JP2009508339A5

JP2009508339A5 -

Info

Publication number: JP2009508339A5
Application number: JP2008530315A
Authority: JP
Filing date: 2006-08-28
Publication date: 2009-04-23
Anticipated expiration: 2026-08-28

Claims

基板上に複数の内側接点および複数の外側接点を備えるチップキャリアを有する非接触チップカードを形成するためのチップモジュールであって、複数の前記内側接点が、チップキャリア上に配置されるチップユニットの複数の端子領域に結合され、そして、複数の前記外側接点が、アンテナに結合されるのに役立つところのチップモジュールにおいて、
前記チップユニット（１２）が、前記基板（１３）と繊維強化カバー層（２３）との間にサンドイッチ状で収容され、それにより、前記カバー層が、チップユニット（１２）の少なくとも２つの対向する側縁に隣接して、前記基板（１３）に接続されることを特徴とするチップモジュール。
前記カバー層の前記基板に対する接続が、前記カバー層と前記基板との間に配置される少なくとも１つの中間材料を介して行われることを特徴とする、請求項１に記載のチップモジュール。
前記中間材料が外周リングとして構成されていることを特徴とする、請求項２に記載のチップモジュール。
前記カバー層（２３）が、前記チップユニット（１２）の外周（２４）に沿って、前記基板（１３）に接続されることを特徴とする、請求項１に記載のチップモジュール。
前記カバー層（２３）が、チップ表面（２２，３３）に接続されることを特徴とする、請求項１または２に記載のチップモジュール。
前記カバー層の前記チップ表面に対する接続が、前記カバー層と前記チップ表面との間に配置される少なくとも１つの中間材料を介して行われることを特徴とする、請求項５に記載のチップモジュール。
前記チップユニット（１２）が、特定の相対移動度を伴って、前記基板（１３）または前記カバー層（２３）に接続されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のチップモジュール。
前記チップユニット（１２）が、前記基板（１３）と前記カバー層（２３）との間の積層接続体（３５）内に収容されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のチップモジュール。
前記カバー層（２３）が、エポキシ樹脂を主成分として形成されることを特徴とする、請求項８に記載のチップモジュール。
前記カバー層（２３）および前記基板（１３）が、エポキシ樹脂を主成分として形成されることを特徴とする、請求項８に記載のチップモジュール。
端子領域（１９，２０）を有する前記チップユニット（１２）が、チップキャリア（１１）の内側接点（１７）に結合されることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のチップモジュール。
前記チップユニット（１２）が減少された厚さを有していることを特徴とする、請求項１１に記載のチップモジュール。
基板上に複数の内側接点および複数の外側接点を備えるチップキャリアと、前記内側接点に結合されるチップユニットとを有するチップモジュールを製造するための方法であって、
第１のプロセスステップにおいて、前記チップユニット（１２）の端子領域（１９，２０）を前記チップキャリア（１１）の内側接点（１７）に結合し、
次いで、繊維強化カバー層（２３）を前記チップユニット（１２）上に設けて、前記チップユニット（１２）を、前記基板（１３）と繊維強化カバー層（２３）との間にサンドイッチ状で配置し、
次いで、前記カバー層（２３）を、前記チップユニット（１２）の少なくとも２つの対向する側縁に隣接して、前記基板（１３）に接続する
ことを特徴とする方法。
前記カバー層（２３）を、更に、チップ表面（２２，３３）に接続することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
カバー層（２３）と基板（１３）との間の接続体を、積層プロセスによって形成することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の方法。
前記カバー層（２３）と前記チップ表面（２２，３３）との間の接続体、および、前記カバー層（２３）と前記基板（１３）との間の接続体を、積層プロセスによって形成することを特徴とする、請求項１３ないし１５のいずれか１項に記載の方法。
前記カバー層（２３）と前記基板（１３）との間の連続する接続体を、積層プロセス中に、前記チップユニット（１２）の外周（２４）に沿って形成することを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
前記積層プロセスを、所定の形状を有するチップ封入体（２５）を形成するために金型（３１）によって行なうことを特徴とする、請求項１５ないし１７のいずれか１項に記載の方法。
前記チップユニット（１２）の端子領域（１９，２０）の、前記チップキャリア（１１）の内側接点（１７）への結合を、前記チップキャリア（１１）の接点に面する端子領域（１９，２０）を有するチップキャリア（１１）の接点に、前記チップユニット（１２）を結合するように行なうことを特徴とする、請求項１３ないし１８のいずれか１項に記載の方法。
前記チップユニット（１２）を前記チップキャリア（１１）に結合した後、前記カバー層（２３）をチップユニット（１２）上に設ける前に、前記チップユニット（１２）の厚さを、研磨材処理方法によって減少することを特徴とする請求項１９に記載の方法。