JP2009302507A - 成膜装置および半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】枚様式、多数枚式を問わず、均一な厚みの単結晶膜の成膜を可能にする。
【解決手段】ガス噴出部の噴出口は、行および列を成すように配列され、列の間隔が行の間隔よりも広い。これにより、基板到達後のガスは、列に沿って形成される排気空間５０１を流れ、排気されるため。常に基板にフレッシュなガスを供給できる。よって、一様な膜厚で成膜することが可能である。これに対し、比較例では、ガスが放射状に流れるため、中央部の膜厚が厚くなる。
【選択図】図５

Description

本発明は、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により半導体結晶を成長させるための成膜装置、ならびに、ＭＯＣＶＤ法による半導体素子の製造方法に関する。

ＭＯＣＶＤ装置は、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の電子デバイスの産業分野における幅広い分野で半導体結晶成長用として用いられている。特許文献１および２に記載されているように、一般にＭＯＣＶＤ装置では材料ガスをシャワーヘッドに供給し、基板へ向けて噴出する。シャワーヘッドのガス噴出面は、基板と平行な平面であり、多数の噴出口が設けられている。多数の噴出口から一斉に１種類以上のガスを噴出することにより基板面に膜状の結晶を成長させる。

シャワーヘッドから噴出されたガスは、上記特許文献１の図４に記載されているように、基板の中心部から放射状に外側に広がるように流れる。このとき、装置の排気口の方向にガスの流れが引き寄せられるため、ガス流に乱れが生じ基板上に形成される膜特性が不均一になる。そのため、特許文献１では基板を取り囲むように排気口を配置することにより、基板上のガスの流れを均一な放射状にすることが開示されている。

また、特許文献２の図１には、シャワーヘッドの中央部の噴出口から噴出されたガスは最も基板に近い位置を外側に向かって流れ、中央部よりも外側の噴出口から噴出されたガスは中央部から噴出されたガスよりも順次シャワーヘッド寄りの位置を外側に向かって流れることが開示されている。このため、シャワーヘッドの周辺部の噴出口からの噴出ガスは、基板面にほとんど到達することができず大部分が成膜に寄与できないため、高価な材料ガスの利用効率が悪いと指摘している。そこで特許文献２に記載の技術では、不活性ガス等の非材料ガスをシャワーヘッドの周辺部の噴出口から噴出し、中央部の噴出口から材料ガスを噴出することにより、材料ガスの利用効率を向上させることを提案している。

特開２００３−２３９０７３号公報 特開２００４−１９３１７３号公報

上述のようにシャワーヘッドの中央の噴出口より噴出された材料ガスは、基板表面を放射状に流れ、外側の噴出口から噴出された材料ガスは、中央の噴出口の噴出ガスよりもシャワーヘッド寄りの位置を放射状に流れるため、中央部の噴出口から噴出されたガスが、外側の噴出口から噴出されたガスの基板への到達を妨害する。このため、基板上の膜厚の分布は、フレッシュガス供給量の多い中心部が厚く周辺部が薄い凸型になる。この現象は、特許文献１に記載の技術によりガス流を均一な放射状にしても解決できない。また、特許文献２に記載の技術により周囲から非材料ガスを噴出した場合、ガスの利用効率は向上させることができるが、ガス流が放射状であることに変化はないため、中央部の膜厚が厚くなる分布を解消することはできない。

複数の基板を同時に成膜する多数枚式ＭＯＣＶＤ装置の場合には、複数の基板をシャワーヘッドの外周部に沿うように配置してサセプターに保持し、サセプターを回転（公転）させながら、個々の基板を回転（自転）させることにより、基板上の膜厚分布を緩和することができる。しかし、自公転機構は、機構が複雑である。また、サセプター容積が大きくなるため基板の昇温・降温レスポンスが低下すると同時に昇温中・降温中に温度分布が大きくなりやすい。一方、シャワーヘッドと１枚の基板とを１対１で対向させる枚葉式ＭＯＣＶＤ装置の場合には、基板をシャワーヘッドに対して回転（自転）させても膜厚分布は凸型になる。

本発明の目的は、枚様式、多数枚式を問わず、均一な厚みの単結晶膜の成膜を可能にすることにある。

上記目的を達成するために、本発明の第1の態様によれば、以下のような成膜装置が提供される。基板を支持する支持部と、基板に対して材料ガスを噴出するガス噴出部とを有する成膜装置であって、ガス噴出部は基板に対向する噴出面に配置された複数の噴出口を備え、噴出口は複数の列を構成し、噴出口の列の間隔のうち少なくとも一部は、列内の噴出口の間隔よりも広く設定した装置が提供される。このように列間隔を列内噴出口の間隔よりも広く設定することにより、基板到達後のガスを列方向に沿って流して排気することができるため、常に基板にフレッシュなガスを供給できる。

上記噴出口は例えば、行および列が直交するように配列し、列の間隔が行の間隔よりも広くする。

本発明の第２の態様によれば、以下のような成膜装置が提供される。すなわち、基板を支持する支持部と、基板に対して材料ガスを噴出するガス噴出部とを有し、ガス噴出部は、基板に対向する噴出面に２方向に配列して配置された複数の噴出口を備え、噴出口は、配列された一の方向についての間隔が、他の方向についての間隔よりも広く設定されている成膜装置である。このように一方向についての間隔を広く設定することにより、基板到達後のガスを他の方向に沿って流して排気することができるため、常に基板にフレッシュなガスを供給できる。

噴出口は、例えば行および列を成すように配列し、列の間隔が行の間隔よりも広くなるように設定することができる。例えば、列の間隔を行の間隔の２倍以上にすることが好ましい。

噴出部の前記噴出面と前記基板との間隔は、列の間隔の１．５倍以上であることが好ましい。これにより、基板面から流れた位置に排気空間を確保できる。

一例としては、列の間隔は５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。噴出部の噴出面と基板との間隔は、８ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。

噴出部に対して基板を相対的に移動させる駆動機構を有する構成とすることができる。駆動機構は、少なくとも列方向に直交する方向に所定幅で往復運動させる構成とする。これにより、一様な膜厚で成膜することができる。

例えば、駆動機構は支持部をガス噴出部に対して往復運動させる構成とする。また、例えば、駆動機構はガス噴出部を基板に対して往復運動させる構成とする。

往復運動の幅Ｌは、例えば、列の間隔ｂに対して、Ｌ＝ｂ（１＋２ｎ）（但し、ｎ＝０，１，２・・・のうちの任意の値）に設定する。

また、駆動機構は、列方向に直交する方向に往復運動させながら、列方向に平行な方向にも所定幅で往復運動させることにより偏芯往復運動させる構成とすることも可能である。

駆動機構は、列方向に直交する方向の往復運動の変位量が正弦波または余弦波のカーブを描くように運動させることが可能である。

噴出面には列に沿って溝を設けることが可能である。この場合、噴出口は溝の底面に設ける。溝の幅は、噴出口の径の３倍以下に設定することが好ましい。
溝の深さは、噴出口の径の２．５倍以上であることが好ましい。溝の側面は、なす角３０°以下であることが好ましい。

噴出部および支持部が配置される成膜室には、噴出部の列方向の延長線上２か所に排気口を備えることが可能である。これにより、速やかに排気できる。

排気口の大きさは、例えば、ガス噴出部の噴出面に平行な方向の幅が、噴出面の噴出口が設けられている領域の幅と同等であるように設定する。または、ガス噴出部を基板に対して列方向に直交する方向に所定幅で往復運動させる駆動機構が備えられている場合には、排気口の大きさは、例えば、ガス噴出部の噴出面に平行な方向の幅が、噴出面の噴出口が設けられている領域の幅に往復運動の幅を加えた大きさと同等になるように設定する。

上述のガス噴出部の噴出面は、例えば、噴出口が設けられている領域の形状が矩形であるものを用いる。ガス噴出部の噴出面の外形は、例えば矩形または円形とする。

ガス噴出部の噴出面には、噴出口が設けられている領域の外側に、列に平行な突起状のガード部が設けることが可能である。この突起状のガード部の先端部と基板との間隔は、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ未満、または、噴出面と基板との間隔の２割以下に設定されていることが好ましい。

本発明の第３の態様によれば、以下のような半導体素子の製造方法が提供される。すなわち、基板に対向する面に複数の噴出口が供えられたガス噴出部を用い、基板上に１種以上の材料ガスを噴出して成膜する工程を含む半導体素子の製造方法であって、成膜工程は、噴出口が列および行方向に配列され、列間隔が行間隔よりも粗に構成された噴出部を用いる製造方法である。

噴出部に対して基板を噴出口の列と直交する方向に往復運動させながら成膜を行うことが可能である。または、基板に対して噴出部を噴出口の列と直交する方向に往復運動させながら成膜を行うことも可能である。

この成膜工程により、単結晶膜、例えば酸化亜鉛の単結晶膜を成長させる。その場合、Ｚｎを含む有機金属化合物ガスおよび有機金属化合物に対して酸化性のあるガスの２種類の材料ガスを用い、これらのガスを別々の噴出口から噴出することが可能である。有機金属化合物に対して酸化性のあるガスとしては、例えば酸素、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）等を用いることができる。

本発明によれば、ガスの流れを制御するために、噴出口を配列し、一の方向についての間隔を他の方向についての間隔よりも広く設定したことにより、基板到達後のガスを他の方向に沿って流して排気することができる。これにより、常に基板にフレッシュなガスを供給できる。よって、枚様式、多数枚式を問わず、均一な厚みの単結晶膜の成膜が可能になる。

本実施形態１のＭＯＣＶＤ装置の全体構成を示すブロック図。 （ａ）実施形態１のＭＯＣＶＤ装置のシャワーヘッド１０６の噴出面１１の噴出口の配置を示す正面図、（ｂ）実施形態２のＭＯＣＶＤ装置のシャワーヘッド１０６の噴出口の配置を示す説明図、（ｃ）実施形態３のＭＯＣＶＤ装置のシャワーヘッド１０６の噴出口の配置を示す説明図。 実施形態１のシャワーヘッド１０６のＡ−Ａ断面図。 （ａ）実施形態１のサセプター支持筒１０９および往復運動変換機の上面図、（ｂ）図（ａ）のＢ−Ｂ断面図。 （ａ）実施形態１のシャワーヘッド１０６から噴出されたガスの流れを示す説明図、（ｂ）実施形態１のシャワーヘッド１０６の噴出面１１におけるガスの流れを示す説明図、（ｃ）比較例のシャワーヘッド１０６から噴出されたガスの流れを示す説明図、（ｂ）比較例のシャワーヘッド１０６の噴出面１１におけるガスの流れを示す説明図。 （ａ）実施形態１のシャワーヘッド１０６により基板を停止させて成膜した場合の膜厚分布を示す説明図、（ｂ）実施形態１のシャワーヘッド１０６により基板を往復運動させた場合の膜厚分布を示す説明図。 実施形態１のシャワーヘッドの（ａ）ストレート形状の噴出口の形状を示す噴出面正面図および断面図、（ｂ）溝を設けた噴出口の形状を示す噴出面正面図および断面図、（ｃ）溝を設け、ピッチａを広げた噴出口の形状を示す噴出面正面図および断面図。 （ａ）実施形態２のサセプター支持筒１０９および偏芯運動変換機の上面図、（ｂ）図（ａ）のＣ−Ｃ断面図。 本実施形態４のＭＯＣＶＤ装置の全体構成を示すブロック図。 （ａ）実施形態４のＭＯＣＶＤ装置のシャワーヘッド１０６の噴出面１１の噴出口の配置を示す正面図、（ｂ）シャワーヘッド１０６の断面図。 （ａ）実施形態４のシャワーヘッド１０６から噴出されたガスの流れを示す説明図、（ｂ）実施形態４のシャワーヘッド１０６の噴出面１１におけるガスの流れを示す説明図、（ｃ）比較例のシャワーヘッド１０６から噴出されたガスの流れを示す説明図、（ｄ）比較例のシャワーヘッド１０６の噴出面１１におけるガスの流れを示す説明図。 （ａ）実施形態４のシャワーヘッド１０６の噴出面１１におけるガスの流れを示す説明図、（ｂ）実施形態１のシャワーヘッド１０６の噴出面１１におけるガスの流れを示す説明図。 （ａ）実施形態４の１軸直線往復運動機構を備えたシャワーヘッド１０６の断面図、（ｂ）図（ａ）のＤ−Ｄ’断面図、（ｃ）図（ａ）のＥ−Ｅ'断面図。 （ａ）実施形態４の２軸直線往復運動機構を備えたシャワーヘッド１０６の断面図、（ｂ）図（ａ）のＦ−Ｆ’断面図、（ｃ）図（ａ）のＧ−Ｇ'断面図。 （ａ）本実施形態の基板側に往復運動機構を設けた場合のヒーターサイズを示す断面図、（ｂ）実施形態４のシャワーヘッド側に往復運動機構を設けた場合のヒーターサイズを示す断面図。 （ａ）実施形態４のサセプター溝１０８ａと基板の関係を示す断面図、（ｂ）基板１０７が溝の側面に乗り上げた状態示す断面図、（ｃ）基板１０７の下に異物が入り込んだ状態を示す断面図。 （ａ）実施形態４において成膜速度に比して基板の相対的な往復運動速度を低く設定した場合、異なる組成の多層膜が形成される状態を示す説明図、（ｂ）実施形態４において成膜速度に比して基板の相対的な往復運動速度を高く設定した場合、組成の一様な膜が形成される状態を示す説明図。 （ａ）実施形態４において、排気口１５１をシャワーヘッド１０６の列の延長方向に設けた場合の排気ガスの流れを示す説明図、（ｂ）実施形態４において、シャワーヘッド１０６の幅と同程度の幅の排気口１５１を、シャワーヘッド１０６の列の延長方向に設けた場合の排気ガスの流れを示す説明図。 （ａ）実施形態４のシャワーヘッド１０６の噴出面の形状と両脇の噴出口の列の外側の排気ガスの流れを示す説明図、（ｂ）実施形態４のシャワーヘッド１０６のＨ−Ｈ’断面図、（ｃ）実施形態４のシャワーヘッド１０６の両脇の噴出口の列の外側にガード部２０４を設けた構造と排気ガスの流れを示す説明図、（ｄ）図（ｃ）のシャワーヘッド１０６のＩ−Ｉ’断面図。 実施形態４の外形が円形で、噴出口の形成領域が矩形のシャワーヘッド１０６の正面図。 実施形態５の製造方法で製造する半導体発光素子の（ａ）上面図、（ｂ）断面図。 （ａ）および（ｂ）本発明の噴出口の配置の他の例を示す説明図。 （ａ）および（ｂ）本発明の噴出口の配置の他の例を示す説明図。 本発明の噴出口の配置の他の例を示す説明図。 （ａ）および（ｂ）本発明の噴出口の配置の他の例を示す説明図。 比較例のシャワーヘッド１３０から噴出されたガスの流れを示す説明図。 （ａ）比較例のシャワーヘッドから噴出されたガスの流れを示す説明図、（ｂ）比較例のシャワーヘッドを用いて成膜された膜の膜厚分布を示すグラフ。

本発明の一実施の形態について図面を用いて説明する。
（実施形態１）
実施形態１として、本発明のＭＯＣＶＤ装置について説明する。

本発明のＭＯＣＶＤ装置は、図１に示すように、シャワーヘッド１０６と、基板１０７を保持するサセプター１０８と、サセプター１０８を支持するサセプター支持筒１０９とが内部に配置された成膜室１０５を備えている。サセプター支持筒１０９の内部には、基板１０７を加熱するためのヒーター１１０が配置されている。成膜室１０５には、排気口１５１が設けられ、圧力調整弁１１１を介して排気ポンプ１１２が接続されている。

シャワーヘッド１０６は、噴出面１１の形状を図２（ａ）に、断面図を図３に示したように、基板１０７に対して対向する噴出面１１を有し、噴出面１１には、多数の噴出口２０２、２０３が配列して設けられている。このシャワーヘッド１０６は、２種類の材料ガス（第１のガス、第２のガス）を別々の噴出口２０２、２０３から噴出する構成である。第１の材料ガスの噴出口２０２および第２の材料ガスの噴出口２０３は、図２（ａ）のように、所定の間隔（ピッチ）ａでそれぞれ列２００、２０１をなすように配置され、噴出口２０２の列２００と噴出口２０３の列２０１は、隣接する列が一定の間隔ｂとなるように交互に配置されている。本実施形態では、列２００と列２０１の間隔ｂを、列２００、２０１内の噴出口２０２、２０３の間隔ａよりも大きく設定するものである。すなわち、ｂ＞ａに設定する。シャワーヘッド１０６の噴出面１１とサセプター１０８（基板１０７）との間隔ｃは列間隔ｂよりも広く、好ましくは列間隔ｂの１．５倍以上に設定する。これにより、噴出された材料ガスが基板１０７に吹き付けられて折り返された後、列２００、２０１の間を列２００、２０１と平行に流れるように制御する。材料ガスの流れについては、後で詳しく説明する。

ここでいう噴出口の列とは、噴出口が所定の方向に直線に沿って並んでいればよく、列の向きはどのような方向であってもよい。例えば、複数の噴出口が、その略中心同士を結ぶ直線を仮定できるように並んでいる場合、その並びを列と認識することができる。シャワーヘッド上において並進対称性をもって噴出口が並んでいる場合には複数の方向に「噴出口の列」が仮定できるが、いずれかの方向の列の間隔ｂが、列内の噴出口の間隔ａよりも大きく設定されていれば、上述した噴出口の列間隔の条件ｂ＞ａを満たしている。

噴出口の列の決め方の一例としては、任意の噴出口を選んだときにその中心から一番近い距離にある他の噴出口の中心までを直線で結び、その直線を延長した方向に列が並んでいるとして、列の方向を決定することができる。また、一番近い距離にある他の噴出口が複数あるために列の方向が複数仮定できる場合、列内の噴出口の平均間隔が一番短いものを選択して列の方向を決定することができる。なお、噴出口が並進対称性を持たずに並んでいる場合も同様にして列の方向を決定することができる。

また、ある一つの噴出口から最近接する噴出口が２以下の数で配置され、その噴出口を結ぶ方向に配置された噴出口の並びを噴出口列と定義することも可能である。噴出口列が、噴出口列内の噴出口間隔ａより広い間隔ｂで平行に並べられていれば、上述した噴出口の列間隔の条件ｂ＞ａを満たしている。

シャワーヘッド１０６の内部には、図３のようにすべての噴出口２０２に接続された第１材料ガス空間１２５と、すべての噴出口２０３に接続された第２材料ガス空間１２６が設けられている。第１材料ガス空間１２５には接続ポート１２１が備えられており、第１材料ガスのキャリアライン１０１が図１のように接続されている。第２材料ガス空間１２６には接続ポート１２２が備えられており、第２材料ガスのキャリアライン１０２が接続されている。

また、シャワーヘッド１０６の内部には、噴出口２０２、２０３を取り囲むように冷却水流路９０が設けられている。冷却水流路９０には、入水口１２３と出水口１２４が供えられ、それぞれ図１では図示していない冷却水供給ラインと冷却水排出ラインが接続されている。

第１材料ガスのキャリアライン１０１には、図１のように流量調節器１００ａ、１００ｃをそれぞれ介してキャリアガス供給源２１１と第１材料ガス供給源１２がそれぞれ接続されている。第２材料ガスのキャリアライン１０２には、流量調節器１００ｂを介してキャリアガス供給源２１１が、圧力調節器１０４を介して第２材料容器１０３がそれぞれ接続されている。第２材料容器１０３には、液体の第２材料が充填されており、これをバブリングするためのバブリングガス供給管９１が挿入され、この管９１には流量調節器１００ｄを介してバブリングガス供給源１３が接続されている。

つぎに、サセプター支持筒１０９の下部の構造について図４（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）はサセプター支持筒１０９の上面図であり、図４（ｂ）はサセプター支持筒１０９および下部構造の断面図である。サセプター支持筒１０９は、躍動台２２２に搭載されている。躍動台２２２は、成膜室１０５の底部に直線受け軸２２１を介して取り付けられている。

成膜室１０５の底部の外側にはモーター２２３が配置され、その回転軸２２４が成膜室の内側に突出している。躍動台２２２の端部には回転運動を往復運動に変換する運動変換機２２０が配置されている。運動変換機２２０は、モーター２２３の回転軸２２４に直結した偏芯回転板２２５と躍動台２２２に取付けた往復運動変換板２２６を含んで構成され、モーター２２３の回転運動を矢印４０１の方向の１軸直線往復運動に変換する。直線往復運動の方向は、シャワーヘッド１０６の噴出口の列２００、２０１と直交する方向に設定する。

直線往復運動の幅Ｌは、シャワーヘッドの列間距離ｂとした場合、Ｌ＝ｂ（１＋２ｎ）（但し、ｎ＝０，１，２，３，・・・のうちの所定の値）に設定する。躍動台２２２の可動範囲は、Ｌと同等以上に設定する。直線運動の幅Ｌと列間距離ｂとの関係については後で詳しく説明する。また、直線往復運動の速さは所定の速さに設定し、結晶成長中は継続的に往復運動させる。

サセプター支持筒１０９の上にサセプター１０８が配置され、その上に基板１０７が搭載される。

例えば、第１材料ガスとしてVI族系材料である酸素ガスを、第２材料ガスとしてII族系材料であるジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用い、キャリアガスおよびバブリングガスとして窒素を用いる場合、これらのガスは以下のように供給される。すなわち、キャリアガス供給源２１１として窒素ガス供給源を、第１材料ガス供給源１２として酸素ガス供給源を、バブリングガス供給源１３として窒素ガス供給源をそれぞれ用いる。第２材料容器１０３にＤＭＺｎを充填する。これによりキャリアライン１０１とキャリアライン１０２に、キャリアガスとしての窒素ガスを流量調節器１００ａ、１００ｂで調節して流す。キャリアガスは、その後段より合流する第１材料および第２材料ガスを成膜室１０５のシャワーヘッド１０６へ運ぶ。

第１材料ガス供給源１２から供給される酸素ガスは、流量調節器１００ｃで流量を調節され、キャリアライン１０１を流れる。バブリングガスである窒素ガスは、流量調節器１００ｄで流量を調節され、ＤＭＺｎを充填した材料容器１０３へ管９１により供給され、ＤＭＺｎをバブリングする。これにより発生したＤＭＺｎ蒸気は、窒素ガスとともに圧力調整器１０４を通りキャリアライン１０２へ流される。

第１材料ガスである酸素ガスおよび第２材料ガスであるＤＭＺｎ蒸気は、シャワーヘッド１０６の接続ポート１２１、１２２からそれぞれ第１材料ガス空間１２５および第２材料ガス空間１２６に供給され、それぞれ別々の噴出口２０２、２０３より噴出される。これにより、シャワーヘッド１０６の対向面に置かれた基板１０７に、２種類の材料ガスが吹付けられる。

基板１０７は、ヒーター１１０で加熱されており、第１および第２の材料ガスは熱分解反応を生じる。これにより基板上にＺｎＯ結晶が成長する。成膜室１０５の圧力は、圧力調整弁１１１で調整される。素子設計に合わせて材料ガスの種類を変更することにより、多様な層を積層できる。結晶成長中は、サセプター支持筒１０９を幅Ｌで直線往復運動させる。

本実施形態のシャワーヘッド１０６の作用について説明する。ＭＯＣＶＤ装置の成膜性能を左右するのは基板１０７上面に如何なる状態で材料ガスを流すかによる。本実施形態のシャワーヘッド１０６は、ヘッド全面に列２００、２０１状に噴出口２０２、２０３を設け、基板１０７全体にそれぞれに噴出口より材料ガスを均一に吹付ける。このため、相互に反応性のある２種類のガスを別々の噴出口２０２，２０３より噴出し、基板１０７直前から基板上で混合することができる。

このとき、本実施形態１のシャワーヘッド１０６は、ガスの流れを従来の放射状の流れとは全く異なる流れとする。すなわち、図５に示したように列状に配置された噴出口２０２、２０３より噴出した材料ガスは、サセプター１０８（基板１０７）に略垂直に当たることにより、折り返されてヘッド１０６の噴出面１１の方向に向かう。このとき、図２（ａ）に示したように、噴出口２０２、２０３の列２００、２０１の間隔ｂを、列内のピッチａよりも広く設定しているため、列２００、２０１の間隔ｂのシャワーヘッド１０６寄りの空間に、サセプター１０８（基板１０７）で折り返された材料ガスが流れる排気空間５０１が形成される。排気空間５０１は、隣接する列２００，２０１の間にそれぞれ形成され、列２００，２０１に平行な空間であり、サセプター１０８（基板１０７）で折り返された材料ガスはこの排気空間５０１を列に平行に流れ、サセプター１０８（基板１０７）の端部から排気される。よって、本実施形態のシャワーヘッド１０６は、排気空間５０１が基板１０７の表面から離れた位置に形成され、基板１０７の全ての面には、常にフレッシュな材料ガスが供給できる。

このとき、列間隔ｂを列内ピッチａの２倍以上にすることが望ましい。また、シャワーヘッド１０６の噴出面１１とサセプター１０８（基板１０７）との間隔ｃは列間隔ｂよりも広く、好ましくは列間隔ｂの１．５倍以上に設定する。列間隔ｂをピッチａの２倍以上にすることで、排気空間５０１の排気方向が定まり、噴出面１１とサセプター１０８（基板１０７）との間隔を、列間隔ｂの１．５倍以上にすることで、排気空間５０１を基板１０７から離れたシャワーヘッド１０６寄りの位置に形成できるためである。

具体的には、列間隔ｂは、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。その理由は、２種類の材料ガスを別々に供給する場合、噴出口２０２，２０３が離れていることで、２種類のガスが噴出口近傍（直後）で混ざることを防止でき、さらに排気効率を妨げない排気空間５０１を形成しやすいと考えられることから、列の間隔ｂは５ｍｍ以上が好ましいためである。また、一般的な半導体発光素子の製造に用いられる基板サイズは２インチ〜４インチであるので、列間隔ｂが広くなり過ぎると基板面内の膜厚分布も大きくなり、基板１０７の往復運動で補償するのが困難になる。また２種類の材料ガスが基板１０７直前で混合するのが困難になる。よって、ｂは１０ｍｍ程度以下であることが望ましい。

また、噴出面１１と基板１０７との間隔ｃは、具体的には８ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。その理由は、シャワーヘッド１０６と基板１０７の間隔ｃは、狭すぎると材料ガスの排気抵抗が大きくなることを考慮し、８ｍｍ以上に設定することが望ましい。また、一方、間隔ｃが広すぎると２種類の材料ガスが混ざり過ぎて反応不活性物質を形成しやすくなるため、間隔ｃは、２０ｍｍ以下であることが望ましい。

このように噴出口２０２、２０３を列状に配置したシャワーヘッド１０６を用いた場合、サセプター１０８（基板１０７）をシャワーヘッド１０６に対して停止させた状態で成膜を行うと、図６（ａ）に示したように噴出口２０２、２０３の列の位置に対応した縞状の膜厚分布となる。例えば、第１材料ガスとしてVI族材料ガスを用い、第２材料ガスとしてII族材料ガスを用いた場合、II族材料ガス噴出口直下の膜厚は厚く、VI族材料ガス噴出口直下の膜厚は薄く縞状になる。最も厚い部分と最も薄い部分の幅は、列の間隔ｂに一致する。また、横断方向の膜厚分布は、ｓｉｎ（ｃｏｓ）波状となる、縞と平行方向の膜厚は略同じになる。

本実施形態ではサセプター支持筒１０９を上述した図４の往復運動機構により、幅Ｌ＝ｂ（１＋２ｎ）（ｎ＝０，１，２、・・・の所定の値）で往復運動させる。これにより、基板１０７は、図６（ａ）の示した膜厚分布の膜厚の最も厚い部分から薄い部分までの幅と等しい距離を往復運動することになるため、図６（ｂ）のように膜厚分布が消滅し、基板面内で均一な膜厚での成膜が可能となる。この往復運動は、例えば、変位量がｓｉｎカーブまたはｃｏｓカーブを描くように設定する。

往復運動機構（図４）の往復運動の幅Ｌは、偏芯回転板２２５が１周したときに偏芯軸が移動する距離で決まる。よって、往復運動の幅Ｌを例えば７ｍｍに設定する場合、偏芯回転板２２５の中心から、７ｍｍの半分である３．５ｍｍだけずれた位置に偏芯軸を付ければよい。

一方、噴出口２０２，２０３の形状は、排気空間５０１を形成する観点から、列方向の噴出ガスがカーテン状になることが好ましい。このため、図７（ａ）に示したように、単純なストレート噴出口のほか、図７（ｂ）に示す様に列方向に長手方向が一致する補助溝２１２を設け、その底部に噴出口２０２，２０３を配置することも可能である。補助溝２１２の形状は、矩形や側面を傾斜させた形状の他、かまぼこ型にすることも可能である。補助溝２１２を設けることにより、噴出ガスは溝２１２の長手方向に誘導され、カーテン状になりやすいため、図７（ｃ）のように溝２１２内の噴出口２０２，２０３のピッチａを大きくし、噴出口数を減らすこともできる。

なお、補助溝２１２は、溝の幅が噴出口の径の３倍以下であることが好ましい。溝の深さは、噴出口の径の２．５倍以上であることが好ましい。溝の側面は、なす角３０°以下であることが好ましい。側面のなす角が３０°以内ならば十分な排気空間５０１が形成され易いためである。側面のなす角が３０°を越えると排気空間が狭められる。

なお、本実施形態では、２種類のガスを別々の噴出口２０２、２０３から噴出する構成としたが、２種類の反応ガスが低温では反応しない場合には、シャワーヘッド１０６の内部で混合してから噴出することも可能である。この場合も、噴出口の配置を本実施形態の列状の配置とすることにより、排気空間５０１を形成することができ、基板１０７を直線往復運動する一様な膜厚分布で成膜することができる。例えば、ＡｓＨ_３、ＰＨ_３、ＮＨ_３などの材料ガスと、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）蒸気のガスを用いる場合、低温（約３００℃以下）では反応しないので、シャワーヘッド１０６内で混合してから、全噴出口２０２，２０３より噴出することにより、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮを成膜することが可能である。なお、２種類のガスを混合して成膜する場合、シャワーの噴出口２０２，２０３からは同じ混合ガスが噴出されるため、成長縞の間隔が１／２になるので往復運動の幅Ｌも１／２にできる。

本実施形態で用いた往復運動機構は、往復運動の幅Ｌがシャワーヘッドの噴出口の行間隔で決まるので、サセプター１０８や基板１０７のサイズに左右されず、往復運動の幅が決まる。このため、大型なＭＯＣＶＤ装置であっても同一な機構で簡便に構成できる。また、従来の自公転式ＭＯＣＶＤ装置と比較すると、サセプターに複雑な回転機構を必要としないのでサセプターの均熱性、昇温・降温特性に影響を与えず有利な構造である。したがって、この装置によって成膜できる結晶は、膜厚、組成、不純物添加濃度等にムラが少なく、半導体発光素子とした場合は発光波長、発光出力、Ｉ−Ｖ特性にバラツキが少なく、製造歩留まりの著しい向上が期待できる。また、昇降温時のサセプター温度分布が少ないことにより、結晶の熱歪、結晶欠陥、積層膜間の歪みを抑制して発光出力や寿命を向上させる効果が期待できる。

本実施形態のシャワーヘッド１０６の構造では、基板１０７の列方向に沿った両端部２方向に使用済材料ガスは排出される。そこで、成膜室に設ける排気口１５１（図１）を、材料ガスが排出される方向（列方向）の延長線上の２カ所に設ける構成にすることが可能である。これにより排気効率を向上させることができる。

実施形態１では、基板１０７を往復運動させる構成について説明したが、基板１０７に対してシャワーヘッド１０６を往復運動させる構成にすることも可能である。これについては後述の実施形態４で説明する。

（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２のＭＯＣＶＤ装置について説明する。実施形態２では、シャワーヘッド１０６の噴出口配置を実施形態１とは異なる配置とした。また、基板往復運動機構についても実施形態１とは異なる構成とした。他の構成について実施形態１と同様であるので、変更点のみを以下に説明する。

実施形態２のシャワーヘッド１０６は、図２（ｂ）に示したように材料ガスの噴出口２０２，２０３の配列において、列間隔ｂと列内間隔（ピッチ）ａとを等しくし、隣接する列の噴出口２０２、２０３の位置を所定量（例えばピッチａの半分（１／２ａ））づつずらした。すなわち、実施形態２では、隣接する列の噴出口２０２，２０３は、別々の行２０４，２０５に並ぶ。この構成では、列間隔ｂとピッチａは等しいが、行間隔ｄは、列間隔ｂの１／２となる。例えば、列間隔ｂが５ｍｍ〜１０ｍｍの場合、好ましい行間ｄは、２．５ｍｍ〜５ｍｍである。

実施形態２において、シャワーヘッド１０６とサセプター１０８との間隔ｃは、実施形態１と同様に列間隔ｂの１．５倍以上に設定することが望ましい。

実施形態２のシャワーヘッド１０６では、列内の噴出口のピッチａは列間隔ｂと等しいが、隣接する列の噴出口の位置を所定量づつずらしているため、噴出したガスがサセプター１０８で折り返された後、行方向に広がるのを隣接する列の噴出口の噴出ガスが邪魔をする。これにより噴出ガスは隣接する列を超えて広がることはできず、実施形態１同様に、図５（ａ）のようにシャワーヘッド１０６寄りの位置に排気空間５０１が形成される。排気空間５０１は、列方向に沿って連続しており、ガスは排気空間５０１を列方向に平行に流れ、サセプター１０８の端部から排気される。よって、基板１０７で折り返された材料ガスは基板１０７面から離れた位置の排気空間５０１を通って排気されるため、基板１０７の全ての面には常にフレッシュな材料ガスが供給できる。

つぎに、実施形態２の往復運動機構を図８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。この往復運動機構は２軸直線往復運動機構であり、基板１０７をシャワーヘッド１０６の列の長手方向に平行な方向３０１およびそれに直交する方向３００の２方向にそれぞれ往復運動させるものである。２軸直線往復運動機構は、第１実施形態の図４の往復運動機構を運動方向を直交させて２段重ねた構成である。すなわち、図８（ａ），（ｂ）のように成膜室１０５の底部には直線受け軸２２１を介して躍動台２２２が配置されている。直線受け軸２２１の軸方向は、列の長手方向に直交する方向３００に設定されている。躍動台２２２の端部には、回転運動を往復運動に変換する運動変換機２２０が配置されている。運動変換機２２０は、モーター２２３と、その回転軸２２４に直結した偏芯回転板２２５と、躍動台２２２に取り付けた往復運動変換板２２６を含んで構成され、モーター２２３の回転運動を方向３００の１軸直線運動に変換し、躍動台２２２を方向３００に往復運動させる。

躍動台２２２の上には、直線受け軸３２１が固定され、直線受け軸３２１上に躍動台３２２が搭載されている。直線受け軸３２１の軸方向は、列の長手方向に平行な方向３０１であり、直線受け軸２２１の軸方向とは直交している。躍動台３２２の端部には、回転運動を往復運動に変換する運動変換機３２０が配置されている。運動変換機３２０の構造は、運動変換機２２０と同様の構成であり、モーター３２３と、その回転軸３２４に直結した偏芯回転板３２５と、躍動台３２２に取り付けた往復運動変換板３２６を含んで構成されている。これにより、躍動台３２２を躍動台２２２の運動方向３００と直交する方向３０１に往復運動させる。

運動変換機２２０による列の長手方向に直交する方向３００についての往復運動の幅Ｌ’は、シャワーヘッド１０６の列間距離ｂにより、
Ｌ’＝ｂ（１＋２ｎ）
（但し、ｎ＝０，１，２，３，・・・のうちの所定の値）
を満たすように設定する。よって、躍動台２２２の可動範囲は、Ｌ’と同等以上に設定する。なお、２軸直線往復運動は、結晶成長中は継続させる。

一方、運動変換機３２０による列の長手方向３０１についての往復運動の幅Ｌ’’は、噴出口の行間隔ｄ（図２（ｂ）参照）により、
Ｌ’’＝ｄ（１＋２ｎ）
（但し、ｎ＝０，１，２，３，・・・のうちの所定の値）
を満たすように設定する。なお、行間隔ｄは、列内間隔（ピッチ）ａにより、ｄ＝ａ・（１／２）と定義される値である。

実施形態２の２軸直線往復運動機構では、基板１０７はシャワーヘッド１０６の噴出口の列の長手方向と平行な方向３０１に移動しながら、同時に直交する方向３００にも移動する。方向３００、３０１のそれぞれについての往復運動の速度および運動幅の設定により、基板１０７の運動軌跡は、円、楕円または８の字様を描く。実施形態２の２軸直線往復運動機構は図８（ａ）、（ｂ）のように簡便な機構で実現可能である。

なお、実施形態２では、シャワーヘッド１０６の構成を隣接する列の噴出口２０２、２０３の位置を所定量ずつずらすとともに、基板１０７を２軸直線往復運動にする構成について説明したが、これらは同時に適用しなくても構わない。すなわち、実施形態１のシャワーヘッドの構成と、実施形態２の基板の２軸直線往復運動の構成とを備えるＭＯＣＶＤ装置とすることができる。

実施形態２では、基板１０７を２軸直線往復運動させる構成について説明したが、基板に対してシャワーヘッド１０６を２軸直線往復運動させる構成にすることも可能である。

（実施形態３）
つぎに、本発明の実施形態３のＭＯＣＶＤ装置について説明する。実施形態３では、シャワーヘッド１０６の噴出口配置を実施形態１、２とは異なる配置とした。変更点のみを以下に説明する。

本発明において重要な要素は、図５（ａ）のように排気空間５０１が形成されることであるので、噴出されるガスの種類ごとに列を形成する必要はない。そこで、実施形態３では、図２（ｃ）に示すようにシャワーヘッドの噴出口の同一の列内に、異なる種類のガスの噴出口を配置する。

図２（ｃ）のシャワーヘッドでは、一つの列２５１内に第１のガスの噴出口２０２と、第２のガスの噴出口２０３とが交互に配置されている。列２５１と隣接する列２５２との間隔はｂであり、ｂは、列内の噴出口のピッチａ（＝行間隔）よりも広く設定されている。例えば、ｂはａの２倍に設定する。この場合、列間隔ｂが５ｍｍ〜１０ｍｍのとき、好ましいピッチａ（＝行間隔）は２．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲である。

本実施形態３の構成は、実施形態１と同様に、各列間に排気空間５０１が列方向に沿って形成される。よって、基板１０７で折り返された材料ガスは基板１０７面から離れた位置の排気空間５０１を通って排気されるため、基板１０７の全ての面には、常にフレッシュな材料ガスが供給できる。

列間隔ｂとピッチａとの関係は、実施形態１と同様に設定する。また、図２（ｂ）の実施形態２と同様にピッチａと列間隔ｂとを等しくし、隣接する噴出口位置を相互にずらすことにより、行間隔ｄを列間隔ｂよりも狭めた構成にすることも可能である。

実施形態３において、シャワーヘッド１０６に対して基板１０７を停止させた状態で成膜を行った場合、不均一な膜厚分布となると考えられる。よって、本実施の形態においても、実施形態２の２軸直線往復運動機構を採用する。噴出口の配置を図２（ｃ）の配置とし、実施形態２の２軸直線往復運動機構（図８（ａ），（ｂ））を採用した場合、２軸それぞれの往復運動の幅Ｌ’、Ｌ’’は、以下のように定める。まず、運動変換機２２０による列の長手方向に直交する方向３００についての往復運動の幅Ｌ’は、シャワーヘッド１０６の列間距離ｂにより、
Ｌ’＝ｂ（１＋２ｎ）（但し、ｎ＝０，１，２，３，・・・のうちの所定の値）
を満たすように設定する。一方、運動変換機３２０による列の長手方向３０１についての往復運動の幅Ｌ’’は、噴出口の行間隔ｄが列内間隔（ピッチ）ａと等しい（ｄ＝ａ）であることから
Ｌ’’＝ａ（１＋２ｎ）（但し、ｎ＝０，１，２，３，・・・のうちの所定の値）
を満たすように設定する。

(実施形態４)
本発明の実施形態４のＭＯＣＶＤ装置について説明する。実施形態４では、シャワーヘッド１０６の噴出面の形状を実施形態１〜３とは異ならせ、矩形とする。また、基板１０７を往復運動させるのではなく、シャワーヘッド１０６を基板１０４に対して１軸もしくは２軸で直線往復運動させる構成である。

本実施形態のＭＯＣＶＤ装置の全体構成を図９に、シャワーヘッド１０６の構造を図１０（ａ）、（ｂ）に示す。図９から明らかなように装置の概要は、実施形態１の図１の装置と同様であるが、サセプター筒１０９の下には往復運動機構は配置されていない。

シャワーヘッド１０６は、噴出面１１の正面図を図１０（ａ）に示したように噴出面１１の形状が四角形（矩形）である。シャワーヘッド１０６の噴出口２０２、２０３の列２００，２０１と行の定義、列間隔ｂと噴出口２０２、２０３の列内間隔（ピッチ）ａとの関係、噴出口２０２、２０３の形状については、実施形態１、２および３のいずれかと同様にする。図１０（ａ）では一例として噴出孔２０２、２０３の配置を実施形態１と同様にしている。

なお、シャワーヘッド１０６の断面構造は、図１０（ｂ）に示したように実施形態１の装置と同様である。シャワーヘッド１０６と基板１０７との間隔の設定についても、実施形態１，２および３と同様にする。

本実施形態４は、実施形態１，２および３と同様に、シャワーヘッド１０６の噴出口２０２、２０３の列間隔ｂを列内間隔（ピッチ）ａよりも広く設定しているため、図１１（ａ），（ｂ）に示したようにシャワーヘッド１０６から噴出され、基板１０７に到達した後の材料ガス（排気ガス）は列と列との間の空間（排気空間）５０１を通って流れ、排気される。よって、図１１（ｃ）、（ｄ）に示した比較例のように排気ガスの流れが他の噴出口から噴出される材料ガスが基板１０７に到達するのを妨げないため、常にフレッシュな材料ガスを基板１０７に供給することができる。

さらに、本実施形態４ではシャワーヘッド１０６の噴出面１１の形状を矩形としたことにより、排気空間５０１を流れ排気される排気ガスの流路長が、図１１（ｂ）から明らかなようにシャワーヘッド１０６の面内で同じ距離になり、しかも、その各排気空間５０１（流路）の両脇に位置する噴出口の数も等しいため、流量、流速も等しくなる。その結果、基板１０７に到達する材料ガスの流れも噴出面１１の面内で均一化（スムースな流れ）するため、面内における膜厚の均一化を図ることができる。

基板面内で均一な膜厚を得るためには、シャワーヘッド１０６のサイズと基板１０７の幅の関係は以下が好ましい。
シャワーヘッドサイズ ≧ 基板幅＋往復運動の幅L

ただし、シャワーヘッドサイズとは、噴出面１１の噴出口２０２、２０３が設けられている領域の列に直交する方向の幅であり、往復運動の幅Ｌとは、往復運動機構により噴出口の列に直交する方向にシャワーヘッド１０６を往復運動させる幅である。

なお、実施形態４のシャワーヘッド１０６の矩形の噴出面１内における排気ガスの流れは、図１２（ａ）に示すように実施形態１のシャワーヘッド１０６の排気ガスの流れ（図１２（ｂ））と比較してもより均一化されている。図１２（ｂ）に示すように実施形態１のシャワーヘッド１０６の排気空間５０１は、噴出面１１の排気空間５０１の流路長が、外側にいくほど短くなるため、流れが外側に曲がる傾向になる（ただし、図１２（ｂ）では説明を容易にするために曲がりを強調している）。実施形態４のシャワーヘッド１０６は、流路長が一定のため、実施形態１のシャワーヘッド１０６と比較しても、流れをより一層に一様にすることができる。

つぎに、シャワーヘッド１０６を基板１０７に対して１軸もしくは２軸で直線往復運動させるための機構部について説明する。

まず、１軸直線往復運動させるための機構部について図１３（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。

本実施形態４では、サセプター支持筒１０９の往復運動機構を配置しておらず、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のようにシャワーヘッド１０６の上部に往復運動機構として躍動台２２や往復運動変換器２２０を配置している。これにより、シャワーヘッド１０６を基板１０７に対して１軸直線往復運動させる。

シャワーヘッド１０６の往復運動機構の構造は、図４（ａ），（ｂ）のサセプター支持筒１０９の往復運動機構と殆ど同じ構造を用いた。すなわち、図１３（ａ）のようにシャワーヘッド１０６の上部に躍動台２２２が取り付けられ、躍動台２２２は、直線受け軸２２１を介して矢印４０１方向（図１３（ｂ））に可動に成膜室１０５の上面に取り付けられている。

成膜室１０５の上面外側にはモーター２２３が配置され、その回転軸２２４が成膜室の内側に挿入されている。躍動台２２２には回転運動を往復運動に変換する運動変換機２２０が配置されている。運動変換機２２０は、図１３（ｃ）のようにモーター２２３の回転軸２２４に直結した偏芯回転板２２５と、躍動台２２２に取付けた往復運動変換板２２６を含み、モーター２２３の回転運動を矢印４０１の方向の１軸直線往復運動に変換する。直線往復運動の方向は、シャワーヘッド１０６の噴出口の列２００、２０１と直交する方向に設定する。

また、シャワーヘッド１０６の材料ガスの接続ポート１２１、１２２、および、入出水口１２３、１２４は、それぞれフレキシブル配管５２１、５２２、５２３、５２４を介して、第１および第２材料ガスのキャリアライン１０１、１０２、および、冷却水供給排出ライン５３３，５３４に接続されている。

これにより、シャワーヘッド１０６を可動にした場合であっても、材料ガスおよび冷却水の供給が可能である。シャワーヘッド１０６の可動範囲は、数ｍｍ程度であるため、フレキシブル配管５２１〜５２４を使用することにより安価で簡便に可動性を確保しながら材料ガス及び冷却水を供給できる。

なお、フレキシブル配管５２１〜５２４は、気密性、耐久性の観点から金属製であることが好ましい。テフロン（登録商標）等の樹脂系フレキシブル配管を用いることも可能である。

つぎに、シャワーヘッド１０６を２軸直線往復運動させる場合のその構成について説明する。

２軸直線往復運動させる場合には、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、図１３（ａ）〜（ｃ）の往復運動機構を運動方向を直交させて２段重ねた機構部を用いる。すなわち、図１４（ａ）〜（ｃ）のように成膜室１０５の上部には直線受け軸２２１を介して躍動台２２２が配置されている。直線受け軸２２１の軸方向は、列の長手方向に直交する方向４０１に設定されている。躍動台２２２の端部には、回転運動を往復運動に変換する運動変換機２２０が配置されている。運動変換機２２０は、モーター２２３の回転運動を方向４０１の１軸直線運動に変換し、躍動台２２２を方向３００に往復運動させる。

躍動台２２２の下には、直線受け軸３２１が固定され、直線受け軸３２１の下に躍動台３２２が配置されている。躍動台３２２は、シャワーヘッド１０６に取り付けられている。直線受け軸３２１の軸方向は、列の長手方向に平行な方向３０１であり、直線受け軸２２１の軸方向とは直交している。躍動台３２２の端部には、回転運動を往復運動に変換する運動変換機３２０が配置されている。運動変換機３２０の構造は、運動変換機２２０と同様の構成であり、モーター３２３と、その回転軸３２４に直結した偏芯回転板３２５と、躍動台３２２に取り付けた往復運動変換板３２６を含んで構成されている。これにより、躍動台３２２を躍動台２２２の運動方向３００と直交する方向３０１に往復運動させる。

シャワーヘッド１０６を１軸直線運動させるか、２軸直線運動させるかは、シャワーヘッド１０６の噴出口の配置に応じて、第１〜第３の実施の形態で説明したように選択する。また、１軸または２軸直線往復運動させる幅についても第１〜第３の実施形態で説明した通りである。

シャワーヘッド１０６を基板１０７に対して１軸もしくは２軸直線往復運動させることにより、列状に噴出口が配置されたシャワーヘッド１０６を用いて厚さが一様な膜を成膜することができる。

本実施形態４では、基板４側を固定とし、シャワーヘッド１０６を移動させているが、第１〜第３の実施形態のようにシャワーヘッド１０６を固定とし、基板１０７側を移動させる場合と比較して以下のような利点がある。

基板１０７が往復運動する場合、図１５（ａ）に示すように、基板１０７を加熱するヒーター１１０の幅を、基板１０７の幅に基板１０７の往復運動の幅Ｌを加えたサイズにする必要があるが、実施形態４では基板１０７は移動しないため、図１５（ｂ）のように基板１０７の幅と同等な幅のヒーター１１０でよく、ヒーター１１０をコンパクトにできるという利点がある。

ヒーター１１０のサイズがコンパクトになる分、ヒーター１１０およびサセプター支持筒１０９の熱容量を低減することができ、昇温・降温のレスポンス性能を向上させることができるという効果も得られる。

また、基板１０７とヒーター１１０との位置関係も変化がないため、成膜条件の再現性を向上させることができる。

基板１０７が往復運動しないため、基板１０７が往復運動にともなって浮き上がったり、揺れる等の問題も発生しないため、高速での往復運動が可能になる。すなわち、一般に基板１０７は、そりや破損を防止するため、押さえ冶具等で抑えたりせず、図１６（ａ）のようにサセプター１０８の溝１０８ａの中に置くだけの構造とすることが望ましいとされる。溝１０８ａのサイズは、基板１０７の熱膨張等を考慮し、サセプター１０８には基板サイズよりやや大きめに設計されている。往復運動機構によりサセプター１０８を往復運動させると、慣性力により往復運動の移動方向とは逆の方向に基板１０７が移動し、溝１０８ａの中で基板１０７が揺れる。

基板１０７の揺れは高速で往復運動を行うほど激しくなるため、実施形態１〜３の構成では、基板１０７が溝１０８ａの中で浮き上がりを生じない程度の往復運動の速度に設定することが望ましい。

また、基板１０７を往復運動させた場合、溝１０８ａの角部が、図１６（ｂ）のように丸まっていると、往復運動時に基板１０７が丸まった角部に沿って側面に乗り上げて浮き上がってしまうため、溝１０８ａの底面と側面の間の角は精度よく角度９０°に加工されていることが望ましい。しかし、溝１０８ａの角を精度よく９０°に加工するのは費用がかかる。また、精度よく９０°に加工されていても、基板１０７が溝１０８ａ内で揺れると、図１６（ｃ）のように堆積物の剥がれ落ちたもの等が基板１０７の下に入り込みやすく、基板１０７の浮きが発生することもある。これに対し、実施形態４では、基板１０７側を往復運動させず、シャワーヘッド１０６側を往復する運動させる構成にしたことにより、基板１０７が浮き上がったり、揺れる恐れがなく、基板１０７に対してシャワーヘッド１０６を高速で可動させることができる。

基板１０７がシャワーヘッド１０６に対して相対的に往復運動する速度は、基板上に形成される膜の構造に影響する。たとえば、基板１０７上のある狭い領域に着目すると、この領域が第１材料（VI族系）ガスと第２材料（II族系）ガスの噴出口の下を往復運動する場合、成膜速度に比して往復運動速度が遅ければ、図１７（ａ）に示す様に第１材料（VI族系）ガス噴出口の下を通過する際にVI族リッチの膜が、第２材料（II族系）ガス噴出口の下を通過する際に、II族リッチの膜が成膜され、一様な膜を成膜することができない。これに対して、基板１０７がシャワーヘッド１０６に対して相対的に高速で往復運動する場合、基板１０７上にどちらか一方の材料がリッチな膜が形成されることがなく、図１７（ｂ）のように一様な膜を形成することができる。本実施形態４では、シャワーヘッド１０６を基板１０７に対して高速で往復運動させることが可能であり、成膜速度が速い場合であっても組成が一様な膜を形成することができる。

実際に本実施形態４の往復運動機構によりシャワーヘッド１０６を、所定の成膜速度で、１０〜６０往復／分で往復運動させる実験を行ったところ３０往復／分以上の往復速度にすることにより組成が一様な膜を形成することができることが確認された。また、往復運動機構の耐久性確認のため、１５０往復／分で往復させたが問題は生じなかった。

また、シャワーヘッド１０６を往復運動させる本実施形態の構成では、シャワーヘッド１０６を往復運動させる機構部が熱源であるヒーター１１０から遠くに位置するため、構成部品の耐熱性等を考慮する必要が無く、安価な部品での構成が可能であるという利点もある。

なお、本実施形態４の装置において、成膜室１０５の排気口１５１を図１８（ａ）に示す様に、シャワーヘッド１０６の排気空間５０１の延長方向３０２に設けることが好まししい。より好ましくは、シャワーヘッド１０６の列方向の両側に排気口１５１を配置する。これにより、シャワーヘッド１０６の列間の排気空間５０１を流れ、シャワーヘッド１０６の周囲に流れる排気ガスの排気効率を向上させることができ、不活性な排気ガスの成膜への影響を低減することができる。

排気口１５１の大きさは、図１８（ｂ）のようにシャワーヘッド１０６の噴出面１１の噴出口２０２，２０３が設けられている領域の幅と同等である場合には、排気ガスを直線的に排気口１５１に取り込み効率良く排気することができるため望ましい。より具体的には、排気口１５１の大きさは、噴出面１１の噴出口２０２，２０３が設けられている領域の幅（噴出面１１の噴出口２０２、２０３の列のうち両脇に位置する列の距離）にシャワーヘッド１０６の往復運動の幅Lを加えた幅に設定することが望ましい。

ただし、往復運動の幅Lは実施形態１〜３と同様であり、列の間隔ｂに対して、
Ｌ＝ｂ（１＋２ｎ）（但し、ｎ＝０，１，２・・・のうちの所定の値）
である。

本実施形態４の図１０（ａ）、（ｂ）に示したシャワーヘッド１０６は、噴出口２０２、２０３の列と列との間に図１１（ａ），（ｂ）示すように排気空間５０１が形成されるが、図１９（ａ）、（ｂ）のように最も外側に位置する列の外側は、噴出された材料ガスが自由に外に流れ出るため排気空間５０１は形成されず、基板到達後の排気ガスの流れが一様ではない。すなわち、最も外側に位置する列の外側の材料ガスは、他の列間の材料ガスの流れと異なり、ガス供給および排気の流れが乱れているため、成膜した膜厚にむらが生じる場合がある。そのため、成膜に使用する基板のサイズは、
基板サイズ≦シャワーヘッドの両サイドの一つ内側の噴出口の幅
に設定することが望ましい。そのため、基板１０７よりもやや大きなシャワーヘッド１０６が必要となる。そこで、図１９（ｃ）、（ｄ）のようにシャワーヘッド１０６の両サイドに突起状のガード２０４を設け、材料ガスの流れを他の列間と同様の流れに整えることが可能である。

サイドガード２０４は、主平面が噴出面１１に垂直な板状の突起であり、シャワーヘッド１０６の両端部の材料ガスの噴出口の列のガスフローが外側に流れ出るのを妨げる。これにより、材料ガスの流れはサイドガード２０４と列との間を列方向に平行に流れ、他の列間と同様の流れに整えられるため、成膜に用いることができる。よって、噴出面１１の利用可能領域（面積）が広がり、シャワーヘッド１０６をコンパクトにすることが可能となる。

なお、サイドガード２０４の高さは、シャワーヘッド１０６を往復運動させた場合に、基板１０７およびサセプター１０８と接触しない高さに設定する。すなわち、サイドガード２０４の先端と基板１０７またはサセプター１０８との間に所定の隙間が生じるようにする。この隙間は、実用上の機械加工精度や材質の熱膨張を加味し、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。隙間が大きすぎると排気ガスの流れを整える効果が低減するので３．０ｍｍ未満が好ましい。または、隙間は、シャワーヘッド１０６と基板１０７またはサセプター１０８との間隔の２割以下であることが好ましい。

本実施形態４では、シャワーヘッド１０６の噴出面１１の形状を矩形にしたが、図２０のように噴出口２０２、２０３が配置される領域の形状が矩形であればよく、シャワーヘッド１０６の外形は他の形状、例えば円形にする場合も本発明には含まれる。

なお、２軸往復運動機構を図８の装置では基板側に、図１４の装置では、シャワーヘッド１０６側に設ける構成であったが、基板１０７のサセプター支持筒１０９およびシャワーヘッド部１０６に、軸方向が直交する１軸往復運動機構をそれぞれ設ける構成にすることも可能である。

（実施形態５）
実施形態５では、本発明の半導体発光素子の製造方法について説明する。

半導体発光素子の構造は、図２１に示したように、基板２０上に、緩衝層２１、ｎ型酸化物半導体層２２、量子井戸構造を含む発光層２３、ｐ型酸化物半導体層２４を積層した構成である。ｐ型酸化物半導体層２４の上には、ｐ側電極（透光性電極）２７が配置され、その上にｐ側電極パッド２８が配置されている。基板２０の下面には、ｎ側電極２５とｎ側電極接続部材２６が積層されている。

基板２０としては酸化亜鉛またはサファイア等を用いることができる。緩衝層２１は酸化亜鉛の結晶再構成層である。ｎ型酸化物半導体層２２およびｐ型酸化物半導体層２４は、ｎ型およびｐ型の不純物をそれぞれ添加した酸化亜鉛を結晶成長させた層である。発光層２３の量子井戸構造は、酸化亜鉛化合物（例えばＭｇＺｎＯ等）を結晶成長させた層である。

緩衝層２１、ｎ型酸化物半導体層２２、量子井戸構造を含む発光層２３、ｐ型酸化物半導体層２４は、ＭＯＣＶＤ装置を用いて成膜する。

成膜は、以下のように行う。ＭＯＣＶＤ装置のシャワーヘッドの構造は、VI族系材料ガスとII族系材料ガスを別々の噴出口から供給する方式を取り、その噴出面は内部より冷却水で冷却するタイプとする。このとき、材料ガスの噴出口の並びを列間隔ｂを粗に、行間隔ａを密にした構造とする。また、例えば、実施形態１〜４のいずれかに示したシャワーヘッド１０６の構造とする。これにより、噴出された材料ガスは、基板に吹き付けられて折り返された後、図５（ａ）に示したように列と列との間の基板面から離れた排気空間５０１を列と平行に流れるように制御する。

一方、基板１０７は、シャワーヘッド１０６に対して相対的に往復運動させる。往復運動の方向は、少なくとも噴出口の列と直交する方向であり、往復幅Ｌは、Ｌ＝ｂ（１＋２ｎ）（ただし、ｎ＝０，１，２・・・）に設定する。同時に噴出口の列と平行な方向にも往復運動させ、偏芯運動としてもよい。往復運動機構としては、実施形態１〜４のいずれかに示した機構を用いることができる。基板を所定温度まで加熱し、VI族系材料ガスとII族系材料ガスを上記シャワーヘッドから噴出する。

このように、列間隔を粗に行間隔を密にしたシャワーヘッドから材料ガスを噴出しながら、基板を少なくとも行方向に所定幅で往復運動することにより、膜厚の均一な、緩衝層２１、ｎ型酸化物半導体層２２、量子井戸構造を含む発光層２３、ｐ型酸化物半導体層２４を形成することができる。

ｐ側電極（透光性電極）２７、ｐ側電極パッド２８、ｎ側電極２５およびｎ側電極接続部材２６の成膜工程、および、素子の分割工程は、公知の方法により行う。

本実施の形態の製造方法により製造した半導体発光素子は、ｎ型酸化物半導体層２２、量子井戸構造を含む発光層２３、ｐ型酸化物半導体層２４の膜厚が均一であるため、発光効率を向上させることができる。

上述してきた技術は、半導体発光素子、半導体レーザ、電子半導体素子の製造に適用することができる。

上述した各実施形態では、一つのシャワーヘッド１０６において、噴出口の列の間隔ｂが一定である場合について説明してきたが、本発明はこれに限られるものではない。図２２（ａ）に示したように、噴出口の列の間隔が、間隔ｂ１と間隔ｂ２とが交互になるように配列することも可能である。この場合、間隔ｂ１およびｂ２のうちの少なくとも一方（例えばｂ１）が、列内の噴出口のピッチａ（＝行間隔）と等しくても構わない。いずれかの列間隔がピッチよりも広ければ、広い列間隔ｂ２に形成される排気空間を通ってガスが速やかに排気できるため、常にフレッシュなガスを供給でき、一様な膜を成膜できる。また、図２２（ｂ）には、間隔ｂ３と間隔ｂ４とが交互になるように噴出口を配列した例を示す。この例では、間隔ｂ３と間隔ｂ４がいずれもピッチａより大きい例である。図２２（ｂ）の例では、間隔ｂ３および間隔ｂ４のいずれにも排気空間が形成される。

また、図２３（ａ）には、列間隔が間隔ｂ４、間隔ｂ４、間隔ｂ５の順に繰り返すように噴出口を配列した例をしめす。この例では、間隔ｂ４は列内ピッチａと等しい（ｂ４＝ａ）が、広い間隔ｂ５に形成される排気空間によってガスを速やかに排気できるため一様な膜を成膜することができる。図２３（ｂ）に示した例では、列間隔が間隔ｂ６、間隔ｂ６、間隔ｂ７の順に繰り返すように噴出口を配置したものである。ｂ６およびｂ７のいずれも列内ピッチａより大きいため、図２３（ｂ）の例では、間隔ｂ６および間隔ｂ７のいずれにも排気空間が形成される。

図２４には、シャワーヘッド１０６の中心から離れるほど列間隔を狭く設定した例を示す。すなわち、列間隔は、シャワーヘッド１０６の中心に最も近い列間隔ｂ８から外側に順に列間隔ｂ９、ｂ１０、ｂ１１が設定されており、これらはｂ８＞ｂ９＞ｂ１０＞ｂ１１の関係にある。外周側ほど列間隔を狭くしたのは、シャワーヘッド１０６が円形のため外周に近い列ほど排気ガスの流れる距離が短くなり排気抵抗が小さくなるためである。よって、外周に近い列ほど列間隔が狭くても速やかにガスを排気でき、フレッシュなガスを供給できる。

図２５（ａ）に示した噴出口の配置は、図２（ｂ）と同様に隣接する列の噴出口を行方向についてずらして配置した例であるが、ずれ量をピッチａの１／２ではない値（例えば１／３）にした例である。よって、図２５（ａ）の配置の場合、行間隔は間隔ｄ１（＝１／３・ａ）と間隔ｄ２（＝２／３・ａ）とが交互になる。この例においても、行間隔ｄ１およびｄ２よりも列間隔ｂが大きければ、列間隔に沿って排気空間が形成され、ガスを速やかに排気できるため、フレッシュなガスを供給することができる。

図２５（ｂ）に示した噴出口は２方向に配列され、第１の方向１が第２の方向２に対して直交しておらず、第１の方向１に直交する方向３に対して角度θを成すように配列したものである。この場合、第１の方向１を列方向とみると、それと直交する行方向３についての噴出口の間隔ｄは、ピッチａが列間隔ｂに等しい（ｂ＝ａ）場合ｄ＝ａ・ｔａｎθで表わされ、ａよりも狭く（ｄ＜ａ）となる。このため、隣り合う列の噴出口から噴出されたガスは、隣接する列を超えて広がるのを相互に妨げ合い、ガスは列間隔に沿って流れて排気される。この構成の場合も、ガスを速やかに列間隔に沿って排気できるため、フレッシュなガスを供給することができる。

本発明の実施例について以下説明する。
（実施例１）
実施例１として、実施形態１の構成のＭＯＣＶＤ装置を用いて成膜を行った。
シャワーヘッド１０６の噴出口２０２，２０３の配置は、ピッチ（行間隔）ａを４ｍｍ、列間隔ｂを７ｍｍとした。噴出口の断面形状は、φ０．５ｍｍの単純ストレート形状とした（図７（ａ））。シャワーヘッド１０６の噴出面１１と基板１０７面との距離を１５ｍｍに設定した。

基板１０７として直径２インチ、厚み４３０μｍのサファイア基板を用い、サセプター１０８に載せ、基板往復運動機構により１０往復／分のスピードで行方向に往復運動させた。往復幅は７ｍｍとした。

VI族系キャリアガスおよびII族系キャリアガスとして窒素を、流量調節器１００ａと１００ｂでそれぞれ２０００ｓｃｃｍに調節し、キャリアライン１０１、１０２を介してシャワーヘッド１０６に供給した。成膜室の圧力は、圧力調整弁１１１で１０ｋＰａに調整した。

第１の材料ガスとして、VI族系材料ガスである酸素ガスを流量調整器１００ｃを通して２０ｓｃｃｍに調整してVI族系キャリアライン１０１に流した。VI族系キャリアラインの流量は２０００ｓｃｃｍを保つように１９８０ｓｃｃｍに減少した。

ヒーター１１０により基板１０７の温度を８００℃まで昇温し、５分間サファイア基板を熱処理した。

まず、基板１０７上に緩衝層を以下のようにして形成した。基板１０７の温度を４００℃まで下げて維持した。材料容器１０３に満たしたＤＭＺｎに窒素ガスを供給してバブリングした。ＤＭＺｎ蒸気が、０．５μｍｏｌ／ｍｉｎの取り出し流量となる様に流量調節器１００ｄと圧力調整器１０４で調整した。これを第２の材料ガスとしてII族系キャリアライン１０２に供給した。

これにより、サファイア基板１０７のa面に対して、第１の材料ガスである酸素ガスを噴出口２０２から噴出し、第２の材料ガスであるＤＭＺｎ蒸気を噴出口２０３から噴出し、３０分成膜することにより、厚さ２０ｎｍの緩衝層を形成した。

基板１０７の温度を９００℃にして１０分間緩衝層をアニールした。これにより、酸化亜鉛結晶を熱再構成した緩衝層を形成した。

つぎに緩衝層の上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）の単結晶膜を成長させた。すなわち、基板１０７の温度を６００℃にし、上述のＤＭＺｎ蒸気を２０μｍｏｌ／ｍｉｎ、酸素ガスを４００ｓｃｃｍの流量に設定し、それぞれ噴出口２０３、２０２から６０分間噴出させた。これにより、厚さ１μｍの酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶膜を成長させた。

成長させた酸化亜鉛単結晶膜の膜厚分布を測定したところ、膜厚分布は、基板面内分布で±４％未満と良好な結果であった。

また、本実施例では、シャワーヘッド１０６の噴出面１１と基板１０７面との距離を１０ｍｍ〜２０ｍｍまで変更して結晶成長したが、膜厚分布の均一性は維持されることが確認出来た。

（実施例２）
実施例２として、実施形態２のＭＯＣＶＤ装置を用いて成膜を行った。
シャワーヘッド１０６の噴出口２０２，２０３の配置は、図２（ｂ）の配置とし、ピッチａを５ｍｍ、列間隔ｂを５ｍｍ、行間隔ｃを２．５ｍｍとした。噴出口の断面形状は、φ０．５ｍｍの単純ストレート形状とした（図７（ａ））。シャワーヘッド１０６の噴出面１１と基板１０７面との距離を１５ｍｍに設定した。

基板１０７として直径２インチ、厚み４３０μｍのサファイア基板を用い、サセプター１０８に載せ、偏芯往復運動機構により１０往復／分のスピードで行方向に往復運動させた。行方向の往復幅は５ｍｍ、列方向の往復幅は２．５ｍｍとした。

ガスの供給条件は、実施例１と同様にした。これにより、厚さ１μｍの酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶膜を成長させた。

成長させた酸化亜鉛単結晶膜の膜厚分布を測定したところ、膜厚分布は、基板面内分布で±２％未満と良好な結果であった。

（検証）
実施例１、２において、基板１０７を停止させて成膜を行った。これにより、シャワーヘッド１０６の機能と基板往復運動の作用を確認した。成長条件は、実施例１、２と同様にしたが、基板温度は４００℃〜４５０℃と低温に設定した。低温成長させることにより、酸素欠損が多い酸化亜鉛膜が成膜され、色の濃淡により、膜厚分布を観察することができるためである。

その結果、酸化亜鉛膜は、II族系材料ガスの噴出口２０３の直下の膜厚は厚く、VI族系材料ガスの噴出口２０２の直下の膜厚は薄く、噴出口２０２，２０３の列に沿った縞状の膜が形成された。縞の位置は、ガスの噴出口２０２、２０３の位置と対応していた。膜厚分布を測定したところ、波状であった。縞の長手方向については、膜厚分布はほとんどなかった。

次に、基板１０７を実施例１，２のように往復運動させた場合、膜厚分布は消滅し、基板１０７の面内で均一となった。

（比較例）
比較例として、図５（ｄ）のように噴出口を配置したシャワーヘッド１３０を用いて成膜を行った。すなわち、行間隔と列間隔とを等しく３ｍｍとし、行においても列においても噴出口２０２と噴出口２０３が交互に並ぶようにした。他の構成および成膜条件は、実施形態１と同様にした。ただし、基板１０７は往復運動させず、停止させた。

比較例のシャワーヘッド１３０から噴出されたガスは、図５（ｃ）、（ｄ）および図２７（ａ）に示したように、基板１０７の表面へ向かい、中央から外周に向かって放射状に流れた。このとき、図２６のようにシャワーヘッド中心部の噴出口から噴出された材料ガスが、基板１０７表面を放射状に流れ、それよりも外側の位置の噴出口より噴出された材料ガスは、順次、シャワーヘッド１３０寄りの空間を流れた。このため、中心部の噴出口からのガスが、外側の噴出口からのガスの基板到達を妨害していた。

形成された膜厚の分布を測定したところ、図２７（ｂ）のように、中心部が厚く周辺部が薄かった。

１１…噴出面、１００ａ〜ｄ…流量調節器、１０１…VI族系キャリアライン、１０２…II族系キャリアライン、１０３…材料容器、１０４…圧力調節器、１０５…成膜室、１０６…シャワーヘッド、１０７…基板、１０８…サセプター、１０９…サセプター支持筒、１１０…ヒーター、１１１…圧力調整弁、１１２…排気ポンプ、１２１…第１材料ガスキャリアライン接続ポート、１２２…第２材料ガスキャリアライン接続ポート、１２３…入水口、１２４…出水口、２０２…第１材料ガス噴出口、２０３…第２系材料ガス噴出口、２００、２０１…列、２０４、２０５…行。

Claims (32)

1. 基板を支持する支持部と、前記基板に対して材料ガスを噴出するガス噴出部とを有し、
   前記ガス噴出部は、前記基板に対向する噴出面に配置された複数の噴出口を備え、該噴出口は、複数の列を構成し、前記噴出口の列の間隔のうち少なくとも一部は、列内の噴出口の間隔よりも広いこと、を特徴とする成膜装置。
2. 請求項１に記載の成膜装置において、前記噴出口は、行および列が直交するように配列され、前記列の間隔が前記行の間隔よりも広いことを特徴とする成膜装置。
3. 基板を支持する支持部と、前記基板に対して材料ガスを噴出するガス噴出部とを有し、
   前記ガス噴出部は、前記基板に対向する噴出面に２方向に配列して配置された複数の噴出口を備え、該噴出口は、配列された一の方向についての間隔のうち少なくとも一部が、他の方向についての間隔よりも広く設定されていることを特徴とする成膜装置。
4. 請求項３に記載の成膜装置において、前記噴出口は、行および列を成すように配列され、前記列の間隔が、前記行の間隔よりも広いことを特徴とする成膜装置。
5. 請求項２または４に記載の成膜装置において、前記列の間隔が前記行の間隔の２倍以上であることを特徴とする成膜装置。
6. 請求項２、４および５のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部の前記噴出面と前記基板との間隔は、前記列の間隔の１．５倍以上であることを特徴とする成膜装置。
7. 請求項１、２、４ないし６のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記列の間隔が５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする成膜装置。
8. 請求項１、２、４ないし７のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部の前記噴出面と前記基板との間隔は、８ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする成膜装置。
9. 請求項１，２、４ないし８のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部に対して前記基板を相対的に移動させる駆動機構を有し、該駆動機構は、少なくとも前記列方向に直交する方向に所定幅で往復運動させることを特徴とする成膜装置。
10. 請求項９に記載の成膜装置において、駆動機構は前記支持部を前記ガス噴出部に対して往復運動させることを特徴とする成膜装置。
11. 請求項９に記載の成膜装置において、駆動機構は前記ガス噴出部を前記基板に対して往復運動させることを特徴とする成膜装置。
12. 請求項９、１０または１１に記載の成膜装置において、前記往復運動の幅Ｌは、前記列の間隔ｂに対して、Ｌ＝ｂ（１＋２ｎ）（但し、ｎ＝０，１，２・・・のうちの任意の値）であることを特徴とする成膜装置。
13. 請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記駆動機構は、前記列方向に直交する方向に往復運動させながら、前記列方向に平行な方向にも所定幅で往復運動させることにより偏芯往復運動させることを特徴とする成膜装置。
14. 請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記駆動機構は、列方向に直交する方向の往復運動の変位量が正弦波または余弦波のカーブを描くように運動させることを特徴とする成膜装置。
15. 請求項１、２、４ないし１４のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記噴出面には前記列に沿って溝が設けられ、前記噴出口は前記溝の底面に設けられていることを特徴とする成膜装置。
16. 請求項１５に記載の成膜装置において、前記溝の幅は、前記噴出口の径の３倍以下であることを特徴とする成膜装置。
17. 請求項１５または１６に記載の成膜装置において、前記溝の深さは、前記噴出口の径の２．５倍以上であることを特徴とする成膜装置。
18. 請求項１５ないし１７のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記溝の側面は、なす角３０°以下であることを特徴とする成膜装置。
19. 請求項１、２、４ないし１８のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部および支持部が配置された成膜室を有し、前記成膜室には、前記噴出部の前記列方向の延長線上２か所に排気口を備えることを特徴とする成膜装置。
20. 請求項１９に記載の成膜装置において、前記排気口の大きさは、前記ガス噴出部の前記噴出面に平行な方向の幅が、該噴出面の前記噴出口が設けられている領域の幅と同等であることを特徴とする成膜装置。
21. 請求項１９に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部を前記基板に対して、前記列方向に直交する方向に所定幅で往復運動させる駆動機構を有し、
    前記排気口の大きさは、前記ガス噴出部の前記噴出面に平行な方向の幅が、該噴出面の前記噴出口が設けられている領域の幅に前記往復運動の幅を加えた大きさと同等であることを特徴とする成膜装置。
22. 請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部の噴出面は、前記噴出口が設けられている領域の形状が矩形であることを特徴とする成膜装置。
23. 請求項２２に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部の噴出面の外形は、矩形であることを特徴とする成膜装置。
24. 請求項２２項に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部の噴出面の外形は、円形であることを特徴とする成膜装置。
25. 請求項２３に記載の成膜装置において、前記ガス噴出部の噴出面には、前記噴出口が設けられている領域の外側に、前記列に平行な突起状のガード部が設けられていることを特徴とする成膜装置。
26. 請求項２５に記載の成膜装置において、前記ガード部の突起先端部と前記基板との間隔は、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ未満、または、噴出面と前記基板との間隔の２割以下に設定されていることを特徴とする成膜装置。
27. 基板に対向する面に複数の噴出口が備えられたガス噴出部を用い、基板上に１種以上の材料ガスを噴出して成膜する工程を含む半導体素子の製造方法であって、
    前記成膜工程は、前記噴出口が列および行方向に配列され、列間隔が行間隔よりも粗に構成された前記噴出部を用いることを特徴とする半導体素子の製造方法。
28. 請求項２７に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記成膜工程は、前記噴出部に対して前記基板を前記噴出口の列と直交する方向に往復運動させながら成膜を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
29. 請求項２８に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記成膜工程は、前記基板に対して前記噴出部を前記噴出口の列と直交する方向に往復運動させながら成膜を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
30. 請求項２７ないし２９のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記成膜工程は、単結晶膜を成長させる工程であることを特徴とする半導体素子の製造方法。
31. 請求項２７ないし２９のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記成膜工程は、酸化亜鉛の単結晶膜を成長させる工程であることを特徴とする半導体素子の製造方法。
32. 請求項３１に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記成膜工程は、Ｚｎを含む有機金属化合物ガスおよび有機金属化合物に対して酸化性のあるガスの２種類の材料ガスを用い、これらのガスを別々の噴出口から噴出することを特徴とする半導体素子の製造方法。

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