JP2009283915A - 浅いイオン注入された領域を含む半導体デバイスとその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイスを形成する方法は、III族窒化物半導体層上に誘電体層を形成する工程と、前記半導体層において離間して設けられたソース領域およびドレイン領域上の前記誘電体層の一部を選択的に除去する工程と、第1の伝導度型を持つイオンを前記半導体層の前記ソース領域およびドレイン領域内へ直接イオン注入する工程と、前記注入されたイオンを活性化するために前記半導体層と前記誘電体層をアニールする工程と、および前記半導体層の前記ソース領域およびドレイン領域上に金属電極を形成する工程とを含む。
【選択図】図1E
Description
本発明は、半導体デバイスに関し、より具体的には、イオン注入された領域を含む半導体デバイスと関連する方法とに関するものである。
Claims (29)
- 半導体デバイスを形成する方法であって、
III族窒化物半導体層上に誘電体層を形成する工程と、
前記半導体層において離間して設けられているソース領域およびドレイン領域上の前記誘電体層の一部を選択的に除去する工程と、
前記半導体層の前記ソース領域およびドレイン領域内へ直接第1の伝導度型を持つイオンをイオン注入する工程と、
前記注入されたイオンを活性化するために前記半導体層と前記誘電体層とをアニールする工程と、
前記半導体層の前記ソース領域およびドレイン領域上に金属電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする方法。 - 前記イオンは、約80keV未満のイオン注入エネルギーと、約8x1014ions/cm2から約1x1016ions/cm2までの範囲のドーズ量でイオン注入されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記イオン注入エネルギーは、前記半導体層と前記半導体層の下にあるチャネル層との界面の近傍でイオン注入濃度のピークを備えるように選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記イオン注入濃度のピークは、前記半導体層と前記チャネル層との前記界面の100Å以内に存在することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記イオン注入濃度のピークは、約1x1020cm-3より大きいことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記イオン注入濃度のピークは、約3x1020cm-3より大きいことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記金属電極を形成する工程は、
前記誘電体層と前記ソース領域およびドレイン領域との上面にマスクを形成する工程と、
前記ソース領域およびドレイン領域のそれぞれソース電極およびドレイン電極領域を露出させるために前記マスクの一部を選択的に除去する工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極領域上に金属を成膜する工程と、
前記マスクを除去する工程と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記ソース電極およびドレイン電極領域は、前記誘電体層から約0.1μmから1μmの間隔を置いて離れていることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記誘電体層は第1の誘電体層を備えることを特徴とし、前記方法は、
前記ソース領域およびドレイン領域にイオン注入を行った後に、前記第1の誘電体層上に第2の誘電体層を形成する工程と、
前記ソース領域およびドレイン領域内のそれぞれソース電極およびドレイン電極領域を露出させるために、前記ソース領域およびドレイン領域内の前記第2の誘電体層の一部を選択的に除去する工程と
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記ソース電極およびドレイン電極領域内にソース電極およびドレイン電極を形成する工程を更に備え、前記ソース電極およびドレイン電極は、前記第2の誘電体層に直接接触していることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記ソース電極およびドレイン電極領域内にソース電極およびドレイン電極を形成する工程を更に備え、前記ソース電極およびドレイン電極は、前記第2の誘電体層から約0.1μmから1μmの間隔を置いて離れていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 約450℃から約700℃までの温度で前記ソース電極およびドレイン電極をアニールする工程を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記誘電体層は、SiNを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記半導体層と前記誘電体層とをアニールする工程は、NH3を含む雰囲気中でアニールを行う工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記半導体層と前記誘電体層とをアニールする工程は、約1000℃から約1300℃までの温度でアニールする工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記半導体層と前記誘電体層とをアニールする工程は、前記アニール中に前記誘電体層上にSiNが形成されるようにNH3とSiH4の雰囲気中でアニールを行う工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記誘電体層を形成する工程は、LPCVDまたはMOCVDを用いて約700℃より高い温度で前記誘電体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記誘電体層を形成する工程は、約900℃から約1000℃までの温度で前記誘電体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記誘電体層は第1の誘電体層を備えることを特徴とし、前記方法は、
前記第1の誘電体層を除去する工程と、
前記半導体層上に第2の誘電体層を形成する工程と、
前記半導体層において離間して設けられている分離しているソース電極およびドレイン電極領域上の前記第2の誘電体層の一部を選択的に除去する工程と、
前記半導体層の前記ソース電極およびドレイン電極領域上に金属電極を形成する工程と
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記ソース電極およびドレイン電極は、前記第2の誘電体層から約0.1μmから1μmの間隔を置いて離れていることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記第2の誘電体層は、SiNを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記イオンは、約80keV未満のイオン注入エネルギーと、約8x1014ions/cm2から約1x1016ions/cm2までの範囲のドーズ量でイオン注入されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記金属電極を形成する工程は、
前記第2の誘電体層と前記ソース領域およびドレイン領域との上面にマスクを形成する工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極領域を露出させるために前記マスクの一部を選択的に除去する工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極領域上に金属を成膜する工程と、
前記マスクを除去する工程と
を備えることを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 上面と、前記上面内にあって間隔をもって分離されたソース領域およびドレイン領域とを含むIII族窒化物半導体層と、
前記半導体層の前記上面上の誘電体保護層と、
前記III族窒化物半導体層とは反対側の前記誘電体保護層の表面上にあって、前記誘電体保護層を通して、前記III族窒化物半導体層に接触するために伸びているゲート電極と、
前記半導体層の前記ソース領域およびドレイン領域内にあるイオン注入されたドーパントの分布と、
前記半導体層のそれぞれ前記ソース領域およびドレイン領域上にあるソースとドレインのオーミック電極であって、前記ソースとドレインのオーミック電極は、前記誘電体保護層から約0.1μmから1μmの間隔で横方向に離間されていることを特徴とするソースとドレインのオーミック電極と
を備えたことを特徴とするトランジスタ・デバイス。 - 前記III族窒化物半導体層は、障壁層を備えることを特徴とし、前記デバイスは、前記ゲート電極とは反対側の前記障壁層に接したチャネル層を更に備え、イオン注入されたドーパントの前記分布は、前記チャネル層と前記障壁層との界面近傍でピーク濃度を有することを特徴とする請求項24に記載のトランジスタ・デバイス。
- 前記誘電体保護層上に誘電体層を更に備え、前記ソースとドレインのオーミック電極は、前記誘電体層に直接接触していることを特徴とする請求項24に記載のトランジスタ・デバイス。
- イオン注入されたドーパントの前記分布は、前記半導体層と、前記半導体層の下にあるチャネル層との界面の100Å以内にイオン注入濃度のピークを有することを特徴とする請求項24に記載のトランジスタ・デバイス。
- 前記誘電体保護層は、前記ソース領域およびドレイン領域に自己整合していることを特徴とする請求項24に記載のトランジスタ・デバイス。
- 半導体デバイスを形成する方法であって、
III族窒化物半導体層上に第1の窒化シリコン層を形成する工程と、
前記半導体層において離間して設けられているソース領域およびドレイン領域上の前記第1の窒化シリコン層の一部を選択的に除去する工程と、
前記半導体層の前記ソース領域およびドレイン領域内へ直接、第1の伝導度型を有するイオンをイオン注入する工程と、
前記注入されたイオンを活性化するために、前記第1の窒化シリコン層と前記誘電体層とをアニールする工程と、
前記第1の窒化シリコン層を除去する工程と、
前記III族窒化物半導体層上に第2の窒化シリコン層を形成する工程と、
前記半導体層において離間して設けられているソース領域およびドレイン電極領域上の前記第2の窒化シリコン層の一部を選択的に除去する工程と、
前記半導体層の前記ソース電極およびドレイン電極領域上に金属電極を形成する工程と、
前記金属電極をアニールする工程と、
前記第2の窒化シリコン層を通して貫通孔をエッチングする工程と、
前記貫通孔内にゲート電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/118,243 US9711633B2 (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009283915A true JP2009283915A (ja) | 2009-12-03 |
JP2009283915A5 JP2009283915A5 (ja) | 2012-07-12 |
Family
ID=41453996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009089272A Pending JP2009283915A (ja) | 2008-05-09 | 2009-04-01 | 浅いイオン注入された領域を含む半導体デバイスとその形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9711633B2 (ja) |
JP (1) | JP2009283915A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129924A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Infineon Technologies Austria Ag | 金属キャリアを有する半導体デバイスおよび製造方法 |
JP2014072360A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014183094A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015513793A (ja) * | 2012-02-23 | 2015-05-14 | エピガン ナムローゼ フェンノートシャップ | 改良された保護層を有しているiii−nの積層を含んでいる素子および関連する製造方法 |
JP2015103780A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017028312A (ja) * | 2016-10-07 | 2017-02-02 | 三菱電機株式会社 | トランジスタの製造方法、増幅器の製造方法 |
JP2020161814A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 世界先進積體電路股▲ふん▼有限公司 | 半導体構造、高電子移動度トランジスタ、および半導体構造の製造方法 |
US11031464B2 (en) | 2019-01-21 | 2021-06-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272689A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | 電界効果トランジスタ |
WO2010151855A2 (en) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | Cornell University | Iii-v semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation |
CN103000692A (zh) * | 2011-09-14 | 2013-03-27 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管结构及其制造方法 |
TW201312757A (zh) * | 2011-09-14 | 2013-03-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 薄膜電晶體結構及其製造方法 |
JP5825018B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-12-02 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP5998446B2 (ja) | 2011-09-29 | 2016-09-28 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
TWI458092B (zh) * | 2012-01-10 | 2014-10-21 | Univ Nat Chiao Tung | 具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構 |
US9640627B2 (en) | 2012-03-07 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | Schottky contact |
JP6054620B2 (ja) | 2012-03-29 | 2016-12-27 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US8946776B2 (en) * | 2012-06-26 | 2015-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with selectively etched surface passivation |
US10522670B2 (en) | 2012-06-26 | 2019-12-31 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device with selectively etched surface passivation |
US10957790B2 (en) | 2012-06-26 | 2021-03-23 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device with selectively etched surface passivation |
US9111868B2 (en) | 2012-06-26 | 2015-08-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with selectively etched surface passivation |
US10825924B2 (en) | 2012-06-26 | 2020-11-03 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device with selectively etched surface passivation |
JP2014072388A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9202703B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-12-01 | Cree, Inc. | Ni-rich Schottky contact |
US9425276B2 (en) * | 2013-01-21 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High electron mobility transistors |
US8946779B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | MISHFET and Schottky device integration |
US8969927B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof |
US9343561B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Semiconductor device with self-aligned ohmic contacts |
JP6241100B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-12-06 | 豊田合成株式会社 | Mosfet |
JP6197427B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-09-20 | 豊田合成株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
US9202875B2 (en) | 2014-02-18 | 2015-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High electron mobility transistor with indium nitride layer |
JP6149786B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2017-06-21 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6292104B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP6627408B2 (ja) * | 2015-10-21 | 2020-01-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US10354879B2 (en) * | 2016-06-24 | 2019-07-16 | Cree, Inc. | Depletion mode semiconductor devices including current dependent resistance |
US10170611B1 (en) * | 2016-06-24 | 2019-01-01 | Hrl Laboratories, Llc | T-gate field effect transistor with non-linear channel layer and/or gate foot face |
IT201700064147A1 (it) | 2017-06-09 | 2018-12-09 | St Microelectronics Srl | Transistore hemt normalmente spento con generazione selettiva del canale 2deg e relativo metodo di fabbricazione |
EP3673513A4 (en) * | 2017-08-25 | 2021-04-07 | HRL Laboratories, LLC | DIGITAL ALLOY-BASED REAR BARRIER FOR P-CHANNEL NITRIDE TRANSISTORS |
US10651306B2 (en) | 2017-08-25 | 2020-05-12 | Hrl Laboratories, Llc | Digital alloy based back barrier for P-channel nitride transistors |
CN108493245B (zh) * | 2018-05-23 | 2024-03-26 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种常闭型氮化镓hemt器件 |
CN109786256B (zh) * | 2019-01-17 | 2021-05-04 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件 |
US11658234B2 (en) | 2020-10-27 | 2023-05-23 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with enhanced reliability |
US11749726B2 (en) | 2020-10-27 | 2023-09-05 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with source-connected field plate |
US11502178B2 (en) | 2020-10-27 | 2022-11-15 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with at least partially recessed field plate |
US11791389B2 (en) | 2021-01-08 | 2023-10-17 | Wolfspeed, Inc. | Radio frequency transistor amplifiers having widened and/or asymmetric source/drain regions for improved on-resistance performance |
US20220376104A1 (en) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Cree, Inc. | Transistors including semiconductor surface modification and related fabrication methods |
US20220376099A1 (en) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Cree, Inc. | High electron mobility transistors having improved performance |
US20220376085A1 (en) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Cree, Inc. | Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance |
US20240120202A1 (en) * | 2022-10-06 | 2024-04-11 | Wolfspeed, Inc. | Implanted Regions for Semiconductor Structures with Deep Buried Layers |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01302866A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007189213A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-07-26 | Cree Inc | 注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法 |
WO2007136519A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including self aligned refractory contacts and methods of fabricating the same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2708798B2 (ja) | 1988-08-05 | 1998-02-04 | 三洋電機株式会社 | 炭化ケイ素の電極形成方法 |
US6297538B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-10-02 | The University Of Delaware | Metal-insulator-semiconductor field effect transistor having an oxidized aluminum nitride gate insulator formed on a gallium nitride or silicon substrate |
US6316793B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-11-13 | Cree, Inc. | Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates |
US6686616B1 (en) * | 2000-05-10 | 2004-02-03 | Cree, Inc. | Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors |
US6906350B2 (en) * | 2001-10-24 | 2005-06-14 | Cree, Inc. | Delta doped silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors having a gate disposed in a double recess structure |
US6955978B1 (en) | 2001-12-20 | 2005-10-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Uniform contact |
US6956239B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-10-18 | Cree, Inc. | Transistors having buried p-type layers beneath the source region |
JP2004288853A (ja) | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Yasuo Ono | 電界効果型トランジスタ及びオーミック電極の形成方法 |
JP2005116858A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス及び半導体電子デバイスの製造方法 |
US7045404B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-05-16 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof |
US7432142B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-10-07 | Cree, Inc. | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions |
JP4940557B2 (ja) | 2005-02-08 | 2012-05-30 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US7476594B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-01-13 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon nitride regions in silicon carbide and resulting structures |
JP2007305630A (ja) | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP5200372B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2013-06-05 | 日立電線株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-05-09 US US12/118,243 patent/US9711633B2/en active Active
-
2009
- 2009-04-01 JP JP2009089272A patent/JP2009283915A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01302866A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007189213A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-07-26 | Cree Inc | 注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法 |
WO2007136519A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including self aligned refractory contacts and methods of fabricating the same |
JP2009537983A (ja) * | 2006-05-16 | 2009-10-29 | クリー インコーポレイテッド | 自己整合した耐熱性コンタクトを備える半導体デバイス及びその作製方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129924A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Infineon Technologies Austria Ag | 金属キャリアを有する半導体デバイスおよび製造方法 |
US9646855B2 (en) | 2009-12-17 | 2017-05-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method |
JP2015513793A (ja) * | 2012-02-23 | 2015-05-14 | エピガン ナムローゼ フェンノートシャップ | 改良された保護層を有しているiii−nの積層を含んでいる素子および関連する製造方法 |
US9847412B2 (en) | 2012-02-23 | 2017-12-19 | Epigan Nv | Device comprising a III-N layer stack with improved passivation layer and associated manufacturing method |
JP2014072360A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014183094A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9496222B2 (en) | 2013-03-18 | 2016-11-15 | Fujitsu Limited | Semiconductor device including insulating films with different moisture resistances and fabrication method thereof |
JP2015103780A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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