CN103215568A

CN103215568A - 气体供给头和基板处理装置

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Publication number: CN103215568A
Application number: CN2013100273714A
Authority: CN
Inventors: 田中诚治; 里吉务
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-01-20
Filing date: 2013-01-21
Publication date: 2013-07-24
Anticipated expiration: 2033-01-21
Also published as: KR20130085963A; KR101662364B1; JP5843627B2; TWI568879B; JP2013149873A; CN103215568B; TW201341578A

Abstract

本发明在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另外的多个气体排出孔构成的第二气体孔列（102b）；由分别经由气体流路仅与构成上述第一气体孔列（102a）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101a）；和由分别经由气体流路仅与构成上述第二气体孔列（102b）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101b），对上述第一气体扩散室（101a）和第二气体扩散室（102b）供给不同种类的气体。

Description

气体供给头和基板处理装置

技术领域

本发明涉及气体供给头和基板处理装置。

背景技术

近年来，随着对以LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）、有机EL（Organic Electro-Luminescence，有机电致发光板）为首的FPD（Flat Panel Display，平板显示器）、半导体、太阳电池等要求更高的机能，在这些的制造中所使用的对于基板的成膜、蚀刻等工艺技术也逐渐要求更高的精度。特别是在成膜工艺中，利用MO-CVD以及能够以原子层水平进行高精度的成膜控制的ALD（Atomic layer deposition，原子层沉积）的成膜技术备受注目。

在ALD、MO-CVD等成膜装置中，例如，分别向处理空间导入前体气体和氧化剂气体，使其在处理空间内发生反应。利用这样的成膜工艺，则需要分别向处理空间内导入参与成膜工艺的多种气体。

这样分别向处理空间内导入多种气体的公知例，例如，记载在专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-77109号公报

专利文献2：日本特开昭62-149881号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在分别向处理空间导入多种气体时，有时在非计划区域，例如，在气体供给头（气体喷嘴）的附近，堆积不需要的堆积物。特别是在气体供给头存在空隙时，在该空隙中容易发生气体的滞留，气体混合从而发生反应，存在产生堆积物的可能性。

为了抑制这样的不需要的堆积物的堆积，而使对应于不同气体种类的气体供给头的气体排出孔的位置相互分离时，由于气体排出孔间隔增大，存在处理空间中的气体供给的均匀性变差的情况。

本发明在于提供一种能够抑制气体供给的均匀性的恶化并且抑制在非计划区域产生不需要的堆积物的气体供给头和使用该气体供给头的基板处理装置。

用于解决课题的方法

本发明的第一方面所涉及的气体供给头是用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，向所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元供给不同种类的气体。

本发明的第二方面所涉及的气体供给头是用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和气体供给管，其用于在与配置所述第一气体孔列和所述第二气体孔列的面不同的面，向构成所述第一扩散单元的一个或者两个以上的气体扩散室和构成所述第二气体扩散单元的一个或者两个以上的气体扩散室分别供给气体。

本发明的第三方面所涉及的基板处理装置具备向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体的气体供给机构，该气体供给机构具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室。仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和气体供给管，向所述第一气体扩散单元和所述第二气体扩散单元分别供给不同种类的气体。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种能够抑制气体供给的均匀性的恶化并且抑制在非计划区域产生不需要的堆积物的气体供给头和使用该气体供给头的基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的水平剖面图。

图2是沿着图1中的II-II线的剖面图。

图3（A）图是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的一例的水平剖面图，（B）图是沿着（A）图中B-B线的剖面图。

图4是透视表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的一例的内部的立体图。

图5是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一个变形例的纵剖面图。

图6（A）图是表示气体供给头的第一变形例的剖面图，（B）图是沿（A）图中的箭头6B观察时的侧视图，（C）图是表示气体孔列的配置的一个变形例的侧视图。

图7是表示气体供给头的第二变形例的水平剖面图。

图8（A）图是表示气体供给头的第三变形例的剖面图，（B）图是沿（A）图中的箭头8B观察时的侧视图。

图9是第三变形例所涉及的气体供给头的立体图。

图10（A）图～（D）图是表示从图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头排出气体的样子的侧视图。

图11是表示从图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头排出气体的样子的剖面图。

图12（A）图～（D）图是表示从第三变形例所涉及的气体供给头排出气体的样子的侧视图。

图13是表示从第三变形例所涉及的气体供给头排出气体的样子的剖面图。

图14（A）图～（D）图是表示第三变形例所涉及的气体供给头的进一步变形例的剖面图。

符号说明

G……被处理体

101……气体扩散室

102……气体排出孔

103……气体排出面

104……沟

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的一个实施方式。在该说明中，对于所参照的全部附图，对于相同的部分使用相同的参照符号。

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的水平剖面图，图2是沿着图1中的II-II线的剖面图。一个实施方式中，作为被处理体的一例，使用FPD的制造或太阳电池模块中所使用的玻璃基板，作为基板处理装置的一例，例示对玻璃基板实施成膜处理的成膜装置。

如图1和图2所示，基板处理装置1具备形成有对被处理体G进行处理的处理空间2的处理室3。处理室3包含载置被处理体G的载置台4、对载置于载置台4上的被处理体G进行覆盖的罩5。载置台4和罩5以能够在高度方向相对移动的方式构成。使载置台4和罩5在高度方向错开，例如，使罩5上升从而罩5与载置台4分离，则设置于载置台4上的载置被处理体G的载置面露出于外部。由此，能够对载置面进行被处理体G的搬入、载置和搬出。此外，在图1和图2中，省略了在载置面中使被处理体G上升下降的升降机的图示。

相反地，以在载置面上载置有被处理体G的状态使罩5下降，使罩5与载置台4密合，则在载置台4和罩5之间形成从外部密闭得到的处理空间2。由此，能够对处理空间2中的被处理体G进行处理。在本例中，以罩5相对于载置台4上升下降为例进行了说明，但是，也能够以载置台4相对于罩5上升下降的方式构成，当然也能够以使载置台4和罩5双方上升下降的方式构成。

在处理空间2的内部，设置有构成向处理空间2供给处理中所使用的气体的气体供给机构的一部分的气体供给头6和排气沟7。排气沟7与排气装置7a连接。排气装置7a对处理空间2的内部进行排气。通过排气装置7a对处理空间2的内部进行排气，可以进行处理空间2内的压力调节、处理空间2内的气氛置换（清扫）。

在本例中，气体供给头6和排气沟7为直线状，并且，直线状的气体供给头6和排气沟7配置于彼此相对的位置，例如，配置于具备四边的矩形状的载置台4中的相对的两边。从而上述载置面以夹在直线状的气体供给头6和直线状的排气沟7之间的方式设置。通过将直线状的气体供给头6和排气沟7配置于彼此相对的位置，以夹在直线状的气体供给头6和直线状的排气沟7之间的方式设置上述载置面，所以在载置于载置面上的被处理体G的被处理面的上方，能够从气体供给头6向排气沟7形成朝向一个方向成为层流的气体流F。在这样的本例中，对被处理体G利用向一个方向形成层流的气体进行均匀的所期望的处理，在本例中为进行均匀的成膜处理。

本例中的气体供给头6例如经由在载置台4的内部形成的气体供给管8与气体供给系统9连接。在本例中，由气体供给头6和气体供给管8构成气体供给机构。气体供给系统9向气体供给头6供给例如在处理中所使用的气体。本例的气体供给系统9具备经由第一气体供给管8a向气体供给头6供给第一气体的第一气体供给系统9a、和经由第二气体供给管8b供给第二气体的第二气体供给系统9b。作为第一气体和第二气体的具体一例，例如，在例示氧化铝（Al₂O₃）成膜时，第一气体为作为前体的三甲基铝（(CH₃)₃Al：TMA）气体，第二气体为作为氧化剂的水蒸气（H₂O）气体。当然，第一气体和第二气体不限于TMA气体、水蒸气气体，能够根据成膜的膜的种类进行变更。另外，气体也不限于两个种类，能够根据成膜的膜的种类变更为3种以上。

这样的基板处理装置1的各部分的控制，通过控制部12进行。控制部12例如具有由微处理器（计算机）构成的工艺控制器12a。在工艺控制器12a，为了让操作员管理基板处理装置1，连接有包括进行指令的输入操作等的键盘、使基板处理装置1的运转状况可视化显示的显示器等的用户界面12b。在工艺控制器12a连接有存储部12c。存储部12c收纳有用于以工艺控制器12a的控制实现在基板处理装置1中施行的各种处理的控制程序和用于根据处理条件在基板处理装置1的各部分施行处理的方案。方案例如存储于存储部12c中的存储介质中。存储介质可以是硬盘或半导体存储器，也可以是CD-ROM、DVD、闪存等可移动的存储介质。另外，方案例如可以通过专用线路从其他装置适当地传送。方案也可以根据需要，按照来自用户界面12b的指示等从存储部12c读取，工艺控制器12a施行依据所读取的方案的处理，由此，基板处理装置1基于工艺控制器12a的控制实施所期望的处理、控制。

以下，对本例的气体供给头6进行更详细的说明。

图3（A）图是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的一例的水平剖面图，图3（B）图是沿着图3（A）图中B-B线的剖面图，图4是透视表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的一例的内部的立体图。

如图3（A）、图3（B）和图4所示，气体供给头6具备主体100、在主体100内部形成的由直线状的空间形成的气体扩散室101和与气体扩散室101对应设置的由多个气体排出孔构成的气体孔列102。本例中，气体扩散室101设有供给第一气体的第一气体扩散室101a和供给第二气体的第二气体扩散室101b，分别经由第一气体供给管8a和第二气体供给管8b供给、扩散第一气体和第二气体。第一气体扩散室101a内扩散的第一气体从第一气体孔列102a向处理空间2排出，第二气体扩散101b内扩散的第二气体从第二气体孔列102b向处理空间2排出。第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b彼此在主体100的内部一体形成，同样地，第一气体孔列102a和第二气体孔列102b也彼此在主体100内部一体形成。

这样，通过使第一气体扩散室101a、第二气体扩散室101b、第一气体孔列102a和第二气体孔列102b在主体100的内部一体形成，能够消除在气体供给头6堆积无用的堆积物这样的情况。例如，在以第一部件形成第一气体扩散室101a和第一气体孔列102a，以第二部件形成第二气体扩散室101b和第二气体孔列102b，并第一部件和第二部件彼此重叠而构成气体供给头的情况下，会产生在第一部件和第二部件之间的微小空隙堆积堆积物的可能性。但是，如本例所示，通过使第一气体扩散室101a、第二气体扩散室101b、第一气体孔列102a和第二气体孔列102b在主体100的内部一体形成，能够得到如下优点：能够消除气体供给头6的微小的空隙、能够消除在微小的空隙堆积堆积物的可能性。

另外，第一气体孔列102a和第二气体孔列102b在主体100的内部在高度方向Z接近而配置。在本例中，上层中的第一气体孔列102a和下层中的第二气体孔列102b接近地配置。第一气体孔列102a和第二气体孔列102b分别从第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b沿平面方向X延伸，经由主体100的气体排出面103向处理空间2侧露出。由此，第一气体孔列102a的开口和第二气体孔列102b的开口在主体100的一个气体排出面103中，相对于上述平面X方向，例如，沿着正交的平面方向Y相互并列地配置。

这样，根据本例的气体供给头6，在气体供给头6中使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b在主体100的内部一体地形成，由此，能够使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b彼此在高度方向Z接近地配置。通过使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b能够彼此在高度方向Z接近地配置，与彼此分离地配置的情况相比较，能够对处理空间2以狭小的间距配置气体排出孔，因此，能够得到能够均匀地供给气体、由此能够进行均匀性高的成膜这样的优点。

另外，本例中的第一气体孔列102a的配置间距P1和第二气体孔列102b的配置间距P2采用彼此相同的间距P（P1=P2=P）。而且，均彼此错开“P/2”而配置。这样使第一气体孔列102a的配置间距P1和第二气体孔列102b的配置间距P2为彼此相同的间距P时，例如，能够使水平方向Y的各部位中向水平方向X的气体排出流量在第一气体孔列102a和第二气体孔列102b彼此相等，能够向处理空间2的内部进一步均匀地排出气体。另外，通过进一步使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b均彼此错开“P/2”而配置，能够得到如下优点：避免第一气体和第二气体从气体供给头6排出后立即混合而发生反应，并且能够使第一气体和第二气体在处理空间2的内部均等地混合。

这样，根据一个实施方式所涉及的基本处理装置1所具备的气体供给头6，能够消除气体供给头6的微小空隙，因此能够消除在微小的空隙堆积不需要的堆积物。

另外，通过在气体供给头6中使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b在主体100的内部一体形成，能够使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b能够彼此在高度方向Z接近地配置，能够对于处理空间2以狭小的间距配置气体排出孔，因此，能够得到能够使气体供给均匀、由此能够进行均匀性高的成膜这样的优点。

另外，通过使第一气体孔列102a和第二气体孔列102b的配置间距为彼此相同的间距P，能够向处理空间2的内部进一步均匀地排出气体。另外，通过均彼此错开“P/2”而配置，在上下邻接的第一气体孔列102a和第二气体孔列102b彼此均等地交替配置，能够得到如下的优点：避免在处理空间2的内部第一气体和第二气体从气体供给头6排出后立即混合而发生反应，并且能够使第一气体和第二气体均等地混合。

接着，说明一个实施方式所涉及的基板处理装置和一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的变形例。

（基板处理装置：一个变形例）

图5中所示的一个变形例所涉及的基板处理装置1a与图1中所示的基板处理装置1的不同之处在于具备多个处理室3。这样，处理室3可以是一个，也可以如本变形例为多个。

另外，本变形例中，具备收纳多个处理室3的外部腔室20。外部腔室20中，设有连通外部腔室20的内部和外部的开口21，在该开口21连接闸阀22。通过打开闸阀22，将外部腔室20的内部和外部连通，能够进行被处理体G的搬入搬出。另外，在外部腔室20的例如底部设有排气口23，在该排气口23连接排气装置24。关闭闸阀22，在外部腔室20的内部与外界气密封闭的状态下使排气装置24运转，能够使外部腔室20的内部的压力下降到规定的真空度。由此，例如，在多个处理室3的内部以减压状态进行成膜处理时，能够减小外部腔室20的内部的压力与多个处理室3的内部的压力的差，或者使其相等，能够得到如下的优点：例如，能够不对载置台4、罩5施以大的压力而抑制载置台4、罩5微小的挠曲、翘曲等的变形，能够对多个被处理体G进行高精度的成膜处理。

另外，由于能够抑制对载置台4、罩5施以大的压力，因此，对于载置台4、罩5的强度，也能够抑制较低至某种程度。因此，能够得到如下的优点：能够在基板处理装置1a，将每一枚被处理体G的制造成本抑制较低。

另外，在设有多个处理室3时，优选分别在多个的各处理室3中设置气体供给头6。

（气体供给头：第一变形例）

图6（A）是表示气体供给头的第一变形例的剖面图，图6（B）是沿图6（A）中的箭头6B观察时的侧视图。图6（C）是表示气体孔列的配置的一个变形例的侧视图。

图6（A）和图6（B）中所示的第一变形例所涉及的气体供给头6a与图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头6的不同之处在于还具备第三气体扩散室101c和第三气体孔列102c。如在上述一个实施方式中所说明的，气体不限于两个种类，也能够根据成膜的膜种类变更为三种以上。本例是使用三种气体进行成膜的例子。

作为使用三种气体进行成膜的例子，例如，能够列举硅酸氮化膜。这种情况下，第一气体能够列举作为前体的硅原料气体的二氯化硅烷（SiH₂Cl₂：DCS），第二气体能够列举作为氧化剂的水蒸气（H₂O）气体，第三气体能够列举作为氮化剂的氨（NH₃）气体。

这样具备三列以上的气体孔列102a～102c时，能够使三列以上的气体孔列102a～102c的所有列排出不同的气体。

此时，作为气体孔列102a～102c的配置，可以如图6（B）所示，使气体孔列102a～102c的配置间距P1～P3为“P1=P2=P3=P”，均彼此错开“P/3”而配置，也可以如图6（C）所示，使气体孔列102a～102c的配置间距P1～P3为“P1=P2=P3=P”，均彼此错开“P/2”而配置。

（气体供给头：第二变形例）

图7是表示气体供给头的第二变形例的水平剖面图。

图7所示的第二变形例所涉及的气体供给头6b与图3（A）、图3（B）和图4所示的气体供给头6的不同之处在于将第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b分割为多个第一气体扩散室101a1～101a4和多个第二气体扩散室101b1～101b4。在本例中，沿水平方向Y，第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b被分割为多个第一气体扩散室101a1～101a4和多个第二气体扩散室101b1～101b4。

多个第一气体扩散室101a1～101a4分别与第一气体供给管8a连接，从第一气体供给系统9a供给第一气体。同样地，多个第二气体扩散室101b1～101b4分别与第二气体供给管8b连接，从第二气体供给系统9b供给第二气体。

分别从多个第一气体扩散室101a1～101a4经由第一气体孔列102a向处理空间2内排出第一气体，分别从多个第二气体扩散室101b1～101b4经由第二气体孔列102b向处理空间2内排出第二气体。

为这样的第二变形例所涉及的气体供给头6b时，沿水平方向Y，第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b分割为多个第一气体扩散室101a1～101a4和多个第二气体扩散室101b1～101b4，抑制沿水平方向Y的长度。通过具备这样的结构，例如，在第一气体扩散室101a的沿水平方向Y的长度La以及第二气体扩散室101b的沿水平方向Y的长度Lb长时，例如，长至1m以上时，通过分别将第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b分割，抑制沿水平方向Y的长度，能够降低气体扩散室中在沿水平方向Y的长度方向产生的压力梯度，改善由气体扩散室中的部位不同产生的排出气体流量的不均匀，使气体充分扩散，能够使从第一气体孔列102a和第二气体孔列102b的排出气体流量均匀。因此，能够得到对适用于被处理体G的一边例如为1m以上的大型基板的成膜处理中是有利的这样的优点。

另外，在分别分割第一气体扩散室101a和第二气体扩散室101b时，通过使多个第一气体扩散室101a1～101a4和多个第二气体扩散室101b1～101b4彼此错开，能够将第一气体孔列102a的配置间距和第二气体孔列102b的配置间距彼此保持一定。因此，能够得到能够向处理空间2的内部均匀地排出气体这样的优点。另外，与上述第一实施方式同样地，通过使第一气体孔列102a的配置间距P1和第二气体孔列102b的配置间距P2为“P1=P2=P”，能够对上述一边例如为1m以上的大型基板从上下层均匀地供给气体。

（第三变形例）

图8（A）是表示气体供给头的第三变形例，图8（B）是沿图8（A）中的箭头8B观察时的侧视图，图9是第三变形例所涉及的气体供给头的立体图。

图8（A）、图8（B）和图9所示的第三变形例所涉及的气体供给头6c与图3（A）、图3（B）和图4所示的气体供给头6的不同之处在于在气体排出面103还具备将第一气体孔列102a彼此连接的沟104a和将第二气体孔列102b彼此连接的沟104b。在本例中，沟104a和沟104b的沿水平方向X的剖面为由直线形成“V字状”。

图10（A）～图10（D）是表示从图3（A）、图3（B）和图4所示的气体供给头6排出气体的样子的侧视图，图11是表示其排出气体的样子的剖面图。

另外，图12（A）～图12（D）是表示从图8（A）、图8（B）和图9所示的气体供给头6c排出气体的样子的侧视图，图13是表示其排出气体的样子的剖面图。

如图10（A）～图10（D）和图11所示，图3（A）、图3（B）和图4所示的气体供给头6中，从气体孔列102a（或者102b）沿水平方向X排出的气体，例如，边同心圆状扩散，边向处理空间2的内部扩散。

相对于此，如图12（A）～图12（D）和图13所示，第三变形例所涉及的气体供给头6c中，由于沿水平方向X排出的气体碰到沟104a（或者104b）的侧面，所以边沿水平方向Y扩散边向沟104a（或者104b）的内部扩散。并且，在沟104a（或者104b）的内部，与从相邻的气体排出孔排出的气体混合，形成一枚薄板状的层流，从沟104a（或者104b）向处理空间2的内部扩散。

这样，在第三变形例中，通过在气体排出面103设置有将第一气体孔列102a彼此连接的沟104a和将第二气体孔列102b彼此连接的沟104b，能够形成一枚薄板状的层流而排出气体。

即，根据第三变形例，与图3（A）、图3（B）和图4所示的气体供给头6相比较，容易形成层流的厚度t1较薄的层流。因此，能够得到如下的优点：能够进一步抑制在气体供给头6c中配置气体孔列的气体排出面等不需要的部位中堆积物的发生，并且进一步改良气体供给的均匀性。

此外，第三变形例并不是用于否定图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头6，根据气体的种类，反应性不同，因此也有适用图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头6的情况。因此，是选择第三变形例所涉及的气体供给头6c，还是选择图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头6，例如，根据使用的气体种类进行适当选择即可。

图14（A）～图14（D）的是表示第三变形例所涉及的气体供给头的进一步变形的剖面图。

在图8中，沟104a和沟104b的沿水平方向X的剖面为以直线形成“V字状”，但是也可以如图14（A）所示，沟104a和沟104b的沿水平方向X的剖面，例如，也可以是阶梯状。

另外，如图14（B）和图14（C）所示，沟104a和沟104b的沿水平方向X的剖面，例如，可以具有曲面。在具有曲面时，例如，可以如图14（B）所示，朝向沟104a和沟104b的外侧形成“凸”的形状，也可以如图14（C）所示，朝向沟104a和沟104b的内侧形成“凸”的形状。

另外，也可以如图14（D）所示，在第一气体孔列102a和第二气体孔列102b之间不形成“面”，而形成连接第一气体孔列102a和第二气体孔列102b的共通沟104。

以上，根据一个实施方式对本发明进行了说明，但是，本发明并不限定于上述一个实施方式，能够进行各种变形。另外，上述一个实施方式并不是本发明的实施方式的唯一的实施方式。

例如，在一个实施方式中，使第一气体孔列102a的配置间距P1和第二气体孔列102b的配置间距P2为“P1=P2”，但是在有意对排出气体的气体流量设置密度分布等时，配置间距P1和配置间距P2可以是彼此不同的间距。

另外，一个实施方式中的气体供给机构至少包括每种气体的气体孔列、与该气体孔列对应的一个或者多个气体扩散室和用于从各个气体供给系统向该气体扩散室供给气体的管即可，也可以不必在气体供给头内设置有气体扩散室。另外，气体供给头也可以与载置台一体设置。

另外，对于进行成膜的膜不限于氧化铝膜，如实施方式中所述，上述的一个实施方式能够适用在各种膜的成膜中。

此外，本发明在不超出其要点的范围内能够进行各种变形。

Claims

1.一种气体供给头，用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：

第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；

第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；

第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和

第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，

向所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元供给不同种类的气体。

2.如权利要求1所述的气体供给头，其特征在于：

所述第一气体孔列具有连结构成所述第一气体孔列的多个气体排出孔的V字型沟，

所述第二气体孔列具有连结构成所述第二气体孔列的多个气体排出孔的V字型沟。

3.如权利要求1所述的气体供给头，其特征在于：

构成所述第一气体孔列的气体排出孔和构成所述第二气体孔列的气体排出孔彼此从邻接的位置错开。

4.一种气体供给头，用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：

第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；

第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；

第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和

气体供给管，其用于在与配置所述第一气体孔列和所述第二气体孔列的面不同的面，向构成所述第一扩散单元的一个或者两个以上的气体扩散室和构成所述第二气体扩散单元的一个或者两个以上的气体扩散室分别供给气体。

5.一种基板处理装置，其具备向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体的气体供给机构，所述基板处理装置的特征在于：

该气体供给机构具有：

第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；

第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室。仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；

气体供给管，向所述第一气体扩散单元和所述第二气体扩散单元分别供给不同种类的气体。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：

具有形成所述处理空间的两个以上的处理室，在该处理室分别设有所述气体供给机构。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：

还具有外部腔室，其收纳所述两个以上的处理室，并将所述处理室的外部维持为减压气氛。