあたり1,100グラム未満の重量平均分子量を有することによるか、または(ii)非プロトン性溶媒中のシルセスキオキサンポリマーの溶液を、非プロトン性溶媒中のオルガノ−チタネートの溶液へ添加して、中間体、すなわち式(RO)4Ti(式中、Rは、1〜20炭素を有し、かつ場合により1またはそれ以上のヘテロ原子を含有するアルキル、アリール、またはアルカリール基である)を有するオルガノ−チタネートを形成することのどちらかによる工程;および水をこの中間体へ添加して、シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーを形成する工程を含む、方法。
- 前記シルセスキオキサンポリマーが、アルケニルおよびアリール基を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサンポリマーのアルケニル基がビニルである、請求項2に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサンポリマーのアリール基がフェニルである、請求項2または3に記載の方法。
- シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーの生成方法であって、オルガノ−チタネート、1またはそれ以上のオルガノ−シラン、水、および酸を混合して、シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーを形成する工程であって、このオルガノ−チタネートが、式(RO)4Ti(式中、Rは、1〜20炭素を有し、かつ場合により1またはそれ以上のヘテロ原子を含有するアルキル、アリール、またはアルカリール基である)を有し、この1またはそれ以上のオルガノ−シランが、式XaSiZ4-a(式中、aは1または2または3であるが、ただし、このオルガノ−シランの少なくともいくつかにおいて、aは1であるという条件があり;Xは、1〜20炭素を有し、かつ場合により1またはそれ以上のヘテロ原子を含有するアルキル、アルケニル、アリール、またはアルカリール基であり;そしてZは、ヒドロキシまたは加水分解性基であり、かつオルガノ−シラン化合物上での各々の発生において同一または異なっていてもよい)を有する工程を含む、方法。
- 前記シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーが、アルケニルおよびアリール基を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーのアルケニル基がビニルである、請求項6に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーのアリール基がフェニルである、請求項6または7に記載の方法。
- Rがn−ブチルである、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- シルセスキオキサンポリマーの溶液が、オルガノ−チタネートの溶液へ添加される、請求項1から4または9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサンポリマーが、1モルあたり1,000グラム超の重量平均分子量を有する、請求項10に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサンポリマーが、1モルあたり30,000グラム未満の重量平均分子量を有する、請求項10または11に記載の方法。
- 前記シルセスキオキサンポリマーが、1モルあたり1,700〜12,000グラムの範囲の重量平均分子量を有する、請求項10に記載の方法。
- 請求項1から13のいずれかに記載の方法にしたがって製造されたシルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーを含む、コーティング。
- シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーのチタニアドメインサイズは、約5ナノメートル未満である、請求項14に記載のコーティング。
- 約5ナノメートル未満のチタニアドメインサイズを有する、シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマー。
- 請求項1から13のいずれかに記載の方法によって製造された、請求項16に記載のシルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマー。
- 請求項16に記載のシルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーでコーティングされた、基体。
- 前記基体が、半仕上げマイクロ電子デバイスである、請求項18に記載の基体。
- 請求項16に記載のシルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーを含む、自立構造フィルム。
- マイクロ電子デバイス用ワイヤリングパターンを形成するための改良フォトリソグラフィープロセスであって、誘電性コーティングされたシリコンウエファーを、反射防止コーティングでコーティングする工程;この反射防止コーティング上にフォトレジスト材料の1パターンを形成し、これによって、反射防止コーティングの一部分を暴露されたままにする工程;暴露された反射防止コーティングをエッチングする工程を含む方法であって、この改良が、請求項16に記載のポリマー、または請求項1から13のいずれかにしたがって製造されたポリマーを含む反射防止コーティングを含む、方法。
- 請求項21に記載の改良方法にしたがって製造されたマイクロ電子デバイス。
- 前記ポリマーの誘電定数は、この基体を、制御された温度へ加熱することによって制御される、請求項18または19のいずれかに記載の基体。
- 前記ポリマーの誘電定数は、このポリマーのチタニア含量を制御することによって管理される、請求項18または19のいずれかに記載の基体。
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