TWI568879B - Gas supply head and substrate processing device - Google Patents

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Description

氣體供給頭及基板處理裝置
該本發明係有關於氣體供給頭及基板處理裝置。
近年來，隨著對以LCD(Liquid Crystal Display)或有機EL(Organic Electro-Luminescence)等為首之FPD(Flat Panel Display)、半導體、太陽電池等要求高的機能，也對該些製造所使用之基板的成膜或蝕刻等之製程技術要求更高的精度。尤其，在成膜製程中，MO-CVD以及可以原子層水準之高精度來控制成膜的ALD(Atomic layer deposition)之成膜技術受到注目。
在ALD或MO-CVD等之成膜裝置中，將例如前驅物氣體和氧化劑氣體個別地導入至處理空間，使在處理空間內反應。如此一來，由於成膜製程不同，必須將有助於成膜製程之複數種類之氣體個別地導入至處理空間。
如此將複數種類之氣體個別地導入至處理空間之以往例，例如有專利文獻1、2所記載之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-77109號公報
[專利文獻2]日本特開昭62-149881號公報
但是，於將複數種類之氣體個別地導入至處理空間之時，在非意圖之區域，例如在氣體供給頭(氣體噴嘴)之附近，有堆積不需要之堆積物的情形。尤其，在氣體供給頭具有間隙之時，有在該間隙容易產生氣體之滯留，氣體被混合反應，產生堆積物之可能性。
為了抑制如此不需要之堆積物的堆積，當對應於不同氣體種之氣體供給頭之氣體吐出孔之位置互相分離時，因氣體吐出孔間隔變寬，有在處理空間氣體供給之均勻性變差之情形。
該發明係提供抑制氣體供給之均勻性之惡化，並且可以抑制在非意圖之區域產生不需要之堆積物之情形的氣體供給頭及使用其氣體供給頭之基板處理裝置。
與該發明之第1態樣有關之氣體供給頭係對藉由複數種類之氣體處理基板的處理空間供給上述複數種 類之氣體的氣體供給頭，具有：第1氣體孔列，其係由複數氣體吐出孔所構成；第2氣體孔列，其係在與該第1氣體孔列同一面被配置成與該第1氣體孔列並列，由其他複數氣體吐出孔所構成；第1氣體擴散手段，其係由僅構成上述第1氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；及第2氣體擴散手段，其係由僅構成上述第2氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成，上述第1氣體擴散手段和上述第2氣體擴散手段被供給不同種類之氣體。
與該發明之第2態樣有關之氣體供給頭係對藉由複數種類之氣體處理基板的處理空間供給上述複數種類之氣體的氣體供給頭，具有：第1氣體孔列，其係由複數氣體吐出孔所構成；第2氣體孔列，其係在與該第1氣體孔列同一面被配置成與該第1氣體孔列並列，由其他複數氣體吐出孔所構成；第1氣體擴散手段，其係由僅構成上述第1氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；及第2氣體擴散手段，其係由僅構成上述第2氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；及氣體供給管，其係在與配置有上述第1氣體孔列及上述第2氣體孔列之面不同的面，用以對構成上述第1氣體擴散手段之1或2以上之氣體擴散室及構成上述第2氣體擴散手段之1或2以上之每個氣體擴散室供給氣體。
與該發明之第3態樣有關之基板處理裝置係具備有對藉由複數種類之氣體處理基板的處理空間供給上述複數種類之氣體的氣體供給機構，該氣體供給機構具有：第1氣體孔列，其係由複數氣體吐出孔所構成；第2氣體孔列，其係在與該第1氣體孔列同一面被配置成與該第1氣體孔列並列，由其他複數氣體吐出孔所構成；第1氣體擴散手段，其係由僅構成上述第1氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；第2氣體擴散手段，其係由僅構成上述第2氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；及氣體供給配管，其係對上述第1氣體擴散手段和上述第2氣體擴散手段各供給不同種類之氣體。
若藉由該發明時，可以提供抑制氣體供給之均勻性之惡化，並且可以抑制在非意圖之區域產生不需要之堆積物之情形的氣體供給頭及使用其氣體供給頭之基板處理裝置。
G‧‧‧被處理體
101‧‧‧氣體擴散室
102‧‧‧氣體孔列
103‧‧‧氣體吐出面
104‧‧‧溝部
第1圖為表示與該發明之一實施型態有關之基板處理裝置之一例的水平剖面圖。
第2圖為沿著第1圖中之II-II線之剖面圖。
第3圖(A)係表示與一實施型態有關之基板處理裝置所具備之氣體供給頭之一例的水平剖面圖，(B)為沿著(A)圖中之B-B線之剖面圖。
第4圖為透視與一實施型態有關之基板處理裝置所具備之氣體供給頭之一例的內部而表示的斜視圖。
第5圖為表示與該發明之一實施型態有關之基板處理裝置之一變形例的縱剖面圖。
第6圖(A)為表示氣體供給頭之第1變形例的剖面圖，(B)為從(A)圖中之箭號6B觀看的側視圖，(C)為表示氣體孔列之配置的一變形例之側視圖。
第7圖為表示氣體供給頭之第2變形例的水平剖面圖。
第8圖(A)為表示氣體供給頭之第3變形例之剖面圖，(B)為從(A)圖中之箭號8B觀看的側視圖。
第9圖為與第3變形例有關之氣體供給頭之斜視圖。
第10圖(A)~(D)係表示從第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭吐出氣體之樣子的側視圖。
第11圖係表示從第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭吐出氣體之樣子的剖面圖。
第12圖(A)~(D)係表示從與第3變形例有關之氣體供給頭吐出氣體之樣子的側視圖。
第13圖係表示從與第3變形例有關之氣體供給頭吐出氣體之樣子的剖面圖。
第14圖(A)~(D)係表示從與第3變形例有關之氣體供給頭之又一變形例的剖面圖。
以下參照附件圖面，針對該發明之一實施型態予以說明。在該說明中，於整個參照圖面中，針對相同部份賦予相同參照符號。
第1圖係表示與該發明之一實施型態有關之基板處理裝置之一例的水平剖面圖，第2圖為沿著第1圖中之II-II線之剖面圖。在一實施型態中，使用在FPD製造或太陽電池模組中被使用之玻璃基板以作為被處理體之一例，就以基板處理裝置之一例而言，例示對玻璃基板施予成膜處理之成膜裝置。
如第1圖及第2圖所示般，基板處理裝置1具備形成對被處理體G進行處理之處理空間2的處理室3。處理室3包含載置被處理體G之平台4，和覆蓋被載置平台4上之被處理體G之蓋體5。平台4及蓋體5被構成可對高度方向相對性移動。當將平台4和蓋體5從高度方向移開，例如使蓋體5上升，使蓋體5從平台4離開時，載置被設置在平台4之被處理體G之載置面露出至外部。依此，被處理體G可朝載置面上搬入、載置及搬出。並且，在第1圖及第2圖中，在載置面，省略使被處理體G上升下降之升降器的圖示。
相反地，在被處理體G被載置在載置面上之 狀態下使蓋體5下降，並使蓋體5密接於平台4時，與外部隔絕而被密閉之處理空間2被形成在平台4和蓋體5之間。依此，可對處理空間2中之被處理體G進行處理。在本例中，雖然以蓋體5對平台4上升下降之例予以說明，但是亦可構成平台4對蓋體5上升下降，當然也可構成平台4及蓋體5之雙方上升下降。
在處理空間2之內部設置有構成對處理空間2供給用於處理之氣體的氣體供給機構之一部分的氣體供給頭6，和排氣溝7。排氣溝7被連接於排氣裝置7a。排氣裝置7a係對處理空間2之內部排氣。藉由排氣裝置7a對處理空間2之內部進行排氣，進行處理空間2內之壓力之調節，或處理空間2內之氛圍之置換(沖洗)。
在本例中，氣體供給頭6及排氣溝7為直線狀，並且直線狀之氣體供給頭6及排氣溝7係沿著互相相對之位置，例如具備4邊之矩形狀之平台4中之相對的兩邊而配置。然後，上述載置面係以被夾在直線狀之氣體供給頭6和直線狀之排氣溝7之間之方式而被設置。藉由在互相相對之位置配置直線狀之氣體供給頭6和直線狀之排氣溝7，並且以被夾在直線狀之氣體供給頭6和直線狀之排氣溝7之間之方式設置上述載置面，可以在被載置在載置面上之被處理體G之被處理面之上方，形成從氣體供給頭6朝向排氣溝7在一方向成為層流的氣流F。在如此之本例中，對被處理體G，藉由在一方向成為層流之氣體進行均勻的期待處理，在本例中為均勻的成膜處理。
本例之氣體供給頭6係經例如形成在平台4之內部的氣體供給管8而與氣體供給系統9連接。在本例中，以氣體供給頭6和氣體供給管8構成氣體供給機構。氣體供給系統9係對氣體供給頭6供給例如處理所使用之氣體。本例之氣體供給系統9具備有對氣體供給頭6，經第1氣體供給管8a供給第1氣體之第1氣體供給系統9a，和經第2氣體供給管8b供給第2氣體之第2氣體供給系統9b。第1氣體及第2氣體之具體性的一例若例示例如氧化鋁(Al2O3)成膜時，第1氣體則為前驅物之三甲基鋁((CH3)3Al：TMA)氣體，第2氣體則為氧化劑之水蒸氣(H2O)氣體。當然，第1氣體及第2氣體並不限定於TMA氣體、水蒸氣氣體，可以因應所形成之膜的種類而變更。再者，氣體並不限定於2種類，也可以因應所形成之膜的種類而變更成3種類以上。
如此之基板處理裝置1之各部之控制藉由控制部12進行。控制部12具有例如由微處理器(電腦)所構成之製程控制器12a。在製程控制器12a連接有由操作員為了管理基板處理裝置1進行指令之輸入操作等的鍵盤，或使基板處理裝置1之運轉狀況可視化而予以顯示之顯示器等所構成之使用者介面12b。製程控制器12a連接有記憶部12c。記憶部12c儲存有用以藉由製程控制器12a之控制實現在基板處理裝置1中被實行之各種處理的控制程式，或用以因應處理條件使基板處理裝置1之各部實行處理之處理方法。處理方法係被記憶於例如記憶部 12c之中的記憶媒體。記憶媒體即使為硬碟或半導體記憶體亦可，即使為CD-ROM、DVD、快閃記憶體等之可搬運性者亦可。再者，處理方法即使例如經專用迴線而從其他裝置適當傳送亦可。處理方法係因應所需在來自使用者介面12b之指示等下從記憶部12c被讀出，藉由製程控制器12a實行依照所讀出之處理方法之處理，基板處理裝置1在製程控制器12a之控制下，實施期待之處理、控制。
以下，針對本例之氣體供給頭6，更詳細予以說明。
第3圖(A)係表示與一實施型態有關之基板處理裝置所具備之氣體供給頭之一例的水平剖面圖，第3圖(B)為沿著第3圖(A)中之B-B線之剖面圖，第4圖為透視表示與一實施型態有關之基板處理裝置所具備之氣體供給頭之一例之內部的斜視圖。
如第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示般，氣體供給頭6具備本體100，和被形成在本體100之內部，由直線狀之空間所構成之氣體擴散室101，和對應於氣體擴散室101而被設置，由複數氣體吐出孔所構成之氣體孔列102。在本例中，氣體擴散室101設置有供給第1氣體之第1氣體擴散室101a，和供給第2氣體之第2氣體擴散室101b，第1氣體及第2氣體各經第1氣體供給管8a及第2氣體供給管8b而被供給被擴散。被擴散至第1氣體擴散室101a內之第1氣體係從第1氣體孔列102a，被擴散至第2氣體擴散室101b內之第2氣體係從 第2氣體孔列102b，各朝向處理空間2被吐出。第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b互相在本體100之內部形成一體，同樣第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b也在本體100之內部形成一體。
如此一來，將第1氣體擴散室101a、第2氣體擴散室101b、第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b在本體100之內部形成一體，可以解決在氣體供給頭6堆積無用之堆積物之情形。例如，以第1構件形成第1氣體擴散室101a及第1氣體孔列102a，以第2構件形成第2氣體擴散室101b及第2氣體孔列102b，互相堆疊第1、第2構件而構成氣體供給頭之時，產生了在第1構件和第2構件之間的微小間隙堆積堆積物之可能性。但是，如本例般，將第1氣體擴散室101a、第2氣體擴散室101b、第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b在本體100之內部形成一體，可以取得如從氣體供給頭6消除微小之間隙，並可以消除在微小間隙中堆積堆積物之可能性的優點。
再者，第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b係在本體100之內部接近高度方向Z而被配置。在本例中，於上層配置第1氣體孔列102a，在下層近接配置第2氣體孔列102b。第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b各從第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b延伸於平面方向X，經本體100之氣體吐出面103而露出於處理空間2側。依此，第1氣體孔列102a之開口 及第2氣體孔列102b之開口係在本體100之一個氣體吐出面103，對上述平面方向X，沿著例如正交之平面方向Y而互相並列配置。
如此一來，若藉由本例之氣體供給頭6時，藉由將氣體供給頭6中之第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b一體形成在本體100之內部，可以使第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b互相接近於高度方向Z而予以配置。第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b藉由可以互相接近配置在高度方向Z，因比起配置成互相分離之時，可以相對於處理空間2較窄的間距配置氣體吐出孔，故可供給均勻之氣體，依此可以取得如可進行均勻性高之成膜的優點。
並且，本例之第1氣體孔列102a之配置間距P1，和第2氣體孔列102b之配置間距P2成為互相相同之間距P(P1=P2=P)。然後，被配置成互相偏置“P/2”。如此一來，第1氣體孔列102a之配置間距P1，和第2氣體孔列102b之配置間距P2當設為互相相同之間距P時，例如可以將水平方向Y之各部位中朝水平方向X的氣體吐出流量，設為在第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b互相相等，可對處理空間2之內部吐出更均勻之氣體。再者，又藉由將第1氣體孔列102a和第2氣體孔列102b配置成各偏置“P/2”，可取得迴避第1氣體和第2氣體從氣體供給頭6吐出後立即混合反應之情形，並且可以在處理空間2之內部均等地混合第1氣體和第2氣體之優 點。
如此一來，若藉由與一實施型態有關之基板處理裝置1所具備之氣體供給頭6時，因可以從氣體供給頭6消除微小之間隙，故可以解決在微小之間隙間堆積不需要之堆積物的情形。
再者，藉由將氣體供給頭6中之第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b一體形成在本體100之內部，可以使第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b配置成互相接近於高度方向Z，可以相對於處理空間2較窄的間距配置氣體吐出孔，可供給均勻之氣體，依此可以取得如可以進行均勻性高之成膜的優點。
並且，藉由將第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b之配置間距設成互相相同之間距P，可以朝處理空間2之內部吐出更均勻之氣體。並且，藉由配置成各偏置“P/2”，在上下相鄰接之第1氣體孔列102a和第2氣體孔列102b互相均等地交互配置，可以取得如迴避在處理空間2之內部，第1氣體和第2氣體從氣體供給頭6吐出之後立即混合反應之情形，並且可以均等地混合第1氣體和第2氣體之優點。
接著，說明與一實施型態有關之基板處理裝置及與一實施型態有關之基板處理裝置所具備之氣體供給頭之變形列。
(基板處理裝置：一變形例)
第5圖為表示與該發明之一實施型態有關之基板處理裝置之一變形例的縱剖面圖。
與第5圖所示之一變形例的基板處理裝置1a與第1圖所示之基板處理裝置1不同的是具備複數處理室3。如此一來，處理室3即使為單一，或如本變形例般即使為複數亦可。
再者，在本變形例中，具備有收容複數處理室3之外部腔室20。在外部腔室20設置有連通外部腔室20之內部和外部之開口21，在該開口21連接有閘閥22。藉由打開閘閥22，外部腔室20之內部和外部連通，可進行被處理體G之搬入搬出。再者，在外部腔室20之例如底部，設置有排氣口23，在該排氣口23連接有排氣裝置24。當關閉閘閥22，在氣密密封外部腔室20之內部使與外界隔絕之狀態下，使排氣裝置24動作時，可以將外部腔室20之內部之壓力下降至特定之真空度。依此，例如於在複數之處理室3之內部以減壓狀態進行成膜處理之時，可以使外部腔室20之內部之壓力，和複數處理室3之內部之壓力之差變小，或相等，例如不對平台4或蓋體5施加大的壓力，可以抑制平台4或蓋體5之微小彎曲或歪斜等之變形，可以取得如對複數之被處理體G進行精度高之成膜處理的優點。
再者，因可以抑制對平台4或蓋體5施加大的壓力，故針對平台4或蓋體5之強度，也可以某程度上抑制成低。因此，在基板處理裝置1a中，也可取得如也 能將每一片被處理體G之製造成本抑制成低之優點。
再者，於設置複數之處理室3之時，針對氣體供給頭6，以被設置在複數之每個處理室3為佳。
(氣體供給頭：第1變形例)
(A)為表示氣體供給頭之第1變形例之剖面圖，第6圖(B)為從第6圖(A)中之箭號6B觀看的側視圖。第6圖(C)為表示氣體孔列之配置之一變形例之側視圖。
與第6圖(A)及第6圖(B)所示之第1變例有關之氣體供給頭6a，與第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6不同的是又具備有第3氣體擴散室101c及第3氣體孔列102c。雖然如同在上述一實施型態中說明般，但是氣體並不限定於2種類，也可以因應所形成之膜的種類而變更成3種類以上。本例係使用3種類之氣體而成膜之例。
就以使用3種類之氣體而形成膜之例而言，可以舉出例如氮氧化矽膜。此時，第1氣體可以舉出屬於前驅物之矽原料氣體的二氯矽烷(SiH2Cl2：DCS)氣體，第2氣體為屬於氧化劑之水蒸氣(H2O)氣體，第3氣體為氮化劑之氨(NH3)氣體。
如此一來，於具備3列以上之氣體孔列102a~102c之時，3列以上之氣體孔列102a~102c之所有列可以吐出不同之氣體。
此時，就以氣體孔列102a~102c之配置而言，即使如第6圖(B)所示般，將氣體孔列102a~102c之配置間距P1~P3設為“P1=P2=P3=P”，配置成互相偏置“P/3”亦可，如第6圖(C)所示般，將氣體孔列102a~102c之配置間距P1~P3設為“P1=P2=P3=P”，配置成互相偏置“P/2”亦可。
(氣體供給頭：第2變形例)
第7圖為表示氣體供給頭之第2變形例的水平剖面圖。
與第7圖所示之第2變形例有關之氣體供給頭6b與第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6不同的是將第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b，分割成複數第1氣體擴散室101a~101a4及複數第2氣體擴散室101b1~101b4。在本例中，沿著水平方向Y，第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b被分割成複數第1氣體擴散室101a1~101a4及複數第2氣體擴散室101b1~101b4。
在複數之第1氣體擴散室101a1~101a4之每個上連接第1氣體供給管8a，從第1氣體供給系統9a供給第1氣體。同樣地，在複數之第2氣體擴散室101b1~101b4之每個上連接第2氣體供給管8b，從第2氣體供給系統9b供給第2氣體。
第1氣體各從複數第1氣體擴散室101a1~ 101a4，經第1氣體孔列102a而被吐出至處理空間2內，第2氣體各從複數第2氣體擴散室101b1~101b4，經第2氣體孔列102b而被吐出至處理空間2內。
當為與如此之第2變形例有關之氣體供給頭6b時，沿著水平方向Y，第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b分割成複數第1氣體擴散室101a1~101a4及複數第2氣體擴散室101b1~101b4，抑制沿著水平方向Y之長度。藉由具備該構成，例如沿著第1氣體擴散室101a之水平方向Y之長度La，以及第2氣體擴散室101b之水平方向Y之長度Lb變長時，例如變長1m以上之時，藉由各分割成第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b，抑制沿著水平方向Y之長度，降低在氣體擴散室內產生於沿著水平方向Y之長度方向的壓力坡度，改善由於氣體擴散室內之場所不同所產生之吐出氣體流量不均勻之情形，可以使氣體充分擴散，並可以使從第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b吐出之氣體流量成為均勻。因此，可以取得有效適用於被處理體G之一邊為例如1m以上之大型基板之成膜處理的優點。
再者，即使在各分割第1氣體擴散室101a及第2氣體擴散室101b之時，藉由互相使複數第1氣體擴散室101a1~101a4和複數第2氣體擴散室101b1~101b4互相偏置，可以將第1氣體孔列102a之配置間距和第2氣體孔列102b之配置間距保持互相一定。因此，可以取得如可向處理空間2之內部吐出均勻之氣體的優點。再 者，與上述一實施型態相同，藉由將第1氣體孔列102a之配置間距P1，和第2氣體孔列102b之配置間距P2設為“P1=P2=P”，可以對上述一邊為例如1m以上之大型基板，從上下層均勻地供給氣體。
(第3變形例)
第8圖(A)為表示氣體供給頭之第3變形例之剖面圖，第8圖(B)為從第8圖(A)中之箭號8B觀看的側視圖，第9圖為與第3變形例有關之氣體供給頭之斜視圖。
與第8圖(A)、第8圖(B)及第9圖所示之第3變形例有關之氣體供給頭6c，與第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6不同的是在氣體吐出面103，又具備互相連結第1氣體孔列102a之溝部104a，和互相連結第2氣體孔列102b之溝部104b。在本例中，溝部104a及溝部104b之沿著水平方向X之剖面係從直線構成之“V字狀”。
第10圖(A)~第10圖(D)係表示從第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6吐出氣體之樣子的側視圖，第11圖為表示其氣體吐出之樣子的剖面圖。
再者，第12圖(A)~第12圖(D)係表示從第8圖(A)、第8圖(B)及第9圖所示之氣體供給頭6c吐出氣體之樣子的側視圖，第13圖為表示其氣體吐 出之樣子的剖面圖。
如第10圖(A)~第10圖(D)及第11圖所示般，在第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6中，從氣體孔列102a(或是102b)沿著水平方向X吐出之氣體係一面擴散成如同心圓狀一面朝處理空間2之內部擴散。
對此，如第12圖(A)~第12圖(D)及第13圖所示般，在與第3變形例有關之氣體供給頭6c中，因沿著水平方向X而吐出之氣體接觸到溝部104a(或是104b)之側面，故一面沿著水平方向Y擴散一面在溝部104a(或是104b)之內部擴散。然後，在溝部104a(或是104b)之內部，與從相鄰之氣體吐出孔被吐出之氣體混合，成為一片的薄板狀之層流，而從溝部104a(或是104b)擴散至處理空間2之內部。
如此一來，在第3變形例中，藉由在氣體吐出面103，設置互相連結第1氣體孔列102a之溝部104a，和互相連結第2氣體孔列102b之溝部104b，可以當作一片薄的板狀之層流而吐出氣體。
即是，若藉由第3變形例時，比起第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6，層流之厚度t1容易形成薄的層流。因此，可以取得更抑制在氣體供給頭6c中配置氣體孔列之氣體吐出面等之不需要之處產生堆積物之情形，並且使氣體供給之均勻性更佳之優點。
並且，第3變形例並非否定第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6，因由於氣體之種類不同而使得反應性不同，故也有第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6比較適合之情形。因此，要選擇與第3變形例有關之氣體供給頭6c，或選擇第3圖(A)、第3圖(B)及第4圖所示之氣體供給頭6，若因應例如使用之氣體之種類而適當決定即可。
第14圖(A)~(D)係表示與第3變形例有關之氣體供給頭之又一變形例的剖面圖。
在第8圖中，溝部104a及溝部104b之沿著水平方向X之剖面，雖然為以直線所構成之“V字狀”，但是如第14圖(A)所示般，溝部104a及溝部104b之沿著水平方向X之剖面即使例如為階段狀亦可。
再者，如第14圖(B)及第14圖(C)所示般，溝部104a及溝部104b之沿著水平方向X之剖面即使為具有例如曲面亦可。於具有曲面之時，如第14圖(B)所示般，即使曲面為朝向溝部104a及104b之外側成為“凸”之形狀亦可，即使如第14圖(C)所示般，曲面為朝向溝部104a及104b之內側成為“凸”之形狀亦可。
再者，如第14圖(D)所示般，即使在第1氣體孔列102a和第2氣體孔列102b之間無“面”，成為連結第1氣體孔列102a及第2氣體孔列102b之共通溝104亦可。
以上，雖然依循一實施型態說明該發明，但 是該發明並不限定於上述一實施型態，可作各種變形。再者，在該發明之實施型態，上述一實施型態並非唯一之實施型態。
例如，在一實施型態中，將第1氣體孔列102a之配置間距P1，和第2氣體孔列102b之配置間距P2設為“P1=P2”，但是即使在意圖地對吐出氣體之氣體流量設置密度分布之時等，配置間距P1和配置間距P2為互相不同之間距亦可。
再者，在一實施型態中之氣體供給機構若至少藉由按氣體種類之氣體孔列，對應於該氣體孔列之一個或複數氣體擴散室，和用以對該氣體擴散室從各個氣體供給系統供給氣體之氣體配管而構成即可，即使不用在氣體供給頭內設置氣體擴散室亦可。並且，即使氣體供給頭和平台一體設置亦可。
再者，針對所形成之膜並不限定於氧化鋁膜，也如實施型態中所述般，上述一實施型態適用各種膜之成膜。
其他，只要在不脫離該發明其主旨之範圍下可做各種變形。
6‧‧‧氣體供給頭
8a‧‧‧第1氣體供給管
8b‧‧‧第2氣體供給管
100‧‧‧本體
101a‧‧‧第1氣體擴散室
101b‧‧‧第2氣體擴散室
102a‧‧‧第1氣體孔列
102b‧‧‧第2氣體孔列
103‧‧‧氣體吐出面
102‧‧‧氣體孔列
101‧‧‧氣體擴散室

Claims (6)

  1. 一種氣體供給頭，對藉由複數種類之氣體處理被載置在平台之基板的處理空間供給上述複數種類之氣體，該氣體供給頭之特徵為：具有第1氣體孔列，其係由複數氣體吐出孔所構成；第2氣體孔列，其係在與該第1氣體孔列同一面被配置成與該第1氣體孔列並列，由其他複數氣體吐出孔所構成；第1氣體擴散手段，其係由僅構成上述第1氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；及第2氣體擴散手段，其係由僅構成上述第2氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成，上述第1氣體擴散手段及上述第2氣體擴散手段分別在與上述平台接觸之表面具有開口，從上述平台內之配管經由分別對應的上述開口，對上述第1氣體擴散手段和上述第2氣體擴散手段，供給不同種類之氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之氣體供給頭，其中上述第1氣體孔列具有連結構成上述第1氣體孔列之複數氣體吐出孔之V字形溝，上述第2氣體孔列具有連結構成上述第2氣體孔列之複數氣體吐出孔之V字形溝。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之氣體供給頭，其中構成上述第1氣體孔列之氣體吐出孔，和構成上述第2氣體孔列之氣體吐出孔，係從互相鄰接之位置偏置。
  4. 一種基板處理裝置，具備有對藉由複數種類之氣體處理被載置在平台之基板的處理空間供給上述複數種類之氣體的氣體供給機構，該基板處理裝置之特徵為：該氣體供給機構具有：第1氣體孔列，其係由複數氣體吐出孔所構成；第2氣體孔列，其係在與該第1氣體孔列同一面被配置成與該第1氣體孔列並列，由其他複數氣體吐出孔所構成；第1氣體擴散手段，其係由僅構成上述第1氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；第2氣體擴散手段，其係由僅構成上述第2氣體孔列之氣體吐出孔各經氣體流路而連通之1或2以上的氣體擴散室所構成；及被設置在上述平台內之第1氣體供給管及第2氣體供給管，上述第1氣體擴散手段及上述第2氣體擴散手段分別在與上述平台接觸之表面，與上述第1氣體供給管及上述第2氣體供給管結合，分別經由上述第1氣體供給管及上述第2氣體供給管，對上述第1氣體擴散手段和上述第2氣體擴散手段， 各供給不同種類之氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置，其中具有形成上述處理空間之2個以上之處理室，在該每個處理室設置有上述氣體供給機構。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置，其中又具有收容上述2個以上之處理室，將上述處理室之外部維持減壓氛圍之外部腔室。
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