JP5200372B2 - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5200372B2 JP5200372B2 JP2006331076A JP2006331076A JP5200372B2 JP 5200372 B2 JP5200372 B2 JP 5200372B2 JP 2006331076 A JP2006331076 A JP 2006331076A JP 2006331076 A JP2006331076 A JP 2006331076A JP 5200372 B2 JP5200372 B2 JP 5200372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electron
- high concentration
- region
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 27
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、窒化物系化合物半導体内に形成された電界効果トランジスタに係り、特に、ソースおよびドレイン寄生抵抗値が著しく低く、ドレイン飽和電流が非常に高く、かつ相互コンダクタンスを非常に高く設計できる電界効果トランジスタおよびその製造方法に関するものである。
ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどのワイドバンドギャップ窒化物系化合物半導体は、高耐圧・高出力のＨＥＭＴを含む電界効果トランジスタの材料として注目を集めている。
半導体装置には通常オーム性電極と非オーム性電極がある。
一般にワイドバンドギャップ系半導体結晶を用いて電界効果トランジスタを形成、例えばサファイア基板上に電子走行層としてのアンドープＧａＮ層、電子供給層としての高抵抗またはｎ型ＡｌＧａＮを形成し、この電子供給層上にソース電極、ドレイン電極を形成すると、これらオーム性電極の直列抵抗が高くなり、性能が劣化する。
従来、電子装置形成用エピタキシャル結晶成長法等を用いて、Ｓｉ等のイオン注入により高濃度領域を形成し、その高濃度領域上に電極を形成してオーム性電極の直列抵抗を減少させたリセス型電界効果トランジスタが提案されている（特許文献１）。
しかしながら、リセス型電界効果トランジスタには、非オーム性電極も設けることが必須で、その電極を形成すべき領域を確保するには、当該高濃度領域はエッチングなどの技術を用いて除去しなければならなかった。その結果、製造工程の難しさに加え形成された電界効果トランジスタの表面凹凸が大きくなり、電極配線等に著しく不利であった。
本発明の目的は、ワイドバンドギャップ系半導体結晶内に形成する電界効果トランジスタに用いられるオーム性電極の直列抵抗を著しく減少させ、性能を向上できる電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために請求項１の発明は、基板上に窒化物半導体からなる電子走行層と電子供給層が順次形成され、電子供給層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成した電界効果トランジスタにおいて、ソース電極およびドレイン電極直下の深さ方向に、電子供給層と電子走行層間の２次元電子ガスの層を挟むように２重の不純物の高濃度領域が形成され、それぞれの高濃度領域は、ゲート電極直下の電子供給層と電子走行層の不純物濃度よりそれぞれ高濃度となるよう形成されており、かつソース電極とゲート電極の間およびドレイン電極とゲート電極の間の半導体層の表面が平坦であり、前記２次元電子ガスの層の不純物濃度は、前記２重の不純物の高濃度領域のどちらよりも低いことを特徴とする電界効果トランジスタである。
請求項２の発明は、前記２重の不純物の高濃度領域は、第１の高濃度領域と第２の高濃度領域とからなり、電子供給層内に形成される前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が１×１０18〜１０20ｃｍ-3 、電子走行層内に形成される前記第２の高濃度領域のキャリア濃度１×１０18 〜１０19ｃｍ-3 で、かつ前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が前記第２の高濃度領域のキャリア濃度より高くなるように形成されている請求項１記載の電界効果トランジスタである。
請求項３の発明は、基板上に窒化物半導体からなる電子走行層と電子供給層を順次形成し、電子供給層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する電界効果トランジスタの製造方法において、ソース電極およびドレイン電極直下の電子供給層と電子走行層に２段階で不純物を注入して、その深さ方向に、電子供給層と電子走行層間の２次元電子ガスの層を挟むように２重の不純物の高濃度領域を形成し、それぞれの高濃度領域がゲート電極直下の電子供給層と電子走行層の不純物濃度よりそれぞれ高濃度となるよう形成したと共に、前記２次元電子ガスの層の不純物濃度は、前記２重の不純物の高濃度領域のどちらよりも低くなるように形成したことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。
請求項４の発明は、前記２重の不純物の高濃度領域は、第１の高濃度領域と第２の高濃度領域とからなり、電子供給層内に形成される前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が１×１０18〜１０20ｃｍ-3 、電子走行層内に形成される前記第２の高濃度領域のキャリア濃度１×１０18〜１０19ｃｍ-3 で、かつ前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が前記第２の高濃度領域のキャリア濃度より高くなるように注入不純物イオンの加速エネルギとドーズ量が調整される請求項３記載の電界効果トランジスタの製造方法である。
本発明によれば、オーム性電極であるソース電極、ドレイン電極下の電子供給層と電子走行層に、第１及び第２の高濃度領域を形成することにより、直列抵抗の著しく小さな電極が形成できる。イオン注入を用いた製造方法を活用すれば表面の凹凸の少ない電界効果トランジスタが製造可能となる。
以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
本発明は、電界効果トランジスタに用いられるオーム性電極を形成するにあたり、電極下のみに選択的に高濃度層を形成することによって達成される。
以下にこれを詳しく説明する。
図１に示すようにＭＯＣＶＤ法で、サファイヤ（Ａｌ2Ｏ3）や炭化珪素（ＳｉＣ）基板１上に電子走行層としてのアンドープＧａＮ層２を形成し、その上部に高抵抗またはｎ型ＡｌＧａＮ層３を形成するとその界面に２次元電子ガスの層９が形成される。
この２次元電子ガスの層９を応用して、電界効果トランジスタが形成できる。
ＡｌＧａＮ層３は高抵抗のため、表面に堆積したオーム性電極（ドレイン電極）６との抵抗は大きい。
しかし、高抵抗またはｎ型ＡｌＧａＮ層３に第１の高濃度領域７をイオン注入法で形成すると高濃度領域７と電極６との接触になるため接触抵抗は著しく小さくなる。
また、第２の高濃度領域８をＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面より深く形成すると、アンドープＧａＮ層２内に選択的に高濃度領域８が形成できるので、シート抵抗の減少が可能となる。そのため、矢印で示したようにＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面の２次元電子ガスの層９に沿って流れる電子は、矢印のように高濃度領域８，７のみを通過し、オーム性電極６の抵抗は減少する。
図２はオーム性電極の直下の深さ方向の不純物濃度分布を示したもので、高抵抗またはｎ型ＡｌＧａＮ層に、キャリア濃度のピーク値が１×１０18〜１０20ｃｍ-3の第１の高濃度領域７が形成され、２次元電子ガスの層９を介してキャリア濃度のピーク値が１×１０18〜１０19ｃｍ-3の第２の高濃度領域８が形成される。
このように本発明は、オーム性電極となるソース電極５（またはドレイン電極６）の直下の電子供給層としての高抵抗またはｎ型ＡｌＧａＮ層３と電子走行層としてのアンドープＧａＮ層２内に、Ｓｉ等の不純物の高濃度領域７，８を形成し、そのｎ型ＡｌＧａＮ層３にゲート電極４（図３）を形成することで、これら電極４，５，６が同一平面上に形成でき、従来のリセス型電界効果トランジスタのような表面に凹凸がなくなり、電極配線が容易となり、しかも高性能の電界効果トランジスタとすることができる。
次に、図３により、本発明のより具体的な実施の形態を説明する。
周知のＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板または半絶縁性ＳｉＣ基板１上にアンドープＧａＮ（厚さ２０００ｎｍ）２と高抵抗またはＳｉドープｎ形ＡｌＧａＮ（厚さ３０ｎｍ）３を順に成長したウェハを用意する。
原料ガスには一般に用いられるトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニア、ジシランを使用した。成長時の温度と圧力はそれぞれ１１００℃と常圧である。このウェハの電気伝導度を計測したところ約５００オームのシート抵抗値が得られた。
さらに、ソース電極５およびドレイン電極６を形成する箇所に加速エネルギー８０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１５ｃｍ-2でシリコンイオンを注入し、さらに加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１５ｃｍ-2でシリコンイオンを注入して２段階でイオン注入を行った。その後、このウェハを窒素雰囲気中で１２００℃で３分間加熱した。
次にこのウェハ上にＮｉＡｕゲート電極４とＴｉＡｌソース電極５およびＴｉＡｌドレイン電極６を形成した。
このようにして製作した電界効果トランジスタと従来のリセス型電界効果トランジスタの性能を比較すると、ターンオン抵抗が４分の１に、また、飽和ドレイン電流が４倍、相互コンダクタンスは２倍、遮断周波数は４倍に向上した。その原因は、オーム性電極であるソース電極及びドレイン電極の直列抵抗が１０分の１に減少したためであった。
以上、本実施の形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施の形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。また、第１および第２の高濃度領域７，８はそれらが重なっていてもよくまた離れていても同様の効果が得られる。
１ サファイアまはた半絶縁性ＳｉＣ基板
２ アンドープＧａＮ層（電子走行層）
３ 高抵抗またはｎ形ＡｌＧａＮ層（電子供給層）
４ ゲート電極
５ ソース電極
６ ドレイン電極
７ 第１の高濃度領域
８ 第２の高濃度領域
９ ２次元電子ガスの層
２ アンドープＧａＮ層（電子走行層）
３ 高抵抗またはｎ形ＡｌＧａＮ層（電子供給層）
４ ゲート電極
５ ソース電極
６ ドレイン電極
７ 第１の高濃度領域
８ 第２の高濃度領域
９ ２次元電子ガスの層
Claims (4)
- 基板上に窒化物半導体からなる電子走行層と電子供給層が順次形成され、電子供給層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成した電界効果トランジスタにおいて、
ソース電極およびドレイン電極直下の深さ方向に、電子供給層と電子走行層の間の２次元電子ガスの層を挟むように２重の不純物の高濃度領域が形成され、
それぞれの高濃度領域は、ゲート電極直下の電子供給層と電子走行層の不純物濃度よりそれぞれ高濃度となるよう形成されており、かつソース電極とゲート電極の間およびドレイン電極とゲート電極の間の半導体層の表面が平坦であり、
前記２次元電子ガスの層の不純物濃度は、前記２重の不純物の高濃度領域のどちらよりも低いことを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 前記２重の不純物の高濃度領域は、第１の高濃度領域と第２の高濃度領域とからなり、
電子供給層内に形成される前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が１×１０18〜１０20ｃｍ-3、電子走行層内に形成される前記第２の高濃度領域のキャリア濃度１×１０18〜１０19ｃｍ-3で、かつ前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が前記第２の高濃度領域のキャリア濃度より高くなるように形成されている請求項１記載の電界効果トランジスタ。 - 基板上に窒化物半導体からなる電子走行層と電子供給層を順次形成し、電子供給層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する電界効果トランジスタの製造方法において、
ソース電極およびドレイン電極直下の電子供給層と電子走行層に２段階で不純物を注入して、その深さ方向に、電子供給層と電子走行層間の２次元電子ガスの層を挟むように２重の不純物の高濃度領域を形成し、それぞれの高濃度領域がゲート電極直下の電子供給層と電子走行層の不純物濃度よりそれぞれ高濃度となるよう形成したと共に、
前記２次元電子ガスの層の不純物濃度は、前記２重の不純物の高濃度領域のどちらよりも低くなるように形成したことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記２重の不純物の高濃度領域は、第１の高濃度領域と第２の高濃度領域とからなり、
電子供給層内に形成される前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が１×１０18〜１０20ｃｍ-3、電子走行層内に形成される前記第２の高濃度領域のキャリア濃度１×１０18〜１０19ｃｍ-3で、かつ前記第１の高濃度領域のキャリア濃度が前記第２の高濃度領域のキャリア濃度より高くなるように注入不純物イオンの加速エネルギとドーズ量が調整される請求項３記載の電界効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006331076A JP5200372B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| US11/902,964 US7786509B2 (en) | 2006-12-07 | 2007-09-26 | Field-effect transistor and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006331076A JP5200372B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008147311A JP2008147311A (ja) | 2008-06-26 |
| JP5200372B2 true JP5200372B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=39607178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006331076A Expired - Fee Related JP5200372B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7786509B2 (ja) |
| JP (1) | JP5200372B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9711633B2 (en) * | 2008-05-09 | 2017-07-18 | Cree, Inc. | Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions |
| US8159004B2 (en) * | 2008-08-26 | 2012-04-17 | Sanken Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor device having dopant concentration gradient |
| US8674409B2 (en) * | 2008-12-26 | 2014-03-18 | Renesas Electronics Corporation | Heterojunction field effect transistor, method for producing heterojunction field effect transistor, and electronic device |
| JP5568891B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2014-08-13 | 日本電気株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ、その製造方法 |
| JP5587564B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-09-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 |
| WO2010151855A2 (en) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | Cornell University | Iii-v semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation |
| KR101779497B1 (ko) | 2010-08-26 | 2017-09-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 나노입자가 도핑된 열전소자를 포함하는 열전모듈 및 그 제조 방법 |
| US10134727B2 (en) * | 2012-09-28 | 2018-11-20 | Intel Corporation | High breakdown voltage III-N depletion mode MOS capacitors |
| US9064709B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-06-23 | Intel Corporation | High breakdown voltage III-N depletion mode MOS capacitors |
| JP6623691B2 (ja) | 2015-10-30 | 2019-12-25 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| CN108649071B (zh) * | 2018-05-17 | 2019-03-19 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691249B2 (ja) * | 1991-01-10 | 1994-11-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 変調ドープ形ｍｉｓｆｅｔ及びその製造方法 |
| JP3767759B2 (ja) | 1997-02-07 | 2006-04-19 | 株式会社村田製作所 | 電界効果型半導体素子 |
| JP3733420B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2006-01-11 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ |
| JP2005116858A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス及び半導体電子デバイスの製造方法 |
| US7419892B2 (en) * | 2005-12-13 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including implanted regions and protective layers and methods of forming the same |
-
2006
- 2006-12-07 JP JP2006331076A patent/JP5200372B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-26 US US11/902,964 patent/US7786509B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090001423A1 (en) | 2009-01-01 |
| JP2008147311A (ja) | 2008-06-26 |
| US7786509B2 (en) | 2010-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5200372B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| EP3413353B1 (en) | Normally-off hemt transistor with selective generation of 2deg channel, and manufacturing method thereof | |
| US7816707B2 (en) | Field-effect transistor with nitride semiconductor and method for fabricating the same | |
| US7821035B2 (en) | ED inverter circuit and integrate circuit element including the same | |
| US8716756B2 (en) | Semiconductor device | |
| US7635877B2 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| WO2010084727A1 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR101092467B1 (ko) | 인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| US8330187B2 (en) | GaN-based field effect transistor | |
| JP2004327892A (ja) | 化合物半導体ｆｅｔ | |
| JP2008235613A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3951743B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2017157589A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US8614464B2 (en) | Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| KR101172857B1 (ko) | 인헨스먼트 노멀리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| JP5509544B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5379391B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2011129607A (ja) | ＧａＮ系ＭＯＳ型電界効果トランジスタ | |
| JP2011210785A (ja) | 電界効果トランジスタ、およびその製造方法 | |
| JP2007250727A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2006059956A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5871785B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR20190112523A (ko) | 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR101200274B1 (ko) | 인헨스먼트 노멀리 오프 버티컬 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2015008244A (ja) | ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120410 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120925 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121026 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130128 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5200372 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |